JPH0145881B2 - - Google Patents
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- JPH0145881B2 JPH0145881B2 JP57109795A JP10979582A JPH0145881B2 JP H0145881 B2 JPH0145881 B2 JP H0145881B2 JP 57109795 A JP57109795 A JP 57109795A JP 10979582 A JP10979582 A JP 10979582A JP H0145881 B2 JPH0145881 B2 JP H0145881B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低損失にして温度安定性、長期信頼性
に優れる光集積回路用の埋め込み型石英光導波路
の製造方法に関するものである。
に優れる光集積回路用の埋め込み型石英光導波路
の製造方法に関するものである。
光フアイバ伝送技術の開発に伴い、従来空間中
で行われた光分岐、光フイルタ、光分波等の機能
を光導波回路で実現することが望まれている。特
に石英ガラスを媒質とする光導波路は低損失が見
込まれ、光フアイバとの結合に適し、機械的にも
化学的にも安定な導波路として期待されるため、
いくつかの製造法が提案されている。第１図に化
学蒸着法による石英光導波路の製造方法を示す
（文献：森他電子通信学会技術報告OQE80−135，
1980）。すなわち、マスフローコントローラ
MFC1により流量を制御された酸素を、Sicl4，
Gecl4，Pcl3，BBr3の各蒸気を伴つて高温炉２に
導入し、ここで導波路の主成分となるSio2及び不
純物となるGeO2，P2O5，B2O3の微粒子を生成
し、基板石英３上に堆積させた後、熱処理によつ
て透明ガラス化して導波路のコア４を形成するも
のである。この方法で作製した導波路は一様性が
悪いため散乱損失が大きい上に、伝搬定数に一様
性を要求される方向性結合器等の応用に不向きで
ある。また1500℃程度の熱処理を伴うのでクラツ
クも生じやすい等の欠点がある。他の方法として
発明者は先にスパツタリングを用いる石英光導波
路の製造方法を提案した（特願昭56−199490）。
この方法は一様性及び熱処理を伴わない点で上記
の化学蒸着法より優れているが、熱処理により石
英ガラスを溶かしこむプロセスがないため、任意
の凹凸上に導波路を作製して埋めこむことができ
ない。たとえば、石英基板上に設けた10μｍ角の
溝や約1μｍピツチのグレーテイングの上に石英
をスパツタすると、埋め込まれずに中空部を生ず
る。第２図に本発明者による実験及び顕微鏡観察
により得られた断面図を示す。ａは10μｍ角の
溝、ｂはａ図に示す溝の上に石英をスパツタした
状態を示す。ｃは約1μｍピツチのグレーテイン
グの場合である。３は石英基板、４はスパツタし
た石英膜、５は中空部を示す。この結果からわか
るように、上記の方法では凹凸をつけた基板を埋
めこむことができず、これが埋め込み型導波路の
作製法としては致命的な欠点となつている。
で行われた光分岐、光フイルタ、光分波等の機能
を光導波回路で実現することが望まれている。特
に石英ガラスを媒質とする光導波路は低損失が見
込まれ、光フアイバとの結合に適し、機械的にも
化学的にも安定な導波路として期待されるため、
いくつかの製造法が提案されている。第１図に化
学蒸着法による石英光導波路の製造方法を示す
（文献：森他電子通信学会技術報告OQE80−135，
1980）。すなわち、マスフローコントローラ
MFC1により流量を制御された酸素を、Sicl4，
Gecl4，Pcl3，BBr3の各蒸気を伴つて高温炉２に
導入し、ここで導波路の主成分となるSio2及び不
純物となるGeO2，P2O5，B2O3の微粒子を生成
し、基板石英３上に堆積させた後、熱処理によつ
て透明ガラス化して導波路のコア４を形成するも
のである。この方法で作製した導波路は一様性が
悪いため散乱損失が大きい上に、伝搬定数に一様
性を要求される方向性結合器等の応用に不向きで
ある。また1500℃程度の熱処理を伴うのでクラツ
