JPH05258704A - 走査型電子顕微鏡 - Google Patents
走査型電子顕微鏡Info
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- JPH05258704A JPH05258704A JP4051376A JP5137692A JPH05258704A JP H05258704 A JPH05258704 A JP H05258704A JP 4051376 A JP4051376 A JP 4051376A JP 5137692 A JP5137692 A JP 5137692A JP H05258704 A JPH05258704 A JP H05258704A
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- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 55
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 abstract description 69
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 3
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 102100029469 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 101710097421 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は走査型電子顕微鏡に関し、測定点探
索における電子ビームの照射を抑えることで、コンタミ
ネーションの付着を抑制する走査型電子顕微鏡を提供す
ることを目的としている。 【構成】 二次元平面上の任意の位置に移動するステー
ジ上の試料に電子ビームを照射し、該試料から放出され
る二次電子に基づいて画像を取得する画像取得手段と、
該画像取得手段により取得された画像を表示装置に表示
する画像表示手段とを備えた走査型電子顕微鏡であっ
て、前記画像取得手段による画像の連続取得中に、該画
像に所定の有意な変化が発生していないかどうかを判定
する画像変化判定手段と、画像取得に関する所定の状態
変化要因の発生を検出する状態変化要因検出手段とを有
し、該画像変化判定手段の判定により該画像に所定の有
意な変化がない場合、画像の取得を中断し、該状態変化
要因検出手段により状態変化要因を検出した場合、画像
取得を再開するように構成する。
索における電子ビームの照射を抑えることで、コンタミ
ネーションの付着を抑制する走査型電子顕微鏡を提供す
ることを目的としている。 【構成】 二次元平面上の任意の位置に移動するステー
ジ上の試料に電子ビームを照射し、該試料から放出され
る二次電子に基づいて画像を取得する画像取得手段と、
該画像取得手段により取得された画像を表示装置に表示
する画像表示手段とを備えた走査型電子顕微鏡であっ
て、前記画像取得手段による画像の連続取得中に、該画
像に所定の有意な変化が発生していないかどうかを判定
する画像変化判定手段と、画像取得に関する所定の状態
変化要因の発生を検出する状態変化要因検出手段とを有
し、該画像変化判定手段の判定により該画像に所定の有
意な変化がない場合、画像の取得を中断し、該状態変化
要因検出手段により状態変化要因を検出した場合、画像
取得を再開するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、走査型電子顕微鏡に係
り、詳しくは、例えば、ＬＳＩ（Large Scale Integrat
ed circuit）等の測定の分野に用いて好適な、内部配線
の動作状態を非破壊・非接触で測定する走査型電子顕微
鏡に関する。近年、例えば、ＬＳＩチップの表面や断面
を観測するための走査型電子顕微鏡が数多く用いられて
いるこれは、ＬＳＩ等の半導体集積回路においてはパタ
ーンが微細化されたたため、光学顕微鏡では見えないこ
とが多く、高い分解能が得られる走査型電子顕微鏡が製
造工程内の検査や不良解析等に適しているためである。
り、詳しくは、例えば、ＬＳＩ（Large Scale Integrat
ed circuit）等の測定の分野に用いて好適な、内部配線
の動作状態を非破壊・非接触で測定する走査型電子顕微
鏡に関する。近年、例えば、ＬＳＩチップの表面や断面
を観測するための走査型電子顕微鏡が数多く用いられて
