JPH05258730A - 光源用白熱体 - Google Patents
光源用白熱体Info
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- JPH05258730A JPH05258730A JP5405992A JP5405992A JPH05258730A JP H05258730 A JPH05258730 A JP H05258730A JP 5405992 A JP5405992 A JP 5405992A JP 5405992 A JP5405992 A JP 5405992A JP H05258730 A JPH05258730 A JP H05258730A
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- light
- wavelength
- cavities
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- light source
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Abstract
(57)【要約】
【目的】微細構造を有する光源用白熱体の初期性能を長
期に亙って維持する。 【構成】光放射体１は、所定波長以上の波長領域の光を
遮断する程度に微細な開口寸法を有する多数の空洞３を
光放射面の略全面に亙って有する。発熱体２は、光放射
体１に近接して配設され、光放射体１を傍熱的に加熱す
る。光放射体１に通電しないから、通電する場合よりも
原子の移動が少なく、空洞３の消失が抑制される。
期に亙って維持する。 【構成】光放射体１は、所定波長以上の波長領域の光を
遮断する程度に微細な開口寸法を有する多数の空洞３を
光放射面の略全面に亙って有する。発熱体２は、光放射
体１に近接して配設され、光放射体１を傍熱的に加熱す
る。光放射体１に通電しないから、通電する場合よりも
原子の移動が少なく、空洞３の消失が抑制される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主として白熱電球の発
光体として用いる光源用白熱体に関するものである。
光体として用いる光源用白熱体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、白熱電球は、光源用白熱体であ
るフィラメントに通電することによってフィラメントを
白熱させて光を放射するものであるから、放射エネルギ
のうちの大部分は赤外線であり可視光線のエネルギは少
なく効率が低いという問題がある。また、白熱電球では
連続スペクトルが得られるが、赤色に偏った分光分布を
示すから、色温度が低いという問題があり、色温度を高
めるためにフィラメントを高温にすればフィラメントが
蒸発しやすくなって寿命が短くなるという問題が生じ
る。
るフィラメントに通電することによってフィラメントを
白熱させて光を放射するものであるから、放射エネルギ
のうちの大部分は赤外線であり可視光線のエネルギは少
なく効率が低いという問題がある。また、白熱電球では
連続スペクトルが得られるが、赤色に偏った分光分布を
示すから、色温度が低いという問題があり、色温度を高
めるためにフィラメントを高温にすればフィラメントが
蒸発しやすくなって寿命が短くなるという問題が生じ
る。
【０００３】このような問題を解決する光源用白熱体と
して、図５および図６に示すように、通電により白熱す
る光放射体１の表面に微細な多数の空洞３を形成するこ
とによって光源用白熱体から放射される光の波長領域を
制限することが考えられている（特開平３−１０２７０
１号公報）。この光源用白熱体は、多数の微細な空洞３
を光放射体１の表面に形成し、空洞３内で光の放射場を
制限することによって所定エネルギ以下の光子の存在確
率を著しく低減させるという量子電磁力学的効果を用い
たものであって、所定の波長以上の波長領域の光を遮断
することができるものである。すなわち、空洞３内では
電子と光子とが常に相互作用するが、所定エネルギ以下
の光子は存在確率が非常に小さくなり、有限時間内では
観測されないのである。
して、図５および図６に示すように、通電により白熱す
る光放射体１の表面に微細な多数の空洞３を形成するこ
とによって光源用白熱体から放射される光の波長領域を
制限することが考えられている（特開平３−１０２７０
