JP2009282016A - 半導体ウェハの検査方法、及び半導体ウェハの検査装置 - Google Patents
半導体ウェハの検査方法、及び半導体ウェハの検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009282016A JP2009282016A JP2009094493A JP2009094493A JP2009282016A JP 2009282016 A JP2009282016 A JP 2009282016A JP 2009094493 A JP2009094493 A JP 2009094493A JP 2009094493 A JP2009094493 A JP 2009094493A JP 2009282016 A JP2009282016 A JP 2009282016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- inspection
- defect
- semiconductor wafer
- reference image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体ウェハ全体分の欠陥候補の数がわかっている参照画像を予め記憶し、検査画像を取得して画像比較検査により検出された検査画像の欠陥候補の数を記憶し、検査画像の欠陥候補の数より予め記憶された参照画像の欠陥候補の数の方が多い場合は、参照画像を検査画像で置き換え、これを半導体ウェハ全体分について実行して置き換えられた検査画像を参照画像として記憶し、次の半導体ウェハについては、記憶された参照画像と取得した検査画像とを比較して欠陥候補を検出する。
【選択図】 図1
Description
112 制御部
115 画像処理部
118 参照画像構築部
119 記憶部
120 インターフェース
121 PC
302 半導体ウェハビュー
303 参照画像構築開始ボタン
304 参照画像比較検査開始ボタン
305 欠陥検査及び参照画像構築開始ボタン
306 参照画像構築状況確認ボタン
406,407 仮想ウェハ
501 チップ
502 セル
Claims (12)
- 半導体ウェハに光または電子ビームを照射して画像を得、該画像中の欠陥候補を検出する半導体ウェハの検査方法において、
前記光または電子ビームの照射により検出した検査画像の座標に対応する座標の参照画像、及び該参照画像のウェハID,欠陥検査結果,欠陥候補の数を含む欠陥情報管理データを予め記憶しておき、
前記検査画像の欠陥候補を検出し、
前記参照画像の欠陥候補の数が前記検査画像の欠陥候補の数より多い場合は、該参照画像を該検査画像に置き換えるとともに、該参照画像の欠陥情報管理データを該検査画像の欠陥情報管理データに置き換えることを特徴とする半導体ウェハの検査方法。 - 請求項1の記載において、
前記検査画像の欠陥候補の検出工程は、前記光または電子ビームの照射により検出した第1画像と、該第1画像の領域に隣接する領域で得られた第2画像とを比較し、画像信号の差を欠陥候補として検出することを特徴とする半導体ウェハの検査方法。 - 請求項1の記載において、
前記検査画像の欠陥候補の検出工程は、前記光または電子ビームの照射により検出した第1画像と、予め記憶された第3画像とを比較し、画像信号の差を欠陥候補として検出することを特徴とする半導体ウェハの検査方法。 - 請求項3の記載において、
前記第1画像は複数であり、前記第3画像は1つであることを特徴とする半導体ウェハの検査方法。 - 請求項1の記載において、
前記参照画像の欠陥候補の数が前記検査画像の欠陥候補の数より少ない場合は、該検査画像の欠陥情報管理データを出力することを特徴とする半導体ウェハの検査方法。 - 請求項1の記載において、
前記光または電子ビームの照射により検出した検査画像の座標に対応する座標の参照画像に欠陥候補が存在しない場合は、
該参照画像と前記検査画像とを比較して該検査画像の欠陥候補を検出し、
該検査画像の欠陥情報管理データを出力することを特徴とする半導体ウェハの検査方法。 - 半導体ウェハに光または電子ビームを照射して画像を得、該画像中の欠陥候補を検出する半導体ウェハの検査装置において、
前記光または電子ビームの照射により検出した検査画像の座標に対応する座標の参照画像、及び該参照画像のウェハID,欠陥検査結果,欠陥候補の数を含む欠陥情報管理データを予め記憶する記憶部と、
前記検査画像の欠陥候補を検出する画像処理部と、
前記参照画像の欠陥候補の数が前記検査画像の欠陥候補の数より多い場合は、該参照画像を該検査画像に置き換えるとともに、該参照画像の欠陥情報管理データを該検査画像の欠陥情報管理データに置き換える参照画像構築部とを備えたことを特徴とする半導体ウェハの検査装置。 - 請求項7の記載において、
前記検査画像の欠陥候補を検出する画像処理部は、前記光または電子ビームの照射により検出した第1画像と、該第1画像の領域に隣接する領域で得られた第2画像とを比較し、画像信号の差を欠陥候補として検出することを特徴とする半導体ウェハの検査装置。 - 請求項7の記載において、
前記検査画像の欠陥候補を検出する画像処理部は、前記光または電子ビームの照射により検出した第1画像と、予め記憶された第3画像とを比較し、画像信号の差を欠陥候補として検出することを特徴とする半導体ウェハの検査装置。 - 請求項9の記載において、
前記第1画像は複数であり、前記第3画像は1つであることを特徴とする半導体ウェハの検査装置。 - 請求項7の記載において、
前記画像処理部は、前記参照画像の欠陥候補の数が前記検査画像の欠陥候補の数より少ない場合は、該検査画像の欠陥情報管理データを出力することを特徴とする半導体ウェハの検査装置。 - 請求項7の記載において、
前記光または電子ビームの照射により検出した検査画像の座標に対応する座標の参照画像に欠陥候補が存在しない場合は、
前記画像処理部は、前記参照画像と前記検査画像とを比較して該検査画像の欠陥候補を検出し、該検査画像の欠陥情報管理データを出力することを特徴とする半導体ウェハの検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009094493A JP2009282016A (ja) | 2008-04-24 | 2009-04-09 | 半導体ウェハの検査方法、及び半導体ウェハの検査装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008113305 | 2008-04-24 | ||
JP2009094493A JP2009282016A (ja) | 2008-04-24 | 2009-04-09 | 半導体ウェハの検査方法、及び半導体ウェハの検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009282016A true JP2009282016A (ja) | 2009-12-03 |
