JPH05243807A - 誘電体フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】結合手段の容量成分及び又は入出力用容量成分
の配置が容易で、低背型の誘電体フィルタを提供するこ
とである。 【構成】内部に内導体を形成し、外周面に外導体を有す
る２つの誘電体基板１１ａ、１１ｂを積層した積層共振
器１ａ〜１ｃを接合して成る誘電体フィルタ１０であっ
て、前記２つの矩形状の誘電体基板１１ａ、１１ｂの長
さが異なり、突出した一方の誘電体基板１１ｂの一主面
に、容量基板２、又は容量導体パターンなどの容量手段
を配置した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、トリプレート型の誘電
体フィルタに関するものである。

【０００２】

【従来技術及びその問題点】従来、誘電体フィルタは、
誘電体磁器から成る直方体状のブロックに貫通穴を形成
し、該貫通穴の内面及び該貫通穴の開口を有する一方の
端面を除く外周面に導体膜が形成された複数の誘電体共
振器を接合していた。

【０００３】そして、複数の誘電体共振器の互いに接合
する端面にスリットを形成し、そのスリット部分の電磁
界結合によって各共振器間の結合をしていた。

【０００４】しかしながら、上述の誘電体フィルタで
は、現在、通信機器などに使用される上で要求されてい
る低背型が得られず、またスリットを形成するにあた
り、直方体状の誘電体ブロックを選択的に切削加工しな
くてはならず、製造工程が極めて煩雑であった。

【０００５】また、開放端面側に、別体のコンデンサ部
材や容量成分を有するコンデンサ基板を別工程で取着し
なくてはならず、フィルタ部からその一部が突出する形
状となり、収納ケース体内で、不要な空間が増大してし
まい、小型、低背型の誘電体フィルタに大きな障害とな
っていた。

【０００６】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、結合手段の容量成分及び又は
入出力用容量成分の配置が容易で、低背型の誘電体フィ
ルタを提供することである。

【０００７】

【問題を解決するための具体的な手段】上述の本発明の
目的を達成するために、本発明は、一端面及び一主面を
除く外表面に外導体を形成した長さの異なる一対の矩形
状誘電体基板間に、一方の誘電体基板の突出した主面に
まで延出するように帯状の内導体を介在させて成る積層
共振器を、複数接続して形成した誘電体フィルタであっ
て、前記一方の誘電体基板の突出した主面に、前記内導
体に接続される容量成分を具備する容量手段が配置され
ている誘電体フィルタである。

【０００８】

【作用】上述の本発明によれば、帯状の内導体を挟持す
るように第１及び第２の誘電体基板を配置し、該第１及
び第２の誘電体基板を挟持するように外導体を形成した
２つの積層共振器の側面を接合して誘電体フィルタを構
成している。

【０００９】その積層共振器を構成する２つの誘電体基
板の長さが互いに異なり、一方の誘電体基板が他方の誘
電体基板よりも突出している。そして、この突出部分
に、フィルタに必要な結合容量成分及び／又は入出力用
容量成分有する容量手段が配置されている。このため、
その配置が極めて容易に行われ、フィルタ全体が極めて
低背型の誘電体フィルタが達成される。

【００１０】

【実施例】以下、本発明の誘電体フィルタを図面に基づ
いて詳説する。図１は、本発明の誘電体フィルタの分解
斜視図であり、図２は積層共振器の展開した状態の図で
あり、図３は図１中Ａ−Ａ線断面図である。

【００１１】図において、誘電体フィルタ１０は第１の
積層共振器１ａと第２の積層共振器１ｂと第３の積層共
振器１ｃとから成るフィルタ部１と、容量手段２と下ケ
ース３と、上ケース４とから主に構成されている。

【００１２】フイルタ部１を構成する３つの積層共振器
１ａ、１ｂ、１ｃは、隣接しあう共振器の側面を介して
接合している。

【００１３】フィルタ部１を構成する３つの積層共振器
１ａ、１ｂ、１ｃのうち、例えば積層共振器１ａは、図
２に示すように、一対の誘電体基板１１ａ、１１ｂの夫
々の一主面で互いに接合して構成されている。この第２
の誘電体基板１１ｂの長さは、第１の誘電体基板１１ａ
よりもΔｌだけ長く、互いに接合した際には、第２の誘
電体基板１１ｂのみが突出する。

