JPH05246784A

JPH05246784A - 高周波発熱体

Info

Publication number: JPH05246784A
Application number: JP35450392A
Authority: JP
Inventors: Saori Umehara; さをり梅原; Kazuhide Oe; 一英大江
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1991-12-17
Filing date: 1992-12-16
Publication date: 1993-09-24

Abstract

(57)【要約】【目的】温度の立ち上がりが良好で、到達温度が高
く、加工性および耐久性に優れた高周波発熱体を得る。【構成】酸化スズに、Ｓｂ、ＴａおよびＮｂのうちの
少なくとも１種以上を添加したものを、耐熱性セラミッ
クス基材の少なくとも一部に担持させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、オーブン電子レンジ等
の高周波加熱装置に適用される高周波発熱体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子レンジにオーブン機能を備え
たオーブン電子レンジが出現している。

【０００３】このオーブン電子レンジに適用されるオー
ブン用ヒーターは、ニクロム線等の導電線に電流を流し
導電線のジュール熱により発熱するものである。

【０００４】このような従来のオーブン電子レンジのオ
ーブン用ヒーターは、庫内温度の立ち上がりが遅いた
め、調理時間が長くかかるという問題がある。

【０００５】また、マイクロ波エネルギーを吸収して熱
エネルギーに変換するものとして、Ｎｉ−Ｚｎフェライ
トを発熱体として使用することが検討されている。

【０００６】しかし、このものでは、高周波域での発熱
温度が十分でない。このため、立ち上がりが悪く、到達
温度も低い。

【０００７】また、特公昭５１−１６６６２号公報に
は、「粒径が約１．０mm以下の鉄粉末または鉄の酸化物
粉末と、粒径が約０．０４mm以下の炭化硅素の粉末とを
前者が全体の３０〜７０重量％になるように混合された
焼結体よりなるマイクロ波発熱体。」が開示されてい
る。

【０００８】このものでは、到達温度が７００〜８００
℃程度となることも示されているが、その温度に到達す
るための立ち上がりに時間を要し、温度の立ち上がり特
性が十分でない。また、炭化硅素を含有するため加工性
が悪い。

【０００９】さらに、特公昭６１−３８１３９号公報に
は、「一般式ＡＢＯ₃ （ただしＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，
Ｐｂよりなる元素の少なくとも一種、ＢはＴｉ，Ｓｎ，
Ｚｒよりなる元素の少なくとも一種を示す）で表わされ
る組成を主成分とする磁器半導体により一部または全部
を構成したことを特徴とする高周波発熱体。」が開示さ
れている。

【００１０】このものでも、到達温度は十分に高いもの
となるが、この温度に到達するのに３分以上の時間を要
し、温度の立ち上がり特性に難点がある。

【００１１】このような実状から、本出願人は、先に、
「高周波を発生して被加熱体を加熱する高周波加熱装置
に適用され、前記高周波を受けて発熱する炭化けい素か
らなることを特徴とする高周波加熱装置用発熱体。」を
提案している（実願平３−４４０９０号）。

【００１２】このものでは、上記のものに比べて、温度
の立ち上がり特性は改善されるものの、炭化けい素であ
るため加工性に劣る。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、温度の立ち上がりが良好で、かつ到達温度が高く、
しかも加工性に富み、耐久性および取り扱い性に優れ、
さらにコスト面でも有利な高周波発熱体を提供すること
にある。また、第２の目的は上記目的に加え、均一でム
ラのない発熱が可能となり、さらに耐久性の向上を図る
ことができる高周波発熱体を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（５）の本発明により達成される。（１）酸化スズに、Ｓｂ、ＴａおよびＮｂのうちの少な
くとも１種以上を添加したものを、セラミックス製耐火
物基材の少なくとも一部に担持させたことを特徴とする
高周波発熱体。（２）前記Ｓｂ、ＴａおよびＮｂのうちの少なくとも１
種以上が金属換算で５０モル％以下含有される上記
（１）に記載の高周波発熱体。（３）前記セラミックス製耐火物基材にＰｔ層を介して
担持させた上記（１）または（２）に記載の高周波発熱
体。（４）前記セラミックス製耐火物は、コーディエライト
質の耐火物である上記（１）ないし（３）のいずれかに
記載の高周波発熱体。（５）前記セラミックス製耐火物基材は、ハニカム構造
である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の高周
波発熱体。

【００１５】なお、特開昭６２−２７２０２５号公報に
は、「セラミックス製基体と、該基体に不連続的に担持
された金属もしくは金属酸化物からなる発熱体とからな
るマイクロ波加熱促進器。」が開示されている。そし
て、その実施態様項に示されているセラミックス製基体
は、ケイ酸塩系セラミックス、純酸化物セラミックス、
窒化物セラミックス、炭化物セラミックスおよびホウ化
物セラミックスからなる群から選ばれた少なくとも一種
のセラミックスからなるものであり、発熱体は、金、
銀、白金、アルミニウム、銅、錫、鉛、亜鉛、鉄、マン
ガン、ニッケル、クロム、マグネシウム、ジルコニウ
ム、チタン、タンタル、ベリリウム、ゲルマニウム、ケ
イ素、セレン、テルル、それらの合金および酸化物から
なる群から選ばれた少なくとも一種からなるものであ
る。

【００１６】このように、本発明は、上記公報記載の発
明に、少なくとも一部は一致している。ただし、上記公
報の実施例において具体的に示されているのは、基体材
料として酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、または
酸化アルミニウムであり、実施例１では、発熱体層とし
てアルミニウムのプラズマ溶射皮膜を用いている。また
実施例２では、酸化マグネシウムまたは酸化ジルコニウ
ムのグリーンシートを成形し、その上に球状のアルミニ
ウム粒子を配列させて焼成することによりマイクロ波加
熱促進器を得ている。

【００１７】従って、上記公報には、発熱体層として酸
化スズにＴａを含有させたものを用いた具体例は示され
ていない。また、セラミック製基体も、本発明で、実際
用いているものとは異なるものである。

【００１８】また、上記公報には、上記のマイクロ波加
熱促進器のマイクロ波加熱（定格高周波出力：１０００
kWの電子レンジを適用）による温度上昇が示されている
が、本発明に比べて、上昇温度（到達温度）は格段と低
く、またその温度に至る時間も長いものとなっている。

【００１９】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００２０】本発明の高周波発熱体は、酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ₂ ）に、Ｓｂ、ＴａおよびＮｂのうちの少なくとも１
種以上を添加したものを、セラミックス製耐火物基材の
少なくとも一部に担持させたものである。

【００２１】このようなものを担持させることによっ
て、高周波、特にマイクロ波を受けることにより急激に
温度が上昇し、温度の立ち上がり特性が良好で、かつ到
達温度が高くなる。

【００２２】このときの担持物は、ＳｎＯ₂ のグレイン
を有し、Ｓｂ、Ｔａ、Ｎｂの酸化物（Ｓｂ₂ Ｏ₃ 、Ｓｂ
₂ Ｏ₅ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ 、Ｎｂ₂ Ｏ₅ ）が入っていると考え
られる。すなわち、Ｓｎの一部がＳｂ、Ｔａ、Ｎｂによ
って置換された構造と推定され、複合酸化物を形成して
いると考えられる。

【００２３】上記の酸化物の担持物におけるＳｂ、Ｔ
ａ、Ｎｂの含有量は、仕込み組成に応じた組成となり、
目的に応じて仕込み組成等を変化させればよい。また、
Ｓｂ、Ｔａ、Ｎｂは１種のみを用いても、２種以上を併
用してもよい。

【００２４】担持物におけるＳｂ、Ｔａ、Ｎｂの含有量
は、金属換算で、５０モル％以下、さらには０．２〜５
０モル％、またさらには０．２〜２０モル％、好ましく
は０．５〜１０モル％、さらに好ましくは１〜８モル％
とすればよく、併用するときは合計量で上記範囲とすれ
ばよい。ただし、Ｓｂのみの場合は多くてもかまわず、
４０モル％程度であっても好ましい。

【００２５】このような含有量とすることによって、本
発明の効果が向上する。これらのものの含有量が少なく
なると、本発明の実効が得られず、また多くなりすぎる
と、Ｓｎの作用が十分に発揮されず、マイクロ波照射に
よる発熱体としての機能が発現しなくなる。

【００２６】上記における酸化物の担持物の組成等は、
蛍光Ｘ線分析による定量分析等によって確認することが
できる。

【００２７】なお、熱効率の点からは、基材全体に、上
記担持物を担持させることが好ましいが、場合によって
は一部であってもよい。一部とするときは、基材の全表
面積の２０％以上とすることが好ましい。

【００２８】また、基材に対する上記酸化物の担持物の
担持量は、基材の幾何表面積１m²当たり１〜３００g 、
好ましくは５〜１００g とするのがよい。特にハニカム
構造の基材を用いるときの担持量は、基材１g 当たり
０．０１〜０．５g 、好ましくは０．０４〜０．３g と
するのがよい。

【００２９】このような担持量とすることによって本発
明の実効が得られる。この発熱体の原理は抵抗体発熱で
あるので、発熱体が適当な面積抵抗をもっていることが
重量であり、担持量が少なすぎても多すぎても、本発明
の実効が得られず、担持量が多すぎると生産性等の点で
不利になる。

【００３０】このときの担持量は、担持後の基材の重さ
と基材そのものの重さの差から求めることができる。ま
た、基材の表面積は計算によって求めることができる。

【００３１】なお、上記の酸化物の担持物は、基材表層
に一部存在していてもよい。

【００３２】また、本発明において、基材と酸化物の担
持物層との間にＰｔ層を介在させることも好ましい。Ｐ
ｔ層を介在させることによって、より均一でムラのない
発熱が可能となる。これは、Ｐｔ層でマイクロ波が反射
され、効率よく酸化物の担持物層に吸収され熱エネルギ
ーに変換されるためと思われる。

【００３３】特に発熱ムラが防止されることにより、高
温になった部分だけが基材ととも溶解してしまうことな
どがなくなり、耐久性が一段と向上する。

【００３４】Ｐｔ層、すなわちＰｔ担持物の担持量は、
基材の幾何表面積１m²当たり０．１〜１００g 、好まし
くは１〜２０g とするのがよい。特にハニカム構造の基
材を用いるときの担持量は、基材１g 当たり０．００３
〜０．１７g 、好ましくは０．０１〜０．１g とするの
がよい。

【００３５】Ｐｔの担持量が少なすぎると、均一でムラ
のない発熱を充分に行うことができず、また担持量が多
すぎると生産性等の点で不利になる。

【００３６】Ｐｔの組成等は前記と同様にして確認する
ことができ、また、担持量も前記と同様にして求めるこ
とができる。

【００３７】なお、Ｐｔ担持物は、上記の酸化物の担持
物と、その境界領域において一部混在していてもよく、
また基材の表層に一部存在していてもよい。

【００３８】また、Ｐｔ層が存在するときの酸化物の担
持物の量は、酸化物の担持物を担持させた後の全体の重
さから、Ｐｔ担持後の重さを引いたものとすればよい。

【００３９】本発明に用いる基材の材質としては、セラ
ミックス製耐火物であれば特に制限はないが、Ｐｔ層や
酸化物層が担持されやすいように適当なざらつきがあ
り、熱衝撃に強く、電波エネルギーから変換された熱エ
ネルギーが有効に外界に放出されるように、より熱容量
の小さな材質が好ましい。例えばコーディエライト（理
論組成：２ＭｇＯ・２Ａｌ₂ Ｏ₃ ・５ＳｉＯ₂ ）、ムラ
イト（理論組成：３Ａｌ₂ Ｏ₃ ・２ＳｉＯ₂ ）、ジルコ
ン（理論組成：ＺｒＯ₂ ・ＳｉＯ₂ ）、ジルコニア（理
論組成：ＺｒＯ₂ ）、マグネシア（理論組成：ＭｇＯ）
質の耐火物等が挙げられる。

【００４０】このような基材を用いることによって、良
好な発熱特性が得られるとともに、耐熱衝撃性が向上
し、破損も少なくなる。このため、取扱い性が良好とな
る。また、炭化ケイ素等と異なり、加工性に優れるため
種々の形状とすることが可能となる。

【００４１】基材の形状には特に制限はないが、なかで
もハニカム構造とすることが好ましい。また、他のポー
ラス形状のものであってもよい。本発明の高周波発熱体
は、後述のように、送風により被加熱体を加熱する方式
の装置に好ましく適用されるからである。

【００４２】好ましく用いられるハニカム構造におい
て、セル形状には特に制限はなく、四角形等とすればよ
い。また、セル数は１inch² 当たり５０個〜１０００個
程度、セルピッチは０．５〜５mm程度、壁厚は０．０５
〜２mm、気孔率は０．５〜２０％程度、平均細孔径は
０．５〜１０μm 程度とすればよい。

【００４３】また、基材の大きさは、調理物等の被加熱
体の大きさに応じたものとすればよく、目的、用途に応
じて選択すればよい。

【００４４】本発明の高周波発熱体を得るには、以下の
工程に従う。まず、Ｐｔ層を介在させない場合について
述べる。

【００４５】例えば、好ましくはハニカム構造のセラミ
ックス製耐火物（例えばコーディエライト）基材上に、
Ｓｂ化合物、Ｔａ化合物およびＮｂ化合物のなかから選
択した１種以上とＳｎ化合物とを、所定量含有させた塗
布液を塗布し、その後焼成する。そして、この塗布およ
び焼成の操作は１回であっても、複数回繰り返してもよ
い。複数回繰り返すときは、通常２〜１０回とする。

【００４６】なお、塗布に際しては塗布液が基材中に含
浸すると考えられる。

【００４７】上記において用いるＳｎ化合物、Ｓｂ化合
物、Ｔａ化合物、Ｎｂ化合物には特に制限はないが、有
機物系の化合物であることが好ましい。このほか、塩化
物等の無機物であってもよい。

【００４８】Ｓｎ化合物としては、ジ−ｎ−ブトキシＳ
ｎ、オクチル酸Ｓｎ、ＳｎＣｌ₄ 等；Ｓｂ化合物として
は、ＳｂＣｌ₃ 等；Ｔａ化合物としては、ブトキシＴ
ａ、オクチル酸Ｔａ、ＴａＣｌ₅ 等；Ｎｂ化合物として
はオクチル酸Ｎｂ、ブトキシＮｂ、ＮｂＣｌ₅ 等；が挙
げられる。

【００４９】また、これらを溶解する溶媒としては、エ
タノール、ブタノール、トルエン等が挙げられる。

【００５０】上記溶液中における各化合物の量比は、目
的とする担持物の組成に応じたものとすればよい。また
化合物全体で、５〜２０wt% の溶液とすればよい。

【００５１】上記溶液を用いた塗布方法には制限はな
く、刷子塗り、ディッピング、吹き付け等のいずれであ
ってもよい。

【００５２】また、焼成は、空気等の酸素雰囲気中で、
常圧で行なえばよく、焼成温度は４００℃以上、さらに
は４５０℃以上とすればよい。このような焼成温度とす
ることによって、高周波発熱体として繰り返し使用した
ときの安定性が十分となる。

【００５３】このような観点から、焼成温度は高いほど
好ましいが、焼成炉等の装置上の制約等の点で、上限は
８００℃程度とする。

【００５４】また、１回当たりの焼成時間は５〜１０分
程度とする。

【００５５】このような焼成により、塗布物中のＳｎ化
合物等は酸化されて複合酸化物を形成すると考えられ
る。

【００５６】また、Ｐｔ層を介在させた構成とするとき
は、基材上にＰｔ層を形成してから上記の酸化物の担持
物層を形成すればよい。

【００５７】Ｐｔ層は、塗布溶媒に可溶なＰｔ化合物
（塩化Ｐｔ酸等のＰｔ塩化物、有機Ｐｔ化合物等）を所
定量含有する塗布液を用いて上記の酸化スズ系の担持物
層の場合と同様に塗布、焼成することによって形成する
ことができる。

【００５８】なお、塗布に際しては塗布液が基材中に含
浸すると考えられる。また、Ｐｔをターゲットないし蒸
着源とするスパッタ等による物理気相蒸着（ＰＶＤ）法
や化学気相蒸着（ＣＶＤ）法によって成膜することもで
きる。

【００５９】このようにして得られた高周波発熱体は、
マイクロ波を照射することによって１０〜１５秒程度で
７００〜８００℃の高温となる。

【００６０】従って、オーブン電子レンジ等の高周波加
熱装置に適用したとき、瞬時に高温が得られ、調理物を
すばやくオーブン加熱調理することが可能となる。ま
た、肉や魚など調理物にはこげ目を付けることもでき
る。

【００６１】また、製法も容易であり、コスト面でも有
利である。

【００６２】図１には、本発明の高周波発熱体を、発熱
体として適用したオーブン電子レンジの一構成例が示さ
れる。なお、図１には発熱体部分が主に示されている。

【００６３】図１に示すように、オーブン電子レンジ１
０は、高周波発熱体１を備え、高周波発熱体１に送風す
るためのファン２を有し、オーブン電子レンジ１０内の
調理物等の被加熱体３をオーブン加熱調理するものであ
る。

【００６４】図示のように、高周波発熱体１は、ファン
２からの送風が被加熱体３に吹き付けられるよう複数の
通風孔１ａを有するものである。

【００６５】また、オーブン電子レンジ１０は、高周波
発熱体１に照射するマイクロ波Ｗμを発生するマイクロ
波発生源を具備する。

【００６６】上記構成において、高周波発熱体１は、マ
イクロ波発生源からマイクロ波Ｗμが照射されて、その
表面温度が上昇する。この温度上昇により発熱体１の通
風孔１ａを通過した送風は、高温となって被加熱体３に
吹き付けられ、調理物等の被加熱体３は急激にオーブン
加熱調理される。

【００６７】本発明の高周波発熱体は、図示例に限ら
ず、種々の形状等で、種々の高周波加熱装置に適用する
ことができる。

【００６８】

【実施例】以下、本発明を実施例によって説明する。

【００６９】実施例１（１）サンプルの作製４０mm径５mm厚のハニカム構造をしたコーディエライト
基材上に、表１、表２に示す塗布液を各々用いて塗布
し、マッフル炉で表１、表２に示す条件で焼成した。な
お、塗布液における金属化合物は、Ｓｎ化合物として、
ジ−ｎ−ブトキシＳｎ、Ｓｂ化合物として、ＳｂＣｌ
₃ 、Ｔａ化合物として、ブトキシＴａ、Ｎｂ化合物とし
て、ブトキシＮｂをそれぞれ用いた。

【００７０】この塗布および焼成工程は繰り返し行なう
ものとし、工程回数は表１、表２に示すとおりとした。

【００７１】このようにして表１、表２に示すサンプル
No. １〜１７を得た。サンプルNo.３において、基材と
担持物との間にＰｔ層を設けるほかは同様にしてサンプ
ルNo. １８を得た。Ｐｔ層は塩化Ｐｔ酸を含有する塗布
液を用いて上記と同様に塗布し焼成した（表２参照）。
なお、表２に示すとおり、Ｐｔ層形成にあたり、塗布お
よび焼成の工程を２回繰り返した。

【００７２】サンプルNo. １〜１７においては、表１、
表２に示す金属組成の酸化物が表１、表２の担持量で基
材表面および表層に担持されていると考えられる。ま
た、サンプルNo. １８では、表２に示すように、基材表
面および表層にＰｔが担持されており、Ｐｔ層表面およ
び表層に金属酸化物が担持されていると考えられる。

【００７３】なお、上記の金属組成は塗布液における各
金属の仕込み量から求められ、また、蛍光Ｘ線分析装置
による定量分析によって確認した。

【００７４】また、担持量は、基材１g 当たりの量（g
）であり、基材そのものの重さと焼成後の重さの差と
から求めた。また、Ｐｔ層を設けた場合のＰｔ担持量も
同様にして求めた。さらに、Ｐｔ層を設けた場合の酸化
物の担持量もこれに準じて求めた。