いるこれは、ＬＳＩ等の半導体集積回路においてはパタ
ーンが微細化されたたため、光学顕微鏡では見えないこ
とが多く、高い分解能が得られる走査型電子顕微鏡が製
造工程内の検査や不良解析等に適しているためである。
【０００２】走査型電子顕微鏡は、試料を試料室に入
れ、真空にしてから細く絞った電子ビームを走査しなが
ら当てることにより、試料から放出される二次電子像を
ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）で観測したり、写真にする
ことができるものである。しかし、試料にコンタミネー
ションが付着すると測定時間が長くなるため、結果とし
て、観測時間が長くなってしまう。
れ、真空にしてから細く絞った電子ビームを走査しなが
ら当てることにより、試料から放出される二次電子像を
ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）で観測したり、写真にする
ことができるものである。しかし、試料にコンタミネー
ションが付着すると測定時間が長くなるため、結果とし
て、観測時間が長くなってしまう。
【０００３】そこで、コンタミネーションの付着を防止
することが必要となる。
することが必要となる。
【０００４】
【従来の技術】従来のこの種の走査型電子顕微鏡では、
取得した画像（以下、ＳＥＭ像という）を、例えば、Ｃ
ＲＴ等の表示装置に表示し、表示されたＳＥＭ像を見な
がら、試料であるＬＳＩ等を載置したステージを移動し
たり、ＳＥＭ像の拡大倍率を変えたりして、測定点の探
索を行っていた。
取得した画像（以下、ＳＥＭ像という）を、例えば、Ｃ
ＲＴ等の表示装置に表示し、表示されたＳＥＭ像を見な
がら、試料であるＬＳＩ等を載置したステージを移動し
たり、ＳＥＭ像の拡大倍率を変えたりして、測定点の探
索を行っていた。
【０００５】しかし、最近では、ＬＳＩの設計データ
（ＣＡＤデータ：マスク図、ネットリスト等）を用いる
ことにより、測定点の探索が容易になってきており、例
えば、ＣＡＤ統合型の電子ビームテスタ等では、ネット
名を指定することによりネット名で指定される配線がマ
スク図に表示され、マスク図に対応する領域のＳＥＭ像
を自動的に表示するといったことが可能になっている。
（ＣＡＤデータ：マスク図、ネットリスト等）を用いる
ことにより、測定点の探索が容易になってきており、例
えば、ＣＡＤ統合型の電子ビームテスタ等では、ネット
名を指定することによりネット名で指定される配線がマ
スク図に表示され、マスク図に対応する領域のＳＥＭ像
を自動的に表示するといったことが可能になっている。
【０００６】これらの技術により、一ヶ所の測定点を探
し出すのに要する時間は、従来の１／５〜１／１０であ
る３０秒以下にまで短縮されている。
し出すのに要する時間は、従来の１／５〜１／１０であ
る３０秒以下にまで短縮されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の走査型電子顕微鏡にあっては、ＣＡＤデータ
を測定点探索に利用（ナビゲーション）することによ
り、測定点の探索時間は飛躍的に短縮されたが、測定の
スループットを決めるもう一つの要因である測定時間に
対しては何の対策も採られていなかったため、測定時間
そのものの短縮が図られていないという問題点があっ
た。
うな従来の走査型電子顕微鏡にあっては、ＣＡＤデータ
を測定点探索に利用（ナビゲーション）することによ
り、測定点の探索時間は飛躍的に短縮されたが、測定の
スループットを決めるもう一つの要因である測定時間に
対しては何の対策も採られていなかったため、測定時間
そのものの短縮が図られていないという問題点があっ
た。
【０００８】測定時間を決定する代表的な要因の一つと
して、例えば、電圧分解能がある。試料に電子ビームの
照射を行うと、試料にコンタミネーションが付着しやす
くなり、コンタミネーションの付着によって、同一の電
圧分解能を得るための測定時間が長くなることが知られ
ている。すなわち、試料に電子ビームを照射する以上、
コンタミネーションの付着は避けて通れない問題点であ
り、電子ビームの照射を抑えることにより、試料に付着
するコンタミネーションを確実に抑制することが可能で
ある。
して、例えば、電圧分解能がある。試料に電子ビームの
照射を行うと、試料にコンタミネーションが付着しやす
くなり、コンタミネーションの付着によって、同一の電
圧分解能を得るための測定時間が長くなることが知られ
ている。すなわち、試料に電子ビームを照射する以上、
コンタミネーションの付着は避けて通れない問題点であ
り、電子ビームの照射を抑えることにより、試料に付着
するコンタミネーションを確実に抑制することが可能で
ある。
【０００９】［目的］そこで本発明は、測定点探索にお
ける電子ビームの照射を抑えることで、コンタミネーシ
ョンの付着を抑制する走査型電子顕微鏡を提供すること
を目的としている。
ける電子ビームの照射を抑えることで、コンタミネーシ
ョンの付着を抑制する走査型電子顕微鏡を提供すること
を目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による走査型電子
顕微鏡は上記目的達成のため、観測対象となる試料を載
置し、該試料を二次元平面上の任意の位置に移動するス
テージと、該ステージ上の該試料に電子ビームを照射
し、該試料から放出される二次電子に基づいて画像を取
得する画像取得手段と、該画像取得手段により取得され
た画像を画像メモリに保持するとともに、表示装置に表
示する画像表示手段とを備えた走査型電子顕微鏡であっ
て、前記画像取得手段による画像の連続取得中に、該画
像に所定の有意な変化が発生していないかどうかを判定
する画像変化判定手段と、画像取得に関する所定の状態
変化要因の発生を検出する状態変化要因検出手段とを有
し、該画像変化判定手段の判定により該画像に所定の有
意な変化がない場合、画像の取得を中断し、該状態変化
要因検出手段により状態変化要因を検出した場合、画像
取得を再開するように構成している。
顕微鏡は上記目的達成のため、観測対象となる試料を載
置し、該試料を二次元平面上の任意の位置に移動するス
テージと、該ステージ上の該試料に電子ビームを照射
し、該試料から放出される二次電子に基づいて画像を取
得する画像取得手段と、該画像取得手段により取得され
た画像を画像メモリに保持するとともに、表示装置に表
示する画像表示手段とを備えた走査型電子顕微鏡であっ
て、前記画像取得手段による画像の連続取得中に、該画
像に所定の有意な変化が発生していないかどうかを判定
する画像変化判定手段と、画像取得に関する所定の状態
変化要因の発生を検出する状態変化要因検出手段とを有
し、該画像変化判定手段の判定により該画像に所定の有
意な変化がない場合、画像の取得を中断し、該状態変化
要因検出手段により状態変化要因を検出した場合、画像
取得を再開するように構成している。
【００１１】なお、画像変化判定手段は、画像メモリに
保持された画像、及び新たに画像メモリに保持される画
像の差分の絶対値のｎ乗和Ｓ、あるいは該ｎ乗和Ｓの１
／ｎ乗を画像データの平均値Ａを規格化した値Ｓ1/n ／
Ａが所定の閾値以下である場合、取得画像に有意な変化
が発生していないと判定するように構成している。ま
た、画像取得手段は、所定の条件により、１フレームあ
るいは数フレームの画像を取得した後、自動的に画像取
得を終了する機能を有し、ステージの座標と、現在の倍
率と、前記画像表示手段に現在表示されている画像との
対応がとれているかどうかの有効性を示す対応有効性表
示手段を有するように構成してもよい。
保持された画像、及び新たに画像メモリに保持される画
像の差分の絶対値のｎ乗和Ｓ、あるいは該ｎ乗和Ｓの１
／ｎ乗を画像データの平均値Ａを規格化した値Ｓ1/n ／
Ａが所定の閾値以下である場合、取得画像に有意な変化
が発生していないと判定するように構成している。ま
た、画像取得手段は、所定の条件により、１フレームあ
るいは数フレームの画像を取得した後、自動的に画像取
得を終了する機能を有し、ステージの座標と、現在の倍
率と、前記画像表示手段に現在表示されている画像との
対応がとれているかどうかの有効性を示す対応有効性表
示手段を有するように構成してもよい。
【００１２】
【作用】本発明では、画像変化判定手段の判定により、
取得画像（ＳＥＭ像）に所定の有意な変化がない場合、
画像の取得が中断されて不要な電子ビームの照射が抑え
られ、また、状態変化要因検出手段により、状態変化要
因が検出された場合、画像取得が再開され、例えば、マ
スク図とＳＥＭ像との対応が図られ、ＳＥＭ像の有効性
が確保される。
取得画像（ＳＥＭ像）に所定の有意な変化がない場合、
画像の取得が中断されて不要な電子ビームの照射が抑え
られ、また、状態変化要因検出手段により、状態変化要
因が検出された場合、画像取得が再開され、例えば、マ
スク図とＳＥＭ像との対応が図られ、ＳＥＭ像の有効性
が確保される。
【００１３】すなわち、測定点探索中における電子ビー
ムの照射が抑えられ、試料に付着するコンタミネーショ
ンが抑制される。
ムの照射が抑えられ、試料に付着するコンタミネーショ
