JPH05239645A - 金属帯板に対する連続イオンプレーティング方法及び装置 - Google Patents
金属帯板に対する連続イオンプレーティング方法及び装置Info
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- JPH05239645A JPH05239645A JP4381092A JP4381092A JPH05239645A JP H05239645 A JPH05239645 A JP H05239645A JP 4381092 A JP4381092 A JP 4381092A JP 4381092 A JP4381092 A JP 4381092A JP H05239645 A JPH05239645 A JP H05239645A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】密着性及び加工性に優れた被膜を安定に成膜す
ることができる金属帯板に対する連続イオンプレーティ
ング方法及び装置を提供することを目的とする。 【構成】連続的に走行する金属帯板に対して、前処理と
しての予備加熱及びイオンボンバード処理を施した後、
１室以上の差圧シール室を通過させ、続いて真空中で帯
板に対して連続的にイオンプレーティングする。この際
に、帯板の差圧室通過時間を３分間以内とし、同時に帯
板が差圧室内を通過する際の全露出量を９×１０6 ラン
グミュア以下とする。
ることができる金属帯板に対する連続イオンプレーティ
ング方法及び装置を提供することを目的とする。 【構成】連続的に走行する金属帯板に対して、前処理と
しての予備加熱及びイオンボンバード処理を施した後、
１室以上の差圧シール室を通過させ、続いて真空中で帯
板に対して連続的にイオンプレーティングする。この際
に、帯板の差圧室通過時間を３分間以内とし、同時に帯
板が差圧室内を通過する際の全露出量を９×１０6 ラン
グミュア以下とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、金属帯板に対して連
続的にイオンプレーティングする金属帯板の連続イオン
プレーティング方法及び装置に関する。
続的にイオンプレーティングする金属帯板の連続イオン
プレーティング方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近時、
冷延鋼板、ステンレス鋼板、高合金薄板などの金属帯板
に対し、真空成膜技術（ドライプロセス）を用いて、従
来技術では成膜することができなかった金属やセラミッ
クスをめっきすることにより、新たな商品を開発する試
みがなされている。このようなドライプロセスの中で
は、イオンプレーティングが高い生産性及び優れた膜質
を得ることができる技術として注目されている。イオン
プレレーティングの蒸着粒子は真空蒸着に比較して高速
で基板に入射するため、一般的に密着性の良好な膜が得
られる。この際に、めっきされる被処理材の表面が汚染
されていると優れた密着性が得られないため、通常成膜
する前に真空中で前処理が行われる。
冷延鋼板、ステンレス鋼板、高合金薄板などの金属帯板
に対し、真空成膜技術（ドライプロセス）を用いて、従
来技術では成膜することができなかった金属やセラミッ
クスをめっきすることにより、新たな商品を開発する試
みがなされている。このようなドライプロセスの中で
は、イオンプレーティングが高い生産性及び優れた膜質
を得ることができる技術として注目されている。イオン
プレレーティングの蒸着粒子は真空蒸着に比較して高速
で基板に入射するため、一般的に密着性の良好な膜が得
られる。この際に、めっきされる被処理材の表面が汚染
されていると優れた密着性が得られないため、通常成膜
する前に真空中で前処理が行われる。
【０００３】真空中の前処理としては、予備加熱及びイ
オンボンバードが一般的である。予備加熱は高真空中で
被処理材を加熱することによって脱ガスを行うものであ
り、被処理材に吸着している水分等を除去する効果があ
る。一方、イオンボンバード処理は、通常、イオンボン
バード室にＡｒガスを１０-3から１０-2Torr程度導入
し、金属帯板と電極との間で放電を生じさせ、Ａｒイオ
ンで被処理材である金属帯板の表面をスパッタクリーニ
ングするものである。この処理によって、被処理材表面
付着したゴミ、ダスト等の不純物や脆い表面酸化膜、不
働態膜が除去され、清浄な表面が得られる。そして、こ
れらの処理はいずれもドライプロセスで成膜される被膜
の密着性向上に効果があるばかりでなく、被膜の加工性
向上にも効果がある（鉄と鋼、７７（１９９１），１０
０３ページ）。
オンボンバードが一般的である。予備加熱は高真空中で
被処理材を加熱することによって脱ガスを行うものであ
り、被処理材に吸着している水分等を除去する効果があ
る。一方、イオンボンバード処理は、通常、イオンボン
バード室にＡｒガスを１０-3から１０-2Torr程度導入
し、金属帯板と電極との間で放電を生じさせ、Ａｒイオ
ンで被処理材である金属帯板の表面をスパッタクリーニ
ングするものである。この処理によって、被処理材表面
付着したゴミ、ダスト等の不純物や脆い表面酸化膜、不
働態膜が除去され、清浄な表面が得られる。そして、こ
れらの処理はいずれもドライプロセスで成膜される被膜
の密着性向上に効果があるばかりでなく、被膜の加工性
向上にも効果がある（鉄と鋼、７７（１９９１），１０
０３ページ）。
【０００４】このように、これらの処理には密着性向上
及び加工性向上の効果があるため、これら前処理を行っ
た後、被処理材に再汚染が生じないように可及的速やか
に成膜を行うことが望ましい。
及び加工性向上の効果があるため、これら前処理を行っ
た後、被処理材に再汚染が生じないように可及的速やか
に成膜を行うことが望ましい。
【０００５】ところが、金属帯板に対してイオンボンバ
ード処理を施した後、連続してイオンプレーティングを
行う場合、イオンボンバード時の圧力が１０-3〜１０-2
Torr程度であるのに対して、イオンプレーティング時の
圧力は、その方式や反応ガスの有無によっても異なる
が、一般的には１０-6〜１０-4Torrであるため、イオン
ボンバード室とイオンプレーティング室の間には差圧を
維持するための差圧シール室が必要になる。
ード処理を施した後、連続してイオンプレーティングを
行う場合、イオンボンバード時の圧力が１０-3〜１０-2
Torr程度であるのに対して、イオンプレーティング時の
圧力は、その方式や反応ガスの有無によっても異なる
が、一般的には１０-6〜１０-4Torrであるため、イオン
ボンバード室とイオンプレーティング室の間には差圧を
維持するための差圧シール室が必要になる。
【０００６】差圧シール室の差圧機構としては、ロール
シール、スリットシール等種々の方式があるが、いずれ
の方法にしてもある程度の空間が必要となり、差圧が大
きくなればそれに応じて差圧機構も複雑となり、差圧シ
ール室内の帯板の通板距離も長くなる。差圧シ−ル室の
通板距離が長いと帯板が差圧シ−ル室に滞在している時
間が長くなって帯板が再汚染される恐れがある。これを
回避するため、通板速度を高めて通板時間を短くするこ
とが考えられるが、通板速度はイオンプレーティングの
成膜速度、及びイオンボンバードの投入電力密度や予備
加熱能力にも影響するため、常に高速で通板することは
できない。
シール、スリットシール等種々の方式があるが、いずれ
の方法にしてもある程度の空間が必要となり、差圧が大
きくなればそれに応じて差圧機構も複雑となり、差圧シ
ール室内の帯板の通板距離も長くなる。差圧シ−ル室の
通板距離が長いと帯板が差圧シ−ル室に滞在している時
間が長くなって帯板が再汚染される恐れがある。これを
回避するため、通板速度を高めて通板時間を短くするこ
とが考えられるが、通板速度はイオンプレーティングの
成膜速度、及びイオンボンバードの投入電力密度や予備
加熱能力にも影響するため、常に高速で通板することは
できない。
【０００７】従って、場合によっては帯板が差圧シ−ル
室を通過している間に再汚染されることが避けられず、
被膜に密着性不良や加工性不良が生じ、確実に良好な被
膜を得ることができないという問題がある。
室を通過している間に再汚染されることが避けられず、
被膜に密着性不良や加工性不良が生じ、確実に良好な被
膜を得ることができないという問題がある。
【０００８】この発明はかかる事情に鑑みてなされたも
のであって、密着性及び加工性に優れた被膜を安定に成
膜することができる金属帯板に対する連続イオンプレー
ティング方法及び装置を提供することを目的とする。
のであって、密着性及び加工性に優れた被膜を安定に成
膜することができる金属帯板に対する連続イオンプレー
ティング方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段及び作用】この発明は、上
記課題を解決するために、第１に、連続的に走行する金
属帯板に対して、前処理としての予備加熱及びイオンボ
ンバード処理を施した後、１室以上の差圧シール室を通
過させ、続いて真空中で帯板に対して連続的にイオンプ
レーティングする金属帯板に対する連続イオンプレーテ
ィング方法であって、帯板の差圧室通過時間を３分間以
内とし、同時に帯板が差圧室内を通過する際の全露出量
を９×１０6 ラングミュア以下としたことを特徴とする
金属帯板に対する連続イオンプレーティング方法を提供
する。
記課題を解決するために、第１に、連続的に走行する金
属帯板に対して、前処理としての予備加熱及びイオンボ
ンバード処理を施した後、１室以上の差圧シール室を通
過させ、続いて真空中で帯板に対して連続的にイオンプ
レーティングする金属帯板に対する連続イオンプレーテ
ィング方法であって、帯板の差圧室通過時間を３分間以
内とし、同時に帯板が差圧室内を通過する際の全露出量
を９×１０6 ラングミュア以下としたことを特徴とする
金属帯板に対する連続イオンプレーティング方法を提供
する。
【００１０】第２に、金属帯板に対して予備加熱処理を
施すための予備加熱室と、予備加熱後の帯板に対してイ
オンボンバード処理を施すためのイオンボンバード室
と、イオンボンバード処理後の帯板に対して真空中で連
続的にイオンプレーティングを施すためのイオンプレー
ティング室と、イオンボンバード室及びイオンプレーテ
ィング室の間に設けられた少なくとも１室の差圧シール
室とを有し、金属帯板を連続的に走行させて連続的にイ
オンプレーティングする金属帯板に対する連続イオンプ
レーティング装置であって、帯板の走行速度をνｓ（ｍ
／分）とした場合に、差圧シール室内の帯板の通板長さ
Ｌ（ｍ）が、 Ｌ≦３・νｓ を満足することを特徴とする金属帯板の連続イオンプレ
ーティング装置を提供する。
施すための予備加熱室と、予備加熱後の帯板に対してイ
オンボンバード処理を施すためのイオンボンバード室
と、イオンボンバード処理後の帯板に対して真空中で連
続的にイオンプレーティングを施すためのイオンプレー
ティング室と、イオンボンバード室及びイオンプレーテ
ィング室の間に設けられた少なくとも１室の差圧シール
室とを有し、金属帯板を連続的に走行させて連続的にイ
オンプレーティングする金属帯板に対する連続イオンプ
レーティング装置であって、帯板の走行速度をνｓ（ｍ
／分）とした場合に、差圧シール室内の帯板の通板長さ
Ｌ（ｍ）が、 Ｌ≦３・νｓ を満足することを特徴とする金属帯板の連続イオンプレ
ーティング装置を提供する。
【００１１】本願発明者らは、上記課題を解決すべく鋭
意研究を重ねた結果、帯板が差圧シ−ル室に滞留してい
る時間、及び差圧シ−ル室内における帯板の露出量が共
に一定の範囲であれば、密着性及び加工性に優れたイオ
ンプレ−ティング被膜を安定に連続的に得ることができ
ることを見出した。
意研究を重ねた結果、帯板が差圧シ−ル室に滞留してい
る時間、及び差圧シ−ル室内における帯板の露出量が共
に一定の範囲であれば、密着性及び加工性に優れたイオ
ンプレ−ティング被膜を安定に連続的に得ることができ
ることを見出した。
【００１２】すなわち、イオンボンバ−ド処理を施した
後の清浄化された金属帯板の差圧室通過時間を３分間以
内とし、かつ差圧シ−ル室内での帯板の露出量を９×１
０6 ラングミュア以下とすることにより、帯板が差圧シ
−ル室を通過している間に再汚染されることを確実に防
止することができ、密着性及び加工性に優れたイオンプ
レ−ティング被膜を安定に得ることができるのである。
このような条件は、帯板の走行速度νｓ（ｍ／分）と、
差圧シール室内の帯板の通板長さＬ（ｍ）とが、Ｌ≦３
・νｓを満足するような装置を用いることにより実現す
ることができる。上記構成を有する本発明は、本願発明
者らのこのような知見に基づいて完成されたものであ
る。
後の清浄化された金属帯板の差圧室通過時間を３分間以
内とし、かつ差圧シ−ル室内での帯板の露出量を９×１
０6 ラングミュア以下とすることにより、帯板が差圧シ
−ル室を通過している間に再汚染されることを確実に防
止することができ、密着性及び加工性に優れたイオンプ
レ−ティング被膜を安定に得ることができるのである。
このような条件は、帯板の走行速度νｓ（ｍ／分）と、
差圧シール室内の帯板の通板長さＬ（ｍ）とが、Ｌ≦３
・νｓを満足するような装置を用いることにより実現す
ることができる。上記構成を有する本発明は、本願発明
者らのこのような知見に基づいて完成されたものであ
る。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例について説明する。
図１はこの発明の一実施例に係る連続イオンプレーティ
ング装置を示す概略構成図であり、インライン式のもの
を示す。この装置は、巻出室１、予備加熱室２、イオン
ボンバ−ド室３、差圧シール室４、蒸着室５、冷却室
６、及び巻取室７を備えており、全体が一つの真空槽と
なっている。そして、巻出コイル８が巻出室１に装着さ
れた状態で、真空槽全体が真空排気される。
図１はこの発明の一実施例に係る連続イオンプレーティ
ング装置を示す概略構成図であり、インライン式のもの
を示す。この装置は、巻出室１、予備加熱室２、イオン
ボンバ−ド室３、差圧シール室４、蒸着室５、冷却室
６、及び巻取室７を備えており、全体が一つの真空槽と
なっている。そして、巻出コイル８が巻出室１に装着さ
れた状態で、真空槽全体が真空排気される。
【００１４】巻出室１内でコイル８から巻き出された帯
板１０は、ロール９を通って予備加熱室２に至る。この
予備加熱室２において、帯板１０はヒータ１３により加
熱される。この際の予備加熱温度及び時間は、その後の
イオンボンバード処理が適切に行われるように適宜設定
される。なお、加熱手段は特に制限されず、ランプヒー
タ、電子銃、プラズマガンなどを用いることもできる。
板１０は、ロール９を通って予備加熱室２に至る。この
予備加熱室２において、帯板１０はヒータ１３により加
熱される。この際の予備加熱温度及び時間は、その後の
イオンボンバード処理が適切に行われるように適宜設定
される。なお、加熱手段は特に制限されず、ランプヒー
タ、電子銃、プラズマガンなどを用いることもできる。
【００１５】予備加熱された帯板はイオンボンバード室
３に至り、その中で生じる電極１４と帯板１０との間の
放電によりイオンボンバード処理が行われる。イオンボ
ンバード室３内は予め１０-5Torr以下に排気された後、
Ａｒガスを導入することにより１０-2〜１０-3Torrに保
持される。電極１４としては、磁石を内蔵し、マグネト
ロン効果で放電密度を上昇させたものが有効である。電
極１４には、直流、交流、又は高周波電界が印加され
る。
３に至り、その中で生じる電極１４と帯板１０との間の
放電によりイオンボンバード処理が行われる。イオンボ
ンバード室３内は予め１０-5Torr以下に排気された後、
Ａｒガスを導入することにより１０-2〜１０-3Torrに保
持される。電極１４としては、磁石を内蔵し、マグネト
ロン効果で放電密度を上昇させたものが有効である。電
極１４には、直流、交流、又は高周波電界が印加され
る。
【００１６】イオンボンバード処理された帯板は、差圧
シ−ル室４を通って蒸着室５に至る。この場合に、差圧
シ−ル室４内の帯板の通板距離Ｌ（ｍ）とライン速度ν
ｓ（ｍ／分）とが、Ｌ≦３・νｓの関係を有しており、
差圧シール室４に入った帯板は３分間以内に蒸着室５に
送出されるようになっている。差圧シール４内の圧力
は、差圧シール室４内における帯板の全露出量が９×１
０6 ラングミュア以下となるように設定される。なお、
差圧室４の数は、図１では３個であるが、少なくとも１
個あればよく、イオンボンバード室４と蒸着室５との間
の差圧に応じて適当な個数設ければよい。
シ−ル室４を通って蒸着室５に至る。この場合に、差圧
シ−ル室４内の帯板の通板距離Ｌ（ｍ）とライン速度ν
ｓ（ｍ／分）とが、Ｌ≦３・νｓの関係を有しており、
差圧シール室４に入った帯板は３分間以内に蒸着室５に
送出されるようになっている。差圧シール４内の圧力
は、差圧シール室４内における帯板の全露出量が９×１
０6 ラングミュア以下となるように設定される。なお、
差圧室４の数は、図１では３個であるが、少なくとも１
個あればよく、イオンボンバード室４と蒸着室５との間
の差圧に応じて適当な個数設ければよい。
【００１７】蒸着室５では、その中に設けられたるつぼ
１５内の金属を蒸発させて、帯板に対してイオンプレー
ティング処理を施す。その際の蒸着室５内の圧力は、形
成する被膜に応じて１０-3〜１０-6Torrの間で適宜選択
される。
１５内の金属を蒸発させて、帯板に対してイオンプレー
ティング処理を施す。その際の蒸着室５内の圧力は、形
成する被膜に応じて１０-3〜１０-6Torrの間で適宜選択
される。
【００１８】蒸着室５から出た帯板は、冷却室６で所定
温度まで冷却され巻取室７に至る。冷却方法としては、
冷却温度に応じて放射冷却、ロ−ル冷却等適宜の方法が
選択される。巻取室７では帯板１０がロール１１を通っ
て巻き取られコイル１２となる。巻取室７で巻き取られ
たコイル１２は、真空槽全体が大気圧に復圧された後、
巻取室７から取り出される。
温度まで冷却され巻取室７に至る。冷却方法としては、
冷却温度に応じて放射冷却、ロ−ル冷却等適宜の方法が
選択される。巻取室７では帯板１０がロール１１を通っ
て巻き取られコイル１２となる。巻取室７で巻き取られ
たコイル１２は、真空槽全体が大気圧に復圧された後、
巻取室７から取り出される。
【００１９】図２は、この発明の他の実施例に係る連続
イオンプレーティング装置を示す概略構成図であり、コ
イルが大気中に置かれた場合の例を示すものである。こ
の装置における処理は、基本的に図１で説明したものと
同様である。コイル２８から巻き出された帯板３０は、
ロール２９から差圧室２１を経て予備加熱室２２に至
る。差圧室２１は複数設けられ（図では４個）、大気圧
と真空状態をつなぐ役割を果たしている。
イオンプレーティング装置を示す概略構成図であり、コ
イルが大気中に置かれた場合の例を示すものである。こ
の装置における処理は、基本的に図１で説明したものと
同様である。コイル２８から巻き出された帯板３０は、
ロール２９から差圧室２１を経て予備加熱室２２に至
る。差圧室２１は複数設けられ（図では４個）、大気圧
と真空状態をつなぐ役割を果たしている。
【００２０】予備加熱室２２においてヒータ３３によっ
て加熱された帯板はイオンボンバード室２３に至り、そ
の中でイオンボンバード処理が施される。イオンボンバ
ード室２３からの帯板は差圧シール室２４を経て蒸着室
２５に至り、その中でるつぼ３５内の金属を蒸発させて
帯板に対してイオンプレーティング処理を施す。その
後、帯板は冷却室２６及び差圧室２７を経て大気中に至
り、ロ−ル３１を通って巻き取られ、コイル３２とな
る。
て加熱された帯板はイオンボンバード室２３に至り、そ
の中でイオンボンバード処理が施される。イオンボンバ
ード室２３からの帯板は差圧シール室２４を経て蒸着室
２５に至り、その中でるつぼ３５内の金属を蒸発させて
帯板に対してイオンプレーティング処理を施す。その
後、帯板は冷却室２６及び差圧室２７を経て大気中に至
り、ロ−ル３１を通って巻き取られ、コイル３２とな
る。
【００２１】次に、図１に示す装置において、差圧シ−
ル室の通板長さ及びライン速度、並びに、差圧シ−ル室
における帯板の全露出量を変化させ、帯板の上に実際に
イオンプレ−ティングによりＴｉ被膜を形成し、その密
着性及び加工性を試験した。その結果を表１に示す。な
お、表１では、本発明の範囲内のものを実施例と表示
し、本発明の範囲から外れるものを比較例と表示した。
ここで、帯板として板厚１．０mmの低炭素鋼板を用い
た。また、前処理は以下に示す条件に固定して行った。 予備加熱温度：２００℃ 放電ガス ：Ａｒ イオンボンバ−ド投入電力：１Ｗ／cm2 成膜についても以下に示す条件に固定して行った。 成膜速度 ：０．１μｍ／秒 イオン化率 ：２５％ 雰囲気圧力 ：１×１０-5Torr
ル室の通板長さ及びライン速度、並びに、差圧シ−ル室
における帯板の全露出量を変化させ、帯板の上に実際に
イオンプレ−ティングによりＴｉ被膜を形成し、その密
着性及び加工性を試験した。その結果を表１に示す。な
お、表１では、本発明の範囲内のものを実施例と表示
し、本発明の範囲から外れるものを比較例と表示した。
ここで、帯板として板厚１．０mmの低炭素鋼板を用い
た。また、前処理は以下に示す条件に固定して行った。 予備加熱温度：２００℃ 放電ガス ：Ａｒ イオンボンバ−ド投入電力：１Ｗ／cm2 成膜についても以下に示す条件に固定して行った。 成膜速度 ：０．１μｍ／秒 イオン化率 ：２５％ 雰囲気圧力 ：１×１０-5Torr
【００２２】なお、成膜方法の比較のため、成膜速度及
び雰囲気圧力は上記条件に設定し、金属蒸気のイオン化
を行わない真空蒸着でも被膜を形成した（番号９）。表
では、イオンプレ−ティングをＩＰで示し、真空蒸着は
ＶＤで示した。
び雰囲気圧力は上記条件に設定し、金属蒸気のイオン化
を行わない真空蒸着でも被膜を形成した（番号９）。表
では、イオンプレ−ティングをＩＰで示し、真空蒸着は
ＶＤで示した。
【００２３】密着性は、曲げ加工後、テ−プ剥離試験を
行い、被膜の剥離の程度で評価した。ここで、○は剥離
が発生しなかったものを示し、Δは部分的に剥離が生じ
たものを示し、×は全面的に剥離が生じたものを示す。
また、加工性は、０ｔ密着曲げ後、加工部をＳＥＭで観
察し、クラックの程度で評価した。ここで○はクラック
が発生しなかったものを示し、Δは部分的にクラックが
発生したものを示し、×は全面的にクラックが発生した
ものを示す。
行い、被膜の剥離の程度で評価した。ここで、○は剥離
が発生しなかったものを示し、Δは部分的に剥離が生じ
たものを示し、×は全面的に剥離が生じたものを示す。
また、加工性は、０ｔ密着曲げ後、加工部をＳＥＭで観
察し、クラックの程度で評価した。ここで○はクラック
が発生しなかったものを示し、Δは部分的にクラックが
発生したものを示し、×は全面的にクラックが発生した
ものを示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１から明らかなように、本発明の範囲内
である実施例の場合には、被膜の密着性及び加工性に優
れていることが確認された。これに対し、比較例の場合
には密着性がやや劣り、加工性は明確に劣っていること
が確認された。
である実施例の場合には、被膜の密着性及び加工性に優
れていることが確認された。これに対し、比較例の場合
には密着性がやや劣り、加工性は明確に劣っていること
が確認された。
【００２６】次に、実施例及び比較例の被膜について、
ＡＥＳ（オ−ジェ電子分光法）を用いて深さ方向の元素
分析を行った。図３及び図４は、夫々、実施例である番
号１の被膜及び比較例である番号６の被膜についてＡＥ
Ｓ分析した結果を示す図であり、横軸にスパッタ時間を
とり、縦軸に成分組成をとったものである。この場合に
スパッタ時間は深さに対応する。
ＡＥＳ（オ−ジェ電子分光法）を用いて深さ方向の元素
分析を行った。図３及び図４は、夫々、実施例である番
号１の被膜及び比較例である番号６の被膜についてＡＥ
Ｓ分析した結果を示す図であり、横軸にスパッタ時間を
とり、縦軸に成分組成をとったものである。この場合に
スパッタ時間は深さに対応する。
【００２７】図３に示すように、実施例の場合には被膜
の界面には炭素及び酸素はほとんど存在せず、清浄な表
面に被膜が形成されたと判断することができる。これに
対して、図４に示すように、比較例の場合には被膜の界
面に炭素及び酸素のピ−クが認められ、成膜直前の帯板
表面の清浄度が劣っていたものと考えられる。
の界面には炭素及び酸素はほとんど存在せず、清浄な表
面に被膜が形成されたと判断することができる。これに
対して、図４に示すように、比較例の場合には被膜の界
面に炭素及び酸素のピ−クが認められ、成膜直前の帯板
表面の清浄度が劣っていたものと考えられる。
【００２８】
【発明の効果】この発明によれば、密着性及び加工性に
優れた被膜を安定に成膜することができる金属帯板に対
する連続イオンプレーティング方法及び装置が提供され
る。
優れた被膜を安定に成膜することができる金属帯板に対
する連続イオンプレーティング方法及び装置が提供され
る。
【図１】この発明の一実施例に係る連続イオンプレーテ
ィング装置を示す概略構成図。
ィング装置を示す概略構成図。
【図２】この発明の他の実施例に係る連続イオンプレー
ティング装置を示す概略構成図。
ティング装置を示す概略構成図。
【図３】実施例の条件で形成した被膜の深さ方向の元素
分析結果を示す図。
分析結果を示す図。
【図４】比較例の条件で形成した被膜の深さ方向の元素
分析結果を示す図。
分析結果を示す図。
２，２２；予備加熱室、３，２３；イオンボンバ−ド
室、４，２４；差圧シ−ル室、５，２５；蒸着室、６，
２６；冷却室、１０，３０；帯板。
室、４，２４；差圧シ−ル室、５，２５；蒸着室、６，
２６；冷却室、１０，３０；帯板。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１１月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
Claims (2)
- 【請求項１】 連続的に走行する金属帯板に対して、前
処理としての予備加熱及びイオンボンバード処理を施し
た後、１室以上の差圧シール室を通過させ、続いて真空
中で帯板に対して連続的にイオンプレーティングする金
属帯板に対する連続イオンプレーティング方法であっ
て、帯板の差圧室通過時間を３分間以内とし、同時に帯
板が差圧室内を通過する際の全露出量を９×１０6 ラン
グミュア以下としたことを特徴とする金属帯板に対する
連続イオンプレーティング方法。 - 【請求項２】 金属帯板に対して予備加熱処理を施すた
めの予備加熱室と、予備加熱後の帯板に対してイオンボ
ンバード処理を施すためのイオンボンバード室と、イオ
ンボンバード処理後の帯板に対して真空中で連続的にイ
オンプレーティングを施すためのイオンプレーティング
室と、イオンボンバード室及びイオンプレーティング室
の間に設けられた少なくとも１室の差圧シール室とを有
し、金属帯板を連続的に走行させて連続的にイオンプレ
ーティングする金属帯板に対する連続イオンプレーティ
ング装置であって、帯板の走行速度をνｓ（ｍ／分）と
した場合に、差圧シール室内の帯板の通板長さＬ（ｍ）
が、 Ｌ≦３・νｓ を満足することを特徴とする金属帯板の連続イオンプレ
ーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4381092A JPH05239645A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 金属帯板に対する連続イオンプレーティング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4381092A JPH05239645A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 金属帯板に対する連続イオンプレーティング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05239645A true JPH05239645A (ja) | 1993-09-17 |
Family
ID=12674102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4381092A Pending JPH05239645A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 金属帯板に対する連続イオンプレーティング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05239645A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107779826A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-03-09 | 深圳市生波尔光电技术有限公司 | 电弧离子镀膜设备 |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4381092A patent/JPH05239645A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107779826A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-03-09 | 深圳市生波尔光电技术有限公司 | 电弧离子镀膜设备 |
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