JPH05246727A - ガラス導波路の製造方法 - Google Patents
ガラス導波路の製造方法Info
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- JPH05246727A JPH05246727A JP2537792A JP2537792A JPH05246727A JP H05246727 A JPH05246727 A JP H05246727A JP 2537792 A JP2537792 A JP 2537792A JP 2537792 A JP2537792 A JP 2537792A JP H05246727 A JPH05246727 A JP H05246727A
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- JP
- Japan
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- film
- glass
- substrate
- alkali metal
- earth element
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/12—Other methods of shaping glass by liquid-phase reaction processes
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はガラス導波路の製造方法に関するも
のであり、その目的はコア部内への希土類元素の均一添
加及びその制御が容易にできると共に、製造プロセスの
簡略化を達成したガラス導波路の製造方法を提供するも
のである。 【構成】 本発明は基板上に希土類元素を少なくとも１
種含んだアルカリ金属シリケートの水溶液を塗布した
後、これをマイクロ波オーブン及び加熱炉内で乾燥、硬
化させて上記基板上にガラス膜を形成し、該ガラス膜を
フォトリソグラフィ、ドライエッチングプロセスにより
パターン化して略矩形状のコアパターンを形成し、該コ
アパターン表面上に低屈折率のクラッド層を被覆するこ
とを特徴としている。
のであり、その目的はコア部内への希土類元素の均一添
加及びその制御が容易にできると共に、製造プロセスの
簡略化を達成したガラス導波路の製造方法を提供するも
のである。 【構成】 本発明は基板上に希土類元素を少なくとも１
種含んだアルカリ金属シリケートの水溶液を塗布した
後、これをマイクロ波オーブン及び加熱炉内で乾燥、硬
化させて上記基板上にガラス膜を形成し、該ガラス膜を
フォトリソグラフィ、ドライエッチングプロセスにより
パターン化して略矩形状のコアパターンを形成し、該コ
アパターン表面上に低屈折率のクラッド層を被覆するこ
とを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は希土類元素を含有したガ
ラス導波路の製造方法に関するものである。
ラス導波路の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ガラス導波路のコア内に希土類元
素を添加することにより、レーザーや光増幅器を実現し
ようとする研究が注目されてきている。
素を添加することにより、レーザーや光増幅器を実現し
ようとする研究が注目されてきている。
【０００３】図４はガラス導波路のコア内に希土類元素
を添加する方法の従来例（特開平２−２５０８３号公
報）を示したものである。図示するように、この方法は
光が伝搬するコア部と、このコア部の周りにクラッド層
を有するガラス光導波路膜を基板上に形成させる工程で
得られる基板上のコア部用ガラス多孔質を、希土類元素
と遷移金属元素から選ばれた１種類以上の元素を含む溶
液中に液浸し、この元素を上記コア部に所定濃度に添加
させ、乾燥、焼結後、フォトリソグラフィ、ドライエッ
チングプロセスによりコア部を矩形状にパターン化し、
最後に上記パターン化したコア部表面上にクラッド層を
堆積させてレーザー用、あるいは光増幅器用希土類元素
添加ガラス導波路を得るものである。
を添加する方法の従来例（特開平２−２５０８３号公
報）を示したものである。図示するように、この方法は
光が伝搬するコア部と、このコア部の周りにクラッド層
を有するガラス光導波路膜を基板上に形成させる工程で
得られる基板上のコア部用ガラス多孔質を、希土類元素
と遷移金属元素から選ばれた１種類以上の元素を含む溶
液中に液浸し、この元素を上記コア部に所定濃度に添加
