JPH0525396B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0525396B2 JPH0525396B2 JP29913886A JP29913886A JPH0525396B2 JP H0525396 B2 JPH0525396 B2 JP H0525396B2 JP 29913886 A JP29913886 A JP 29913886A JP 29913886 A JP29913886 A JP 29913886A JP H0525396 B2 JPH0525396 B2 JP H0525396B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- gap layer
- type
- temperature
- gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Led Devices (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299138A JPS63151086A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | ガリウム燐緑色発光ダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299138A JPS63151086A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | ガリウム燐緑色発光ダイオ−ドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151086A JPS63151086A (ja) | 1988-06-23 |
| JPH0525396B2 true JPH0525396B2 (enExample) | 1993-04-12 |
Family
ID=17868610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61299138A Granted JPS63151086A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | ガリウム燐緑色発光ダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63151086A (enExample) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0220077A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | Toshiba Corp | 緑色発光ダイオードの製造方法 |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP61299138A patent/JPS63151086A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63151086A (ja) | 1988-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06105797B2 (ja) | 半導体基板及びその製造方法 | |
| KR100296094B1 (ko) | 갈륨인화물녹색발광장치 | |
| JP3324102B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JPH0260209B2 (enExample) | ||
| US3619304A (en) | Method of manufacturing gallium phosphide electro luminescent diodes | |
| KR920005131B1 (ko) | 녹색발광다이오드의 제조방법 | |
| JPS63151086A (ja) | ガリウム燐緑色発光ダイオ−ドの製造方法 | |
| JPH0218319B2 (enExample) | ||
| US6388274B1 (en) | Epitaxial wafer for infrared light-emitting device and light-emitting device using the same | |
| JPH1197740A (ja) | GaP発光ダイオード用エピタキシャルウェーハおよびGaP発光ダイオード | |
| JPH0242771A (ja) | 発光半導体素子基板及びその製造方法 | |
| JP3797124B2 (ja) | n型GaP単結晶基板、その製造方法、GaP緑色系発光ダイオード用エピタキシャル基板およびGaP緑色系発光ダイオード | |
| JP4570728B2 (ja) | 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ | |
| JP2705016B2 (ja) | InP系化合物半導体装置 | |
| JP4319291B2 (ja) | 半導体発光素子用エピタキシャル基板及び発光素子 | |
| JPS6012794B2 (ja) | 電気発光物質の製造方法 | |
| JPH01315174A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3097587B2 (ja) | 発光半導体素子用エピタキシャルウェーハ | |
| JP2000143398A (ja) | GaP単結晶基板及びその製造方法並びにGaP発光ダイオ―ドの製造方法 | |
| JPS59214277A (ja) | リン化ガリウム純緑色発光素子 | |
| JPS63304617A (ja) | 化合物半導体結晶の成長方法 | |
| JPS5814400B2 (ja) | 燐化ガリウム赤色発光素子の液相成長法 | |
| JPH058155B2 (enExample) | ||
| JPH06224473A (ja) | ZnSeを主成分としたpn接合の製造方法並びにpn接合デバイスの製造方法 | |
| JP2006128279A (ja) | 液相成長方法及び液相成長装置 |