クも生じやすい等の欠点がある。他の方法として
発明者は先にスパツタリングを用いる石英光導波
路の製造方法を提案した（特願昭56−199490）。
この方法は一様性及び熱処理を伴わない点で上記
の化学蒸着法より優れているが、熱処理により石
英ガラスを溶かしこむプロセスがないため、任意
の凹凸上に導波路を作製して埋めこむことができ
ない。たとえば、石英基板上に設けた10μｍ角の
溝や約1μｍピツチのグレーテイングの上に石英
をスパツタすると、埋め込まれずに中空部を生ず
る。第２図に本発明者による実験及び顕微鏡観察
により得られた断面図を示す。ａは10μｍ角の
溝、ｂはａ図に示す溝の上に石英をスパツタした
状態を示す。ｃは約1μｍピツチのグレーテイン
グの場合である。３は石英基板、４はスパツタし
た石英膜、５は中空部を示す。この結果からわか
るように、上記の方法では凹凸をつけた基板を埋
めこむことができず、これが埋め込み型導波路の
作製法としては致命的な欠点となつている。
本発明はこれらの欠点を除去するため、スパツ
タリング時に基板側にRF電力を印加することに
より基板の溝や突起を完全に埋めこんでコアを形
成する光導波路製造法を提案することを目的とす
る。
タリング時に基板側にRF電力を印加することに
より基板の溝や突起を完全に埋めこんでコアを形
成する光導波路製造法を提案することを目的とす
る。
前記の目的を達成するため、本発明は石英又は
石英にドーパントを添加したものをターゲツトと
するスパツタリングにより石英基板上に基板より
屈折率の高い石英層を堆積させ、該石英層を導波
路のコアとすべき所望の形状を残してエツチング
したものの上に、再び石英をターゲツトとするス
パツタリングによりクラツドとすべき石英層を堆
積させてコアを埋め込むプロセスにおいて、第二
回目のスパツタリングの際、RF電力を基板側電
極に印加することを特徴とする埋め込み型石英光
導波路の作製方法を発明の要旨とするものであ
る。
石英にドーパントを添加したものをターゲツトと
するスパツタリングにより石英基板上に基板より
屈折率の高い石英層を堆積させ、該石英層を導波
路のコアとすべき所望の形状を残してエツチング
したものの上に、再び石英をターゲツトとするス
パツタリングによりクラツドとすべき石英層を堆
積させてコアを埋め込むプロセスにおいて、第二
回目のスパツタリングの際、RF電力を基板側電
極に印加することを特徴とする埋め込み型石英光
導波路の作製方法を発明の要旨とするものであ
る。
さらに本発明は石英基板上に導波路のコアとす
べき所望の形状をした溝をエツチングにより設
け、石英又は石英にドーパントを添加したものを
ターゲツトとするスパツタリングにより該石英基
板上に基板より屈折率の高い石英層を堆積させる
に際し、RF電力を基板側電極に印加しながらタ
ーゲツト材で前出の溝を埋め、かつ表面が平面に
なるまで堆積させた後、石英基板の最初の表面が
現れるまでエツチングし、再び石英をターゲツト
とするスパツタリングによりクラツドとすべき石
英層を堆積させることを特徴とする埋め込み型石
英光導波路の製造方法を発明の要旨とするもので
ある。
べき所望の形状をした溝をエツチングにより設
け、石英又は石英にドーパントを添加したものを
ターゲツトとするスパツタリングにより該石英基
板上に基板より屈折率の高い石英層を堆積させる
に際し、RF電力を基板側電極に印加しながらタ
ーゲツト材で前出の溝を埋め、かつ表面が平面に
なるまで堆積させた後、石英基板の最初の表面が
現れるまでエツチングし、再び石英をターゲツト
とするスパツタリングによりクラツドとすべき石
英層を堆積させることを特徴とする埋め込み型石
英光導波路の製造方法を発明の要旨とするもので
ある。
次に本発明の実施例を添附図面について説明す
る。なお実施例は一つの例示であつて、本発明の
精神を逸脱しない範囲内で、種々の変更あるいは
改良を行いうることは云うまでもない。
る。なお実施例は一つの例示であつて、本発明の
精神を逸脱しない範囲内で、種々の変更あるいは
改良を行いうることは云うまでもない。
第３図は本発明による光導波路の作製手順を示
す実施例である。図において３は基板石英ガラ
ス、４はスパツタリングにより堆積させたコアガ
ラス、６は石英をドライエツチするためのマスク