JP2009282016A5 JP2009282016A5 (ja) | 2012-04-19 |
Family
ID=41452593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009094493A Pending JP2009282016A (ja) | 2008-04-24 | 2009-04-09 | 半導体ウェハの検査方法、及び半導体ウェハの検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009282016A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109827970A (zh) * | 2019-02-22 | 2019-05-31 | 英特尔产品(成都)有限公司 | 半导体芯片测试系统和方法 |
CN110137098A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-08-16 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种检视晶圆缺陷的方法及系统 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05281151A (ja) * | 1992-04-02 | 1993-10-29 | Nippondenso Co Ltd | ウエハパターン検査装置 |
JP2002267615A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-18 | Olympus Optical Co Ltd | 欠陥検出方法及びその装置 |
JP2006170809A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 欠陥検出装置および欠陥検出方法 |
-
2009
- 2009-04-09 JP JP2009094493A patent/JP2009282016A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05281151A (ja) * | 1992-04-02 | 1993-10-29 | Nippondenso Co Ltd | ウエハパターン検査装置 |
JP2002267615A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-18 | Olympus Optical Co Ltd | 欠陥検出方法及びその装置 |
JP2006170809A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 欠陥検出装置および欠陥検出方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109827970A (zh) * | 2019-02-22 | 2019-05-31 | 英特尔产品(成都)有限公司 | 半导体芯片测试系统和方法 |
CN110137098A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-08-16 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种检视晶圆缺陷的方法及系统 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7002949B2 (ja) | 画像評価方法及び画像評価装置 | |
JP4825469B2 (ja) | 半導体デバイスの欠陥レビュー方法及びその装置 | |
JP5500871B2 (ja) | テンプレートマッチング用テンプレート作成方法、及びテンプレート作成装置 | |
JP5543872B2 (ja) | パターン検査方法およびパターン検査装置 | |
US7932493B2 (en) | Method and system for observing a specimen using a scanning electron microscope | |
KR101524421B1 (ko) | 결함 관찰 방법 및 결함 관찰 장치 | |
JP5325580B2 (ja) | Semを用いた欠陥観察方法及びその装置 | |
JP2003215060A (ja) | パターン検査方法及び検査装置 | |
JP2008175686A (ja) | 外観検査装置及び外観検査方法 | |
JP2009245674A (ja) | 荷電粒子顕微鏡装置及びそれを用いた画像処理方法 | |
JP2007149837A (ja) | 画像欠陥検査装置、画像欠陥検査システム及び画像欠陥検査方法 | |
JP2009218241A (ja) | 回路パターン検査装置、および回路パターン検査方法 | |
JP2009037939A (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
JP2008039743A (ja) | 外観検査装置及び外観検査方法 | |
JP6145133B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP5174863B2 (ja) | 画像取得条件設定装置、及びコンピュータプログラム | |
JP2009097928A (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
JP5502569B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JP2014025763A (ja) | 欠陥検査方法、及び欠陥検査装置 | |
JP4177375B2 (ja) | 回路パターンの検査方法及び検査装置 | |
JP2009282016A (ja) | 半導体ウェハの検査方法、及び半導体ウェハの検査装置 | |
JP2009294027A (ja) | パターン検査装置及び方法 | |
JP5131105B2 (ja) | パターン検査方法及び装置 | |
JP2018159577A (ja) | 検査方法 | |
JP4021084B2 (ja) | 電子顕微鏡及び検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120209 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120209 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130702 |