１号公報）。この光源用白熱体は、多数の微細な空洞３
を光放射体１の表面に形成し、空洞３内で光の放射場を
制限することによって所定エネルギ以下の光子の存在確
率を著しく低減させるという量子電磁力学的効果を用い
たものであって、所定の波長以上の波長領域の光を遮断
することができるものである。すなわち、空洞３内では
電子と光子とが常に相互作用するが、所定エネルギ以下
の光子は存在確率が非常に小さくなり、有限時間内では
観測されないのである。
【０００４】空洞３の効果を古典物理学的に解釈すれ
ば、空洞３を同調度の低い導波管とみなすことができ
る。したがって、光放射体１から放射された電磁波のう
ちカットオフ波長以上の波長領域の光の伝送を禁止して
いると考えることができる。カットオフ波長を可視光よ
り波長が長い領域、すなわち赤外線領域の光を遮断する
ように設定すれば、光放射体１からの赤外線の放射を抑
制することができる。このような光放射体１を用いれ
ば、赤外線領域の光が遮断されることによって光源用白
熱体の表面温度を下げることができ、白熱電球の発光効
率の向上および長寿命化につながることになる。
ば、空洞３を同調度の低い導波管とみなすことができ
る。したがって、光放射体１から放射された電磁波のう
ちカットオフ波長以上の波長領域の光の伝送を禁止して
いると考えることができる。カットオフ波長を可視光よ
り波長が長い領域、すなわち赤外線領域の光を遮断する
ように設定すれば、光放射体１からの赤外線の放射を抑
制することができる。このような光放射体１を用いれ
ば、赤外線領域の光が遮断されることによって光源用白
熱体の表面温度を下げることができ、白熱電球の発光効
率の向上および長寿命化につながることになる。
【０００５】特開昭３−１０２７０１号公報に記載され
た光源用白熱体は、タングステンやモリブデンよりなる
光放射体１の表面に開口形状が正方形である微細な多数
の空洞３が形成されているものである。また、赤外線の
放射を抑制するために各空洞３のカットオフ波長として
は７００ｎｍが選択され、このカットオフ波長を満たす
設計条件として空洞３の開口断面の一辺の寸法Ｌは３５
０ｎｍに設定されている。隣接する空洞３の間隔ｄは、
７００ｎｍの波長に対するスキンデプス程度である１５
０ｎｍに設定されている。すなわち、各空洞３は独立し
て導波管として機能するのであって、空洞３の連結によ
ってカットオフ波長が長くなることが防止されているの
である。さらに、空洞３の深さＤは７０００ｎｍに設定
されている。
た光源用白熱体は、タングステンやモリブデンよりなる
光放射体１の表面に開口形状が正方形である微細な多数
の空洞３が形成されているものである。また、赤外線の
放射を抑制するために各空洞３のカットオフ波長として
は７００ｎｍが選択され、このカットオフ波長を満たす
設計条件として空洞３の開口断面の一辺の寸法Ｌは３５
０ｎｍに設定されている。隣接する空洞３の間隔ｄは、
７００ｎｍの波長に対するスキンデプス程度である１５
０ｎｍに設定されている。すなわち、各空洞３は独立し
て導波管として機能するのであって、空洞３の連結によ
ってカットオフ波長が長くなることが防止されているの
である。さらに、空洞３の深さＤは７０００ｎｍに設定
されている。
【０００６】上記寸法に設定した場合、導波管理論によ
れば、各空洞３の底面から放射された電磁波のうち開口
寸法の２倍以上の波長の電磁波は遮断されるから、開口
寸法Ｌが３５０ｎｍであれば、７００ｎｍ以上の波長の
光は放射されないのである。一方、空洞３の側壁内で発
生した電磁波の電磁界は各空洞３間の壁を貫通しかつ連
続するという条件を満たすことが必要である。隣接する
空洞３間の側壁の厚みはカットオフ波長に対するスキン
デプス程度に設定されているから、波長がカットオフ波
長以上であると上記条件が満たされないことになる。し
たがって、空洞３間の壁内でもカットオフ波長以上の波
長の電磁波は発生せず、結果的に７００ｎｍ以上の電磁
波は空洞３の壁面からも放射されないことになる。
れば、各空洞３の底面から放射された電磁波のうち開口
寸法の２倍以上の波長の電磁波は遮断されるから、開口
寸法Ｌが３５０ｎｍであれば、７００ｎｍ以上の波長の
光は放射されないのである。一方、空洞３の側壁内で発
生した電磁波の電磁界は各空洞３間の壁を貫通しかつ連
続するという条件を満たすことが必要である。隣接する
空洞３間の側壁の厚みはカットオフ波長に対するスキン
デプス程度に設定されているから、波長がカットオフ波
