JPH05235222A - ヒートシンクと半導体素子の接合方法 - Google Patents

ヒートシンクと半導体素子の接合方法

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Publication number
JPH05235222A
JPH05235222A JP3612192A JP3612192A JPH05235222A JP H05235222 A JPH05235222 A JP H05235222A JP 3612192 A JP3612192 A JP 3612192A JP 3612192 A JP3612192 A JP 3612192A JP H05235222 A JPH05235222 A JP H05235222A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
heat sink
jig
solder
heat
Prior art date
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Pending
Application number
JP3612192A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Umeda
修 梅田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu General Ltd
Original Assignee
Fujitsu General Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu General Ltd filed Critical Fujitsu General Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半田内部の気泡量を少なくするヒートシンクと
半導体素子の接合方法 【構成】 治具1の上の窪みの中に半田付けの面を上に
した半導体素子を挿入する。その上に半田ペレットを乗
せ、半田ペレットの上にヒートシンクを乗せた後に治具
5て固定位置決めする。このように構成したものを電気
炉を通過させるか、またはホットプレートを使用して約
330 °C 位の温度迄加熱して半田ペレットを溶融し半導
体素子とヒートシンクとを接合する。そのさいヒートシ
ンクの自重によって半田ペレット内部の気泡を外部に追
い出すことができるので、気泡による熱放散性の低下
や、熱ストレスの少ない安定なヒートシンクと半導体素
子の接合をおこなうことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はパワートランジスタなど
の半導体素子から発生する熱を、放散させるためのヒー
トシンクと半導体素子の接合方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】パワートランジスタなどの半導体素子は
きわめて熱に弱く、100 °C 以上の温度では機能を失っ
てしまうものが多い。このためこれら半導体素子から発
生した熱を外部に放散させて、素子が許容以上の温度に
達しないように、半導体素子とそれを塔載する基板との
間に付加冷却部品としてのヒートシンクを用いている。
半導体素子とヒートシンクとの接合には、融点が300 °
C 位の高温半田を用いて半田付けを行う。その際図3に
示すように治具Aの上にヒートシンクを乗せ、ヒートシ
ンクの上に半田を乗せ、半田の上に接合面を下向きにし
た半導体素子と、その位置ぎめをするための治具Bを乗
せて加熱していた。上記従来の方法においては、最上部
の半導体素子の重量が軽いため、半田付けの際に半田内
部の気泡が完全に外部に抜け切らず冷却後も半田内部に
留まり、この気泡のため半導体素子からヒートシンクへ
逃がそうとする熱の伝導率を低下させると共に、半導体
素子に対し不要なストレスを与えていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
方法において半田内部に留まった気泡による半導体素子
からヒートシンクへの熱放散効率の低下を改善するこ
と。また、気泡による半田内部の不均一性を除去し半導
体素子に対し不要なストレスを与えなくすることを目的
とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、下部治具の上に半導体素子を乗せ、同半導
体素子の上に半田を乗せ、同半田を介して半導体素子上
にヒートシンクを乗せ、上部治具により位置決めを行っ
た後加熱する事によって半導体素子とヒートシンクとを
半田ずけすることを特徴とする。
【0005】
【作用】以上のように構成したので、半田付けのさいヒ
ートシンクの重量のため半田内部の気泡を外部に追い出
すことができる。
【0006】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明による半導体素
子用ヒートシンクの接合方法を詳細に説明する。図1は
本発明による半田付け方法の説明図である。図におい
て、1は、窪みを入れた治具で、2は、この窪みに入れ
る半導体素子である。3は、半田付けのための半田ペレ
ットである。4は、ヒートシンクであり、5は、ヒート
シンクの位置決めを行う為の治具である。
【0007】以上のような構成において、次に接合の工
程を説明する。図2において、ステップ1にて下部治具
1を用意する。次に窪み11の中に半田付けの面を上に
した半導体素子を挿入する。ステップ3では、その上に
半田ペレット3を乗せ、ステップ4で、半田ペレットの
上にヒートシンクを乗せ、ステップ5で、治具5にて位
置決め固定する。以上のように組み合わせたものを、電
気炉のベルトコンベアに乗せ、電気炉内を通過させるこ
とにより約330 °C 位の温度迄加熱して半田ペレットを
溶融し半導体素子とヒートシンクとを接合する。電気炉
から出て来たのちに、治具5を取りはずし治具1から半
導体素子とヒートシンクとが接合されたものを取り出
す。
【0008】以上は、電気炉を使用した接合方法である
が、他に電気炉によらずホットプレートを使用する方法
もあるので、以下に説明する。半田ペレットが溶融しな
い程度の温度迄予めプリヒート(余熱)したホットプレ
ートの上の治具A上の窪みの中に半田付け面を上にした
半導体素子を挿入する。その上に半田ペレットを乗せ、
半田ペレットの上にヒートシンクを乗せた後に治具Bに
て固定する。以上のように組み立てたのちに、ホットプ
レートの温度を半田ペレットが溶融するまで上げる。半
導体素子とヒートシンクとの接合が完了するまでホット
プレートの温度を下げた後に、ホットプレートの上から
取りはずし、治具5を取りはずし治具1から半導体素子
とヒートシンクとが接合されたものを取り出す。
【0009】
【発明の効果】以上のように、本発明よれば半導体素子
とヒートシンクとの半田付けにおいて、ヒートシンクの
自重により半田内部に残留する気泡を追い出す事ができ
るので気泡による熱放散性の低下や、熱ストレスの少な
い安定なヒートシンクと半導体素子の接合を行う事が出
来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるヒートシンクと半導体素子の半田
付けされた図
【図2】本発明によるヒートシンクと半導体素子の半田
付けの工程図
【図3】従来のヒートシンクと半導体素子との半田付け
された図
【符号の説明】
1 治具1 2 半導体素子 3 半田 4 ヒートシンク 5 治具5

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下部治具の上に半導体素子を乗せ、同半
    導体素子の上に半田を乗せ、同半田を介して半導体素子
    上にヒートシンクを乗せ、上部治具により位置決めを行
    った後加熱する事によって半導体素子とヒートシンクと
    を半田ずけすることを特徴とするヒートシンクと半導体
    素子の接合方法。
JP3612192A 1992-02-24 1992-02-24 ヒートシンクと半導体素子の接合方法 Pending JPH05235222A (ja)

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JP3612192A JPH05235222A (ja) 1992-02-24 1992-02-24 ヒートシンクと半導体素子の接合方法

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JP3612192A JPH05235222A (ja) 1992-02-24 1992-02-24 ヒートシンクと半導体素子の接合方法

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Publication Number Publication Date
JPH05235222A true JPH05235222A (ja) 1993-09-10

Family

ID=12460953

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3612192A Pending JPH05235222A (ja) 1992-02-24 1992-02-24 ヒートシンクと半導体素子の接合方法

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JP (1) JPH05235222A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6755229B2 (en) * 2001-07-27 2004-06-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method for preparing high performance ball grid array board and jig applicable to said method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6755229B2 (en) * 2001-07-27 2004-06-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method for preparing high performance ball grid array board and jig applicable to said method

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