として用いるTi蒸着膜、７はフオトレジスタ、
８はスパツタリングにより堆積させたクラツドガ
ラスである。ａは基板３の上にコアガラス４を堆
積させ、Ti膜６を蒸着した上にフオトレジスト
７をスピナにより塗布した状態である。ｂは導波
路パターンを残しレジストを除去した状態であ
り、ｃでそのレジストをマスクとしてTiをエツ
チングし、ｄではそのTiをマスクとしてコアガ
ラス４をエツチングする。ｅでは突起状に残つた
コアガラス４の上にクラツドとなる石英ガラス８
をスパツタリングにより堆積させる。通常のスパ
ツタリングでは第２図のように空隙が生じる。本
実施例では基板側電極にもRF電力を加えること
により空隙の発生を防ぎ、第３図ｅのようにコア
を完全に埋め込みながらクラツドを堆積させるこ
とを実現したものである。基板側にRF電力を加
えることにより空隙の発生を防ぐプロセスの機溝
は次のように解釈できる。ターゲツト側電極とベ
ルジヤーとの間に、RF電力（13.56MH2）を加え
ると、ターゲツト表面にグロー放電が発生し、ア
ルゴンガスを電離し、プラスイオンがターゲツト
の石英に衝突し、石英粒子がベルジヤー内に充満
し、石英粒子が基板表面に堆積される。通常のス
パツタリングでは堆積する石英微粒子の付着に方
向性がないため、基板に段差がある所では段差の
上面を覆うようにオーバーハング状に堆積して行
く。第４図ａにその様子を示した。オーバーハン
グの下の部分は影となるので石英粒子が届かず、
空隙となる。そのまま堆積を続けるとｂに示すよ
うに空隙５を残したまま堆積される。一方、基板
側にもRF電力を印加した場合、堆積とエツチン
グが同時に進行する。堆積が当方向的であるのに
対し、エツチングは傾斜のついた面ほど速く進行
する（文献：S.Matuo，JJAP，Vol.15，No.．７，
P.1253，（1976））。従つて横方向の堆積は抑制さ
れ、逆にｃに示すように壁がけずられながら堆積
するので台形状になる。従つてスパッタされた石
英微粒子が溝の中に到達するのを防げるものが無
くなるので、ｄのように溝の埋めこみが完全に行
われる。なお、ａ〜ｄの各段階共、本発明者によ
る実験結果を断面観察することにより得られた。
実験的にはターゲツトに印加する単位面積当りの
RF電力の1/7〜1/10のRFパワーを基板にも印加
すれば、溝の埋めこみを行うことができた。具体
的にはターゲツト側のパワーを2W／cm2，基板側
を0.3W／cm2とした。
す実施例である。図において３は基板石英ガラ
ス、４はスパツタリングにより堆積させたコアガ
ラス、６は石英をドライエツチするためのマスク
として用いるTi蒸着膜、７はフオトレジスタ、
８はスパツタリングにより堆積させたクラツドガ
ラスである。ａは基板３の上にコアガラス４を堆
積させ、Ti膜６を蒸着した上にフオトレジスト
７をスピナにより塗布した状態である。ｂは導波
路パターンを残しレジストを除去した状態であ
り、ｃでそのレジストをマスクとしてTiをエツ
チングし、ｄではそのTiをマスクとしてコアガ
ラス４をエツチングする。ｅでは突起状に残つた
コアガラス４の上にクラツドとなる石英ガラス８
をスパツタリングにより堆積させる。通常のスパ
ツタリングでは第２図のように空隙が生じる。本
実施例では基板側電極にもRF電力を加えること
により空隙の発生を防ぎ、第３図ｅのようにコア
を完全に埋め込みながらクラツドを堆積させるこ
とを実現したものである。基板側にRF電力を加
えることにより空隙の発生を防ぐプロセスの機溝
は次のように解釈できる。ターゲツト側電極とベ
ルジヤーとの間に、RF電力（13.56MH2）を加え
ると、ターゲツト表面にグロー放電が発生し、ア
ルゴンガスを電離し、プラスイオンがターゲツト
の石英に衝突し、石英粒子がベルジヤー内に充満
し、石英粒子が基板表面に堆積される。通常のス
パツタリングでは堆積する石英微粒子の付着に方
向性がないため、基板に段差がある所では段差の
上面を覆うようにオーバーハング状に堆積して行
く。第４図ａにその様子を示した。オーバーハン
グの下の部分は影となるので石英粒子が届かず、
空隙となる。そのまま堆積を続けるとｂに示すよ
うに空隙５を残したまま堆積される。一方、基板
