JPH0525734U - マイクロ波半導体モジユール - Google Patents
マイクロ波半導体モジユールInfo
- Publication number
- JPH0525734U JPH0525734U JP7266691U JP7266691U JPH0525734U JP H0525734 U JPH0525734 U JP H0525734U JP 7266691 U JP7266691 U JP 7266691U JP 7266691 U JP7266691 U JP 7266691U JP H0525734 U JPH0525734 U JP H0525734U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor module
- microwave semiconductor
- capacitor
- substrate
- resistor
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 部品点数及びワイヤ本数を減らすことができ
る、高容量のコンデンサを得る。 【構成】 チップコンデンサ3等に使用している高誘電
基板6(チタン酸バリウム等)に抵抗体及び導体をエッ
チング等の手法により回路パターンを構成する。
る、高容量のコンデンサを得る。 【構成】 チップコンデンサ3等に使用している高誘電
基板6(チタン酸バリウム等)に抵抗体及び導体をエッ
チング等の手法により回路パターンを構成する。
Description
【0001】
この考案は、マイクロ波回路を構成するマイクロ波半導体モジュールに関する ものである。
【0002】
図2は従来のマイクロ波半導体モジュールを示す図であり、図において、1は セラミック基板によるバイアス回路、2は抵抗パターン、3はチップコンデンサ 、4はMMIC、5は半導体モジュール入出力導体パターンである。
【0003】 次に動作について説明する。マイクロ波半導体モジュール内に構成された半導 体モジュール入出力導体パターン5の間に、置かれたMMIC4のバイアスとし て、まず、セラミック基板によるバイアス回路1に、電源が印加されれる。印加 された電源は、このバイアス回路1上に形成された抵抗パターン2を通って、ワ イヤにより、チップコンデンサ3に送られる。その後、ワイヤにより、MMIC 4に印加されるのである。
【0004】
従来のマイクロ波半導体モジュールは、以上のように構成されているので、部 品点数が多く、またワイヤ本数も多く、作業時間がかかるという問題点があった 。
【0005】 この考案は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、製造手法 を同一のままで、部品点数及びワイヤ本数を減らすことができるとともに、高容 量のコンデンサを得ることを目的としている。
【0006】
この考案に係るマイクロ波半導体モジュールは、チップコンデサ等に使用して りる高誘電基板(チタン酸バリウム等)に抵抗体及び導体をエッチング等の手法 により回路パターンを構成したものである。
【0007】
この考案におけるマイクロ波半導体モジュールは、高誘電率基板に、コンデン サはもちろんのこと、抵抗体、導体が回路構成されるので、部品点数及びワイヤ 本数が減少する。
【0008】
実施例1. 以下、この考案の一実施例を図について説明する。図1において、4,5は従 来図を示す図2と同様であり、6は高誘電率基板、7は蒸着された抵抗体、8は 裏面のアースパターンとの間で構成されたコンデンサである。
【0009】 図1において、MMIC4に印加する電源は、高誘電率基板6(例えば、チタ ン酸バリウム等)に蒸着された導体及び抵抗体(例えばTa2N等)と、裏面のアー スパターンとの間で構成されたコンデンサ8を通して印加される。
【0010】
以上のように、この考案によれば、もともとチップコンデンサを使用している 高誘電率基板上にバイアス回路を構成したので、製造方法を同一のままで、部品 点数及びワイヤ本数を減少することができ、作業時間の削減が得られる効果があ る。
【図1】この考案の一実施例によるマイクロ波半導体モ
ジュールの実装図である。
ジュールの実装図である。
【図2】従来のマイクロ波半導体モジュールの実装図で
ある。
ある。
1 セラミック基板によるバイアス回路 2 抵抗パターン 3 チップコンデサ 4 MMIC 5 半導体モジュール入出力導体パターン 6 高誘電率基板 7 蒸着された抵抗体 8 裏面のアースパターンとの間で構成されたコンデン
サ
サ
Claims (1)
- 【請求項1】 パッケージ内にMMICを装荷したマイ
クロ波半導体モジュールにおいて、バイアス回路を構成
するのに、高誘電率基板を用い、その基板上に、抵抗体
及び導体を蒸着させること、また、巾広パターンと裏面
のアースパターンとの間で、コンデンサを形成すること
により、バイアス回路を同一基板で構成したことを特徴
とするマイクロ波半導体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7266691U JPH0525734U (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | マイクロ波半導体モジユール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7266691U JPH0525734U (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | マイクロ波半導体モジユール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0525734U true JPH0525734U (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=13495918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7266691U Pending JPH0525734U (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | マイクロ波半導体モジユール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0525734U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006092855A1 (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 電圧制御発振器 |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP7266691U patent/JPH0525734U/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006092855A1 (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 電圧制御発振器 |
WO2006092890A1 (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 電圧制御発振器 |
JPWO2006092890A1 (ja) * | 2005-03-02 | 2008-08-07 | 三菱電機株式会社 | 電圧制御発振器 |
JP4607176B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2011-01-05 | 三菱電機株式会社 | 電圧制御発振器 |
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