長以上であると上記条件が満たされないことになる。し
たがって、空洞３間の壁内でもカットオフ波長以上の波
長の電磁波は発生せず、結果的に７００ｎｍ以上の電磁
波は空洞３の壁面からも放射されないことになる。
【０００７】結局、カットオフ波長以上の波長の電磁波
が放射される部位は、空洞３の開口面を含む光放射体１
の表面のうち隣接する空洞３間であって、カットオフ波
長に対するスキンデプス程度の厚み範囲ということにな
る。空洞３が光放射体１の表面のほぼ全面に亙って等間
隔に配列されているとすれば、光放射体１の光放射面に
対する空洞３の開口率は約５０％になるから、カットオ
フ波長以上の波長の光が放射される面は、光放射体１の
光放射面に対して高々５０％ということになる。また、
カットオフ波長以上の波長の光を放射する領域がカット
オフ波長のスキンデプス程度の薄い領域に制限され、同
一波長の光子が内部から供給されないから、熱力学的平
衡状態に達することがなく輻射量は黒体輻射よりも少な
くなる。黒体輻射での放射量に対して光束が２０％にな
るとすれば、カットオフ波長以上の波長の光の量は、空
洞３を設けていない場合の１０分の１程度になる。一
方、カットオフ波長より波長の短い光は空洞３間の壁内
からも発生するから、熱力学的平衡状態に達することが
でき黒体輻射による光束に達することができる。その結
果、カットオフ波長よりも短い光の光束に対するカット
オフ波長以上の光の光束が大幅に低減されるのである。
が放射される部位は、空洞３の開口面を含む光放射体１
の表面のうち隣接する空洞３間であって、カットオフ波
長に対するスキンデプス程度の厚み範囲ということにな
る。空洞３が光放射体１の表面のほぼ全面に亙って等間
隔に配列されているとすれば、光放射体１の光放射面に
対する空洞３の開口率は約５０％になるから、カットオ
フ波長以上の波長の光が放射される面は、光放射体１の
光放射面に対して高々５０％ということになる。また、
カットオフ波長以上の波長の光を放射する領域がカット
オフ波長のスキンデプス程度の薄い領域に制限され、同
一波長の光子が内部から供給されないから、熱力学的平
衡状態に達することがなく輻射量は黒体輻射よりも少な
くなる。黒体輻射での放射量に対して光束が２０％にな
るとすれば、カットオフ波長以上の波長の光の量は、空
洞３を設けていない場合の１０分の１程度になる。一
方、カットオフ波長より波長の短い光は空洞３間の壁内
からも発生するから、熱力学的平衡状態に達することが
でき黒体輻射による光束に達することができる。その結
果、カットオフ波長よりも短い光の光束に対するカット
オフ波長以上の光の光束が大幅に低減されるのである。
【０００８】このような構成の光源用白熱体を用いた白
熱電球は、従来より提供されているタングステンフィラ
メントを用いた白熱電球と比較して、可視光領域におい
て同程度の発光輝度を得るために放射面の温度を下げる
ことができるから、発光効率が高くなり、また、光源用
白熱体の蒸発量も低減して寿命が長くなるのである。す
なわち、図７に実線で示すように、赤外線領域でのパワ
ースペクトルが従来（図７に破線で示す）よりも大幅に
小さくなった結果、可視光領域で同じエネルギを得るた
めの供給エネルギが大幅に低減することになって効率が
高くなるのである。
熱電球は、従来より提供されているタングステンフィラ
メントを用いた白熱電球と比較して、可視光領域におい
て同程度の発光輝度を得るために放射面の温度を下げる
ことができるから、発光効率が高くなり、また、光源用
白熱体の蒸発量も低減して寿命が長くなるのである。す
なわち、図７に実線で示すように、赤外線領域でのパワ
ースペクトルが従来（図７に破線で示す）よりも大幅に
小さくなった結果、可視光領域で同じエネルギを得るた
めの供給エネルギが大幅に低減することになって効率が
高くなるのである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
光源用白熱体では空洞３が微細であるから、光放射体１
の温度を再結晶温度（通常は融点の２分の１程度）以下
に設定することが必要である。再結晶温度を大きく越え
ると粒界移動が生じて微細構造が失われることになる。
また、空洞３は微細であるから、通電とともに加熱すれ
ば、通電に伴う原子の移動によって空洞３が次第に破壊
されることになる。したがって、長期に亙って初期性能
を維持するのが難しいという問題がある。
光源用白熱体では空洞３が微細であるから、光放射体１