【００７５】なお、基材１m²当たりの量（g ）は、基材
の表面積を計算により求め、これより算出した。

【００７６】上記におけるコーディエライト基材は、以
下の構造のものを用いた。

【００７７】セル形状：四角形セル数：２００個/inch² セルピッチ：１．８mm 壁厚：０．３mm 気孔率：３．５％平均細孔径：４μm

【００７８】（２）温度特性サンプルNo. １〜１８を、それぞれ、図２に示すように
設置したオーブン電子レンジ１０（定格高周波出力５０
０W ）の発熱体として用い、各サンプルについて、マイ
クロ波の照射時間と表面温度との関係を調べた。ただ
し、オーブン電子レンジ１０には被加熱体は入れないも
のとし、一定時間マイクロ波を照射した後、オーブン電
子レンジのドアを開き、その瞬間の発熱体の表面温度を
図２に示すようなサーマルビデオシステムによりモニタ
ーした。

【００７９】図２に示すように、サーマルビデオシステ
ムは、オーブン電子レンジ１０内の発熱体の表面温度を
検出する赤外線カメラ２０と、この赤外線カメラ２０内
をアルゴンガス雰囲気とするためのアルゴンガスを充填
したボンベ２１と、サーマルビデオ装置２５とを有す
る。このサーマルビデオ装置２５は、画面２５５上に検
出温度の温度分布像を現出するものである。

【００８０】結果を表１および表２に示す。なお、比較
のためヒーター（サンプルNo. ２０）、ＳｉＣからなる
発熱体（サンプルNo. ２１）についても同様にして調
べ、表中に記す。

【００８１】

【表１】

【００８２】

【表２】

【００８３】表１および表２から明らかなように、本発
明のサンプルはいずれも、到達温度が８００℃以上であ
り、またこの到達温度に１５〜３０秒で到達する。ま
た、本発明のサンプルはいずれも、１５秒程度で、７０
０〜８００℃の温度に到達することが確認された。

【００８４】また、Ｐｔ層を設けたサンプルNo. １８で
は、発熱ムラの発生の点でさらに改善することがわかっ
た。発熱ムラは、図２におけるサーマルビデオ装置２５
の画面２５５上にあらわれる温度分布像により評価し
た。

【００８５】これらのサンプルのうち、サンプルNo. ２
についての照射時間と表面温度との関係を図３に、ま
た、サンプルNo. ７についての照射時間と表面温度との
関係を図４にそれぞれ示す。また、図３、図４には、ヒ
ーター（サンプルNo. ２０）、ＳｉＣ（サンプルNo. ２
１）についての同様の関係を示す。

【００８６】図３、図４からも、本発明のサンプルは温
度の立ち上がり特性が良好で到達温度も高いことがわか
る。

【００８７】さらに、本発明のサンプルについて、上記
のマイクロ波照射を繰り返し行なっても温度特性に劣化
はなく、実用に十分耐えることがわかった。

【００８８】

【発明の効果】本発明によれば、温度の立ち上がり特性
が良好で、かつ到達温度が高い。また、加工性に優れ
る。さらに、耐久性が良好である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の高周波発熱体をオーブン電子レンジに
適用した一構成例を示す斜視図である。

【図２】発熱体の温度特性を測定するサーマルビデオシ
ステムの模式図である。

【図３】発熱体の温度特性を示すグラフである。

【図４】発熱体の温度特性を示すグラフである。

【符号の説明】

１高周波発熱体１０オーブン電子レンジＷμ マイクロ波２０赤外線カメラ２５サーマルビデオ装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】酸化スズに、Ｓｂ、ＴａおよびＮｂのう
ちの少なくとも１種以上を添加したものを、セラミック
ス製耐火物基材の少なくとも一部に担持させたことを特
徴とする高周波発熱体。
【請求項２】前記Ｓｂ、ＴａおよびＮｂのうちの少な
くとも１種以上が金属換算で５０モル％以下含有される
請求項１に記載の高周波発熱体。
【請求項３】前記セラミックス製耐火物基材にＰｔ層
を介して担持させた請求項１または２に記載の高周波発
熱体。
【請求項４】前記セラミックス製耐火物は、コーディ
エライト質の耐火物である請求項１ないし３のいずれか
に記載の高周波発熱体。
【請求項５】前記セラミックス製耐火物基材は、ハニ
カム構造である請求項１ないし４のいずれかに記載の高
周波発熱体。