側にもRF電力を印加した場合、堆積とエツチン
グが同時に進行する。堆積が当方向的であるのに
対し、エツチングは傾斜のついた面ほど速く進行
する（文献：S.Matuo，JJAP，Vol.15，No.．７，
P.1253，（1976））。従つて横方向の堆積は抑制さ
れ、逆にｃに示すように壁がけずられながら堆積
するので台形状になる。従つてスパッタされた石
英微粒子が溝の中に到達するのを防げるものが無
くなるので、ｄのように溝の埋めこみが完全に行
われる。なお、ａ〜ｄの各段階共、本発明者によ
る実験結果を断面観察することにより得られた。
実験的にはターゲツトに印加する単位面積当りの
RF電力の1/7〜1/10のRFパワーを基板にも印加
すれば、溝の埋めこみを行うことができた。具体
的にはターゲツト側のパワーを2W／cm2，基板側
を0.3W／cm2とした。
第５図に本実施例で用いたRFスパツタ装置を
示す。３は石英基板、９は基板側電極、１０は基
板側のRF電源、１１は石英又はドープ材を含む
石英のターゲツト、１２はターゲツト側電極、１
３はターゲツト側RF電源、１４はシヤツタ、１
５はベルジヤーで、１４，１５はアースされてい
る。
示す。３は石英基板、９は基板側電極、１０は基
板側のRF電源、１１は石英又はドープ材を含む
石英のターゲツト、１２はターゲツト側電極、１
３はターゲツト側RF電源、１４はシヤツタ、１
５はベルジヤーで、１４，１５はアースされてい
る。
第６図は本発明の他の実施例を示す。前の実施
例と異るところは、第３図ではｄのようにコア部
を突起状に残したのに対し、本実施例ではコア部
を溝の中に埋めこむ点が異つている。即ち、ａ基
板３の上にTi膜６を蒸着した上にフオトレジス
ト７を塗布し、ｂ導波路パターンの部分のレジス
トを除去し、ｃそのパターンをTi膜に転写する。
dTi膜をマスクとして石英基板にコアとなる溝を
エツチングにより設け、ついでフオトレジスト７
を除去する。ｅスパツタリング法によりコアとな
る石英ガラス４を溝に埋めこむ。このとき前の実
施例と同様、ターゲツト側RF電力の程度のRF電
力を基板側に印加する。コアガラスの堆積を十分
行うとｅのように上面が平らになる。次にｆに示
すように元の基板３の面までコアガラス４をエツ
チングする。その上にクラツドガラス８をスパツ
タリングにより堆積させ、ｇに示すようにコアガ
ラスを基板３の溝内に埋め込む。
例と異るところは、第３図ではｄのようにコア部
を突起状に残したのに対し、本実施例ではコア部
を溝の中に埋めこむ点が異つている。即ち、ａ基
板３の上にTi膜６を蒸着した上にフオトレジス
ト７を塗布し、ｂ導波路パターンの部分のレジス
トを除去し、ｃそのパターンをTi膜に転写する。
dTi膜をマスクとして石英基板にコアとなる溝を
エツチングにより設け、ついでフオトレジスト７
を除去する。ｅスパツタリング法によりコアとな
る石英ガラス４を溝に埋めこむ。このとき前の実
施例と同様、ターゲツト側RF電力の程度のRF電
力を基板側に印加する。コアガラスの堆積を十分
行うとｅのように上面が平らになる。次にｆに示
すように元の基板３の面までコアガラス４をエツ
チングする。その上にクラツドガラス８をスパツ
タリングにより堆積させ、ｇに示すようにコアガ
ラスを基板３の溝内に埋め込む。
第７図は本発明をグレーテイングの埋め込みに
応用する例を示す。１６はコアガラスの上面に設
けたグレーテイングを示す。ａ石英基板３の上に
スパツタリングによりコアガラス４を堆積させ
る。ｂコアガラスの上にグレーテイングを形成す
る。グレーテイングの形成には干渉露光法及び石
英のドライエツチングが利用できる。ｃ前出の実
施例と同様に、基板側にもRF電力を印加しなが
ら、クラツドとなる石英をスパツタリングにより
堆積させる。実験的には1μｍのピツチ、深さ0.5μ
ｍのグレーテイングの上に石英ガラスをスパツタ
するとき、ターゲツト側RF電力を1.8W／cm2、基
板側を0.16W／cm2とした。その結果第６図ｃのよ
うに完全に埋めこまれることを、断面の電子顕微
鏡観察により確認した。
応用する例を示す。１６はコアガラスの上面に設
けたグレーテイングを示す。ａ石英基板３の上に
スパツタリングによりコアガラス４を堆積させ
る。ｂコアガラスの上にグレーテイングを形成す
る。グレーテイングの形成には干渉露光法及び石
英のドライエツチングが利用できる。ｃ前出の実
施例と同様に、基板側にもRF電力を印加しなが
ら、クラツドとなる石英をスパツタリングにより
堆積させる。実験的には1μｍのピツチ、深さ0.5μ
ｍのグレーテイングの上に石英ガラスをスパツタ
するとき、ターゲツト側RF電力を1.8W／cm2、基
板側を0.16W／cm2とした。その結果第６図ｃのよ
うに完全に埋めこまれることを、断面の電子顕微
鏡観察により確認した。
なお、本発明で用いるターゲツトとしては、化
学蒸着法により不純物を添加したもの（文献：特
願昭56−199490）の他、石英と不純物の焼結体等
も利用できる。
学蒸着法により不純物を添加したもの（文献：特
願昭56−199490）の他、石英と不純物の焼結体等
も利用できる。
以上説明したように、本発明によれば石英のス
パツタリングのみを用いて複雑な構造の導波路の
コア及びクラツドを堆積させるため、全工程が低
温ドライプロセスで統一される。従つて大量生産
に向いているのみならず、熱処理に伴う破損や変
形がない。またスパツタリングによる膜は均一で
散乱が少いので、より低損失で精度の高い導波回
路素子の作製が可能である等の利点を有する。
パツタリングのみを用いて複雑な構造の導波路の
コア及びクラツドを堆積させるため、全工程が低
温ドライプロセスで統一される。従つて大量生産
に向いているのみならず、熱処理に伴う破損や変
形がない。またスパツタリングによる膜は均一で
散乱が少いので、より低損失で精度の高い導波回
路素子の作製が可能である等の利点を有する。
第１図は従来の化学蒸着法による石英光導波路
製造装置、第２図ａ〜ｃは通常の石英のスパツタ
リングにより生ずる空隙を示す導波路断面図、第
３図ａ〜ｅは本発明による製造プロセスを説明す
る図、第４図ａ〜ｄはスパツタリングによる空隙
の生因を説明する図、第５図は本発明において用
いられるスパツタリング装置、第６図ａ〜ｇは本
発明の他の実施例を示す説明図、第７図ａ〜ｃ図
は本発明をグレーテイング付き導波路の製造に応
用したときのプロセスを示す。 １…マスフローコントローラ、２…高温炉、３
…石英基板、４…コアとなる石英ガラス、５…空
隙、６…Ti蒸着膜、７…フオトレジスト、８…
クラツドとなる石英ガラス、９…基板側電極、１
０…RF電源、１１…ターゲツト、１２…ターゲ
ツト側電極、１３…RF電源、１４…シヤツタ、
１５…ベルジヤー、１６…グレーテイング。
製造装置、第２図ａ〜ｃは通常の石英のスパツタ
リングにより生ずる空隙を示す導波路断面図、第
３図ａ〜ｅは本発明による製造プロセスを説明す
る図、第４図ａ〜ｄはスパツタリングによる空隙
の生因を説明する図、第５図は本発明において用
いられるスパツタリング装置、第６図ａ〜ｇは本
発明の他の実施例を示す説明図、第７図ａ〜ｃ図
は本発明をグレーテイング付き導波路の製造に応
用したときのプロセスを示す。 １…マスフローコントローラ、２…高温炉、３
…石英基板、４…コアとなる石英ガラス、５…空
隙、６…Ti蒸着膜、７…フオトレジスト、８…
クラツドとなる石英ガラス、９…基板側電極、１
０…RF電源、１１…ターゲツト、１２…ターゲ
ツト側電極、１３…RF電源、１４…シヤツタ、
１５…ベルジヤー、１６…グレーテイング。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 石英又は石英にドーパントを添加したものを
ターゲツトとする第１回目のスパツタリングによ
り石英基板上に基板より屈折率の高い石英層を堆
積させ、該石英層を導波路のコアとすべき所望の
形状を残してエツチングしたものの上に、再び石
英をターゲツトとする第２回目のスパツタリング
によりクラツドすべき石英層を堆積させてコアを
埋め込む製造方法において、第２回目のスパツタ
リングの際、ターゲツト側電極と接地された電極
との間に実質的にRF電力を印加すると共に、そ
れより弱いRF電力を基板側電極と接地された電
極の間にも印加することを特徴とする埋め込み型
石英光導波路の製造方法。 ２ 石英基板上に導波路のコアとすべき所望の形
状をした溝をエツチングにより設け、石英又は石