【００１４】第１及び第２の誘電体基板１１ａ、１１ｂ
は、マイクロ波用誘電体磁器からなり、矩形状を成して
いる。具体的には、第１及び第２の誘電体基板１１ａ、
１１ｂは、所定厚み、例えば１．０ｍｍの誘電体磁器材
料からなるグリーンシートを切断加工によって形成され
る。また、マイクロ波用誘電体の粉体材料をプレス成型
によって形成しても構わない。その後、所定温度で焼結
して形成される。尚、所定厚みのグリーンシートが得ら
れない場合には、薄いグリーンシートを複数枚積層すれ
ばよい。

【００１５】また、第１の誘電体基板１１ａと第２の誘
電体基板１１ｂとが接合する各々の一主面には、誘電体
基板１１ａ、１１ｂの長手方向に延びる帯状内導体１２
ａ、１２ｂが形成されている。さらに一主面の外周部に
接合用導体膜１３ａ、１３ｂが形成され、さらに内導体
１２ａ、１２ｂが延びる一方の誘電体基板１１ａ、１１
ｂの一方端面（以下、開放端面）を除いて外導体１４
ａ、１４ｂが形成されている。前記内導体１２ａ、１２
ｂと外導体１４ａ、１４ｂとは、開放端面と対向する端
面（以下、短絡端面という）で電気的に接続している。

【００１６】尚、第２の誘電体基板１１の突出部分Ｘに
は外導体１４ｂは形成されておらず、その主面上には、
開放端面の近傍まで内導体１２ｂが延出している。

【００１７】上述の内導体１２ａ、１２ｂ、外導体１４
ａ、１４ｂ及び接合用導体膜１３ａ、１３ｂは、夫々誘
電体磁器上に銀又は銅の蒸着による薄膜下地層、銅メッ
キの中間層、接合材料のメッキして形成された表面層の
３層構造となっている。これらは、上述の焼結した誘電
体磁器からなる基板を、所定形状のマスクを被着して、
真空蒸着により下地層を形成し、さらに、下地層上に銅
メッキにより中間層を形成し、さらに中間層上に接合材
料、例えば、Ａｕ、Ｓｎ、Ｓｎ合金などをメッキにより
表面層を形成する。

【００１８】下地層は、その上部に中間層、表面層をメ
ッキによって形成可能にするための密着層であり、中間
層の銅メッキ層は、高周波電流が流れやすくし、また、
下ケース３、上ケース４と半田接合する際の半田食われ
を防止するものであり、表面層は、２つの誘電体基板１
１ａ、１１ｂとが容易に接合できるようにするものであ
る。即ち、２つの誘電体基板１１ａ、１１ｂとを接合す
る際に、所定温度の熱を与えた時に、誘電体基板１１ａ
の表面層と誘電体基板１１ｂの表面層とが互いに共晶層
を形成するような材料を選択することが望ましい。

【００１９】また、内導体１２ａ、１２ｂは、所定特性
が得られるようにその幅が決められ、該内導体１２ａ、
１２ｂ部分での接合のみによって、２つの誘電体基板１
１ａ、１１ｂ間の接合強度が充分に得られない場合に、
接合用導体膜４３ａ、４３ｂの幅が重要となる。尚、接
合用導体膜４３ａ、４３ｂは、接合強度の維持及び２つ
の誘電体基板１１ａ、１１ｂに形成した外導体１４ａ、
１４ｂ間の電気的接続を確実にするために形成されてい
る。

【００２０】このような構成をした３つの積層共振器１
ａ、１ｂ、１ｃの側面（以下接合面）を介して接合して
フィルタ部１が達成される。

【００２１】容量手段、例えば、容量基板２は、積層共
振器１ａ、１ｂ、１ｃを結合するための結合容量成分
と、積層共振器１ａ、１ｃの入出力容量成分を備えてい
る。具体的には、図４（ａ）（ｂ）に示すように、第１
の誘電体基板１１ａの厚みよりも薄い誘電体基板２１
と、基板２１の一方面に形成された容量電極２２ａ、２
２ｂ、と他方面に形成された容量電極２３ａ〜２３ｃと
から構成されている。