させ、乾燥、焼結後、フォトリソグラフィ、ドライエッ
チングプロセスによりコア部を矩形状にパターン化し、
最後に上記パターン化したコア部表面上にクラッド層を
堆積させてレーザー用、あるいは光増幅器用希土類元素
添加ガラス導波路を得るものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述した従来
の希土類元素添加ガラス導波路の製造方法では以下のよ
うな欠点があった。
の希土類元素添加ガラス導波路の製造方法では以下のよ
うな欠点があった。
【０００５】（１）コア部内に希土類元素を均一に添加
することが困難であった。すなわち、上述した方法はガ
ラス多孔質膜中に液体を含浸させる方法であるため、ガ
ラス多孔質膜の厚さ方向に濃度分布を持つことになり、
コア部内での希土類元素の濃度勾配は励起効率の低下を
招いていた。
することが困難であった。すなわち、上述した方法はガ
ラス多孔質膜中に液体を含浸させる方法であるため、ガ
ラス多孔質膜の厚さ方向に濃度分布を持つことになり、
コア部内での希土類元素の濃度勾配は励起効率の低下を
招いていた。
【０００６】（２）製造プロセスが複雑であり、量産
性、経済性に問題があった。すなわち、ガラス多孔質膜
形成、液体含浸、乾燥、焼結、パターニング、クラッド
膜形成といったように工程数が多くかつ複雑であり量産
に適した方法ではなかった。
性、経済性に問題があった。すなわち、ガラス多孔質膜
形成、液体含浸、乾燥、焼結、パターニング、クラッド
膜形成といったように工程数が多くかつ複雑であり量産
に適した方法ではなかった。
【０００７】（３）コア部内に希土類元素を多量に添加
することは困難であった。
することは困難であった。
【０００８】（４）複数の希土類元素をコア部内に均一
に共添加することは困難であった。
に共添加することは困難であった。
【０００９】そこで、本発明は上記の問題点を有効に解
決するために案出されたものであり、その主な目的はコ
ア部内への希土類元素の均一添加及びその添加量制御が
容易にできると共に、製造プロセスの簡略化を達成した
ガラス導波路の製造方法を提供するものである。
決するために案出されたものであり、その主な目的はコ
ア部内への希土類元素の均一添加及びその添加量制御が
容易にできると共に、製造プロセスの簡略化を達成した
ガラス導波路の製造方法を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は基板上に希土類元素を少なくとも１種含んだ
アルカリ金属シリケートの水溶液を塗布した後、これを
マイクロ波オーブン及び加熱炉内で乾燥、硬化させて上
記基板上にガラス膜を形成し、該ガラス膜をフォトリソ
グラフィ、ドライエッチングプロセスによりパターン化
して略矩形状のコアパターンを形成し、該コアパターン
表面上に低屈折率のクラッド層を被覆するものである。
に本発明は基板上に希土類元素を少なくとも１種含んだ
アルカリ金属シリケートの水溶液を塗布した後、これを
マイクロ波オーブン及び加熱炉内で乾燥、硬化させて上
記基板上にガラス膜を形成し、該ガラス膜をフォトリソ
グラフィ、ドライエッチングプロセスによりパターン化
して略矩形状のコアパターンを形成し、該コアパターン
表面上に低屈折率のクラッド層を被覆するものである。
【００１１】本発明に用いるアルカリ金属シリケートの
水溶液Ｍｅ2 Ｏ・ｎＳｉＯ2 ・ｘＨ2 Ｏ（Ｍｅ：アルカ
リ金属）としては珪酸ナトリウム水溶液Ｎａ2 Ｏ・ｎＳ
ｉＯ2 ・ｘＨ2 Ｏ、第４級アンモニウムシリケート水溶
液（Ｎ+ Ｒ4 ）2 Ｏ・ｎＳｉＯ2 ・ｘＨ2 Ｏ等である。
水溶液Ｍｅ2 Ｏ・ｎＳｉＯ2 ・ｘＨ2 Ｏ（Ｍｅ：アルカ
リ金属）としては珪酸ナトリウム水溶液Ｎａ2 Ｏ・ｎＳ
ｉＯ2 ・ｘＨ2 Ｏ、第４級アンモニウムシリケート水溶
液（Ｎ+ Ｒ4 ）2 Ｏ・ｎＳｉＯ2 ・ｘＨ2 Ｏ等である。
【００１２】また、希土類元素としてはＥｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｒ、Ｙｂ、Ｓｍ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ等を少なくとも１種
類以上含んだものを用い、これを上記アルカリ金属シリ
ケートの水溶液内に混合するときには、例えば、ＥｒＣ
ｌ3 、ＥｒＣｌ3 ・６Ｈ2 Ｏ、Ｅｒ（ＮＯ3 ）3 ・５Ｈ
2 Ｏ、ＮｄＣｌ3 、ＰｒＣｌ3 ・７Ｈ2 Ｏ、Ｐｒ（ＮＯ
3 ）3 ・６Ｈ2 Ｏのような水に溶ける希土類元素を含ん
だ化合物を用いて行えばよい。
ｒ、Ｙｂ、Ｓｍ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｔｍ等を少なくとも１種
類以上含んだものを用い、これを上記アルカリ金属シリ
ケートの水溶液内に混合するときには、例えば、ＥｒＣ
ｌ3 、ＥｒＣｌ3 ・６Ｈ2 Ｏ、Ｅｒ（ＮＯ3 ）3 ・５Ｈ
2 Ｏ、ＮｄＣｌ3 、ＰｒＣｌ3 ・７Ｈ2 Ｏ、Ｐｒ（ＮＯ
3 ）3 ・６Ｈ2 Ｏのような水に溶ける希土類元素を含ん
だ化合物を用いて行えばよい。
【００１３】また、希土類元素を少なくとも１種類以上
含んだアルカリ金属シリケートの水溶液の中には、屈折
率調節用の水溶液、例えばＰ2 Ｏ5 の水溶液、Ｎｄ2 Ｃ
Ｏ3 の水溶液、Ｌｉ2 ＣＯ3 の水溶液、ＢＣｌ3 の水溶
液などが含まれていてもよい。
含んだアルカリ金属シリケートの水溶液の中には、屈折
率調節用の水溶液、例えばＰ2 Ｏ5 の水溶液、Ｎｄ2 Ｃ
Ｏ3 の水溶液、Ｌｉ2 ＣＯ3 の水溶液、ＢＣｌ3 の水溶
液などが含まれていてもよい。
【００１４】
【作用】本発明は上述したような構成により、コアガラ
ス膜中に希土類元素を均一に添加したガラス導波路を実
現することができる上に、しかも非常に簡単な製造方法
であるため、製造方法の簡略化、低コストで製造するこ
とができる。さらに複数の希土類元素をコアガラス膜中
に均一に共添加することができる。
ス膜中に希土類元素を均一に添加したガラス導波路を実
現することができる上に、しかも非常に簡単な製造方法
であるため、製造方法の簡略化、低コストで製造するこ
とができる。さらに複数の希土類元素をコアガラス膜中
に均一に共添加することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の好適実施例を添付図面に基づ
いて詳述する。
いて詳述する。
【００１６】図１は本発明のガラス導波路の製造方法の
一実施例を示したものである。先ず、図１（ａ）に示す
ように、石英等からなる基板１（ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 に
Ｐ、Ｂ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｆ、Ｔａ、Ａｌ、Ｎａ、Ｋ等の屈
折率制御用ドーパンドを少なくとも１種類含んだもの）
の表面上に、基板１の屈折率よりも高い屈折率を有し、
希土類元素を含むアルカリ金属シリケート水溶液３をコ
ップ２よりたらす。次に、図１（ｂ）に示すように、こ
の基板１をスピンナーで回転させて上記水溶液３が基板
１の表面上に一様な膜厚で覆われるようにする。この膜
厚は１０μｍ以上になるように水溶液の量とスピンナー
の回転数によって調節することができる。その後、この
基板１を図１（ｃ）に示すように、マイクロ波オーブン
（電子レンジ）４内に入れてマイクロ波（周波数帯：２
４５０ＭＨｚ帯）により加熱し、上記水溶液３を乾燥さ
せて希土類元素を含んだアルカリ金属シリケートの膜３
ａとする。次に、図１（ｄ）に示すように、このアルカ
リ金属シリケート膜３ａが形成された基板１を加熱炉５
内に入れ、１２００〜１３００℃の温度で加熱し、図２
（ａ）に示すように、透明なガラス膜３ａ付きの基板１
を得る。尚、本実施例では希土類元素はＥｒであり、そ
の化合物ＥｒＣｌ3 を用いた。また、アルカリ金属シリ
ケート水溶液としては珪酸カリウム水溶液（東京応化工
業株式会社の商品名オーカシールＡ）を用いた。そし
て、珪酸カリウム水溶液とＥｒＣｌ3 の重量比は１０
０：１から１００：０．００５の範囲で調合して用い
た。
一実施例を示したものである。先ず、図１（ａ）に示す
ように、石英等からなる基板１（ＳｉＯ2 、ＳｉＯ2 に
Ｐ、Ｂ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｆ、Ｔａ、Ａｌ、Ｎａ、Ｋ等の屈
折率制御用ドーパンドを少なくとも１種類含んだもの）
の表面上に、基板１の屈折率よりも高い屈折率を有し、
希土類元素を含むアルカリ金属シリケート水溶液３をコ
ップ２よりたらす。次に、図１（ｂ）に示すように、こ
の基板１をスピンナーで回転させて上記水溶液３が基板
１の表面上に一様な膜厚で覆われるようにする。この膜
厚は１０μｍ以上になるように水溶液の量とスピンナー
の回転数によって調節することができる。その後、この
基板１を図１（ｃ）に示すように、マイクロ波オーブン
（電子レンジ）４内に入れてマイクロ波（周波数帯：２
４５０ＭＨｚ帯）により加熱し、上記水溶液３を乾燥さ
せて希土類元素を含んだアルカリ金属シリケートの膜３
ａとする。次に、図１（ｄ）に示すように、このアルカ
リ金属シリケート膜３ａが形成された基板１を加熱炉５
内に入れ、１２００〜１３００℃の温度で加熱し、図２
（ａ）に示すように、透明なガラス膜３ａ付きの基板１
を得る。尚、本実施例では希土類元素はＥｒであり、そ
の化合物ＥｒＣｌ3 を用いた。また、アルカリ金属シリ
ケート水溶液としては珪酸カリウム水溶液（東京応化工
業株式会社の商品名オーカシールＡ）を用いた。そし
て、珪酸カリウム水溶液とＥｒＣｌ3 の重量比は１０
０：１から１００：０．００５の範囲で調合して用い
た。
【００１７】次に、この透明なガラス膜３ａ付きの基板
１のガラス膜３ａの上にＷＳｉ膜（膜厚０．５μｍ）を
スパッタリング法によって形成した後、このＷＳｉ膜上
にフォトレジスト膜を塗布し、マスクを介して紫外線露
光、現像、焼付けなどの一連のフォトリソグラフィ工程
を行うことによって、上記ＷＳｉ膜上にフォトレジスト
膜をパターン化する。次にこのフォトレジスト膜のパタ
ーンをマスクしてドライエッチングにより、ＷＳｉ膜を
パターン化する。次いで上記フォトレジスト膜及びＷＳ
ｉ膜のパターンをマスクして基板１を深さＴまでドライ
エッチング工程によりエッチングする。そしてこのフォ
トレジスト膜及びＷＳｉ膜を取り除くことにより、図２
（ｂ）に示すような、幅Ｗ、厚みＴの矩形状に形成した
コア部３ｂを形成する。その後、このコア部３ｂの屈折
率よりも低い値のクラッド層６をこのコア部３ｂの表面
上に被覆することによって図２（ｃ）に示すような埋込
み型のガラス導波路を得ることができる。尚、このコア
部３ｂの厚みＴも図１（ｂ）のスピンナーによる膜厚の
調節により、数μｍから数十μｍのものまで任意に作る
ことができる。尚、また、コア部３ｂの屈折率は約１．
４９５（ｎｄ値）であり、クラッド用低屈折率ガラス６
にはＧｅＯ2 を用いることにより、その屈折率は約１．
４７６であった。また、このクラッドガラスはプラズマ
ＣＶＤ法によって形成した。また、コア部３ｂ内へのＥ
ｒ濃度は前述したように、珪酸カリウム水溶液とＥｒＣ
ｌ3 の重量比を調合することにより、数％から数百ｐｐ
ｍの範囲に渡って制御することができた。
１のガラス膜３ａの上にＷＳｉ膜（膜厚０．５μｍ）を
スパッタリング法によって形成した後、このＷＳｉ膜上
にフォトレジスト膜を塗布し、マスクを介して紫外線露
光、現像、焼付けなどの一連のフォトリソグラフィ工程
を行うことによって、上記ＷＳｉ膜上にフォトレジスト
膜をパターン化する。次にこのフォトレジスト膜のパタ
ーンをマスクしてドライエッチングにより、ＷＳｉ膜を
パターン化する。次いで上記フォトレジスト膜及びＷＳ
ｉ膜のパターンをマスクして基板１を深さＴまでドライ
エッチング工程によりエッチングする。そしてこのフォ
トレジスト膜及びＷＳｉ膜を取り除くことにより、図２
（ｂ）に示すような、幅Ｗ、厚みＴの矩形状に形成した
コア部３ｂを形成する。その後、このコア部３ｂの屈折
率よりも低い値のクラッド層６をこのコア部３ｂの表面
上に被覆することによって図２（ｃ）に示すような埋込
み型のガラス導波路を得ることができる。尚、このコア
部３ｂの厚みＴも図１（ｂ）のスピンナーによる膜厚の
調節により、数μｍから数十μｍのものまで任意に作る
ことができる。尚、また、コア部３ｂの屈折率は約１．
４９５（ｎｄ値）であり、クラッド用低屈折率ガラス６
にはＧｅＯ2 を用いることにより、その屈折率は約１．
４７６であった。また、このクラッドガラスはプラズマ
ＣＶＤ法によって形成した。また、コア部３ｂ内へのＥ
ｒ濃度は前述したように、珪酸カリウム水溶液とＥｒＣ
ｌ3 の重量比を調合することにより、数％から数百ｐｐ
ｍの範囲に渡って制御することができた。
【００１８】次に、図３に示すガラス導波路は本発明の
製造方法の他の実施例を示したものである。まず図３
（ａ）は基板１ａにＳｉを用いたものであり、このＳｉ
基板１ａの表面上にはバッファ層（ＳｉＯ2 にＰ2 Ｏ5
をドープしたガラス層）７が設けられ、さらにこのバッ
ファ層７の上にはコア部３ｂが形成されており、そして
コア部３ｂの表面にはクラッド６が形成されている。こ
のバッファ層７及びクラッド６はプラズマＣＶＤ法、電
子ビーム蒸着法、スパッタリング法等によって形成する
ことができる。また、図３（ｂ）はコア部３ｂとクラッ
ド６との間に中間層９を設けた構造である。この中間層
９の屈折率はクラッド６の屈折率に等しいかそれよりも
低い値に選ばれ、コア部３ｂへの光の閉じ込め効率を高
めるように作用する。この中間層９は図１に示したよう
に、屈折率調節用ドーパンド（例えばＢ2 Ｏ3 ）を含ん
だアルカリ金属シリケート水溶液をコア部３ｂの表面上
全体に塗布し、乾燥、加熱工程を経て形成するようにし
てもよく、あるいは先に示したように、プラズマＣＶＤ
法、スパッタリング法等によって形成してもよい。
製造方法の他の実施例を示したものである。まず図３
（ａ）は基板１ａにＳｉを用いたものであり、このＳｉ
基板１ａの表面上にはバッファ層（ＳｉＯ2 にＰ2 Ｏ5
をドープしたガラス層）７が設けられ、さらにこのバッ
ファ層７の上にはコア部３ｂが形成されており、そして
コア部３ｂの表面にはクラッド６が形成されている。こ
のバッファ層７及びクラッド６はプラズマＣＶＤ法、電
子ビーム蒸着法、スパッタリング法等によって形成する
ことができる。また、図３（ｂ）はコア部３ｂとクラッ
ド６との間に中間層９を設けた構造である。この中間層
９の屈折率はクラッド６の屈折率に等しいかそれよりも
低い値に選ばれ、コア部３ｂへの光の閉じ込め効率を高
めるように作用する。この中間層９は図１に示したよう
に、屈折率調節用ドーパンド（例えばＢ2 Ｏ3 ）を含ん
だアルカリ金属シリケート水溶液をコア部３ｂの表面上
全体に塗布し、乾燥、加熱工程を経て形成するようにし
てもよく、あるいは先に示したように、プラズマＣＶＤ
法、スパッタリング法等によって形成してもよい。
【００１９】このように本発明は基板１、１ａ上に希土
類元素を少なくとも１種含んだアルカリ金属シリケート
の水溶液３を塗布した後、これをマイクロ波オーブン４
及び加熱炉５内で乾燥、硬化させてガラス膜３ａを形成
し、このガラス膜３ａをフォトリソグラフィ、ドライエ
ッチングプロセスによりパターン化して略矩形状のコア
パターン３ｂを形成し、このコアパターン３ｂ表面上に
低屈折率のクラッド層６を被覆するものであるため、コ
アガラス膜中に希土類元素の均一添加およびその添加量
制御が容易にできるガラス導波路を実現することができ
る上に、しかも製造方法が従来方法に比較して簡単であ
るため、量産性の向上及び低コストが達成される。さら
に複数の希土類元素をコアガラス膜中に均一に共添加す
ることも同時に達成できる。
類元素を少なくとも１種含んだアルカリ金属シリケート
の水溶液３を塗布した後、これをマイクロ波オーブン４
及び加熱炉５内で乾燥、硬化させてガラス膜３ａを形成
し、このガラス膜３ａをフォトリソグラフィ、ドライエ
ッチングプロセスによりパターン化して略矩形状のコア
パターン３ｂを形成し、このコアパターン３ｂ表面上に
低屈折率のクラッド層６を被覆するものであるため、コ
アガラス膜中に希土類元素の均一添加およびその添加量
制御が容易にできるガラス導波路を実現することができ
る上に、しかも製造方法が従来方法に比較して簡単であ
るため、量産性の向上及び低コストが達成される。さら
に複数の希土類元素をコアガラス膜中に均一に共添加す
ることも同時に達成できる。
【００２０】尚、これら基板１、１ａには各種ガラス、
Ｓｉ以外にＩｎＰ、ＧａＡｓ等の半導体、ＬｉＮｂ
Ｏ3 、ＬｉＴａＯ3 等の強誘電体等を用いることもでき
る。また、マイクロ波オーブンのマイクロ波周波数帯は
２４５０ＭＨｚ帯以外に９１５ＭＨｚ帯、５８００ＭＨ
ｚ帯、２２１２５ＭＨｚ帯等を使っても良い。
Ｓｉ以外にＩｎＰ、ＧａＡｓ等の半導体、ＬｉＮｂ
Ｏ3 、ＬｉＴａＯ3 等の強誘電体等を用いることもでき
る。また、マイクロ波オーブンのマイクロ波周波数帯は
２４５０ＭＨｚ帯以外に９１５ＭＨｚ帯、５８００ＭＨ
ｚ帯、２２１２５ＭＨｚ帯等を使っても良い。
【００２１】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、以下の如
く優れた効果を有する。
く優れた効果を有する。
【００２２】（１）コア部内に希土類元素を均一に添加
することができる。また、複数の希土類元素であっても
均一に共添加することができる （２）コア部内の希土類元素の添加量を容易に制御する
ことができる。
することができる。また、複数の希土類元素であっても
均一に共添加することができる （２）コア部内の希土類元素の添加量を容易に制御する
ことができる。
【００２３】（３）製造プロセスが簡単であり、低コス
トで製造することができる。
トで製造することができる。
【図１】本発明の製造方法の一実施例を示した概略図で
ある。
ある。
【図２】本発明の製造方法の他の一実施例を示した概略
図である。
図である。
【図３】本発明のガラス導波路の製造方法によって実現
できるガラス導波路の実施例を示した概略図である。
できるガラス導波路の実施例を示した概略図である。
【図４】従来の希土類元素ガラス導波路の製造方法の概
略図である。
略図である。
１ 基板 ３ アルカリ金属シリケート水溶液 ３ａ ガラス膜 ３ｂ コアパターン ４ マイクロ波パターン ５ 加熱炉 ６ クラッド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井本 克之 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社アドバンスリサーチセンタ内
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に希土類元素を少なくとも１種含
んだアルカリ金属シリケートの水溶液を塗布した後、こ
れをマイクロ波オーブン及び加熱炉内で乾燥、硬化させ
て上記基板上にガラス膜を形成し、該ガラス膜をフォト
リソグラフィ、ドライエッチングプロセスによりパター
ン化して略矩形状のコアパターンを形成し、該コアパタ
ーン表面上に低屈折率のクラッド層を被覆することを特
徴とするガラス導波路の製造方法。 - 【請求項２】 上記アルカリ金属シリケートの水溶液と
して、Ｍｅ2 Ｏ・ｎＳｉＯ2 ・ｘＨ2 Ｏ（Ｍｅ：アルカ
リ金属）を用いたことを特徴とする請求項１記載のガラ
ス導波路の製造方法。 - 【請求項３】 上記希土類元素として、水溶性のものを
用いたことを特徴とする請求項１記載のガラス導波路の
製造方法。 - 【請求項４】 上記基板として、ガラス、強誘電体、半
導体などを用いたことを特徴とする請求項１項記載のガ
ラス導波路の製造方法。 - 【請求項５】 上記アルカリ金属シリケートの水溶液に
は屈折率調節用の水溶液が含まれていることを特徴とす
る請求項１記載のガラス導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2537792A JPH05246727A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | ガラス導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2537792A JPH05246727A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | ガラス導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05246727A true JPH05246727A (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=12164164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2537792A Pending JPH05246727A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | ガラス導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05246727A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003029159A1 (en) | 2001-10-03 | 2003-04-10 | Qinetiq Limited | Coated optical components |
| CN105293924A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-02-03 | 宁波大学 | 一种稀土离子掺杂的Cs2NaYBr6微晶玻璃及其制备方法 |
| CN105293928A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-02-03 | 宁波大学 | 一种稀土离子掺杂的K2GdCl5微晶玻璃及其制备方法 |
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-
1992
- 1992-02-12 JP JP2537792A patent/JPH05246727A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003029159A1 (en) | 2001-10-03 | 2003-04-10 | Qinetiq Limited | Coated optical components |
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