JPH05241347A

JPH05241347A - フォトレジストフイルムのラミネート方法

Info

Publication number: JPH05241347A
Application number: JP4079109A
Authority: JP
Inventors: Atsuyoshi Hiuga; 向淳悦日
Original assignee: Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1992-02-28
Filing date: 1992-02-28
Publication date: 1993-09-21
Anticipated expiration: 2015-06-12
Also published as: JP3051252B2

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は小径スルーホールを有するプリント
配線板の製造に適したフォトレジストフイルムのラミネ
ート方法を提供する。【構成】支持体フイルム、中間層、フォトレジスト層
及び保護フイルムを順次積層してなるフォトレジストフ
イルムをプリント基板へラミネートするに際し、保護フ
イルムを剥離後フォトレジスト層をプリント基板へ積層
し、続いて支持体フイルムを剥離した後中間層の上から
熱加圧することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はフォトレジストフイルム
のラミネート方法に関する。更に詳しくは小径スルーホ
ールを有するプリント配線板の製造に適したフォトレジ
ストフイルムのラミネート方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小形化、軽量化、薄層
化、多機能化にともない、プリント配線板も配線パター
ンの微細化、高密度化、高集積化が進んでいる。プリン
ト配線板の高密度化において、特に基板のサイズの縮小
化はめざましく、基板のデザインを主に２つの方法で実
現している。ひとつは、導体の線間、線幅を狭くし配線
密度を上げる方法、もうひとつはスルーホールにおける
導通穴を微小化し配線のためのスペースを広げる方法で
ある。ドライフイルムフォトレジストを用いた場合、導
通穴はテンティング法、パターンメッキ法、フルアディ
ティブ法、セミアディティブ法、パートリアディティブ
法等種々の方法で作成されるのだが、やはり作業性及び
短納期化の点からテンティング法が有利であり、実際に
広く行われている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、導通穴
を微小化したスルーホール（小径スルーホール）を有す
る配線板を従来のテンティング法により製造することは
次第に困難となった。即ち、従来のスルーホールに比べ
著しく微小化された（具体的には直径０.３〜０.５mm以
下、ランド幅１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以
下）小径スルーホールを有する配線板のパターンを作成
するにおいて、ドリルの位置精度、基板の寸法変化、フ
ォトツールの寸法変化等の種々の原因により、マスク上
のランドと基板のスルーホール部の相対的な位置ずれが
生じ、そのずれ幅がランド幅より大きくなってしまうた
めにスルーホールの周囲の一部にランドの無い部分が生
じその部分で従来のテンティング法ではレジストパター
ンが欠落してしまう結果、小径スルーホール内へのエッ
チング液の滲み込みによる不良が多発し著しく歩留まり
を低下させてしまうのである。

【０００４】そこでかかる欠点を補うべく、フォトレジ
ストフイルムのラミネーション前にインクをスルーホー
ルに充填する穴埋めインク法が開発された。しかしかか
る穴埋めインク法はインク充填作業の管理が困難であ
り、特に小径スルーホールへインクが入りにくいため工
程が煩雑になる欠点を有している。従って、小径スルー
ホールを有するプリント配線板を製造するにあたり、ラ
ンドレススルーホールの存在する基板であってもエッチ
ング工程で小径スルーホール内へのエッチング液の滲み
込みを防ぎスルーホールエッジ部の高い信頼性を得ると
ともに生産性及び経済性が向上する新たな製造方法が当
業者間で強く望まれている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】しかるに本発明者はかか
る課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、支持体フイ
ルム、中間層、フォトレジスト層及び保護フイルムを順
次積層してなるフォトレジストフォトレジストをプリン
ト基板へラミネートするに際し、保護フイルムを剥離後
フォトレジスト層をプリント基板へ積層し、続いて支持
体フイルムを剥離した後中間層の上から熱加圧するとい
う２段ラミネートを用いる場合にかかる目的に合致する
ことを見出し本発明を完成するに至った。

【０００６】本発明においてはプリント基板とフォトレ
ジストフイルムとの追従性が著しく改善され、基板に多
少の凹凸があっても良好な接着状態が発揮されるのでプ
リント基板の線間、線幅の微細化に効果を示す。又、小
径スルーホールの存在する基板においては、内周縁の内
側にフォトレジスト樹脂成分が埋め込まれスルーホール
エッジ部が厚くカバーされることによりスルーホールエ
ッジ部保護性が著しく向上され、例え位置ずれによりラ
ンドが形成されなかった部分においてもエッチング液の
滲み込みを完全に防ぐことが可能となり、小径スルーホ
ール型プリント配線板が極めて高い生産性で製造できる
のである。以下、本発明について詳述する。