ンが抑制される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は本発明に係る走査型電子顕微鏡の一実施例を示す図
であり、本実施例の要部構成を示すブロック図である。
まず、構成を説明する。
１は本発明に係る走査型電子顕微鏡の一実施例を示す図
であり、本実施例の要部構成を示すブロック図である。
まず、構成を説明する。
【００１５】本実施例の走査型電子顕微鏡は、大別し
て、顕微鏡本体１、Ｉ／Ｏ調整回路２、画像取得手段で
あるＳＥＭ像取得回路３、画像変化判定手段であるＳＥ
Ｍ像変化判定回路４、対応有効性表示手段である対応有
効性表示回路５、ステージコントローラ６、状態変化要
因検出手段であるワークステーション７からなり、ワー
クステーション７は、ＳＥＭ像自動取得部８、ビデオイ
ンターフェース９、視野指定部１０から構成されてい
る。なお、図中、ＯＳはワークステーション７の動作の
基本となるオペレーティングシステムを示す。
て、顕微鏡本体１、Ｉ／Ｏ調整回路２、画像取得手段で
あるＳＥＭ像取得回路３、画像変化判定手段であるＳＥ
Ｍ像変化判定回路４、対応有効性表示手段である対応有
効性表示回路５、ステージコントローラ６、状態変化要
因検出手段であるワークステーション７からなり、ワー
クステーション７は、ＳＥＭ像自動取得部８、ビデオイ
ンターフェース９、視野指定部１０から構成されてい
る。なお、図中、ＯＳはワークステーション７の動作の
基本となるオペレーティングシステムを示す。
【００１６】顕微鏡本体１は、観測対象となる試料Ｓを
載置するとともに、試料Ｓを二次元平面上の任意の位置
に移動するステージ（図示せず）を備えるものである。
Ｉ／Ｏ調整回路２は、図２に示すように、ガンアライメ
ントデータレジスタ１１、フォーカス非点データレジス
タ１２、対物レンズアライメントデータレジスタ１３、
倍率データレジスタ１４、コントラストブライトネスデ
ータレジスタ１５、データ比較回路１６、コントラスト
ブライトネスデータレジスタ１７、パラレルＩ／Ｏイン
ターフェース１８，１９、オアゲートＯＲ１から構成さ
れており、データ比較回路１６は、コントラストブライ
トネスデータレジスタ１５及び１７の差が一定値を越え
た場合、コントラストブライトネスデータレジスタ１５
の内容をコントラストブライトネスデータレジスタ１７
にコピーし、それ以外の場合は、コントラストブライト
ネスデータレジスタ１５及び１７の内容を後述の対応有
効性表示回路５に階調変換要求信号として出力し、スト
ローブを発するものである。なお、図中、ＵＰ，ＤＮ
は、アップダウンカウンタ（この場合、ガンアライメン
トデータレジスタ１１、フォーカス非点データレジスタ
１２、対物レンズアライメントデータレジスタ１３、倍
率データレジスタ１４、コントラストブライトネスデー
タレジスタ１５）を制御するストローブである。
載置するとともに、試料Ｓを二次元平面上の任意の位置
に移動するステージ（図示せず）を備えるものである。
Ｉ／Ｏ調整回路２は、図２に示すように、ガンアライメ
ントデータレジスタ１１、フォーカス非点データレジス
タ１２、対物レンズアライメントデータレジスタ１３、
倍率データレジスタ１４、コントラストブライトネスデ
ータレジスタ１５、データ比較回路１６、コントラスト
ブライトネスデータレジスタ１７、パラレルＩ／Ｏイン
ターフェース１８，１９、オアゲートＯＲ１から構成さ
れており、データ比較回路１６は、コントラストブライ
トネスデータレジスタ１５及び１７の差が一定値を越え
た場合、コントラストブライトネスデータレジスタ１５
の内容をコントラストブライトネスデータレジスタ１７
にコピーし、それ以外の場合は、コントラストブライト
ネスデータレジスタ１５及び１７の内容を後述の対応有
効性表示回路５に階調変換要求信号として出力し、スト
ローブを発するものである。なお、図中、ＵＰ，ＤＮ
は、アップダウンカウンタ（この場合、ガンアライメン
トデータレジスタ１１、フォーカス非点データレジスタ
１２、対物レンズアライメントデータレジスタ１３、倍
率データレジスタ１４、コントラストブライトネスデー
タレジスタ１５）を制御するストローブである。
【００１７】ＳＥＭ像取得回路３は、図３に示すよう
に、ブランキング信号発生回路２１、倍率制御回路２
２、スキャンジェネレータ２３、画像メモリであるフレ
ームメモリ２４、Ａ／Ｄ変換回路２５から構成されてい
る。ブランキング信号発生回路２１は、ＳＥＭ像起動要
求によりブランキング信号をイネーブルし、ＳＥＭ像取
得停止要求によりディセーブルするものであり、倍率制
御回路２２は、倍率制御信号によって指定される倍率に
応じてスキャンジェネレータ２３からの偏向信号を増幅
してＥＢ偏向信号を発生するものである。
に、ブランキング信号発生回路２１、倍率制御回路２
２、スキャンジェネレータ２３、画像メモリであるフレ
ームメモリ２４、Ａ／Ｄ変換回路２５から構成されてい
る。ブランキング信号発生回路２１は、ＳＥＭ像起動要
求によりブランキング信号をイネーブルし、ＳＥＭ像取
得停止要求によりディセーブルするものであり、倍率制
御回路２２は、倍率制御信号によって指定される倍率に
応じてスキャンジェネレータ２３からの偏向信号を増幅
してＥＢ偏向信号を発生するものである。
【００１８】スキャンジェネレータ２３は、通常のスキ
ャンカウンタとＤ／Ａ変換回路とからなり、スキャン動
作は、ＳＥＭ像取得起動要求により開始し、ＳＥＭ像取
得停止要求により停止する。なお、ＳＥＭ像取得ビジー
フラグは、スキャンジェネレータ２３が起動されている
間は“１”であり、偏向信号はスキャンカウンタの内容
をＤ／Ａ変換したものである。スキャンアドレスはスキ
ャンカウンタのそのまま内容であり、ストローブはスキ
ャンカウンタがインクリメントされるタイミングで発生
するものである。
ャンカウンタとＤ／Ａ変換回路とからなり、スキャン動
作は、ＳＥＭ像取得起動要求により開始し、ＳＥＭ像取
得停止要求により停止する。なお、ＳＥＭ像取得ビジー
フラグは、スキャンジェネレータ２３が起動されている
間は“１”であり、偏向信号はスキャンカウンタの内容
をＤ／Ａ変換したものである。スキャンアドレスはスキ
ャンカウンタのそのまま内容であり、ストローブはスキ
ャンカウンタがインクリメントされるタイミングで発生
するものである。
【００１９】フレームメモリ２４は、デュアルポートの
画像メモリであり、Ａ／Ｄ変換データはスキャンアドレ
スに対応するメモリにストローブを受けたタイミングで
書き込まれる。このとき、ＳＥＭ像はデジタルデータと
してＳＥＭ像変化判定回路４に転送される。Ａ／Ｄ変換
回路２５は、ストローブに同期して二次電子信号ＳＥを
Ａ／Ｄ変換するものである。
画像メモリであり、Ａ／Ｄ変換データはスキャンアドレ
スに対応するメモリにストローブを受けたタイミングで
書き込まれる。このとき、ＳＥＭ像はデジタルデータと
してＳＥＭ像変化判定回路４に転送される。Ａ／Ｄ変換
回路２５は、ストローブに同期して二次電子信号ＳＥを
Ａ／Ｄ変換するものである。
【００２０】ＳＥＭ像変化判定回路４は、図４に示すよ
うに、変化判定回路３１、画像メモリであるフレームメ
モリ３２から構成されており、フレームメモリ３２に取
り込まれるＳＥＭ像の時間変化を連続的にチェックし、
ＳＥＭ像の時間変化を検出するものである。すなわち、
変化判定回路３１によりＳＥＭ像とフレームメモリ３２
との参照データを比較し、１フレーム間の像の変化が一
定値以下であれば、ＳＥＭ像取得停止要求を発し、有効
フラグを立てるものであり、ライトデータにはＳＥＭ像
データが一定の遅延を受けてそのままあらわれる。な
お、有効フラグは画像変化が一定量を越えるとクリアさ
れる。
うに、変化判定回路３１、画像メモリであるフレームメ
モリ３２から構成されており、フレームメモリ３２に取
り込まれるＳＥＭ像の時間変化を連続的にチェックし、
ＳＥＭ像の時間変化を検出するものである。すなわち、
変化判定回路３１によりＳＥＭ像とフレームメモリ３２
との参照データを比較し、１フレーム間の像の変化が一
定値以下であれば、ＳＥＭ像取得停止要求を発し、有効
フラグを立てるものであり、ライトデータにはＳＥＭ像
データが一定の遅延を受けてそのままあらわれる。な
お、有効フラグは画像変化が一定量を越えるとクリアさ
れる。
【００２１】対応有効性表示回路５は、図５に示すよう
に、ルックアップテーブル４１、Ｄ／Ａ変換回路４２、
オアゲートＯＲ２、アンドゲートＡＮＤ１から構成され
ており、ルックアップテーブル４１により入力ＳＥＭ像
を階調変換することにより、ＳＥＭ像がステージ座標や
倍率が確定している状態で取得されたものであるかどう
か、また、ＳＥＭ像が取得された状態からステージ座標
や倍率が変わっていないかどうかをチェックし、ＳＥＭ
像の有効性を判定するものである。すなわち、ＳＥＭ像
有効フラグがクリアされている場合とそうでない場合と
でルックアップテーブル４１の内容を変えることにより
現在表示されているＳＥＭ像が有効かどうかを示すこと
ができ、階調変換要求信号に基づいてルックアップテー
ブル４１の操作を行うことで、ＳＥＭ像の取り直しを行
わなくても微妙なオフセットゲイン調整ができる。
に、ルックアップテーブル４１、Ｄ／Ａ変換回路４２、
オアゲートＯＲ２、アンドゲートＡＮＤ１から構成され
ており、ルックアップテーブル４１により入力ＳＥＭ像
を階調変換することにより、ＳＥＭ像がステージ座標や
倍率が確定している状態で取得されたものであるかどう
か、また、ＳＥＭ像が取得された状態からステージ座標
や倍率が変わっていないかどうかをチェックし、ＳＥＭ
像の有効性を判定するものである。すなわち、ＳＥＭ像
有効フラグがクリアされている場合とそうでない場合と
でルックアップテーブル４１の内容を変えることにより
現在表示されているＳＥＭ像が有効かどうかを示すこと
ができ、階調変換要求信号に基づいてルックアップテー
ブル４１の操作を行うことで、ＳＥＭ像の取り直しを行
わなくても微妙なオフセットゲイン調整ができる。
【００２２】次に作用を説明する。図６，７は本実施例
の動作例を説明するためのフローチャートである。ＳＥ
Ｍ像取得の開始はワークステーション７のユーザインタ
ーフェース入力により起動される。すなわち、例えば、
ワークステーション７のディスプレイ表示画面上のスタ
ートボタンを押す等の操作により、ＳＥＭ像取得回路３
に起動信号が出力される。
の動作例を説明するためのフローチャートである。ＳＥ
Ｍ像取得の開始はワークステーション７のユーザインタ
ーフェース入力により起動される。すなわち、例えば、
ワークステーション７のディスプレイ表示画面上のスタ
ートボタンを押す等の操作により、ＳＥＭ像取得回路３
に起動信号が出力される。
【００２３】すると、ＳＥＭ像取得回路３によって取得
したＳＥＭ像が連続してフレームメモリに書き込まれ、
ＳＥＭ像変化判定手段４によりＳＥＭ像に有意な時間変
化が認められない場合、ＳＥＭ像取得回路３に対して画
像取得の中断信号が出力され、ＳＥＭ像取得回路３で
は、例えば、ステージ移動、倍率変化、光学系パラメー
タの変化等のＳＥＭ像の変化要因が発生したという情報
が入力されるまで画像取得動作が中断される。
したＳＥＭ像が連続してフレームメモリに書き込まれ、
ＳＥＭ像変化判定手段４によりＳＥＭ像に有意な時間変
化が認められない場合、ＳＥＭ像取得回路３に対して画
像取得の中断信号が出力され、ＳＥＭ像取得回路３で
は、例えば、ステージ移動、倍率変化、光学系パラメー
タの変化等のＳＥＭ像の変化要因が発生したという情報
が入力されるまで画像取得動作が中断される。
【００２４】なお、ＳＥＭ像の連続取得を行わない場
合、ＳＥＭ像の取得は所定数のフレームスキャンが完了
後、無条件で終了するが、ＳＥＭ像の取得は、オペレー
タの指示によるか、ＳＥＭ像表示用のウィンドウ内にカ
ーソルが入ってから０．８〜１．５秒程度の時間経過の
後、自動的に起動されるかのいずれかであり、ＳＥＭ像
取得の判定は、ＳＥＭ像の有効判定に基づいてワークス
テーション７により判断される。
合、ＳＥＭ像の取得は所定数のフレームスキャンが完了
後、無条件で終了するが、ＳＥＭ像の取得は、オペレー
タの指示によるか、ＳＥＭ像表示用のウィンドウ内にカ
ーソルが入ってから０．８〜１．５秒程度の時間経過の
後、自動的に起動されるかのいずれかであり、ＳＥＭ像
取得の判定は、ＳＥＭ像の有効判定に基づいてワークス
テーション７により判断される。
【００２５】このように本実施例では、例えば、マスク
図を用いて測定点を探索するような場合、ＳＥＭ像の観
測は不要であるため、新たなＳＥＭ像の取得を行わない
ようにすることで、不要な電子ビームの照射が抑制され
る。（図８参照）但し、この場合、ＳＥＭ像取得後にマ
スク図の表示を変えると、マスク図とＳＥＭ像とが対応
しなくなるため、マスク図の書き換えを行うようなＳＥ
Ｍ像の変更要求を検出した場合、中断していたＳＥＭ像
取得を再開することにより、マスク図とＳＥＭ像との対
応を取り、ＳＥＭ像の有効性が確保される。
図を用いて測定点を探索するような場合、ＳＥＭ像の観
測は不要であるため、新たなＳＥＭ像の取得を行わない
ようにすることで、不要な電子ビームの照射が抑制され
る。（図８参照）但し、この場合、ＳＥＭ像取得後にマ
スク図の表示を変えると、マスク図とＳＥＭ像とが対応
しなくなるため、マスク図の書き換えを行うようなＳＥ
Ｍ像の変更要求を検出した場合、中断していたＳＥＭ像
取得を再開することにより、マスク図とＳＥＭ像との対
応を取り、ＳＥＭ像の有効性が確保される。
【００２６】また、マスク図で測定点が探索できる場
合、マスク図を使った探索では電子ビームの照射を行わ
ず、視野が確定したときにオペレータがＳＥＭ像取得を
起動し、１〜数フレームのＳＥＭ像を取得するように構
成することで、電子ビームの照射量を低減することがで