の温度を再結晶温度（通常は融点の２分の１程度）以下
に設定することが必要である。再結晶温度を大きく越え
ると粒界移動が生じて微細構造が失われることになる。
また、空洞３は微細であるから、通電とともに加熱すれ
ば、通電に伴う原子の移動によって空洞３が次第に破壊
されることになる。したがって、長期に亙って初期性能
を維持するのが難しいという問題がある。
【００１０】本発明は上記問題点の解決を目的とするも
のであり、比較的長期に亙って初期性能を維持すること
ができる光源用白熱体を提供しようとするものである。
のであり、比較的長期に亙って初期性能を維持すること
ができる光源用白熱体を提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記目的を
達成するために、所定波長以上の波長領域の光を遮断す
る程度に微細な開口寸法を有する多数の空洞を光放射面
の略全面に亙って形成した光放射体と、光放射体に近接
して配設され光放射体を傍熱的に加熱する発熱体とを備
えているのである。
達成するために、所定波長以上の波長領域の光を遮断す
る程度に微細な開口寸法を有する多数の空洞を光放射面
の略全面に亙って形成した光放射体と、光放射体に近接
して配設され光放射体を傍熱的に加熱する発熱体とを備
えているのである。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、微細な多数の空洞を形成し
た光放射体を傍熱的に加熱する発熱体に近接させている
のであって、光放射体は加熱されるのみであって通電さ
れることはないから、通電による原子の移動がなく、結
果的に空洞の消失が抑制されるのである。すなわち、比
較的長期に亙って赤外線領域の波長の放出を抑制すると
いう初期特性を維持することができるのである。
た光放射体を傍熱的に加熱する発熱体に近接させている
のであって、光放射体は加熱されるのみであって通電さ
れることはないから、通電による原子の移動がなく、結
果的に空洞の消失が抑制されるのである。すなわち、比
較的長期に亙って赤外線領域の波長の放出を抑制すると
いう初期特性を維持することができるのである。
【００１３】
【実施例】本発明の光源用白熱体は、図１に示すよう
に、表裏の一面である光放射面の略全面に亙って微細な
多数の空洞３を形成したタングステンよりなる光放射体
１を備え、光放射体１における光放射面とは反対側の面
に窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4）よりなる絶縁層４を介し
てタングステンの薄膜よりなる発熱体２を積層した構成
を有している。空洞３は、一辺が３５０ｎｍの正方形と
なるように開口し、深さが３μｍ以上に設定される。発
熱体２に通電すれば、絶縁層４を介して光放射体１が傍
熱的に加熱され、光放射体１から光が放射されるのであ
る。また、光放射体１の光放射面には上記寸法の微細な
空洞３が形成されているから、従来の技術で説明したよ
うに、カットオフ波長以上の波長を有する光の放射が抑
制され、発光効率が向上するのである。しかも、傍熱的
に加熱するから、光放射体１には通電されることがな
く、光放射体１には通電による原子の移動が生じないの
であり、空洞２の消失が抑制され、結果的に長寿命化に
つながるのである。
に、表裏の一面である光放射面の略全面に亙って微細な
多数の空洞３を形成したタングステンよりなる光放射体
１を備え、光放射体１における光放射面とは反対側の面
に窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4）よりなる絶縁層４を介し
てタングステンの薄膜よりなる発熱体２を積層した構成
を有している。空洞３は、一辺が３５０ｎｍの正方形と
なるように開口し、深さが３μｍ以上に設定される。発
熱体２に通電すれば、絶縁層４を介して光放射体１が傍
熱的に加熱され、光放射体１から光が放射されるのであ
る。また、光放射体１の光放射面には上記寸法の微細な
空洞３が形成されているから、従来の技術で説明したよ
うに、カットオフ波長以上の波長を有する光の放射が抑
制され、発光効率が向上するのである。しかも、傍熱的
に加熱するから、光放射体１には通電されることがな
く、光放射体１には通電による原子の移動が生じないの
であり、空洞２の消失が抑制され、結果的に長寿命化に
つながるのである。
【００１４】ところで、上記構成の光源用白熱体は以下
のような方法によって作成することができる。すなわ
