JPH05251488A - 半導体装置の樹脂封止方法および樹脂封止装置 - Google Patents

半導体装置の樹脂封止方法および樹脂封止装置

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JPH05251488A
JPH05251488A JP5047292A JP5047292A JPH05251488A JP H05251488 A JPH05251488 A JP H05251488A JP 5047292 A JP5047292 A JP 5047292A JP 5047292 A JP5047292 A JP 5047292A JP H05251488 A JPH05251488 A JP H05251488A
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JP
Japan
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platen
tie bar
mold
temperature
heater
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Application number
JP5047292A
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English (en)
Inventor
Takehiko Ikegami
武彦 池上
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 金型の開閉を円滑に行なえるようにし、型合
わせ精度を高める。 【構成】 下プラテン4に加熱用ヒータ11を取付け
る。このヒータ11に、下プラテン4の温度を設定温度
とする制御装置12を接続した。全てのプラテンが略同
様に熱膨張することになる。そのため、熱膨張を考慮し
てタイバ間ピッチを設計しなくても型締め時に上下両プ
ラテン2,4が移動プラテン6に対して円滑に移動する
ことになる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、上金型,下金型を封止
温度に加熱してリードフレームを金型内に装填する半導
体装置の樹脂封止方法およびトランスファ成形装置など
の半導体装置の樹脂封止装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置の樹脂封止装置として
は、図5に示すように構成されたものがある。図5は従
来の樹脂封止装置を示す正面図で、同図において、1は
上金型、2はこの上金型1を支持する上プラテンで、こ
の上プラテン2の下部に上金型1が搭載されている。
【0003】前記上プラテン2は、後述する移動プラテ
ンのガイドとなるタイバ3が4本貫通固定されており、
これらのタイバ3を介して下プラテン4に連結されてい
る。
【0004】5は前記上金型1と対向する下金型で、こ
の下金型5は移動プラテン6に支持固定されている。移
動プラテン6は、前記タイバ3が貫通してこのタイバ3
をガイドとして上下に移動できるように構成されてお
り、その下部がリンク7を介して不図示の加圧装置に連
結されている。すなわち、リンク7が図5に示す状態か
ら伸びるように加圧装置を作動させることによって、移
動プラテン6および下金型5が上昇し、下金型5が上金
型1に対接して型締めされることになる。
【0005】なお、上金型1および下金型5の互いに対
向する面にはリードフレーム8が装填される金型面(図
示せず)が形成されている。また、前記下金型5にはプ
ランジャ9が装着されており、この下金型5が上金型1
に対接して型締めされた状態で樹脂(以下、タブレット
という)10を金型内に圧送することができるように構
成されている。
【0006】そして、前記上金型1と下金型5には、そ
れらを封止温度に加熱するためのヒータ(図示せず)が
取付けられている。
【0007】次に、従来の樹脂封止装置を使用した樹脂
封止方法について説明する。先ず、上金型1と下金型5
を所定温度に加熱し、下金型5にタブレット10を投入
する。その状態で下金型5にリードフレーム8を装着さ
せ、不図示の加圧装置を作動させる。
【0008】加圧装置が作動してリンク7が図5に示し
た状態から開くようになると、上プラテン2および下プ
ラテン4と、それらを連結するタイバ3が下降し、高温
の上金型1が同じく高温の下金型5に当接する。さらに
リンク7が伸びるように加圧することによって、前記上
下両金型1,5は所定の型締力をもって型締めされるこ
とになる。
【0009】上述したように型締めされているときにプ
ランジャ9がタブレット10を金型内に射出することに
よって、リードフレーム8が樹脂封止されることにな
る。金型内で樹脂が硬化した後、リンク7が元に戻るよ
うに加圧装置を作動させて上下両金型1,5を開き、製
品を取出す。このようにして樹脂封止が行われる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】このように構成された
従来の樹脂封止装置では、各プラテン2,4,6および
タイバ3は樹脂射出中には必要となる型締力が加えられ
ているために変形する。また、上プラテン2および移動
プラテン6は上金型1,下金型5をそれぞれ搭載してい
る関係から高温に熱せられ、下プラテン4に較べて大き
く熱膨張する。そのため、上下両プラテン2,4および
移動プラテン6のタイバ間ピッチが変化し、かつタイバ
3自身も変形することになるために上下両プラテン2,
4が上下に移動し難くなってしまう。
【0011】すなわち、予め変形,熱膨張を考慮してタ
イバ間ピッチを設計しなければならず、型合わせ精度が
低く製品の不良発生率が高いものであった。なお、変
形,熱膨張を考慮しないと、各機構部品が破損しやす
く、装置の寿命が短くなってしまう。
【0012】また、装置搬入時やセットアップ時等の金
型ヒートアップ前には型締めを行なうことができないと
いう問題もあった。
【0013】
【課題を解決するための手段】第1の発明に係る樹脂封
止方法は、リードフレーム用上金型を有する上プラテン
にタイバを介して下プラテンが連結され、かつ前記上金
型と対向する下金型を有する移動プラテンが前記上プラ
テンと下プラテンとの間でタイバに貫通支持されて上プ
ラテンに対して進退自在に設けられた樹脂封止装置にリ
ードフレームを装填する前に、上金型および下金型を封
止温度に加熱すると共に、下プラテンをヒータによって
加熱するものである。
【0014】第2の発明に係る半導体装置の樹脂封止装
置は、下プラテンに加熱用ヒータを取付け、このヒータ
に、下プラテンの温度を設定温度とする制御装置を接続
したものである。
【0015】第3の発明に係る半導体装置の樹脂封止装
置は、タイバの両端端部に、他の部位より細く形成され
た小径部を設けたものである。
【0016】第4の発明に係る半導体装置の樹脂封止装
置は、上プラテンと、移動プラテン,下プラテンのうち
何れか一方とにおける各々のタイバ貫通孔を、タイバが
遊嵌する径に形成したものである。
【0017】
【作用】第1および第2の発明では、全てのプラテンが
略同様に熱膨張するから、熱膨張を考慮してタイバ間ピ
ッチを設計しなくて済む。
【0018】第3の発明では、タイバに各プラテンから
応力が加えられると細径部が弾性変形するから、各タイ
バは移動プラテンに対する位置が略一定となる。
【0019】第4の発明では、タイバが遊嵌する径とさ
れたタイバ貫通孔とタイバとの微小間隙がプラテンの熱
膨張,変形に起因する伸びを吸収する。
【0020】
【実施例】以下、第1および第2の発明の一実施例を図
1によって詳細に説明する。図1は第2の発明に係る樹
脂封止装置の正面図で、同図において前記図5で説明し
たものと同一もしくは同等部材については、同一符号を
付し詳細な説明は省略する。
【0021】図1において、11は下プラテン4を加熱
するためのヒータで、このヒータ11は本実施例では下
プラテン4の下部中央部分に取付けられており、後述す
る制御装置12に接続されている。
【0022】制御装置12は前記ヒータ11を設定温度
に制御するためのものであり、上プラテン2に取付けら
れた温度センサ13,移動プラテン6に取付けられた温
度センサ14,タイバ3に取付けられた温度センサ15
にそれぞれ接続され、それらの温度センサが検出した温
度と下プラテン4の温度とが略一致するように、ヒータ
11での発熱量を制御するように構成されている。
【0023】また、この樹脂封止装置では、上プラテン
2,下プラテン4および移動プラテン6でのタイバ間ピ
ッチはそれぞれ等しい寸法に設定されている。そのた
め、上下両金型1,5が所定温度に達する前にも型締め
を行なうことができる。
【0024】次に、このように構成された樹脂封止装置
を用いて第1の発明に係る樹脂封止方法を説明する。第
1の発明に係る樹脂封止方法は、リードフレーム8を下
金型5に装填する前に、上金型1および下金型5を所定
の封止温度に加熱すると共に、下プラテン4をヒータ1
1によって加熱する。
【0025】下プラテン4を加熱するに当たっては、温
度センサ13〜15によって上プラテン2の温度,移動
プラテン6の温度およびタイバ3の温度を検出し、下プ
ラテン4の温度がそれらの温度に近づくように常にヒー
タ11の発熱量を制御する。
【0026】上下両金型1,5が所定温度に加熱された
後、タブレット10やリードフレーム8を下金型5上に
装填する。そして、従来と同様にして型締め工程、樹脂
射出工程、樹脂硬化工程を経た後に、金型を離型させて
製品を取出す。このようにして樹脂封止が行われる。
【0027】型締め工程で移動プラテン6に対して上下
プラテン2,4およびタイバ3が降下するときには、下
プラテン4も他の2つのプラテンの温度に近い温度に加
熱されてそれらのプラテンと略同じだけ熱膨張している
関係から、移動が円滑に行われる。
【0028】したがって、全てのプラテンが略同様に熱
膨張するから、タイバ3が変形することがなくなり、熱
膨張を考慮してタイバ間ピッチを設計しなくても型締め
時に上下両プラテン2,4が移動プラテン6に対して円
滑に移動することになる。
【0029】なお、図1に示した実施例では、1本のタ
イバ3に2つの温度センサ15を取付けた例を示した
が、その数量および取付位置は適宜変更できる。全ての
タイバ3に温度センサ15を取付けるようにすることも
できる。
【0030】また、本実施例ではヒータ11の発熱量を
制御するに当たって上プラテン2,移動プラテン6およ
びタイバ3の温度を常に検出する例を示したが、上プラ
テン2および移動プラテン6の温度を予め測定しておい
てその温度に適合させるようにすることもできる。
【0031】次に、第3の発明に係る樹脂封止装置を図
2によって詳細に説明する。図2は第3の発明に係る樹
脂封止装置の正面図で、同図において前記図5で説明し
たものと同一もしくは同等部材については、同一符号を
付し詳細な説明は省略する。
【0032】図2に示した樹脂封止装置のタイバ3は、
上下両端部が部分的に細く形成されてその部分に細径部
21が形成されている。なお、細径部21の外径は、型
締め時にタイバ3に引張り応力が加えられたときにも破
断したりすることのないような寸法に設定されている。
【0033】このように構成された樹脂封止装置では、
型締め時に上プラテン2,移動プラテン6および下プラ
テン4は熱膨張および大きな型締力によって変形する。
ところが、タイバ3には剛性が低くなる細径部21が形
成されているため、前記変形によってタイバ3に曲げ応
力が加えられると細径部21が弾性変形するようにな
る。
【0034】したがって、各プラテンが変形したとして
も、タイバ3に加えられる曲げ応力を細径部21で吸収
することができ、太さが均一なタイバに較べて曲がり
(反り)がきわめて少なくなる。このため、各タイバ3
の移動プラテン6に対する位置を略一定となるから、型
締め時に上下両プラテン2,4が移動プラテン6に対し
て円滑に移動することになる。
【0035】次に、第4の発明に係る樹脂封止装置を図
3および図4によって詳細に説明する。図3は上プラテ
ンおよび下プラテンのタイバ貫通孔をタイバが遊嵌する
径に形成した樹脂封止装置の正面図、図4は上プラテン
および移動プラテンのタイバ貫通孔をタイバが遊嵌する
径に形成した樹脂封止装置の正面図である。これらの図
において前記図5で説明したものと同一もしくは同等部
材については、同一符号を付し詳細な説明は省略する。
【0036】図3に示した樹脂封止装置は、上プラテン
2と下プラテン4におけるタイバ貫通孔31,32が、
タイバ3が遊嵌する径に形成されている。また、移動プ
ラテン6のタイバ貫通孔6aは、タイバ3が嵌合する径
に形成されている。なお、図では説明を理解しやくする
ために、タイバ貫通孔31,32を実際の孔径より十分
に大きく描いてある。
【0037】このように構成された樹脂封止装置では、
型締め時に型締力が増加するにしたがって上プラテン
2,移動プラテン6および下プラテン4が変形する。と
ころが、変形量が特に大きい上プラテン2および下プラ
テン4のそれぞれのタイバ貫通孔31,32がタイバ径
より大径である関係から、変形に起因する上下両プラテ
ン2,4の伸びがタイバ貫通孔31,32とタイバ3と
の間の微小間隙に吸収されることになる。
【0038】したがって、型締め時に上下両プラテン
2,4が移動プラテン6に対して円滑に移動することに
なる。
【0039】図4に示した樹脂封止装置は、上プラテン
2のタイバ貫通孔31と移動プラテン6のタイバ貫通孔
33が、タイバ3が遊嵌する径に形成されている。な
お、この例では、下プラテン4のタイバ貫通孔4aはタ
イバ3が嵌合する径に形成されている。このように構成
された樹脂封止装置では、上金型1を有する上プラテン
2と、下金型5を有する移動プラテン6とは、下プラテ
ン4に較べて大きく熱膨張する。ところが、熱膨張が特
に大きい上プラテン2と移動プラテン6のそれぞれのタ
イバ貫通孔31,33がタイバ径より大径である関係か
ら、熱膨張に起因する両プラテン2,6の伸びがタイバ
貫通孔31,33とタイバ3との間の微小間隙に吸収さ
れることになる。
【0040】したがって、型締め時に上下両プラテン
2,4が移動プラテン6に対して円滑に移動することに
なる。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように第1の発明に係る樹
脂封止方法は、リードフレーム用上金型を有する上プラ
テンにタイバを介して下プラテンが連結され、かつ前記
上金型と対向する下金型を有する移動プラテンが前記上
プラテンと下プラテンとの間でタイバに貫通支持されて
上プラテンに対して進退自在に設けられた樹脂封止装置
にリードフレームを装填する前に、上金型および下金型
を封止温度に加熱すると共に、下プラテンをヒータによ
って加熱するものであり、第2の発明に係る半導体装置
の樹脂封止装置は、下プラテンに加熱用ヒータを取付
け、このヒータに、下プラテンの温度を設定温度とする
制御装置を接続したものであるため、全てのプラテンが
略同様に熱膨張するから、熱膨張を考慮してタイバ間ピ
ッチを設計しなくても型締め時に上下両プラテンが移動
プラテンに対して円滑に移動することになる。
【0042】第3の発明に係る半導体装置の樹脂封止装
置は、タイバの両端端部に、他の部位より細く形成され
た小径部を設けたため、タイバに各プラテンから応力が
加えられると細径部が弾性変形するから、各タイバは移
動プラテンに対する位置が略一定となる。