【０００７】本発明において使用され得るフォトレジス
トフイルムは、支持体フイルム、中間層、フォトレジス
ト層及び保護フイルムを順次積層したものである。本発
明に用いられる支持体フイルムは、フォトレジスト層を
形成する際の耐熱性及び耐溶剤性を有するものである。
前記支持体フイルムの具体例としては、例えばポリエス
テルフイルム、ポリイミドフイルム、アルミニウム箔な
どが挙げられるが、本発明はかかる例示のみに限定され
るものではない。なお、前記支持体フイルムの厚さは、
該フイルムの材質によって異なるので一概には決定する
ことができず、通常該フイルムの機械的強度などに応じ
て適宜調整されるが通常は３〜５０μｍ程度である。

【０００８】本発明に用いられる中間層としては合成も
しくは天然の親水性高分子からなるフイルムが適当であ
る。かかる中間層の具体例としては、ポリビニルアルコ
ール及びエチレンオキシド変性ポリビニルアルコール、
カルボキシ変性ポリビニルアルコール、オキシプロピレ
ン変性ポリビニルアルコール等からなる変性ポリビニル
アルコール、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシ
プロピルセルロース等のセルロース類、ポリビニルピロ
リドン、ポリアクリルアミド、（メタ）アクリル酸共重
合体またはそれのアルカリ金属塩、無水マレイン酸半エ
ステル共重合体またはそれのアルカリ金属塩、ゼラチ
ン、デキストリン、アラビヤゴム、カゼイン等が挙げら
れる。前記中間層の厚さは、あまりにも大きい場合に
は、解像度の低下の原因となり、またあまりにも小さい
場合には、レジスト層とのマイグレーションによりタッ
クが発生し、パターンマスクを汚染するので０.３〜１
０μｍ、なかんづく１〜５μｍであることが好ましい。

【０００９】本発明に用いられるフォトレジスト層は特
に制限はなく光重合性モノマー、バインダー樹脂、光重
合開始剤及びその他の助剤を含んでなる、通常用いられ
る光硬化性の組成物を用いる。以下具体例を挙げる。光
重合性モノマーとして例えば、エチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）ア
クリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アク
リレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレ
ート、１,６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、２,２−ビス［４−（メタ）アクリロキシプロピロ
キシフェニル］プロパン、トリメチロールプロパントリ
（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールペンタ
（メタ）アクリレート、トリ（メタ）アクリロキシエチ
ルホスフェート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソ
シアヌレートトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリス
リトールペンタ（メタ）アクリレート、エチレングリコ
ールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、グ
リセリントリグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレ
ートなどが挙げられ、これらは単独でまたは２種以上を
混合して用いられる。

【００１０】バインダー樹脂としては、例えばビニル系
共重合体、ポリエステル、エポキシ樹脂などが挙げら
れ、これらは通常単独でまたは２種以上を混合して用い
られる。前記ビニル系共重合体に用いられるモノマー成
分としては、例えば（メタ）アクリル酸、（メタ）アク
リル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）ア
クリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、２−ヒ
ドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキ
シル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸メトキ
シエチル、スチレン、（メタ）アクリルアミド、（メ
タ）アクリロニトリル、酢酸ビニルなどが挙げられ、こ
れらのモノマーは通常単独でまたは２種以上を混合して
用いられる。

【００１１】前記ポリエステルは、（無水）フタル酸、
イソフタル酸、テレフタル酸、テトラヒドロ無水フタル
酸、（無水）マレイン酸、フマル酸、アジピン酸、無水
トリメリット酸、無水ピロメリト酸などの２価以上のカ
ルボン酸とエチレングリコール、プロピレングリコー
ル、１,３−ブタンジオール、ジエチレングリコール、
ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、ネ
オペンチルグリコール、水素化ビスフェノールＡ、グリ
セリン、トリメチロールプロパンなどの２価以上のアル
コールとのエステル化反応によりえられる。また、前記
エポキシ樹脂としては、たとえばビスフェノールエポキ
シ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂などが挙げられ、これ
らに酢酸、シュウ酸、（メタ）アクリル酸などの１価の
カルボン酸を付加したものであってもよい。