ち、光源用白熱体を構成する光放射体１、発熱体２、絶
縁層４は薄膜であるから、スパッタリングによって各層
を形成する。スパッタリング装置としては、図２に示す
ような、多元ターゲットスパッタ装置１０を用いる。こ
のスパッタ装置１０では、タングステンよりなる第１の
ターゲット１１と、窒化シリコンよりなる第２のターゲ
ット１２とが一つのチャンバ１３の中に配設され、ター
ゲット１１，１２を択一的に用いてスパッタリングする
ことができるようになっている。また、各ターゲット１
１，１２に対向することができるように回転可能となっ
たヒータ１４が設けられる。ヒータ１４にはシリコンよ
りなる基板５が取着され、ヒータ１４で基板５を加熱し
た状態で、基板５の上に発熱体２、絶縁層４、光放射体
１を順に積層するようになっている。また、チャンバ１
３は、排出口１５を通して真空に引くことができるとと
もに、雰囲気を形成する気体を導入口１６を通して導入
できるようになっている。
のような方法によって作成することができる。すなわ
ち、光源用白熱体を構成する光放射体１、発熱体２、絶
縁層４は薄膜であるから、スパッタリングによって各層
を形成する。スパッタリング装置としては、図２に示す
ような、多元ターゲットスパッタ装置１０を用いる。こ
のスパッタ装置１０では、タングステンよりなる第１の
ターゲット１１と、窒化シリコンよりなる第２のターゲ
ット１２とが一つのチャンバ１３の中に配設され、ター
ゲット１１，１２を択一的に用いてスパッタリングする
ことができるようになっている。また、各ターゲット１
１，１２に対向することができるように回転可能となっ
たヒータ１４が設けられる。ヒータ１４にはシリコンよ
りなる基板５が取着され、ヒータ１４で基板５を加熱し
た状態で、基板５の上に発熱体２、絶縁層４、光放射体
１を順に積層するようになっている。また、チャンバ１
３は、排出口１５を通して真空に引くことができるとと
もに、雰囲気を形成する気体を導入口１６を通して導入
できるようになっている。
【００１５】基板５に発熱体２を積層する際には、まず
第１のターゲット１１に基板５が対向するようにヒータ
１４を回転させる。雰囲気としてはアルゴンを導入す
る。この状態で、第１のターゲット１１に高周波電力を
印加して第１のターゲット１１をスパッタし、タングス
テンの発熱体１を基板５に堆積させる。次に、基板５が
第２のターゲット１２に対向するようにヒータ１４を回
転させる。この状態で、第２のターゲット１２に高周波
電力を印加し、窒化シリコンの絶縁層４を発熱体１の上
に堆積させる。最後に、基板５を第１のターゲット１１
に再度対向させ、第１のターゲット１１をスパッタして
タングステンの光放射体１を絶縁層４に堆積させるので
ある。このように多元ターゲットスパッタ装置１を用い
て一つのチャンバ１３内で連続的に各層を形成するか
ら、各層間に酸化物等による不純物の層が形成されるこ
とがなく各層間の密着強度が高くなる。このようにし
て、図３に示すような積層体を形成することができる。
第１のターゲット１１に基板５が対向するようにヒータ
１４を回転させる。雰囲気としてはアルゴンを導入す
る。この状態で、第１のターゲット１１に高周波電力を
印加して第１のターゲット１１をスパッタし、タングス
テンの発熱体１を基板５に堆積させる。次に、基板５が
第２のターゲット１２に対向するようにヒータ１４を回
転させる。この状態で、第２のターゲット１２に高周波
電力を印加し、窒化シリコンの絶縁層４を発熱体１の上
に堆積させる。最後に、基板５を第１のターゲット１１
に再度対向させ、第１のターゲット１１をスパッタして
タングステンの光放射体１を絶縁層４に堆積させるので
ある。このように多元ターゲットスパッタ装置１を用い
て一つのチャンバ１３内で連続的に各層を形成するか
ら、各層間に酸化物等による不純物の層が形成されるこ
とがなく各層間の密着強度が高くなる。このようにし
て、図３に示すような積層体を形成することができる。
【００１６】次に、表面に形成されているタングステン
の光放射体１に対して集束イオンビームを用いてエッチ
ングを施し微細な空洞３を形成する。イオン源としては
ガリウムイオン源を用いることができる。また、エッチ
ングは真空中で行うことができるが、雰囲気として塩素
ガス等の反応性気体を導入してもよい。以上の方法によ
って上述した構造の光源用白熱体を形成することができ
るのである。
の光放射体１に対して集束イオンビームを用いてエッチ