【００２２】図４（ａ）に示す基板２１の一方面には、
厚膜技法によって容量電極２２ａ、２２ｂが形成され、
また、図４（ｂ）に示す他方面には厚膜技法によって容
量電極２３ａ〜２３ｂが形成されている。また、容量電
極２２ａと２３ａは、前記誘電体基板２１を介して対向
しており、その間で入力容量成分が得られる。さらに、
容量電極２２ｂと２３ｃは、前記誘電体基板２１を介し
て対向しており、その間で出力容量成分が得られる。さ
らに、容量電極２３ａ、２３ｂとの間、及び容量電極２
３ｂ、２３ｃ間に夫々各共振器１ａ〜１ｃを結合するた
めの結合容量成分が得られる。

【００２３】このような、容量基板２は、第１の誘電体
基板１１ａの開放端面側から突出する第２の誘電体基板
１１ｂの突出部分Ｘ上に配置される。この時、容量電極
２３ａが第１の積層共振器１ａの内導体１２ｂと、容量
電極２３ｂが第２の積層共振器１ｂの内導体１２ｂと、
容量電極２３ｃが第３の積層共振器１ｃの内導体１２ｂ
と夫々電気的に接続するように、半田などの導電性接着
材を介して配置される。

【００２４】さらに、上述の一方面に形成した容量電極
２２ａ、２２ｂには、入出力リード端子５ａ、５ｂが半
田などの導電性接着材を介して接続される。

【００２５】下ケース３は、表面にＳｎメッキが施され
た鉄、リン青銅などからなり、３つの積層共振器１ａ〜
１ｃが載置される矩形状平板部３１と、該平板部３１の
側部から上方に屈曲され、積層共振器１ａ〜１ｃの位置
決めを行う突出片３２・・・と、該平板部３１の側部か
ら水平方向に延びたアース端子３３とから構成されてい
る。また、平板部３１の開放端面側には切り欠け部３４
が形成されている。この下ケース３は、図示していない
が、アース端子３３の先端が外部に延出して、フレーム
体に接合されており、組立工程の最終段階で、アース端
子３３の先端部分でフレーム体から切断される。即ち、
フレーム体には、複数の下ケース３が一体的に形成され
ているので、複数のフィルタを一括的な組立が可能とな
る。

【００２６】上ケース４は、表面にＳｎメッキが施され
た鉄、リン青銅などからなり、３つの積層共振器１ａ〜
１ｃを被覆する箱体形状を成している。積層共振器１ａ
〜１ｃの開放端面側の上ケース４の側壁には、入出力端
子５ａ、５ｂとの短絡を防止するための切り欠け部４１
・・が形成されており、さらに該側壁の下端には、水平
方向に延びるアース端子４２が形成されている。積層共
振器１ａ〜１ｃの接合面と対向する側面と当接する上ー
ス４の側壁には、下ケース３の突出片３２が入り込む切
り欠け部４３が形成されている。

【００２７】入出力端子５ａ、５ｂは、例えばＬ字状の
Ｓｎメッキが施された鉄、リン青銅などからなり、その
一端は容量基板２の容量電極２２ａ、２２ｂと接合され
る接続部であり、他端面はプリント配線基板（図示せ
ず）と接続するリード部となる。このリード部は、上述
のアース端子３３、４２と同じ平面上に位置し、プリン
ト配線基板上に形成した配線に表面実装される。

【００２８】上述の構造の誘電体フィルタ１０は、３つ
の積層共振器１ａ〜１ｃによって構成された共振回路
が、容量基板２の結合容量成分によって、互いに接続さ
れフィルタ機能を達成し、両端に位置する共振回路に入
出力容量成分が接続されて構成される。

【００２９】次に、上述の誘電体フィルタを製造方法を
簡単に説明する。

【００３０】先ず、各積層共振器１ａ〜１ｃを構成する
第１及び第２の誘電体基板１１ａ、１１ｂを形成する。
次に、薄膜技法、メッキ技法によって内導体１２ａ、１
２ｂ、接合用導体膜１３ａ、１３ｂ、外導体１４ａ、１
４ｂを形成する。

【００３１】また同時に、上述の構成の容量基板２、下
ケース３、上ケース４、入出力端子５ａ、５ｂを用意す
る。

【００３２】次に、下ケース３の平板部３１上に、第１
及び第２の誘電体基板１１ａ、１１ｂの主面どうしを当
接して、例えば２８０〜３００°の温度で加熱処理し
て、積層共振器１ａ〜１ｃを形成する。尚、この時、各
積層共振器１ａ〜１ｃの接合面どうしを当接しておけ
ば、下ケース３上にフィルタ部１を同時に構成すること
ができる。

【００３３】次に、下ケース３の平板部３１上のフィル
タ部１の突出部分Ｘに容量基板２を、さらに、容量基板
２の容量電極２２ａ、２２ｂに入出力端子５ａ、５ｂを
半田などを介して接合する。

【００３４】次に、フィルタ部１の上面側から上ケース
４をクリーム半田を介して、リフロー処理して接合す
る。

【００３５】最後に、下ケース３のアース端子３３、３
３の先端で、フレーム体から切断して、個々の誘電体フ
ィルタ１０を得る。

【００３６】以上のように製造された誘電体フィルタで
は、２つの誘電体基板１１ａ、１１ｂから成る積層共振
器１ａ〜１ｃが、互いに接合し、さらに容量基板２が突
出部分Ｘで、誘電体基板１１ａの厚みよりも薄い容量基
板２が配置されるている。このためフィルタ１の厚みが
大変薄く形成できるため、極めて低背型の誘電体フィル
タが達成される。

【００３７】上述の誘電体フィルタにおいては、各積層
共振器１ａ〜１ｃの構造が簡素化し、さらに積層共振器
１ａ〜１ｃの接合面の外導体１４ａ、１４ｂ全面で接合
されるため、接合強度が向上する。また、内導体１２
ａ、１２ｂを挟持する一対の誘電体基板の外表面の略全
体を外導体１４ａ、１４ｂで覆われるため、Ｑ値が高
く、損失の小さな低背型の誘電体フィルタとなる。

【００３８】図５は、本発明の他の実施例を示すフィル
タ部５１の斜視図である。上述の実施例では、容量手段
として、結合容量成分、入出力容量成分を具備する容量
基板２を用いているが、本実施例では、誘電体基板２１
を廃して、突出部分Ｘに容量導体パターン５４、５５か
らなる容量手段を設けている。

【００３９】図５では、各積層共振器１ａ〜１ｃを結合
するための手段が、各積層共振器１ａ〜１ｃの接合面に
形成されたスリット５２、５３によって達成されてお
り、また、積層共振器１ａ、１ｃの内導体１２ｂと接続
する入出力容量成分が、突出部分Ｘに形成された容量導
体パターン５４、５５によって達成されている。

【００４０】即ち、積層共振器１ａでは、突出部分Ｘに
延出する内導体１２ｂと容量導体パターン５４とが所定
間隔をもって、容量導体パターン５４が形成されている
ため、その間に発生する容量が入力容量成分となる。ま
た、積層共振器１ｃでは、突出部分Ｘに延出する内導体
１２ｂと容量導体パターン５５との間に発生する容量が
出力容量成分となる。尚、図５では、入出力端子５ａ、
５ｂを図示していないが、入出力端子５ａ、５ｂは、容
量導体パターン５４、５５に接続される。

【００４１】上述の実施例によれば、第２の誘電体基板
１１ａ上に形成する内導体１２ｂと同時に、容量導体パ
ターン５４、５５を形成することができ、製造が容易な
誘電体フィルタとなる。

【００４２】図６（ａ）は、本発明の別の誘電体フィル
タのフィルタ部６１の上面図であり、図６（ｂ）は、容
量手段の断面図である。

【００４３】この実施例では、突出部分Ｘには、入出力
容量成分のみを具備する容量基板６２、６３を配置した
誘電体フィルタである。即ち、第１の積層共振器１ａの
突出部分Ｘに延出する内導体１２ｂ上に、容量基板６２
が半田などで接合されており、第３の積層共振器１ｃの
突出部分Ｘに延出する内導体１２ｂ上に、容量基板６３
が半田などで接合されている。

【００４４】容量基板６２、６３は、図６（ｂ）に示す
ように、アルミナなどの所定比誘電率を有する平板状誘
電体磁器６５ａの上下面に夫々、厚膜印刷の焼きつけに
よる銀の対向電極６５ｂ、６５ｃが形成されて構成され
ている。尚、対向電極６５ｃは、内導体１２ｂと接合
し、対向電極６５ｂは図示していないが、入出力端子５
ａ、５ｂと接合する。

【００４５】図７は、第４の実施例における誘電体フィ
ルタのフィルタ部７１の平面図である。図７において、
フィルタ部７１を構成する第１〜第３の積層共振器１ａ
〜１ｃには、図５、図６に図示したスリット５２、５３
が形成されていない。また、第１〜第３の積層共振器１
ａ〜１ｃの突出部分Ｘには、入出力容量成分は、図５の
ように容量導体パターン５４、５５と内導体１２ｂとの
間で得られる。ここで、隣接しあう２つの積層共振器１
ａと１ｂ、１ｂと１ｃの内導体１２ｂと結合する結合容
量成分は、各積層共振器１ａ、１ｂ、１ｃの接合面をま
たぐように配置される容量手段、例えば、容量基板７
２、７３によって達成される。

【００４６】第１及び第３の積層共振器１ａ、１ｃにお
いては、その突出部分Ｘの主面の内導体１２ｂには、前
記容量基板７２、７３が載置、接続されるように、接合
面寄りに電極パッド部７４、７４が形成されている。ま
た、第２の積層共振器１ｂにおいては、延出する内導体
１２ｂの端部が、隣接する両積層共振器１ａ、１ｃとの
接合面付近にまで延出するＴ字状に形成され、さらにそ
の端に、電極パッド部７５、７５が形成されている。

【００４７】第１〜第３の積層共振器１ａ〜１ｃは、そ
の側面どうしを接合した後、各電極パッド部７４、７５
に容量基板７２、７３が半田などを介して接合される。
尚、この接合は、フィルタ部７１の容量導体パターン５
４、５５に入出力端子５ａ、５ｂを接合する際に同時に
半田接合してもよく、また、下ケース３、上ケース４と
フィルタ部７１を一体化する際に接合しても構わない。

【００４８】この容量基板７２、７３は、図７（ｂ）、
（ｃ）の断面に示す２つの態様があり、誘電体磁器７６
ａと、該誘電体磁器７６ａを挟持するように表面又は内
部に形成された対向電極７６ｂ、７６ｃと、該対向電極
７６ｂ、７６ｃと接続する端面電極７６ｄ、７６ｅとか
ら構成されている。この端面電極７６ｄ、７６ｅと電極
パッド７４、７５との間に半田を介して接合される。

【００４９】上述の実施例によれば、これらの容量基板
７２、７３を第１〜第３の積層共振器１ａ〜１ｃの突出
部分Ｘに配置しても、実際には、容量基板７２、７３の
厚みが、第１の誘電体基板１１ａの厚みを越えることが
ないため、実質的にフィルタ全体の厚みが増加すること
がなく、低背型の誘電体フィルタとすることができ、さ
らに、誘電体フィルタの製造工程で、大きな工程付加を
することなく、簡単に容量手段を配置することができ
る。

【００５０】また、各積層共振器１ａ〜１ｃに図５に示
すスリット５２、５３が形成されていないので、その構
造が簡素化し、さらに積層共振器１ａ〜１ｃの接合面の
外導体１４ａ、１４ｂ全面で接合されるため、接合強度
が向上する。また、内導体１２ａ、１２ｂを挟持する誘
電体基板の外表面の略全体を外導体１４ａ、１４ｂで覆
われるため、Ｑ値が高く、損失の小さな低背型の誘電体
フィルタとなる。

【００５１】図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、積層共
振器間を結合する結合容量成分を内導体１２ｂ、外導体
１４ｂの形成工程で、同時に形成することもできる。

【００５２】図８（ａ）は、フィルタ部８１の上面側の
平面図であり、図８（ｂ）は下面側の平面図であり、図
８（ｃ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。尚、図
では、外導体１４ａ、１４ｂによって生じる突出部分Ｘ
の接合面の間隙を強調的に図示した。

【００５３】各積層共振器１ａ〜１ｃを構成する第２の
誘電体基板１１ｂの突出部分Ｘには、内導体１２ｂと一
体化し、隣接する積層共振器１ａ〜１ｂとの接合面寄り
に容量電極８２ａ〜８２ｄが形成されている。尚、第１
及び第３の積層共振器１ａ、１ｃには、該内導体１２ｂ
と入出力容量を得るための容量パターン５４、５５も同
時に形成される。

【００５４】フィルタ部８１の下面側には、第２の誘電
体基板１１ｂの突出部分Ｘには、外導体１４ｂが形成さ
れておらず、その突出部分Ｘには外導体１４ｂと独立
し、且つ前記容量電極８２ａ〜８２ｄと夫々対向するよ
うに容量電極８３ａ〜８３ｄが形成されている。尚、容
量電極８３ａ〜８３ｄは、外導体４４ｂを形成する際に
マスクなどのパターン形状によって同時に形成される。
また、各容量電極８３ａ〜８３ｄは、２つの積層共振器
１ａと１ｂ、１ｂと１ｃとの接合面にかかるように形成
さる。導体膜８４ａ〜８４ｄは、容量電極８３ａ〜８３
ｄが形成された面と接合面との稜線を介して、容量電極
８３ａ〜８３ｄと接続するように形成されている。具体
的には、積層共振器１ａ〜１ｃを構成する第２の誘電体
基板１１ｂの接合面で、下面から基板１１ｂの厚みの略
半分位にまで、延出するように形成されている。

【００５５】即ち、３つの積層共振器１ａ〜１ｃを接合
面を介して接合した時に、図８（ｃ）に示すように、第
１の積層共振器１ａに下面に形成した容量電極８３ａと
第２の積層共振器１ｂに下面に形成した容量電極８３ｂ
とが、導体膜８４ａ、８４ｂを介して互いに電気的に接
合しあい、また第２の積層共振器１ｂに下面に形成した
容量電極８３ｃと第３の積層共振器１ｃに下面に形成し
た容量電極８３ｄとが、導体膜８４ｃ、８４ｄを介して
互いに電気的に接合しあう。

【００５６】従って、第１の積層共振器１ａと第２の積
層共振器１ｂとは、容量電極８３ａ、８３ｂと、容量電
極８２ａ、８２ｂとの間で発生する容量を合成した合成
容量によって互いに結合しあい、また、第２の積層共振
器１ｂと第３の積層共振器１ｃとは、容量電極８３ｃ、
８３ｄと、容量電極８２ｃ、８２ｄとの間で発生する容
量を合成した合成容量によって互いに結合しあうことに
なる。尚、容量電極８２ａ〜８２ｄは、第２の誘電体基
板１１ｂの主面上に、内導体１２ｂを形成する時に、同
時に形成され、また、容量電極８３ａ〜８３ｄ、導体膜
８４ａ〜８４ｄは、第２の誘電体基板１１ｂの外周面
に、外導体１４ｂを形成する時に、同時に形成され、導
体膜８４ａ〜８４ｄの接合は、各積層共振器１ａ〜１ｃ
を接合する際に、同時に同一手法で接合される。

【００５７】上述の誘電体フィルタにおいては、各積層
共振器１ａ〜１ｃの接合面部分にスリットを形成する必
要がなく、フィルタ部８１の構造が簡素化し、さらに接
合面での接合強度が向上する。また、内導体１２ａ、１
２ｂを挟持する誘電体磁器の外表面の略全体が外導体１
４ａ、１４ｂで覆われるため、その他の実施例に比較し
て、特に、Ｑ値が高く、損失の小さな低背型の誘電体フ
ィルタとなる。

【００５８】さらに、図８に示した誘電体フィルタにお
いては、入出力用容量成分及び結合用容量成分を発生さ
せる容量電極８２ａ〜８２ｄ、８３ａ〜８３ｄ、導体膜
８４ａ〜８４ｄが、内導体１２ｂ、外導体１４ｂの形成
と同時に行え、製造工程が簡略化され、また部品点数が
増加することがない。

