JPH05243207A - シリコンウエハーの加工方法 - Google Patents
シリコンウエハーの加工方法Info
- Publication number
- JPH05243207A JPH05243207A JP10741291A JP10741291A JPH05243207A JP H05243207 A JPH05243207 A JP H05243207A JP 10741291 A JP10741291 A JP 10741291A JP 10741291 A JP10741291 A JP 10741291A JP H05243207 A JPH05243207 A JP H05243207A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- silicon wafer
- oxide film
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電子ビームなどの荷電粒子ビームの描画時間を
短縮することができるシリコンウエハーの加工方法を実
現する。 【構成】シリコンウエハー１に対しての図１（ａ）に示
す電子ビームによる描画が終了すると、現像処理が行わ
れて図１（ｂ）に示すように、電子ビーム感光部分のレ
ジストが除去される。この現像処理の後、ウエハー１は
フッ酸の中に入れられ、図１（ｃ）に示すように、レジ
ストが除去された部分の酸化膜２の除去が行われ、更に
レジストの除去（図１（ｄ））が行われる。その後、ウ
エハー１は異方的エッチング液の中に入れられ、シリコ
ン部分のエッチングが行われる（図１（ｅ））。最後の
工程として、ウエハーはフッ酸の中に入れられ、図１
（ｆ）に示すように酸化膜の除去が行われる。
短縮することができるシリコンウエハーの加工方法を実
現する。 【構成】シリコンウエハー１に対しての図１（ａ）に示
す電子ビームによる描画が終了すると、現像処理が行わ
れて図１（ｂ）に示すように、電子ビーム感光部分のレ
ジストが除去される。この現像処理の後、ウエハー１は
フッ酸の中に入れられ、図１（ｃ）に示すように、レジ
ストが除去された部分の酸化膜２の除去が行われ、更に
レジストの除去（図１（ｄ））が行われる。その後、ウ
エハー１は異方的エッチング液の中に入れられ、シリコ
ン部分のエッチングが行われる（図１（ｅ））。最後の
工程として、ウエハーはフッ酸の中に入れられ、図１
（ｆ）に示すように酸化膜の除去が行われる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウエハー上で
電子ビームなどの荷電粒子ビームによるパターン描画を
行い、その後、エッチングによってウエハーの加工を行
うようにしたシリコンウエハーの加工方法に関する。
電子ビームなどの荷電粒子ビームによるパターン描画を
行い、その後、エッチングによってウエハーの加工を行
うようにしたシリコンウエハーの加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハー上に所望パターンの開
口を形成したり、溝を形成する場合、シリコンウエハー
上にレジストを塗布し、その上から電子ビームによって
パターンの描画を行ってレジストを感光させ、現像処理
をした後、エッチング液にウエハーを入れ、レジストが
除去された部分のみウエハーのエッチングを行うように
している。
口を形成したり、溝を形成する場合、シリコンウエハー
上にレジストを塗布し、その上から電子ビームによって
パターンの描画を行ってレジストを感光させ、現像処理
をした後、エッチング液にウエハーを入れ、レジストが
除去された部分のみウエハーのエッチングを行うように
している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなウエハーの
加工方法における最大の問題は、ウエハーにレジストを
塗布した後、電子ビームによる所望パターンの描画を行
うわけであるが、この電子ビームによる描画に非常に時
間が掛かることである。このことは、レジストの露光に
イオンビームを用いた場合にも同様に発生する。
加工方法における最大の問題は、ウエハーにレジストを
塗布した後、電子ビームによる所望パターンの描画を行
うわけであるが、この電子ビームによる描画に非常に時
間が掛かることである。このことは、レジストの露光に
イオンビームを用いた場合にも同様に発生する。
【０００４】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、電子ビームなどの荷電粒子ビーム
の描画時間を短縮することができるシリコンウエハーの
加工方法を実現するにある。
もので、その目的は、電子ビームなどの荷電粒子ビーム