ングを施し微細な空洞３を形成する。イオン源としては
ガリウムイオン源を用いることができる。また、エッチ
ングは真空中で行うことができるが、雰囲気として塩素
ガス等の反応性気体を導入してもよい。以上の方法によ
って上述した構造の光源用白熱体を形成することができ
るのである。
【００１７】上述のようにして形成した光源用白熱体
を、空洞３を設けていない光源用白熱体と比較したとこ
ろ、図４に示すような結果が得られた。すなわち、空洞
３がある白熱体と空洞３がない白熱体とについて、それ
ぞれ発熱体２に通電して約２３００°Ｋに加熱し、発光
スペクトルを測定した。空洞３がない発熱体では破線の
ように長波長領域の放射が見られたのに対して、空洞３
を設けた発熱体では実線のように７００ｎｍ以上の波長
領域の放射が抑制され、発光効率が大幅に向上した。こ
の構成では、光放射体１と発熱体２とが独立しているか
ら、発熱体２として光放射体１とは無関係に所望の電気
的特性が得られるように設計することが可能になり、設
計が容易になるのである。また、光放射体１に通電して
いた従来構成に比較して光放射体１を傍熱的に加熱する
ことによって長寿命化されるのである。
を、空洞３を設けていない光源用白熱体と比較したとこ
ろ、図４に示すような結果が得られた。すなわち、空洞
３がある白熱体と空洞３がない白熱体とについて、それ
ぞれ発熱体２に通電して約２３００°Ｋに加熱し、発光
スペクトルを測定した。空洞３がない発熱体では破線の
ように長波長領域の放射が見られたのに対して、空洞３
を設けた発熱体では実線のように７００ｎｍ以上の波長
領域の放射が抑制され、発光効率が大幅に向上した。こ
の構成では、光放射体１と発熱体２とが独立しているか
ら、発熱体２として光放射体１とは無関係に所望の電気
的特性が得られるように設計することが可能になり、設
計が容易になるのである。また、光放射体１に通電して
いた従来構成に比較して光放射体１を傍熱的に加熱する
ことによって長寿命化されるのである。
【００１８】
【発明の効果】本発明は上述のように、微細な多数の空
洞を形成した光放射体を傍熱的に加熱する発熱体に近接
させているのであって、光放射体は加熱されるのみであ
って通電されることはないから、通電による原子の移動
がなく、結果的に空洞の消失が抑制されるという効果が
ある。すなわち、比較的長期に亙って赤外線領域の波長
の放出を抑制するという初期特性を維持することができ
るという利点を有するのである。
洞を形成した光放射体を傍熱的に加熱する発熱体に近接
させているのであって、光放射体は加熱されるのみであ
って通電されることはないから、通電による原子の移動
がなく、結果的に空洞の消失が抑制されるという効果が
ある。すなわち、比較的長期に亙って赤外線領域の波長
の放出を抑制するという初期特性を維持することができ
るという利点を有するのである。
【図１】実施例を示す斜視図である。
【図２】実施例の製造装置を示す概略構成図である。
【図３】実施例の製造過程の中間品を示す断面図であ
る。
る。
【図４】実施例の動作特性の例を示す説明図である。
【図５】従来例を示す斜視図である。
【図６】従来例を示す断面図である。
【図７】従来例の動作特性の例を示す説明図である。
１ 光放射体 ２ 発熱体 ３ 空洞 ４ 絶縁層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１１月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】このような問題を解決する光源用白熱体と
して、図５および図６に示すように、通電により白熱す
る光放射体１の表面に微細な多数の空洞３を形成するこ
とによって光源用白熱体から放射される光の波長領域を
制限することが考えられている（特開平３−１０２７０
１号公報）。この光源用白熱体は、多数の微細な空洞３
を光放射体１の表面に形成し、空洞３内で光の放射場を
制限することによって所定エネルギ以下の光子の存在確
率を著しく低減させるという量子電磁力学的効果を用い
たものであって、所定の波長以上の波長領域の光を遮断
することができるものである。すなわち、空洞３内では
所定エネルギ以下の光子は存在確率が非常に小さくな
り、有限時間内では観測されないのである。
して、図５および図６に示すように、通電により白熱す
る光放射体１の表面に微細な多数の空洞３を形成するこ
とによって光源用白熱体から放射される光の波長領域を
制限することが考えられている（特開平３−１０２７０
１号公報）。この光源用白熱体は、多数の微細な空洞３
を光放射体１の表面に形成し、空洞３内で光の放射場を
制限することによって所定エネルギ以下の光子の存在確
率を著しく低減させるという量子電磁力学的効果を用い
たものであって、所定の波長以上の波長領域の光を遮断
することができるものである。すなわち、空洞３内では
所定エネルギ以下の光子は存在確率が非常に小さくな
り、有限時間内では観測されないのである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】上記寸法に設定した場合、導波管理論によ
れば、各空洞３の底面から放射された電磁波のうち開口
寸法の２倍以上の波長の電磁波は遮断されるから、開口
寸法Ｌが３５０ｎｍであれば、７００ｎｍ以上の波長の
光は放射されないのである。一方、空洞３の側壁内で発
生した電磁波の電磁界は各空洞３間の壁側面において連
続するという条件を満たすことが必要である。隣接する
空洞３間の側壁の厚みはカットオフ波長に対するスキン
デプス程度に設定されているから、波長がカットオフ波
長以上であると上記条件が満たされないことになる。し
たがって、空洞３間の壁内でもカットオフ波長以上の波
長の電磁波は発生せず、結果的に７００ｎｍ以上の電磁
波は空洞３の壁面からも放射されないことになる。
れば、各空洞３の底面から放射された電磁波のうち開口
寸法の２倍以上の波長の電磁波は遮断されるから、開口
寸法Ｌが３５０ｎｍであれば、７００ｎｍ以上の波長の
光は放射されないのである。一方、空洞３の側壁内で発
生した電磁波の電磁界は各空洞３間の壁側面において連
続するという条件を満たすことが必要である。隣接する
空洞３間の側壁の厚みはカットオフ波長に対するスキン
デプス程度に設定されているから、波長がカットオフ波
長以上であると上記条件が満たされないことになる。し
たがって、空洞３間の壁内でもカットオフ波長以上の波
長の電磁波は発生せず、結果的に７００ｎｍ以上の電磁
波は空洞３の壁面からも放射されないことになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】
【実施例】本発明の光源用白熱体は、図１に示すよう
に、表裏の一面である光放射面の全面に亙って微細な多
数の空洞３を形成したタングステンよりなる光放射体１
を備え、光放射体１における光放射面とは反対側の面に
窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）よりなる絶縁層４を介して
タングステンの薄膜よりなる発熱体２を積層した構成を
有している。空洞３は、一辺が３５０ｎｍの正方形とな
るように開口し、深さが３μｍ以上に設定される。発熱
体２に通電すれば、絶縁層４を介して光放射体１が傍熱
的に加熱され、光放射体１から光が放射されるのであ
る。また、光放射体１の光放射面には上記寸法の微細な
空洞３が形成されているから、従来の技術で説明したよ
うに、カットオフ波長以上の波長を有する光の放射が抑
制され、発光効率が向上するのである。しかも、傍熱的
に加熱するから、光放射体１には通電されることがな
く、光放射体１には通電による原子の移動が生じないの
であり、空洞２の消失が抑制され、結果的に長寿命化に
つながるのである。
に、表裏の一面である光放射面の全面に亙って微細な多
数の空洞３を形成したタングステンよりなる光放射体１
を備え、光放射体１における光放射面とは反対側の面に
窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）よりなる絶縁層４を介して
タングステンの薄膜よりなる発熱体２を積層した構成を
有している。空洞３は、一辺が３５０ｎｍの正方形とな
るように開口し、深さが３μｍ以上に設定される。発熱
体２に通電すれば、絶縁層４を介して光放射体１が傍熱
的に加熱され、光放射体１から光が放射されるのであ
る。また、光放射体１の光放射面には上記寸法の微細な
空洞３が形成されているから、従来の技術で説明したよ
うに、カットオフ波長以上の波長を有する光の放射が抑
制され、発光効率が向上するのである。しかも、傍熱的
に加熱するから、光放射体１には通電されることがな
く、光放射体１には通電による原子の移動が生じないの
であり、空洞２の消失が抑制され、結果的に長寿命化に
つながるのである。
Claims (1)
- 【請求項１】 所定波長以上の波長領域の光を遮断する
程度に微細な開口寸法を有する多数の空洞を光放射面の
略全面に亙って形成した光放射体と、光放射体に近接し
て配設され光放射体を傍熱的に加熱する発熱体とを備え
たことを特徴とする光源用白熱体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5405992A JPH05258730A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 光源用白熱体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5405992A JPH05258730A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 光源用白熱体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258730A true JPH05258730A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12960046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5405992A Withdrawn JPH05258730A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 光源用白熱体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05258730A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001015206A1 (de) * | 1999-08-22 | 2001-03-01 | Ip2H Ag | Lichtquelle |
| WO2005098906A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | エネルギー変換装置および光源 |
| WO2007138726A1 (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Nalux Co., Ltd. | 赤外光源 |
| WO2007139022A1 (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Nalux Co., Ltd. | 赤外光源およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP5405992A patent/JPH05258730A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001015206A1 (de) * | 1999-08-22 | 2001-03-01 | Ip2H Ag | Lichtquelle |
| US6777859B1 (en) | 1999-08-22 | 2004-08-17 | Ip2H Ag | Light source |
| WO2005098906A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | エネルギー変換装置および光源 |
| US7276846B2 (en) | 2004-03-30 | 2007-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Energy converter and light source |
| WO2007138726A1 (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Nalux Co., Ltd. | 赤外光源 |
| WO2007139022A1 (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Nalux Co., Ltd. | 赤外光源およびその製造方法 |
| WO2007141826A1 (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-13 | Nalux Co., Ltd. | 赤外光源 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |