JPH05249769A - 複写機のメモリシステム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】不揮発性メモリを変動データの記憶メモリとし
て用いるようにして、ノイズ、バッテリ電圧低下による
変動データの破壊を防止する。 【構成】バッテリバックアップされた揮発性メモリでコ
ピー枚数等の変動データをカウント記憶し、その変動デ
ータを、バッテリを必要とせず耐ノイズ性に優れた不揮
発性メモリに所定タイミングごとに書き込む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、複写機において制御
パラメータやコピー枚数等の変動データを記憶するメモ
リシステムに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の複写機では、ＣＰＵのワークエリ
ア、および、制御パラメータ等の固定データやコピー枚
数（メンテナンス等のためのトータルコピー枚数）等の
変動データを記憶するメモリとして共通のＳＲＡＭを使
用していた。このＳＲＡＭには上記したように制御パラ
メータ，コピー枚数等が記憶されるため、これらのデー
タが消去されてしまわないように、バッテリ（リチウム
バッテリ等）でバックアップしていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、バッテリバッ
クアップされたＳＲＡＭでは、ノイズやバッテリ容量の
低下によりメモリ内容が破壊されてしまう問題が生じる
ことがあった。したがって耐ノイズ性に優れ、メモリ内
容保存にバッテリを必要としないメモリ素子が望まれて
いた。このようなメモリ素子としては、ＥＥＰＲＯＭ等
の書換え可能な不揮発性メモリがある。ＥＥＰＲＯＭは
耐ノイズ性に優れ、メモリ保存にバッテリを必要としな
い。このため制御パラメータのような書換えを行う必要
がほとんどないデータの保存には適しているが、以下の
ような問題を有しているため、コピー枚数等の書換えを
行う必要があるデータの記憶素子としては使用されずに
いた。

【０００４】 書き込み回数に制限があり１万〜１０
万回程度である。一方、コピー枚数をカウントするに
は、３０万〜３００万枚程度のコピー枚数をクリアしな
ければならず、毎回コピー枚数を書き換えたのではエラ
ーが発生してしまう。

【０００５】 内部にポンプアップ回路を有している
ため書き込みに要する時間が長い（１０msec程度）。こ
のため頻繁に書き込みを行うと処理時間が長くなってし
まう問題がある。

【０００６】この発明の目的は、不揮発性メモリを制御
パラメータ，コピー枚数等の記憶メモリとして用いるよ
うにして、ノイズ、バッテリ電圧低下によるメモリ内容
の破壊を防止する複写機のメモリシステムを提供するこ
とにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明は、コピー枚数
等の変動データのカウントエリアとして用いられ、バッ
テリバックアップされた揮発性メモリと、前記変動デー
タを記憶する書換え可能な不揮発性メモリと、を備える
とともに、前記揮発性メモリの変動データを、前記不揮
発性メモリに所定タイミングごとに書き込む手段を備え
たことを特徴とする。

【０００８】前記所定タイミングとしては、例えば、前
記変動データが所定量加算されたとき、複写機本体への
電源供給がオフされたときで、これらの所定タイミング
になったときには、定着ヒータ等の大容量負荷をオフす
るようにしてもよい。また、複写機本体への電源供給が
オフされたときに、前記揮発性メモリおよび不揮発性メ
モリに加えられる作動時間を越えていると判断されたと
きを所定タイミングとしてもよい。

【０００９】

【作用】この発明においては、バッテリバックアップさ
れた揮発性メモリを用いてコピー枚数等の変動データが
カウントされ、所定タイミングになるとその変動データ
が不揮発性メモリに書き込まれる。例えば変数データが
所定量加算されるごと，揮発性メモリのバッテリ電圧が
低下したとき、等に不揮発性メモリに書き込まれる。こ
れによって、不揮発性メモリに変動データが記憶されて
保存される。この場合の書き込みは、変動データが所定
量に達するごと等となり書き込み回数が減らされるか
ら、書き込み回数過多によるエラーの発生を防止でき
る。

【００１０】

【実施例】図１はこの発明の実施例であるメモリシステ
ムを備える複写機のブロック図である。複写機本体１内
には電源ユニット２、制御基板ユニット３、メモリ基板
ユニット４、操作基板ユニット５、リモート通信回路基
板ユニット６等が設けられている。

【００１１】電源ユニット２は複写機本体のメインスイ
ッチＭＳｗがオンされたときにＤＣ電源（＋３８Ｖ、＋
２４Ｖ、＋１０Ｖ、＋５Ｖ等）を発生させ、ＤＣ電源を
制御基板ユニット３，メモリ基板ユニット４等へ供給す
る。また、電源ユニット２内にはオン／オフ検知回路２
１が設けられている。オン／オフ検知回路２１は整流器
の出力波形を検知して外部電源から複写機本体内に供給
される電源のオン／オフ状態を検出する。したがって、
メインスイッチＭＳｗがオフされたときの他に、停電や
コンセント抜け等によって電源供給が遮断されたときで
も、電源オフを検知できる。制御基板ユニット３はＣＰ
Ｕ３１、ＲＯＭ３２やＩ／Ｏ、ドライバ等を備え、各ユ
ニットとバスラインを通して接続されており、各ユニッ
トの動作を制御する。メモリ基板ユニット４はバッテリ
４３でバックアップされたＳＲＡＭ（揮発性メモリ）４
１、ＥＥＰＲＯＭ（不揮発性メモリ）４２、バッテリ４
３の電圧を検出する電圧検知回路４４を備えている。Ｓ
ＲＡＭ４１には、メインスイッチＭＳｗオン時には図示
しない３端子レギュレータを介してほぼ５Ｖの電源が供
給されるが、メインスイッチＭＳｗがオフされるとバッ
テリ（リチウムバッテリ）４３からほぼ３Ｖの電源が供
給される。バッテリ４３の電圧は図６で示したような特
性を有し、経時的に消耗してゆく。この消耗度を電圧検
知回路４４が検出する。操作基板ユニット５は入力キー
および表示部を制御する。リモート通信回路基板ユニッ
ト６は外部の電話機８が接続されたパソコン，モデム７
と接続され、トラブルが生じたときに公衆電話回線を通
してサービスステーションとの通信を行う。例えば、バ
ッテリ４３の電圧低下等のトラブルが生じたときに公衆
電話回線を通してサービスステーションとの通信が行わ
れる。

【００１２】バッテリバックアップされたＳＲＡＭ４１
には複写機の動作プログラムを実行する上で必要なワー
クエリアや、コピー枚数を記憶するコピー枚数カウント
エリアが設けられている。コピー枚数カウントエリアに
はトータルコピー枚数が記憶される。コピー処理中、１
枚のコピーが行われるごとにコピー枚数カウントエリア
のコピー枚数をインクリメントされてゆき、この複写機
のトータルのコピー枚数が記憶される。なお、コピー枚
数カウントエリアには、トータルコピー枚数の他に、コ
ピー処理中にジャムした枚数，用紙サイズごとのコピー
枚数等も記憶されるようにしてもよい。ＳＲＡＭ４１に
おいてカウントされたコピー枚数は所定タイミングごと
にＥＥＰＲＯＭ４２に書き込まれる。なおこの実施例で
は変動データをコピー枚数とした例を示しているが、コ
ピー枚数の他に、例えば感光体の回転回数，ジャム枚数
等を変動データとして設定してもよい。

【００１３】ＥＥＰＲＯＭ４２には、コピー枚数を記憶
するエリアや、各複写機に固有の制御データ，使用地域
に応じて設定されるデータ，各種モードの設定条件、等
の制御パラメータを記憶するエリアが設けられている。
制御パラメータは工場出荷段階に記憶され、一度設定さ
れた後はほとんど変更されず、書換えが行われることは
ほとんどない。一方、コピー枚数は上記したように所定
タイミングごとにＳＲＡＭ４１からＥＥＰＲＯＭ４２に
書き込まれる。

【００１４】この書き込みタイミングは例えば、請求項
１で示したように所定枚数ごとである。この所定枚数は
以下のようにして設定される。ＥＥＰＲＯＭ４２への書
き込み可能回数は通常、１万〜１０万回程度である。一
方、複写機のコピー枚数は例えば１０万枚保証の複写機
の場合、３０万枚程度はコピー可能であると考える。

【００１５】そこでこの実施例ではＳＲＡＭ４１で３０
枚のコピー枚数が加算される度にＥＥＰＲＯＭ４２に対
してコピー枚数の書き込みを行うようにして、複写機の
ライフ中はＥＥＰＲＯＭ４２の交換を行う必要がないよ
うにしている。なおこの実施例ではマルチコピー中はＥ
ＥＰＲＯＭへの書き込みタイミングかどうかの判定は行
わず、マルチコピーが終了してから加算コピー枚数が３
０枚を越えているかどうか判定し、３０枚を越えていた
場合にＥＥＰＲＯＭ４２へのコピー枚数書き込み（転
送）を行うようにしている。

【００１６】図２，図３は請求項２の実施例に係るフロ
ーチャートである。１枚のコピー処理が終了するごとに
ＳＲＡＭ４１のカウンタはインクリメントされ、コピー
枚数を記憶してゆく（ｎ１１→ｎ１２）。マルチコピー
中はコピー処理を繰り返すだけで、ＥＥＰＲＯＭ４２へ
の書き込みタイミングかどうかのチェックは行われな
い。そして、マルチコピーが終了してレディ状態になっ
たときにＥＥＰＲＯＭ４２への書き込みを行うタイミン
グかどうかがチェックされる（ｎ１３→ｎ１４）。カウ
ンタのコピー枚数に３０枚以上の追加があればＥＥＰＲ
ＯＭ４２にカウンタの内容を書き込む（ｎ１→ｎ２→ｎ
３→ｎ４）。なお、Ｒ１はレジスタである。このように
レディ状態のときにＥＥＰＲＯＭ４２への書き込みを行
うようにすると、感光体やコピーランプ等が動作してい
ないため負荷が少なく、安定した書き込みを行うことが
できる。

【００１７】このようにしてＥＥＰＲＯＭ４２にコピー
枚数データを記憶しておくと、バッテリの消耗やノイズ
等により複写機の電源をオフしている間に、ＳＲＡＭ４
１のコピー枚数データが破壊されてしまったときに、Ｅ
ＥＰＲＯＭ４２からコピー枚数データを読み出してＳＲ
ＡＭ４１のデータを書き換えることができる。図４はそ
の処理手順を示したフローチャートである。複写機の電
源がオンされると、通常のメモリチェックとともにＳＲ
ＡＭ４１のコピー枚数データとＥＥＰＲＯＭ４２のコピ
ー枚数データとの比較を行う（ｎ５→ｎ６）。そしても
し、両コピー枚数の差が３０枚（所定枚数）以上であっ
たときにはバッテリ消耗，ノイズ等によりデータが破壊
されたものと判断して、ＥＥＰＲＯＭ４２に記憶されて
いるコピー枚数をＳＲＡＭ４１に書き込む（ｎ７）。Ｅ
ＥＰＲＯＭ４２はバッテリを必要とせず耐ノイズ性にも
優れているため、ＥＥＰＲＯＭ４２に一旦書き込んだコ
ピー枚数が破壊されてしまうことはほとんどない。一方
ＳＲＡＭ４１はバッテリ４３の消耗やノイズ等により書
き込んだコピー枚数が破壊されてしまうことがある。そ
こで上記のように、ＥＥＰＲＯＭ４２にコピー枚数を記
憶しておき、ＳＲＡＭ４１のデータが破壊されていた場
合にはＥＥＰＲＯＭ４２のコピー枚数をＳＲＡＭ４１に
書き移すことによってＳＲＡＭ４１のコピー枚数を修正
することができる。

【００１８】図５，図６は請求項３に係る実施例を示し
た図である。バッテリ４３の電圧は経時的に図６のよう
に変化し、バッテリ電圧がほぼ 2.2Ｖ以下まで低下する
とＳＲＡＭ４１の記憶内容が消去されたりエラーが生じ
たりする。そこでこの実施例では、バッテリ電圧が 2.2
Ｖ以下になったときにＳＲＡＭ４１のコピー枚数をＥＥ
ＰＲＯＭ４２に書き移しデータが保存されるようにして
いる。図５はその処理手順を示したフローチャートであ
る。バッテリチェックルーチンは複写機が動作中、所定
タイミングごとに実行されるルーチンである。このルー
チンでは、電圧検知回路４４で検知されるバッテリ電圧
をチェックし、バッテリ電圧が 2.2Ｖ以下になるとＳＲ
ＡＭ４１に記憶されているコピー枚数をＥＥＰＲＯＭ４
２に書き移す（ｎ２１，ｎ２４）。このとき、フラグを
用いることによって、バッテリ電圧の低下が検知された
一番最初のときのデータをＥＥＰＲＯＭ４２に書き込む
（ｎ２２→ｎ２３→ｎ２４）。このように制御すること
によって、バッテリ電圧の低下により化けてしまったデ
ータがＥＥＰＲＯＭ４２に書き込まれてしまうのを防止
できる。なお、図２，図３に示した所定枚数ごとにＥＥ
ＰＲＯＭ４２にコピー枚数を書き込む処理と、この実施
例のバッテリ電圧が低下したときにＥＥＰＲＯＭ４２に
コピー枚数を書き込む処理とを組み合わせて用いてもよ
い。

【００１９】図７，図８は請求項４に係る実施例を示し
た図である。電源ユニット２ではトランスの二次側出力
をダイオードブリッジで整流し、平滑回路等で処理した
後制御基板ユニット等の各ユニットに出力する。また電
源ユニット２内のオン／オフ検知回路２１はダイオード
ブリッジの出力をＣＰＵに入力する。図８はダイオード
ブリッジの出力波（整流器出力波形）と、電源ユニット
２から各ユニットに送られる定電圧出力波形を表した図
である。図から分かるように、メインスイッチＭＳｗを
オンすると整流器出力波形，定電圧出力波形はともに徐
々に上昇してゆく。一方、メインスイッチＭＳｗをオフ
すると整流器出力波形はほぼオフと同時にフラットにな
るが、定電圧出力波形は暫く定電圧が保たれ、そのの
ち、ゆっくりと降下してゆく。したがって、整流器の出
力をオン／オフ検知信号としておけば、そののち、定電
圧が不安定になってしまうまでにＳＲＡＭの内容をＥＥ
ＰＲＯＭに転送させることができる。このように整流器
の出力をオン／オフ検知信号とした場合、停電やコンセ
ント抜け等によって複写機本体への電源供給がストップ
された場合にも電源オフを検知することができる。

【００２０】なおこの実施例では、オン／オフ検知回路
２１によって複写機本体への電源供給がオフされるとと
もに、バッテリの電圧を検知する電圧検知回路４４によ
りバッテリ電圧の低下が検知されたときにＳＲＡＭ４１
に記憶されているコピー枚数をＥＥＰＲＯＭ４２に転送
するようにしている。図７はその処理手順を示したフロ
ーチャートである。

【００２１】電源オフ信号が検知されると、ＳＲＡＭの
ワークエリアにあるデータをメモリエリアに退避させる
（ｎ３１）。例えば、コピー処理中に停電やコンセント
抜け等によって電源が落ちてしまったときにはコピー処
理に伴うコピー枚数のカウントデータ等がワークエリア
で処理中であるため、それをＳＲＡＭのメモリエリアに
退避させる（ｎ３１）。そしてバッテリ電圧をチェック
し、バッテリ電圧が規定電圧を下回っていればＳＲＡＭ
４１のデータをＥＥＰＲＯＭ４２に転送する（ｎ３２→
ｎ３３）。こののちＳＲＡＭ４１は待機モードになる
（ｎ３４）。

【００２２】なお、この実施例では電源供給がオフされ
るとともに、揮発性メモリのバッテリ電圧が低下したと
きにＥＥＰＲＯＭ４２への書き込みを行っているが、電
源供給オフが検知されたのみでＥＥＰＲＯＭ４２への書
き込みを行うようにしてもよいし、また、図２，図３に
フローチャートで示した所定枚数ごとにＥＥＰＲＯＭ４
２へコピー枚数を書き込む処理と組み合わせてもよい。

【００２３】図９，図１０は請求項５に係る実施例を示
した図である。ＳＲＡＭ４１のデータをＥＥＰＲＯＭ４
２に転送するのに必要な作動電圧は５Ｖである。ところ
で複写機においてはコピー動作中に電源がオフされてし
まうことがある。特に、停電，コンセント抜け等が生じ
るとコピー動作中に突然電源供給がオフされてしまう。
レディ状態で電源供給がオフされた場合であると、例え
ば５Ｖ電源は図１０（Ｂ）に示したように暫くの間５Ｖ
が保持される（例えば１８０msec程度）。これに対し、
コピー動作中に突然電源供給がオフされてしまうと５Ｖ
電源は図１０（Ａ）に示したように短時間で減衰してし
まう（例えば３０msec程度）。一方、ＥＥＰＲＯＭ４２
への書き込み時間は１０msec程度であるから、図１０
（Ｂ）の状態であると十分に余裕を持ってＥＥＰＲＯＭ
４２への書き込みを行うことができるが、図１０（Ａ）
の状態であるとＥＥＰＲＯＭ４２への書き込みを行う
間、５Ｖの電源電圧が維持されないから書き込みエラー
が生じてしまうことがある。このため、ＥＥＰＲＯＭ４
２へのデータ転送タイミングになったときに図９にフロ
ーチャートで示した処理を行うようにしている。なお電
源供給オフ後に５Ｖ電圧が保持される時間は、電源供給
オフ時の負荷状態に応じて予め求められて記憶されてい
る。複写機本体内の負荷状態は、複写機の動作状態に対
応してほぼ一定している。複写機の動作状態とは例え
ば、レディ状態であるか、また、コピー処理中であれば
どの段階であるか、定着ヒータへの電力供給はどの程度
であるか等である。また電源の特性も既知であって、各
動作状態で必要な電力や各動作状態での電源ユニットの
応答性もほぼ一定している。したがって、電源供給オフ
時の負荷状態に応じて電源供給オフ後、どの程度の時間
５Ｖ電圧が保持できるかも求められる。

【００２４】コピー枚数が所定枚数加算されたり電源供
給がオフされる等してＥＥＰＲＯＭ４２への転送タイミ
ングになると、書き込みに必要な電圧が保持される状態
かどうかが判別される（ｎ４１）。書き込み終了まで電
圧が保持される状態、例えば図１０（Ｂ）に示した状態
であればＥＥＰＲＯＭ４２へのデータ転送を行ってフラ
グＡをセットする（ｎ４２→ｎ４３）。また書き込み終
了まで電圧が保持されないような状態、例えば図１０
（Ａ）に示した状態であればＥＥＰＲＯＭ４２へのデー
タ転送を行わず、フラグＡを“０”にする（ｎ４２→ｎ
４４）。なおフラグＡはＥＥＰＲＯＭへのデータ書き込
みを行ったかどうかをチェックするためのものである。

【００２５】図１１，図１２は請求項６に係る実施例を
示した図である。大容量負荷としては例えばコピー画像
を加熱定着するための定着ヒータがある。定着ヒータの
制御回路は図１２に示したように、ヒートローラ５１に
押圧配置したサーミスタＴＨの出力信号ＲＴＨのレベル
をコンパレータＣ１，Ｃ２，Ｃ３で検出し、その結果を
ＣＰＵ３１に入力するものである。ＣＰＵ３１はＨＬ信
号を出力し、ドライバＩＣ５２でゼロクロス回路付きの
フォトカプラＰＣ１をドライブし、トライアックＴＯ１
をオンすることでヒータランプＨＬを点灯している。ヒ
ータランプＨＬを点灯させるには、約１kw程度の電力が
必要であり、点灯中は大電流（１００Ｖ入力で約１０
Ａ）が流れることになる。したがって、電源コンセント
の出力インピーダンスが仮に１Ωであった場合、電圧降
下は、 １Ω×１０Ａ＝１０Ｖ ・・・ となり、入力電圧は１０％ダウンすることになる。もと
もと入力電圧範囲には余裕を持たせて設計しているもの
の、電源の出力インピーダンスについては複写機側から
規定できないのが現状であることから、ヒータランプ点
灯による電圧降下は予測できない。

【００２６】ヒータランプＨＬの点灯により電圧降下が
生じると、電源ユニット２へ入力電圧降下が生じ、場合
によっては制御部に定電圧が供給されなくなってしまう
ことがある。特に、電源供給オフ時ヒータランプＨＬが
点灯しているとＥＥＰＲＯＭ４２への書き込みに要する
時間中（約１０msec程度) 定電圧（５Ｖ）が保持されな
くなってしまうことがある。このため、ＥＥＰＲＯＭへ
の書き込みタイミングになったときにはヒータランプＨ
Ｌをオフするようにしている。なお、ＥＥＰＲＯＭへの
書き込みタイミングは例えば、所定枚数ごと、ＲＡＭの
バッテリ４３の電圧が所定電圧以下に低下したとき、複
写機本体への電源供給がオフされたとき、等である。な
お通常コピーランプＨＬはオン／オフ制御されているも
のであるから、コピー処理の待機中に書き込みタイミン
グになって定着ヒータＨＬへの電源供給を一時的に停止
したとしても問題はない。

【００２７】図１１のフローチャートに基づき、この実
施例の処理手順を説明する。データ転送タイミングにな
るとヒートローラＨＬがオン状態かオフ状態かを判別す
る（ｎ５１）。ヒートローラＨＬがオフであればそのま
まＥＥＰＲＯＭ４２へのデーリ転送を行うが、ヒートロ
ーラＨＬがオンであればヒータランプＨＬをオフしてか
らデータの転送を行う（ｎ５１→ｎ５２→ｎ５３）。な
おフラグＢはヒータランプＨＬのオフを行ったことを示
すものであり、ＥＥＰＲＯＭ４２へのデータ転送後、フ
ラグＢがセットされていればヒータランプＨＬをオンし
てから通常の処理ルーチンへ戻る（ｎ５４→ｎ５５）。

【００２８】なお、上記の実施例のようにＥＥＰＲＯＭ
４２へのデータ転送を行ったとき、操作基板ユニット５
にバッテリ電圧の低下を示すコードを送信して表示部に
その旨を表示させたり、リモート通信回路基板ユニット
６を介してサービスステーションにその旨を通知させる
ようにしてもよい。

【００２９】

【発明の効果】この発明によれば、書き込み回数に限度
がある不揮発性メモリへの書き込み回数を減らして不揮
発性メモリを変動データ記憶用のメモリとして用いるこ
とができるため、バッテリの消耗やノイズによるコピー
枚数にエラーが生じる問題を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のメモリシステムを備える複写機のブ
ロック図

【図２】請求項２の実施例に係るコピー枚数のカウント
手順を示したフローチャート

【図３】請求項２の実施例に係るデータ転送手順を示し
たフローチャート

【図４】コピー枚数のチェック手順を示したフローチャ
ート

【図５】請求項３の実施例に係るデータ転送手順を示し
たフローチャート

【図６】バッテリ電圧を経時変化を示した図

【図７】請求項４の実施例に係るデータ転送手順を示し
たフローチャート

【図８】電源供給のオン／オフに対する整流器出力，定
電圧出力例を示した図

【図９】請求項５の実施例に係るデータ転送手順を示し
たフローチャート

【図１０】複写機の動作状態ごとる定電圧出力状態を示
した図

【図１１】請求項６の実施例に係るデータ転送手順を示
したフローチャート

【図１２】定着ヒータの制御回路の構成例を示した図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】コピー枚数等の変動データのカウントエリ
   アとして用いられ、バッテリバックアップされた揮発性
   メモリと、前記変動データを記憶する書換え可能な不揮
   発性メモリと、を備えるとともに、前記揮発性メモリの
   変動データを、前記不揮発性メモリに所定タイミングご
   とに書き込む手段を備えたことを特徴とする複写機のメ
   モリシステム。
2. 【請求項２】前記所定タイミングが、前記変動データが
   所定量加算されたときである請求項１記載の複写機のメ
   モリシステム。
3. 【請求項３】前記所定タイミングが、少なくとも、前記
   揮発性メモリのバッテリ電圧が所定電圧以下になったと
   きである請求項１記載のメモリシステム。
4. 【請求項４】前記所定タイミングが、少なくとも、複写
   機本体への電源供給がオフされたときである請求項１記
   載の複写機のメモリシステム。
5. 【請求項５】前記所定タイミングが、少なくとも、複写
   機本体への電源供給がオフされたときに、前記揮発性メ
   モリおよび不揮発性メモリに加えられる作動時間を越え
   ていると判断されたときである請求項１記載の複写機の
   メモリシステム。
6. 【請求項６】前記所定タイミングになったとき、定着ヒ
   ータ等の大容量負荷をオフする手段を備えた請求項１〜
   ４のいずれかに記載の複写機のメモリシステム。