【0043】このため、型締め時に上下両プラテンが移
動プラテンに対して円滑に移動することになる。
【0044】第4の発明に係る半導体装置の樹脂封止装
置は、上プラテンと、移動プラテン,下プラテンのうち
何れか一方とにおける各々のタイバ貫通孔を、タイバが
遊嵌する径に形成したため、タイバが遊嵌する径とされ
たタイバ貫通孔とタイバとの微小間隙がプラテンの熱膨
張,変形に起因する伸びを吸収する。
【0045】このため、型締め時に上下両プラテンが移
動プラテンに対して円滑に移動することになる。
【0046】したがって、金型の開閉を滑らかに行なう
ことができ、型合わせ精度が高く製品の不良発生率の低
い樹脂封止装置を得ることができる。しかも、各機構部
品に無理な力が加わってそれが破損されるようなことが
なく、装置の寿命も伸びるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】第2の発明に係る樹脂封止装置の正面図であ
る。
【図2】第3の発明に係る樹脂封止装置の正面図であ
る。
【図3】上プラテンおよび下プラテンのタイバ貫通孔を
タイバが遊嵌する径に形成した樹脂封止装置の正面図で
ある。
【図4】上プラテンおよび移動プラテンのタイバ貫通孔
をタイバが遊嵌する径に形成した樹脂封止装置の正面図
である。
【図5】従来の樹脂封止装置を示す正面図である。
【符号の説明】
1 上金型 2 上プラテン 3 タイバ 4 下プラテン 5 下金型 6 移動プラテン 8 リードフレーム 11 ヒータ 12 制御装置 21 細径部 31 タイバ貫通孔 32 タイバ貫通孔 33 タイバ貫通孔

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレーム用上金型を有する上プラ
    テンにタイバを介して下プラテンが連結され、かつ前記
    上金型と対向する下金型を有する移動プラテンが前記上
    プラテンと下プラテンとの間でタイバに貫通支持されて
    上プラテンに対して進退自在に設けられた樹脂封止装置
    にリードフレームを装填する前に、上金型および下金型
    を封止温度に加熱すると共に、下プラテンをヒータによ
    って加熱することを特徴とする半導体装置の樹脂封止方
    法。
  2. 【請求項2】 リードフレーム用上金型を有する上プラ
    テンにタイバを介して下プラテンが連結され、前記上金
    型と対向する下金型を有する移動プラテンが前記上プラ
    テンと下プラテンとの間でタイバに貫通支持されて上プ
    ラテンに対して進退自在に設けられ、前記上下両金型が
    加熱装置によって封止温度に加熱される半導体装置の樹
    脂封止装置において、前記下プラテンに加熱用ヒータを
    取付け、このヒータに、下プラテンの温度を設定温度と
    する制御装置を接続したことを特徴とする半導体装置の
    樹脂封止装置。
  3. 【請求項3】 リードフレーム用上金型を有する上プラ
    テンにタイバを介して下プラテンが連結され、前記上金
    型と対向する下金型を有する移動プラテンが前記上プラ
    テンと下プラテンとの間でタイバに貫通支持されて上プ
    ラテンに対して進退自在に設けられ、前記上下両金型が
    加熱装置によって封止温度に加熱される半導体装置の樹
    脂封止装置において、前記タイバの両端端部に、他の部
    位より細く形成された小径部を設けたことを特徴とする
    半導体装置の樹脂封止装置。
  4. 【請求項4】 リードフレーム用上金型を有する上プラ
    テンにタイバを介して下プラテンが連結され、前記上金
    型と対向する下金型を有する移動プラテンが前記上プラ
    テンと下プラテンとの間でタイバに貫通支持されて上プ
    ラテンに対して進退自在に設けられ、前記上下両金型が
    加熱装置によって封止温度に加熱される半導体装置の樹
    脂封止装置において、前記上プラテンと、移動プラテ
    ン,下プラテンのうち何れか一方とにおける各々のタイ
    バ貫通孔を、タイバが遊嵌する径に形成したことを特徴
    とする半導体装置の樹脂封止装置。
JP5047292A 1992-03-09 1992-03-09 半導体装置の樹脂封止方法および樹脂封止装置 Pending JPH05251488A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110246950A (zh) * 2019-07-03 2019-09-17 华南理工大学 一种高抗压均匀加热的csp荧光膜片模压装备及模压方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110246950A (zh) * 2019-07-03 2019-09-17 华南理工大学 一种高抗压均匀加热的csp荧光膜片模压装备及模压方法
CN110246950B (zh) * 2019-07-03 2024-04-16 华南理工大学 一种高抗压均匀加热的csp荧光膜片模压装备及模压方法

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