【００１２】光重合性モノマーと、バインダー樹脂との
配合割合（重量比）は１０／９０〜７０／３０、なかん
づく３０／７０〜５０／５０となるように調整されるの
が好ましい。かかる配合割合は、前記範囲よりも小さい
場合には、硬化が不充分で満足しうる解像力が得られな
くなり、また前記範囲を越える場合には、フォトレジス
トフイルムをロール状にする混合ロール端部よりブリー
ディング現象が現れる傾向がある。光重合開始剤として
は、たとえばベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、４,
４′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ｔ−ブ
チルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、チオ
キサトン類、ベンゾインアルキルエーテル類、ベンジル
ケタール類などが挙げられ、これらは単独でまたは混合
して用いられる。該光重合開始剤は、通常感光剤の全固
形分中に０.０１〜３０重量％含有するように配合され
る。

【００１３】なお、前記フォトレジスト層には、必要に
より、例えば光発色剤、染料、密着性付与剤などの各種
添加剤を適宜添加することができる。前記フォトレジス
ト層の厚さには、あまりにも小さい場合には中間層上に
塗工、乾燥する際に、被膜が不均一になったり、ピンホ
ールが生じやすくなり、またあまりにも大きい場合に
は、露光感度が低下し、現像速度が遅くなるため、通常
５〜３００μｍ、なかんづく１０〜５０μｍであること
が好ましい。

【００１４】本発明に用いられる保護フイルムは、フォ
トレジストフイルムをロール状にして用いる場合に、粘
着性を有するフォトレジスト層が支持体フイルムに転着
したり、フォトレジスト層に壁などが付着するのを防止
する目的でフォトレジスト層に積層して用いられる。か
かる保護フイルムとしては、例えばポリエステルフイル
ム、ポリエチレンフイルム、ポリプロピレンフイルム、
テフロンフイルムなどが挙げられるが、本発明はかかる
例示のみに限定されるものではない。なお、該保護フイ
ルムの厚さについてはとくに限定はなく、通常１０〜５
０μｍ、なかんづく３０〜４０μｍであればよい。

【００１５】本発明のフォトレジストフイルムの製造法
としては、例えば（イ）支持体フイルムに中間層、フォ
トレジスト層を順次設け、さらにその上に保護フイルム
を積層する方法、（ロ）支持体フイルムに中間層を設け
た２層フイルムと、これとは別に保護フイルムにフォト
レジスト層を設けた２層フイルムとを中間層とフォトレ
ジスト層とが接着するようにラミネートする方法などが
あげられるが、本発明はかかる例示のみに限定されるも
のではない。本発明のフォトレジストフイルムにおける
層間の接着強度はラミネート時の操作に重大な影響を及
ぼすので厳密にコントロールされなければならず、接着
強度は中間層とフォトレジスト層間の強度＞支持体フイ
ルムと中間層間の強度＞フォトレジスト層と保護フイル
ム間の強度であることが好ましい。

【００１６】かかるフォトレジストフイルムをプリント
基板の両面にラミネートし、ついで露光、現像、エッチ
ングの工程にかけることによってプリント配線板を製造
する。本発明のフォトレジストフイルムのラミネート方
法としては、まず保護フイルムを剥離後ホットロールラ
ミネーターを用いてフォトレジスト層をプリント基板へ
ラミネートする。使用されるホットロールラミネーター
は、一般的に、上下一対の加熱ロールが、上段加熱ロー
ルの両端に１個ずつ設けたエアーシリンダーにより加圧
されるようになっており、加熱ロールを所定の速度で回
転させることにより、基板の両面に光硬化性樹脂積層対
体を積層することができる。ラミネートの圧力はエアシ
リンダーのエア圧力により調整される。

【００１７】かかるラミネート条件としては、圧力０.
３〜５０kg／cm²、好ましくは１〜１０kg／cm²、ラミネ
ート速度０.１〜１０ｍ／min、好ましくは０.５〜５ｍ
／min、ロール温度が７０〜２００℃が適当である。続
いて支持体フイルムを剥離した後中間層の上からホット
ロールラミネーターを用いて再び熱加圧を行う。この場
合のラミネート条件は圧力１〜１０kg／cm²、好ましく
は３〜５kg／cm²、ラミネート速度０.１〜１０ｍ／mi
n、好ましくは０.２〜２ｍ／min、ロール温度が３０〜
１５０℃が良く、かかる温度がフォトレジスト層で用い
られるバインダー樹脂のガラス転移温度以上かつ一段目
ラミネート温度以下であることが必要である。ロール温
度が低すぎるとスルーホール内へのフォトレジストの埋
め込みが不十分となり、又ロール温度が高すぎるとスル
ーホールの孔を覆うフォトレジスト層の厚みが不均一と
なり、一部に厚みの薄い部分が生じ、充分な膜強度を有
しないためスルーホール内へのエッチング液の滲み込み
を完全に防ぐことができなくなる。

【００１８】かかるスルーホール内へのフォトレジスト
の埋め込み深さは、スルーホール内への埋め込み指数
（Ｌ）＝スルーホールエッジからの埋め込み深さ（μ
ｍ）／金属被覆絶縁板の金属導体層厚（μｍ）で示され
るＬが０.３〜１.５、好ましくは０.５〜１.２が適当で
あり、０.３未満の場合はスルーホール内へのエッチン
グ液滲み込みによる不良が多発し、１.５を越える場合
はレジストの剥離時間が長くなり生産性が低下する。前
記レジスト基板としては、例えば銅板、鉄板、アルミニ
ウム板、ステンレス鋼板などをはじめ、電気絶縁性を有
する無機または有機基板の表面に銅箔やアルミニウム箔
などを積層したものなどが挙げられる。かかる方法によ
りラミネートが終了した後中間層上にパターンマスクを
密着させ、パターンマスクを通して紫外線などの活性光
で露光する。

【００１９】露光された基板上のフォトレジストフイル
ムに現像液を噴霧または浸漬してフォトレジスト層を現
像することにより画像が形成される。現像液としては、
例えば炭酸ソーダ、苛性ソーダなどのアルカリ水溶液や
１,１,１−トリクロロエタンなどがあげられ、更にトリ
エタノールアミン、ブチルセロソルブなどの有機溶剤を
添加することができる。

【００２０】現像されたフォトレジストフイルムをメッ
キ用として用いる場合には、まず必要な前処理を行った
後、硫酸銅メッキ、ピロリン酸銅メッキ、ハンダメッ
キ、スズメッキ、ニッケルメッキなどのメッキを施し、
ついで苛性ソーダ、苛性カリなどのアルカリ水溶液や塩
化メチレンなどでフォトレジストを除去し、さらに露呈
した金属板や金属箔部分を過酸化水素／硫酸、アルカリ
性アンモニアなどの溶液でエッチングして除去する。現
像されたフォトレジストフイルムをテンティング用やエ
ッチング用として用いる場合には、塩化第二鉄、塩化第
二銅、過酸化水素−硫酸、アルカリ状アンモニアなどの
エッチング液で露呈した金属板や金属箔部分を除去し、
ついで苛性ソーダ、苛性カリなどのアルカリ水溶液や塩
化メチレンなどでレジストを除去する。

【００２１】

【作用】本発明はプリント基板へフォトレジストフ
イルムをラミネートするに際し、保護フイルムを剥離後
フォトレジスト層を基板へ積層し、続いて支持体フイル
ムを剥離した後中間層の上から熱加圧するという二段ラ
ミネートを実施することにより、プリント基板とフォト
レジストとの追従性を著しく改善するとともに、スルー
ホール部が存在する場合においては、該スルーホール内
周縁の内側にフォトレジスト樹脂が埋め込まれてスルー
ホールエッジ部保護性を著しく向上させ非常に高い信頼
性でパターンを作成できる。

【００２２】

【実施例】以下、実例を挙げて本発明を更に詳述す
る。尚、ことわりのない限り「％」及び「部」は重量基
準である。実施例１次の組成を有するアルカリ現像可能な感光性樹脂溶液を
調整した。メタクリル酸／アクリル酸ｎ−ブチル／メタアクリル酸（重量比が５７／２０／２３）の組成を有し重量平均分子量が６８,０００の共重合体の４０％メチルエチルケトン／イソプロピルアルコール（重量比が９０／１０）溶液２２０部トリメチロールプロパンエチレンオキサイド付加トリアクリレート１５部（エチレンオキサイド３モル付加）テトラエチレングリコールジメタクリレート３０部ベンゾフェノン１０部ミヒラー氏ケトン０.２部トリブロモメチルフェニルスルホン１.５部ロイコクリスタルバイオレット１.０部Ｐ−メトキシフェノール０.１部マラカイトグリーン０.１部

【００２３】厚み２３μｍの離型処理ポリエチレンテレ
フタレートフイルム上に１０％ポリビニルアルコール水
溶液（ＫＨ−１７、日本合成化学工業（株）社製）を乾
燥後の厚みが３μｍとなるように塗工し、１０５℃の乾
燥機中で５分間乾燥した。かかるフイルムのポリビニル
アルコール面に上記組成よりなる溶液を乾燥後の厚みが
５０μｍとなるように塗工し、９０℃の乾燥機中に３分
間で溶剤を揮散させた。ついで得られたフォトレジスト
層の上に３０μｍのポリエチレンフイルムを重ね合わせ
てフォトレジストフイルムを得た。

【００２４】かかるフォトレジストフイルムからポリエ
チレンフイルムを剥離し、フォトレジスト層を銅張り積
層板にホットロールラミネータ（ＶＡII−７００、大成
ラミネーター（株）社製）により１００℃でラミネート
した。この時の処理条件は内径が４０mmのエアシリンダ
ーを用い加圧し、エアシリンダーにかけたエア圧力は３
kg／cm²−ゲージとし、ラミネート速度は２.０ｍ／min
とした。また、ここで用いた銅張り積層板は厚さ１.６m
mでありガラス繊維エポキシ基材の両面に１８μｍの銅
箔を張り合わせ、巾４００mm、長さ５００mmの基板中に
直径０.５mmのスルーホールの孔を１０００個作り、ス
ルーホールメッキにより更に２０μｍの電気銅メッキを
行った銅張積層板（ＦＲ−４，Ｒ１７０５ＳＸ，松下電
工（株）社製）であり、下地のガラス布の織目の影響に
より３μｍの凹凸を有するものであった。

【００２５】続いてポリエチレンテレフタレートフイル
ムを剥離した後再びホットロールラミネータに温度６０
℃、エア圧力５kg／cm³−ゲージ、ラミネート速度１.０
ｍ／minで通過させて熱加圧を行った。つぎに中間層面
に直径０.６mmの円状の透過部をスルーホールの位置に
合わせてパターンマスク（２１段ステップタブレットネ
ガ）を密着させ、ステップ感度が８段になるように３ｋ
ｗの超高圧水銀灯を用いて真空下で露光した。この時一
方の面はマスクのずれ巾が５０μｍ（上記したパターン
フイルムの円状透過部とスルーホール開口部（断面円
形）との各円周間のずれ巾を、マスクの非透過部と膜ス
ルーホール開口部が重なる側において、円状透過部及び
スルーホール開口部の各々の中心を通る直線上において
測定した値）となるようにずらして露光し、もう一方の
面はずれないように露光した。

【００２６】次いで露光された基板に３０℃の炭酸ナト
リウム１％水溶液をスプレー圧１.５kg／cm²で６０秒噴
霧し、未露光部分を溶解除去して硬化樹脂画像を得た。
この基板を塩化第二銅エッチング液によりエッチングし
た。この時の最小必要エッチング時間は７０秒でエッチ
ング時間はこの１.２倍とした。次に５０℃の３％水酸
化ナトリウム水溶液で１００秒噴霧してレジストとして
用いた硬化樹脂膜を剥離してレリーフ像を形成した。得
られたレリーフ像を以下の評価方法に基づいて評価し
た。結果はまとめて表２に示す。

【００２７】（解像力）Ｌ／Ｓの比が１／１（ライン数
各１０本）のライン３０，４０，５０，６０，７０，８
０μｍのネガマスクを用いてｓｔｏｕｆｆｅｒ２１段ｓ
ｔｅｐｔａｂｌｅで現像後８段（Ｓｏｌｉｄ）になる
ように露光した。１％炭酸ナトリウム水溶液を用い３０
℃、スプレー圧１.５kgｆ／cm²で６０秒間現像し、現像
後のラインがパターンマスクに忠実に再現されている限
界のところを解像力とした。（密着性）ラインを３０，４０，５０，６０，７０，８
０μｍに対してスペース４００μｍとしたテストパター
ンネガマスク（ライン本数各１０本）を上記と同様の条
件で処理し、パターンマスクに忠実に再現されている限
界のところを密着性とした。

【００２８】（スルーホール信頼性）エッチング後、光
学顕微鏡によりスルーホールを観察して破れの有無を確
認し、（破れのないスルーホール数／観察スルーホール
数）×１００（％）によりスルーホール信頼性を評価し
た。実施例２〜７実施例１において表１で示すラミネート条件とした以外
は同例に従って実験を行った。結果はまとめて表２に示
す。

【００２９】

【表１】

【００３０】＊¹：オキシプロピレン基含有ポリビニル
アルコール（オキシプロピレン基含有量１０％、ケン化
度７２モル％、平均重合度１０００）＊²：ヒドロキシエチルセルロース（ＳＵ−２５Ｆ，フ
ジケミカル(株)社製）５％水溶液

【００３１】比較例１実施例１において中間層を用いないフォトレジストフイ
ルムを使用しポリエチレンテレフタレートフイルムを積
層したままラミネートを行い（１段のラミネート処理の
み）フォトレジスト層を現像した。スルーホール内への
埋め込み指数（Ｌ）は０.１３であった。結果はまとめ
て表２に示す。

【００３２】比較例２実施例１において中間層を用いないフォトレジストフイ
ルムを使用し、ポリエチレンテレフタレートフイルムを
積層したまま一段目のラミネートを行い、続いて温度６
０℃、圧力５kg／cm²、速度１ｍ／minのラミネート条件
下で再度加圧を行い、フォトレジスト層を現像した。ス
ルーホール内への埋め込み指数（Ｌ）は０.２６であっ
た。結果はまとめて表２に示す。比較例３実施例１においてポリエチレンテレフタレートフイルム
を存在させたままラミネートを行いフォトレジスト層を
現像した。スルーホール内への埋め込み指数（Ｌ）は
０.２１であった。結果はまとめて表２に示す。

【００３３】

【表２】

【００３４】

【発明の効果】本発明は、プリント基板へフォトレジス
トフイルムをラミネートするに際し、保護フイルムを剥
離後フォトレジスト層を基板へ積層し、続いて支持体フ
イルムを剥離した後中間層の上から熱加圧するという二
段ラミネートを用いることにより、プリント基板とフォ
トレジストとの追従性を著しく改善するとともに、小径
スルーホール部が存在する場合においては、該スルーホ
ール内周縁の内側にフォトレジスト樹脂が埋め込まれス
ルーホールエッジ部保護性を著しく向上させ、例え位置
ずれによりランドの無い部分が生じても小径スルーホー
ル内へのエッチング液の滲み込みを完全に防ぐことが可
能となり小径スルーホール型プリント配線板が極めて高
い生産性で製造できる。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年３月９日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００２

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小形化、軽量化、薄層
化、多機能化にともない、プリント配線板も配線パター
ンの微細化、高密度化、高集積化が進んでいる。プリン
ト配線板の高密度化において、特に基板のサイズの縮小
化はめざましく、導体の線間、線幅を狭くし配線密度を
上げるために、スルーホールにおける導通穴を微小化し
配線のためのスペースを広げる方法が行われている。ド
ライフイルムフォトレジストを用いた場合、導通穴はテ
ンティング法、パターンメッキ法、フルアディティブ
法、セミアディティブ法、パートリアディティブ法等種
々の方法で作成されるのだが、やはり作業性及び短納期
化の点からテンティング法が有利であり、実際に広く行
われている。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２７】（解像力）Ｌ／Ｓの比が１／１（ライン数
各１０本）のライン３０，４０，５０，６０，７０，８
０μｍのネガマスクを用いてｓｔｏｕｆｆｅｒ２１段ｓ
ｔｅｐｔａｂｌｅｔで現像後８段（Ｓｏｌｉｄ）にな
るように露光した。１％炭酸ナトリウム水溶液を用い３
０℃、スプレー圧１.５kgｆ／cm²で６０秒間現像し、現
像後のラインがパターンマスクに忠実に再現されている
限界のところを解像力とした。（密着性）ラインを３０，４０，５０，６０，７０，８
０μｍに対してスペース４００μｍとしたテストパター
ンネガマスク（ライン本数各１０本）を上記と同様の条
件で処理し、パターンマスクに忠実に再現されている限
界のところを密着性とした。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３０】＊¹：オキシプロピレン基含有ポリビニル
アルコール（オキシプロピレン基含有量１０％、ケン化
度７２モル％、平均重合度１０００）＊²：ヒドロキシエチルセルロース（ＳＵ−２５Ｆ，フ
ジケミカル(株)社製）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体フイルム、中間層、フォトレジス
ト層及び保護フイルムを順次積層してなるフォトレジス
トフイルムをプリント基板へラミネートするに際し、保
護フイルムを剥離後フォトレジスト層をプリント基板へ
積層し、続いて支持体フイルムを剥離した後、中間層の
上から熱加圧することを特徴とするフォトレジストフイ
ルムのラミネート方法
【請求項２】中間層が親水性フイルムであるフォトレ
ジストフイルムを使用することを特徴とする請求項１記
載のラミネート方法