【００５９】上述の実施例では、内導体１２ａ、１２
ｂ、接合用導体膜１３ａ、１３ｂ、外導体１４ａ、１４
ｂが薄膜技法、メッキ技法で形成されているが、導体材
料の印刷法、塗布法などの厚膜技法で形成してもよい
し、また第１及び第２の誘電体基板１１ａ、１１ｂの接
合方法も、外導体１４ａ、１４ｂどうしの共晶層の形成
の他に、高温半田などの導電性接着材を用いても構わな
い。

【００６０】さらに、各積層共振器１ａ〜１ｃを夫々別
体に形成した後、互いに接合しているが、積層共振器１
ａ〜１ｃとなる３つの共振器を含む第１の誘電体基板１
１ａと第２の誘電体基板１１ｂを積層して、３つの共振
器を第１の誘電体基板１１ａと第２の誘電体基板１１ｂ
に作り込んでも構わない。このようにすれば、共振器間
の接合工程が省略できる。

【００６１】さらに、上記誘電体フィルタは、３つの積
層共振器を接合して形成しているが、２つの積層共振器
を接合してもよいし、また、４つ以上の積層共振器を接
合しても構わない。さらに、各結合容量成分が、隣接す
る積層共振器どうしの結合のみで説明したが、１つ又は
それ以上の積層共振器を飛ばした積層共振器と結合させ
ても構わない。

【００６２】さらに、スリットによって結合させた図
５、図６の誘電体フィルタにおいては、各積層共振器１
ａ〜１ｃの接合面に形成したスリット５２、５３の一部
を各積層共振器１ａ〜１ｃの開放端面側にまで延出させ
て、開口した状態にしてもよい。

【００６３】

【発明の効果】以上、本発明の誘電体フィルタによれ
ば、２つの誘電体基板を主面どうしを接合した積層共振
器を複数個接合し、２つの誘電体基板の長さの変位によ
る突出部分に容量手段を配置したため、フィルタの厚み
が大変薄く形成できるため、極めて低背型の誘電体フィ
ルタが達成される。

【００６４】また、突出部分に、容量基板を配置する際
には、容量基板の位置決めが容易となり、下ケース、上
ケースにフィルタを半田接合する際に、一括的に配置で
きるため、製造工程が簡略化する。また突出部分に、容
量パターンに形成する際には、内導体や外導体の形成工
程で同時に形成でき、製造工程が簡略化する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の誘電体フィルタの分解斜視図である。

【図２】積層共振器の構造を示す展開図である。

【図３】図１中のＡ−Ａ断面図である。

【図４】本発明の誘電体フィルタの容量手段である容量
基板であり、（ａ）はその一方面側の平面図、（ｂ）は
他方面側の平面図である。

【図５】本発明の他の誘電体フィルタのフィルタ部の斜
視図である。

【図６】本発明の別の誘電体フィルタのフィルタ部であ
り、（ａ）は上面側の平面図、（ｂ）は容量基板の断面
図である。

【図７】本発明のさらに別の誘電体フィルタのフィルタ
部であり、（ａ）は上面側の平面図、（ｂ）は容量基板
の断面図、（ｃ）は他の容量基板の断面図である。

【図８】本発明のさらに別の誘電体フィルタのフィルタ
部であり、（ａ）は上面側の平面図、（ｂ）は下面側の
平面図、（ｃ）は（ａ）中Ｂ−Ｂ線断面図である。

【符号の説明】

１０・・・・・・誘電体フィルタ １ａ〜１ｃ・・・積層共振器 １１ａ・・・・・第１の誘電体基板 １１ｂ・・・・・第２の誘電体基板 ２、６２、６３、７２、７３・・・・・容量基板 ５４、５５・・・・容量パターン Ｘ・・・・・・・・突出部分

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｌ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一端面及び一主面を除く外表面に外導体
   を形成した長さの異なる一対の矩形状誘電体基板間に、
   一方の誘電体基板の突出した主面にまで延出するように
   帯状の内導体を介在させて成る積層共振器を、複数接続
   して形成した誘電体フィルタであって、 前記一方の誘電体基板の突出した主面に、前記内導体に
   接続される容量成分を具備する容量手段が配置されてい
   ることを特徴とする誘電体フィルタ。