英にドーパントを添加したものをターゲツトとす
る第１回目のスパツタリングにより該石英基板上
に基板より屈折率の高い石英層を堆積させるに際
し、ターゲツト側電極と接地された電極との間に
実質的にRF電力を印加すると共に、それより弱
いRF電力を基板側電極と接地された電極の間に
も印加しながらターゲツト材で前記の溝を埋め、
かつ表面が平面になるまで堆積させた後、石英基
板の最初の表面が現れるまでエツチングし、再び
石英をターゲツトとする第２回目のスパツタリン
グによりクラツドとすべき石英層を堆積させるこ
とを特徴とする埋め込み型石英光導波路の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109795A JPS592008A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 埋め込み型石英光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109795A JPS592008A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 埋め込み型石英光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592008A JPS592008A (ja) | 1984-01-07 |
| JPH0145881B2 true JPH0145881B2 (ja) | 1989-10-05 |
Family
ID=14519409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57109795A Granted JPS592008A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 埋め込み型石英光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592008A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8414878D0 (en) * | 1984-06-11 | 1984-07-18 | Gen Electric Co Plc | Integrated optical waveguides |
| JPS6197996A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | 株式会社日立製作所 | 機構部品塔載用シヤ−シ |
| GB8514826D0 (en) * | 1985-06-12 | 1985-07-17 | Gen Electric Co Plc | Optical waveguide |
| JPS62121407A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 光フイルタおよびそれを用いた波長多重伝送デバイス |
| US4973117A (en) * | 1988-10-11 | 1990-11-27 | Sony Corporation | Secondary harmonic generator having waveguides for a laser beam |
| CA2249094A1 (en) * | 1997-10-02 | 1999-04-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing optical waveguide device using inductively coupled plasma system |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57109795A patent/JPS592008A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS592008A (ja) | 1984-01-07 |
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