の描画時間を短縮することができるシリコンウエハーの
加工方法を実現するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に基づくシリコン
ウエハーの加工方法は、シリコンウエハーの平面に対し
て垂直な方向の結晶方位が１００のシリコンウエハーに
対し、該ウエハーのオリエンテーションフラットに平行
と垂直な４つの辺を有する矩形パターンを加工する方法
であって、酸化膜が形成された該ウエハーにレジストを
塗布し、該矩形パターンの各辺に内接する頂角を有し、
該矩形パターンと相似形であり該矩形パターンに対して
４５°回転した形状で荷電粒子ビームによる描画を行
い、該レジストの現像後酸化膜のエッチングを行い、そ
の後、レジストを除去し、該ウエハーを異方的エッチン
グ液によってエッチングを行い、所望形状のウエハの加
工を行うようにしたことを特徴としている。
ウエハーの加工方法は、シリコンウエハーの平面に対し
て垂直な方向の結晶方位が１００のシリコンウエハーに
対し、該ウエハーのオリエンテーションフラットに平行
と垂直な４つの辺を有する矩形パターンを加工する方法
であって、酸化膜が形成された該ウエハーにレジストを
塗布し、該矩形パターンの各辺に内接する頂角を有し、
該矩形パターンと相似形であり該矩形パターンに対して
４５°回転した形状で荷電粒子ビームによる描画を行
い、該レジストの現像後酸化膜のエッチングを行い、そ
の後、レジストを除去し、該ウエハーを異方的エッチン
グ液によってエッチングを行い、所望形状のウエハの加
工を行うようにしたことを特徴としている。
【０００６】
【作用】本発明に基づくシリコンウエハーの加工方法
は、シリコンウエハーを異方的エッチング液によってエ
ッチングを行い、少ない露光面積で所望形状のエッチン
グを行う。
は、シリコンウエハーを異方的エッチング液によってエ
ッチングを行い、少ない露光面積で所望形状のエッチン
グを行う。
【０００７】
【実施例】以下、シリコンウエハーに矩形状の開口を形
成する場合を例として本発明の一実施例を説明する。矩
形状の開口が設けられたシリコンウエハーの用途の一例
としては、断面が矩形の電子ビームを形成するために電
子ビームの光路に挿入されるアパチャー板などがあげら
れる。図１は本発明に基づく方法の工程の一例を示す図
であり、まず、図１（ａ）に示すように、シリコンウエ
ハー１上に酸化膜（ＳｉＯ２ ）２が形成され、その上
に電子ビームに感光するレジスト３が塗布される。次
に、このレジストが塗布されたウエハー１は電子ビーム
の描画装置に入れられ、図１（ａ）に示すように、所望
のパターンの電子ビームＥＢによる描画が行われる。図
２はシリコンウエハー１を示しており、４はウエハー１
のオリエンテーションフラットである。このウエハー１
に対して点線で示す矩形形状の開口５を穿つわけである
が、この開口５の矩形形状は、一辺がオリエンテーショ
ンフラット４と平行であり、他辺がオリエンテーション
フラット４と垂直とされる。また、このウエハー１の結
晶方位は、図面で垂直な方向が１００面とされ、図中矢
印の方向が１１０面とされている。図１（ａ）の電子ビ
ームによる描画（レジストの露光）は、図２の斜線で示
したパターン６で行われる。すなわち、矩形描画パター
ン６は、４つの頂角が開口パターン５の各辺と接するよ
うにされ、更にこのパターン６は、開口パターン５と相
似形であり開口パターンに対して４５°回転した形状と
なっている。この描画が終了すると、ウエハー１は電子
ビーム描画装置から取り出され、現像処理が行われて図
１（ｂ）に示すように、電子ビーム感光部分のレジスト
が除去される。この現像処理の後、ウエハー１はフッ酸
の中に入れられ、図１（ｃ）に示すように、レジストが
除去された部分の酸化膜２の除去が行われる。図１
（ｃ）に示す酸化膜２の除去が終了した後、更にレジス
トの除去（図１（ｄ））が行われ、その後、ウエハー１
は異方的エッチング液の中に入れられる。異方的エッチ
ング液としては、例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム），
ＥＰＷ（エチレンジアミン・ピロカテコール・水）など
が用いられる。この異方的エッチング液にウエハー１を
入れることにより、シリコン部分のエッチングが行われ
る（図１（ｅ））。シリコン部分の異方的エッチング液
によるエッチングは、結晶方位に応じてその速度が異な
ることが知られている。すなわち、１００面と１１０面
と１１１面に対しては、次の比率でエッチング速度が異
なる。
成する場合を例として本発明の一実施例を説明する。矩
形状の開口が設けられたシリコンウエハーの用途の一例
としては、断面が矩形の電子ビームを形成するために電
子ビームの光路に挿入されるアパチャー板などがあげら
れる。図１は本発明に基づく方法の工程の一例を示す図
であり、まず、図１（ａ）に示すように、シリコンウエ
ハー１上に酸化膜（ＳｉＯ２ ）２が形成され、その上
に電子ビームに感光するレジスト３が塗布される。次
に、このレジストが塗布されたウエハー１は電子ビーム
の描画装置に入れられ、図１（ａ）に示すように、所望
のパターンの電子ビームＥＢによる描画が行われる。図
２はシリコンウエハー１を示しており、４はウエハー１
のオリエンテーションフラットである。このウエハー１
に対して点線で示す矩形形状の開口５を穿つわけである
が、この開口５の矩形形状は、一辺がオリエンテーショ
ンフラット４と平行であり、他辺がオリエンテーション
フラット４と垂直とされる。また、このウエハー１の結
晶方位は、図面で垂直な方向が１００面とされ、図中矢
印の方向が１１０面とされている。図１（ａ）の電子ビ
ームによる描画（レジストの露光）は、図２の斜線で示
したパターン６で行われる。すなわち、矩形描画パター
ン６は、４つの頂角が開口パターン５の各辺と接するよ
うにされ、更にこのパターン６は、開口パターン５と相
似形であり開口パターンに対して４５°回転した形状と
なっている。この描画が終了すると、ウエハー１は電子
ビーム描画装置から取り出され、現像処理が行われて図
１（ｂ）に示すように、電子ビーム感光部分のレジスト
が除去される。この現像処理の後、ウエハー１はフッ酸
の中に入れられ、図１（ｃ）に示すように、レジストが
除去された部分の酸化膜２の除去が行われる。図１
（ｃ）に示す酸化膜２の除去が終了した後、更にレジス
トの除去（図１（ｄ））が行われ、その後、ウエハー１
は異方的エッチング液の中に入れられる。異方的エッチ
ング液としては、例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム），
ＥＰＷ（エチレンジアミン・ピロカテコール・水）など
が用いられる。この異方的エッチング液にウエハー１を
入れることにより、シリコン部分のエッチングが行われ
る（図１（ｅ））。シリコン部分の異方的エッチング液
によるエッチングは、結晶方位に応じてその速度が異な
ることが知られている。すなわち、１００面と１１０面
と１１１面に対しては、次の比率でエッチング速度が異
なる。
【０００８】１００：１１０：１１１＝５０：３０：１ この結果、図２の紙面に対して垂直な方向の１００面の
エッチングは最も速くエッチングが進行し、また、図２
の矢印方向の１００面に対しても比較的速くエッチング
が進行する。このエッチングの進行状況を図２のＡ−Ａ
断面図である図３を用いて説明する。図３における点線
がエッチングされた状況を示しており、エッチング開始
後Ｔ1 〜Ｔ4 時間経過した状態を示している。ここで、
結晶方位は、図中矢印で示すように、１００面がウエハ
ー１の平面方向に対して垂直方向、１１０面がウエハー
１の水平方向、１１１面が水平方向から５４．７°傾斜
した方向である。このような結晶方位を有したウエハー
を異方的エッチング液に所定時間入れることにより。図
２の点線で示した形状の開口５がシリコンウエハー１に
形成されることになる。所定時間のエッチングが終了し
た後、最後の工程として、ウエハーはフッ酸の中に入れ
られ、図１（ｆ）に示すように酸化膜の除去が行われ
る。このような工程により、図２の点線で示した形状の
開口５がシリコンウエハー１に設けられ、このシリコン
ウエハーは電子ビームの形状を矩形とするためのアパー
チャ板として用いられる。
エッチングは最も速くエッチングが進行し、また、図２
の矢印方向の１００面に対しても比較的速くエッチング
が進行する。このエッチングの進行状況を図２のＡ−Ａ
断面図である図３を用いて説明する。図３における点線
がエッチングされた状況を示しており、エッチング開始
後Ｔ1 〜Ｔ4 時間経過した状態を示している。ここで、
結晶方位は、図中矢印で示すように、１００面がウエハ
ー１の平面方向に対して垂直方向、１１０面がウエハー
１の水平方向、１１１面が水平方向から５４．７°傾斜
した方向である。このような結晶方位を有したウエハー
を異方的エッチング液に所定時間入れることにより。図
２の点線で示した形状の開口５がシリコンウエハー１に
形成されることになる。所定時間のエッチングが終了し
た後、最後の工程として、ウエハーはフッ酸の中に入れ
られ、図１（ｆ）に示すように酸化膜の除去が行われ
る。このような工程により、図２の点線で示した形状の
開口５がシリコンウエハー１に設けられ、このシリコン
ウエハーは電子ビームの形状を矩形とするためのアパー
チャ板として用いられる。
【０００９】以上本発明の一実施例を詳述したが、本発
明はこの実施例に限定されない。例えば、電子ビームの
形状を決定するためのアパーチャ板の開口を開ける場合
のみならず、シリコンウエハー上に任意に溝を形成する
場合などにも本発明を適用することができる。また、レ
ジストへの露光は電子ビームのみならずイオンビームに
よる露光であっても良い。
明はこの実施例に限定されない。例えば、電子ビームの
形状を決定するためのアパーチャ板の開口を開ける場合
のみならず、シリコンウエハー上に任意に溝を形成する
場合などにも本発明を適用することができる。また、レ
ジストへの露光は電子ビームのみならずイオンビームに
よる露光であっても良い。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づくシ
リコンウエハーの加工方法においては、シリコンウエハ
ーを異方的エッチング液によってエッチングを行い、少
ない露光面積で所望形状のエッチングを行うようにした
ので、露光時間が短くでき、全体の加工時間を短縮する
ことができる。
リコンウエハーの加工方法においては、シリコンウエハ
ーを異方的エッチング液によってエッチングを行い、少
ない露光面積で所望形状のエッチングを行うようにした
ので、露光時間が短くでき、全体の加工時間を短縮する
ことができる。
【図１】本発明に基づく加工方法の工程の一例を示す図
である。
である。
【図２】加工されるシリコンウエハーの平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
１…シリコンウエハー ２…酸化膜 ３…レジスト ４…オリエンテーションフラット ５…開口 ６…描画パターン
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコンウエハーの平面に対して垂直な
方向の結晶方位が１００のシリコンウエハーに対し、該
ウエハーのオリエンテーションフラットに平行と垂直な
４つの辺を有する矩形パターンを加工する方法であっ
て、酸化膜が形成された該ウエハーにレジストを塗布
し、該矩形パターンの各辺に内接する頂角を有し、該矩
形パターンと相似形であり該矩形パターンに対して４５
°回転した形状で荷電粒子ビームによる描画を行い、該
レジストの現像後酸化膜のエッチングを行い、その後、
レジストを除去し、該ウエハーを異方的エッチング液に
よってエッチングを行い、所望形状のウエハの加工を行
うようにしたシリコンウエハーの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10741291A JPH05243207A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | シリコンウエハーの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10741291A JPH05243207A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | シリコンウエハーの加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243207A true JPH05243207A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=14458496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10741291A Pending JPH05243207A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | シリコンウエハーの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243207A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013454A (ja) * | 2004-05-25 | 2006-01-12 | Canon Inc | 貫通孔形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-05-13 JP JP10741291A patent/JPH05243207A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013454A (ja) * | 2004-05-25 | 2006-01-12 | Canon Inc | 貫通孔形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990615 |