きるが、この場合、ＳＥＭ像は必ずしも現在のステージ
座標と倍率とに対応している訳ではないので、ＳＥＭ像
にオーバレイ表示したマークや、ＳＥＭ像の表示色を変
えてやることによりＳＥＭ像が有効かどうかを示すこと
が効果的である。
合、マスク図を使った探索では電子ビームの照射を行わ
ず、視野が確定したときにオペレータがＳＥＭ像取得を
起動し、１〜数フレームのＳＥＭ像を取得するように構
成することで、電子ビームの照射量を低減することがで
きるが、この場合、ＳＥＭ像は必ずしも現在のステージ
座標と倍率とに対応している訳ではないので、ＳＥＭ像
にオーバレイ表示したマークや、ＳＥＭ像の表示色を変
えてやることによりＳＥＭ像が有効かどうかを示すこと
が効果的である。
【００２７】
【発明の効果】本発明では、画像変化判定手段の判定に
よってＳＥＭ像に所定の有意な変化がない場合、画像の
取得を中断して不要な電子ビームの照射を抑えることが
でき、また、状態変化要因検出手段によって状態変化要
因が検出された場合、画像取得を再開することで、例え
ば、マスク図とＳＥＭ像との対応を図ることができ、Ｓ
ＥＭ像の有効性を確保することができる。
よってＳＥＭ像に所定の有意な変化がない場合、画像の
取得を中断して不要な電子ビームの照射を抑えることが
でき、また、状態変化要因検出手段によって状態変化要
因が検出された場合、画像取得を再開することで、例え
ば、マスク図とＳＥＭ像との対応を図ることができ、Ｓ
ＥＭ像の有効性を確保することができる。
【００２８】したがって、測定点探索中における電子ビ
ームの照射を抑えることができ、試料に付着するコンタ
ミネーションを抑制することができる。
ームの照射を抑えることができ、試料に付着するコンタ
ミネーションを抑制することができる。
【図１】本実施例の要部構成を示すブロック図である。
【図２】Ｉ／Ｏ調整回路の構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図３】ＳＥＭ像取得回路の構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図４】ＳＥＭ像変化判定回路の構成を示すブロック図
である。
である。
【図５】対応有効性表示回路の構成を示すブロック図で
ある。
ある。
【図６】本実施例の連続モードでの動作例を説明するた
めのフローチャートである。
めのフローチャートである。
【図７】本実施例の自動終了モードでの動作例を説明す
るためのフローチャートである。
るためのフローチャートである。
【図８】従来と本発明との電子ビーム照射時間の差を示
す図である。
す図である。
１ 顕微鏡本体 ２ Ｉ／Ｏ調整回路 ３ ＳＥＭ像取得回路（画像取得手段） ４ ＳＥＭ像変化判定回路（画像変化判定手
段） ５ 対応有効性表示回路（対応有効性表示手
段） ６ ステージコントローラ ７ ワークステーション（状態変化要因検出手
段） ８ ＳＥＭ像自動取得部 ９ ビデオインターフェース １０ 視野指定部 １１ ガンアライメントデータレジスタ １２ フォーカス非点データレジスタ １３ 対物レンズアライメントデータレジスタ １４ 倍率データレジスタ １５ コントラストブライトネスデータレジス
タ １６ データ比較回路 １７ コントラストブライトネスデータレジス
タ １８，１９ パラレルＩ／Ｏインターフェース ２１ ブランキング信号発生回路 ２２ 倍率制御回路 ２３ スキャンジェネレータ ２４ フレームメモリ（画像メモリ） ２５ Ａ／Ｄ変換回路 ３１ 変化判定回路 ３２ フレームメモリ（画像メモリ） ４１ ルックアップテーブル ４２ Ｄ／Ａ変換回路
段） ５ 対応有効性表示回路（対応有効性表示手
段） ６ ステージコントローラ ７ ワークステーション（状態変化要因検出手
段） ８ ＳＥＭ像自動取得部 ９ ビデオインターフェース １０ 視野指定部 １１ ガンアライメントデータレジスタ １２ フォーカス非点データレジスタ １３ 対物レンズアライメントデータレジスタ １４ 倍率データレジスタ １５ コントラストブライトネスデータレジス
タ １６ データ比較回路 １７ コントラストブライトネスデータレジス
タ １８，１９ パラレルＩ／Ｏインターフェース ２１ ブランキング信号発生回路 ２２ 倍率制御回路 ２３ スキャンジェネレータ ２４ フレームメモリ（画像メモリ） ２５ Ａ／Ｄ変換回路 ３１ 変化判定回路 ３２ フレームメモリ（画像メモリ） ４１ ルックアップテーブル ４２ Ｄ／Ａ変換回路
Claims (3)
- 【請求項１】観測対象となる試料を載置し、該試料を二
次元平面上の任意の位置に移動するステージと、 該ステージ上の該試料に電子ビームを照射し、該試料か
ら放出される二次電子に基づいて画像を取得する画像取
得手段と、 該画像取得手段により取得された画像を画像メモリに保
持するとともに、表示装置に表示する画像表示手段と、 を備えた走査型電子顕微鏡であって、 前記画像取得手段による画像の連続取得中に、該画像に
所定の有意な変化が発生していないかどうかを判定する
画像変化判定手段と、 画像取得に関する所定の状態変化要因の発生を検出する
状態変化要因検出手段と、 を有し、 該画像変化判定手段の判定により該画像に所定の有意な
変化がない場合、画像の取得を中断し、該状態変化要因
検出手段により状態変化要因を検出した場合、画像取得
を再開することを特徴とする走査型電子顕微鏡。 - 【請求項２】前記画像変化判定手段は、前記画像メモリ
に保持された画像、及び新たに画像メモリに保持される
画像の差分の絶対値のｎ乗和Ｓ、あるいは該ｎ乗和Ｓの
１／ｎ乗を画像データの平均値Ａを規格化した値Ｓ1/n
／Ａが所定の閾値以下である場合、取得画像に有意な変
化が発生していないと判定することを特徴とする請求項
１記載の走査型電子顕微鏡。 - 【請求項３】前記画像取得手段は、所定の条件により、
１フレームあるいは数フレームの画像を取得した後、自
動的に画像取得を終了する機能を有し、 前記ステージの座標と、現在の倍率と、前記画像表示手
段に現在表示されている画像との対応がとれているかど
うかの有効性を示す対応有効性表示手段を有することを
特徴とする請求項１、または２記載の走査型電子顕微
鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4051376A JPH05258704A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 走査型電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4051376A JPH05258704A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 走査型電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258704A true JPH05258704A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12885235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4051376A Withdrawn JPH05258704A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 走査型電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05258704A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001243906A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| JP2007012624A (ja) * | 2006-07-10 | 2007-01-18 | Hitachi Ltd | パターンマッチング方法、及び装置 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP4051376A patent/JPH05258704A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001243906A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| US7439505B2 (en) | 2000-02-29 | 2008-10-21 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
| US8666165B2 (en) | 2000-02-29 | 2014-03-04 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
| JP2007012624A (ja) * | 2006-07-10 | 2007-01-18 | Hitachi Ltd | パターンマッチング方法、及び装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |