JPH05234137A - 水素化シリコン膜を設けた光情報記録媒体 - Google Patents
水素化シリコン膜を設けた光情報記録媒体Info
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- JPH05234137A JPH05234137A JP4069255A JP6925592A JPH05234137A JP H05234137 A JPH05234137 A JP H05234137A JP 4069255 A JP4069255 A JP 4069255A JP 6925592 A JP6925592 A JP 6925592A JP H05234137 A JPH05234137 A JP H05234137A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、静電気による塵の付着及びキズの
発生を防止した信頼性の高い光情報記録媒体の提供を目
的とする。 【構成】 少なくとも透明基板と記録層とからなる光情
報記録媒体において、該記録媒体の記録再生側表面に水
素化シリコン膜を設けたことを特徴とする光情報記録媒
体。
発生を防止した信頼性の高い光情報記録媒体の提供を目
的とする。 【構成】 少なくとも透明基板と記録層とからなる光情
報記録媒体において、該記録媒体の記録再生側表面に水
素化シリコン膜を設けたことを特徴とする光情報記録媒
体。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、レーザー光を用いて、情報の記
録、再生、消去を行う光情報記録媒体に関する。
録、再生、消去を行う光情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来技術】光情報記録媒体において記録層を支持する
基板はポリカーボネートやガラス、２Ｐ（フォトポリマ
ー）樹脂など、一般に誘電性の樹脂で形成されているた
め帯電しやすい。光情報記録媒体が帯電すると微少な塵
やゴミ等が静電気により記録媒体の読み取り面側表面に
付着して情報の再生及び記録の妨げになる。また帯電電
荷が電子回路の誤動作を誘発する原因ともなる。このよ
うな光情報記録媒体の帯電を防止する目的で、光情報記
録媒体の読み取り側表面に帯電防止膜を設けることが提
案されている。さらに基板表面に付着した塵を布などで
清掃した場合、ポリカーボネート基板などは表面硬度が
低いため、基板にキズが生じ情報の記録・再生に支障を
来すことになる。以上のように光情報記録媒体の読み取
り面側表面は帯電防止機能と高い表面硬度を兼ね備える
ことが好ましい。さらに入射レーザー光を有効に利用
し、再生出力を大きくするための反射防止機能を有する
ことも重要である。
基板はポリカーボネートやガラス、２Ｐ（フォトポリマ
ー）樹脂など、一般に誘電性の樹脂で形成されているた
め帯電しやすい。光情報記録媒体が帯電すると微少な塵
やゴミ等が静電気により記録媒体の読み取り面側表面に
付着して情報の再生及び記録の妨げになる。また帯電電
荷が電子回路の誤動作を誘発する原因ともなる。このよ
うな光情報記録媒体の帯電を防止する目的で、光情報記
録媒体の読み取り側表面に帯電防止膜を設けることが提
案されている。さらに基板表面に付着した塵を布などで
清掃した場合、ポリカーボネート基板などは表面硬度が
低いため、基板にキズが生じ情報の記録・再生に支障を
来すことになる。以上のように光情報記録媒体の読み取
り面側表面は帯電防止機能と高い表面硬度を兼ね備える
ことが好ましい。さらに入射レーザー光を有効に利用
し、再生出力を大きくするための反射防止機能を有する
ことも重要である。
【０００３】
【目的】そこで本発明は、このような従来技術の課題を
解決することを目的としてなされたもので、静電気によ
る塵の付着及びキズの発生を防止した信頼性の高い光情
報記録媒体を提供することを目的とする。
解決することを目的としてなされたもので、静電気によ
る塵の付着及びキズの発生を防止した信頼性の高い光情
報記録媒体を提供することを目的とする。
【０００４】
【構成】本発明は、少なくとも透明基板と記録層とから
なり、レーザーを照射し記録再生を行う光情報記録媒体
において、該記録媒体の記録再生側表面に帯電防止機能
・反射防止機能・高表面硬度を有する水素化シリコン膜
を設けることで、前記課題の解決を達成した。すなわ
ち、少なくとも透明基板と記録層とからなり、レーザー
光を照射し記録再生を行う光情報記録媒体において、該
記録媒体の記録再生側表面に光学ギャップが２．１ｅＶ
以上の水素化シリコン膜を設けたことを特徴とする光情
報記録媒体であり、また、好ましくは該水素化シリコン
膜が活性型の伝導率を示し、その値が室温で１×１０
-13Ｓ／ｃｍ以上であるものである。本発明において、
前記水素化シリコン膜は、少なくとも該記録媒体の記録
再生側の表面に設けることが必要であるが、その被処理
対象は前記表面に限らず、該媒体の他の大気に接触する
表面、例えば保護層に設けてもよい。さらに該媒体の中
間層、例えば下引層等に設けてもよく、このような中間
層に設ける場合には、該媒体製造時に発生する静電気を
防止できる。水素化シリコン膜を構成する水素化シリコ
ンは、シリコンと水素からなる無機材料で、水素含有量
と結合様式を変えることで、光学特性、電気特性、機械
特性をある程度任意に変えることができ、該膜は、好ま
しくはシランガスと水素ガスをＥＣＲプラズマＣＶＤ法
を用いて分解して形成できる。
なり、レーザーを照射し記録再生を行う光情報記録媒体
において、該記録媒体の記録再生側表面に帯電防止機能
・反射防止機能・高表面硬度を有する水素化シリコン膜
を設けることで、前記課題の解決を達成した。すなわ
ち、少なくとも透明基板と記録層とからなり、レーザー
光を照射し記録再生を行う光情報記録媒体において、該
記録媒体の記録再生側表面に光学ギャップが２．１ｅＶ
以上の水素化シリコン膜を設けたことを特徴とする光情
報記録媒体であり、また、好ましくは該水素化シリコン
膜が活性型の伝導率を示し、その値が室温で１×１０
-13Ｓ／ｃｍ以上であるものである。本発明において、
前記水素化シリコン膜は、少なくとも該記録媒体の記録
再生側の表面に設けることが必要であるが、その被処理
対象は前記表面に限らず、該媒体の他の大気に接触する
表面、例えば保護層に設けてもよい。さらに該媒体の中
間層、例えば下引層等に設けてもよく、このような中間
層に設ける場合には、該媒体製造時に発生する静電気を
防止できる。水素化シリコン膜を構成する水素化シリコ
ンは、シリコンと水素からなる無機材料で、水素含有量
と結合様式を変えることで、光学特性、電気特性、機械
特性をある程度任意に変えることができ、該膜は、好ま
しくはシランガスと水素ガスをＥＣＲプラズマＣＶＤ法
を用いて分解して形成できる。
【０００５】透明基板としては、ポリカーボネート、ア
クリル、エポキシ、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレー
ト）等の合成樹脂、ガラスまたは２Ｐ基板等が使用され
る。
クリル、エポキシ、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレー
ト）等の合成樹脂、ガラスまたは２Ｐ基板等が使用され
る。
【０００６】記録層としては、レーザー光の照射によ
り、記録層を変形、昇華、蒸発或いは変性させる等の手
段で、ピットを形成しデータを記録するもの、あるいは
光磁気を利用して記録するものが挙げられる。前者とし
ては、Ｔｅ，Ｂｉ，Ｍｎ等の金属層、シアニン、メロシ
アニン、フタロシアニン等の色素層があげられる。後者
の光磁気効果を用いた記録用材料としては、ＧｄＣｏ，
ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅ，ＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏ合金などがある。これらはいずれも非晶質であり、
膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもつ。該薄膜の形成は
スパッタあるいは電子ビーム蒸着等が使用できる。さら
に、その他の相変化等を利用した記録材料、例えば結晶
−非晶質間の相変化を利用した記録材料で形成した記録
層であってもよい。
り、記録層を変形、昇華、蒸発或いは変性させる等の手
段で、ピットを形成しデータを記録するもの、あるいは
光磁気を利用して記録するものが挙げられる。前者とし
ては、Ｔｅ，Ｂｉ，Ｍｎ等の金属層、シアニン、メロシ
アニン、フタロシアニン等の色素層があげられる。後者
の光磁気効果を用いた記録用材料としては、ＧｄＣｏ，
ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅ，ＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏ合金などがある。これらはいずれも非晶質であり、
膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもつ。該薄膜の形成は
スパッタあるいは電子ビーム蒸着等が使用できる。さら
に、その他の相変化等を利用した記録材料、例えば結晶
−非晶質間の相変化を利用した記録材料で形成した記録
層であってもよい。
【０００７】本発明の光情報記録媒体は、前記の透明基
板および記録層を基本的なものであるが、必要に応じ他
の層、例えば以下のような層を有していてもよい。基板
の片側あるいは両面、特に記録層が設けられる側の基板
表面には、平面性の改善、記録層との接着力の向上、断
熱効果による感度の向上および記録層の変質の防止など
の目的で、下塗層が設けられていてもよい。また、必要
に応じてプレグルーブ層が設けることができる。このプ
レグルーブ層は、例えば放射線硬化型樹脂を、電子線、
紫外線等を照射することにより形成できる。特に光磁気
効果を用いた記録用材料として、遷移金属と希土金属と
を組合せた膜（ＲＥ−ＴＭ膜）は酸化腐食を受け易く、
またＲＥ−ＴＭ膜自体の力−効果やファラデー効果とい
った磁気光学効果が大きくないため、ＲＥ−ＴＭ膜の片
面もしくは両面に、保護膜としてレーザ光に対して透明
で屈折率の大きい誘電体膜、すなわちエンハンスメント
膜の機能も有しているものを設けるのが好ましい。
板および記録層を基本的なものであるが、必要に応じ他
の層、例えば以下のような層を有していてもよい。基板
の片側あるいは両面、特に記録層が設けられる側の基板
表面には、平面性の改善、記録層との接着力の向上、断
熱効果による感度の向上および記録層の変質の防止など
の目的で、下塗層が設けられていてもよい。また、必要
に応じてプレグルーブ層が設けることができる。このプ
レグルーブ層は、例えば放射線硬化型樹脂を、電子線、
紫外線等を照射することにより形成できる。特に光磁気
効果を用いた記録用材料として、遷移金属と希土金属と
を組合せた膜（ＲＥ−ＴＭ膜）は酸化腐食を受け易く、
またＲＥ−ＴＭ膜自体の力−効果やファラデー効果とい
った磁気光学効果が大きくないため、ＲＥ−ＴＭ膜の片
面もしくは両面に、保護膜としてレーザ光に対して透明
で屈折率の大きい誘電体膜、すなわちエンハンスメント
膜の機能も有しているものを設けるのが好ましい。
【０００８】さらに、光情報記録媒体の反射率を高める
ために、反射膜として金属膜を設けるのが好ましく、例
えば、金、銀、アルミニウムあるいはこれらを含む合金
を、蒸着法、スパッタ法等の手段により形成することが
できる。
ために、反射膜として金属膜を設けるのが好ましく、例
えば、金、銀、アルミニウムあるいはこれらを含む合金
を、蒸着法、スパッタ法等の手段により形成することが
できる。
【０００９】また、反射膜上には耐衝撃性の優れた樹脂
によって形成される保護層を設けるのが望ましく、たと
えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法により塗布し、紫
外線を照射して硬化させることにより形成する。
によって形成される保護層を設けるのが望ましく、たと
えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法により塗布し、紫
外線を照射して硬化させることにより形成する。
【００１０】以下、図示の実施例に基づいて説明する。
図１は、記録層に光磁気記録磁性材料を用いた光磁気デ
ィスクを示している。但し、前記したように、本発明の
光情報記録媒体は、記録層に光磁気記録磁性材料を用い
る場合に限定されるものではない。透明基板１の上には
順に第１誘電体保護層２、光磁気記録層３、第２誘電体
保護層４、金属反射層５、有機保護膜６が形成され、他
方の面（読み取り面側表面）には高硬度と帯電防止機能
を備えた水素化シリコン膜７が形成されている。第１誘
電体保護層２、第２誘電体保護層４は光磁気記録層３を
Ｈ2Ｏ，Ｏ2等による酸化腐食から保護したり、力−回転
角のエンハンスメント効果のために設けられ、材料とし
てはＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ，Ｉｎ2Ｏ3等が使われる。光磁
気記録層３としてはＴｂＤｙＦｅＣｏ合金を用いること
が好ましいが、これに限定されるものではない。金属反
射層５は入射レーザー光を反射しエンハンスメント効果
をもたらすために設けられＡｌ，Ａｕ等の反射率の高い
金属が用いられる。有機保護膜６は金属反射層５以下に
積層された各層の腐食防止を行うもので、紫外線硬化型
樹脂、熱可塑性樹脂等が用いられる。
図１は、記録層に光磁気記録磁性材料を用いた光磁気デ
ィスクを示している。但し、前記したように、本発明の
光情報記録媒体は、記録層に光磁気記録磁性材料を用い
る場合に限定されるものではない。透明基板１の上には
順に第１誘電体保護層２、光磁気記録層３、第２誘電体
保護層４、金属反射層５、有機保護膜６が形成され、他
方の面（読み取り面側表面）には高硬度と帯電防止機能
を備えた水素化シリコン膜７が形成されている。第１誘
電体保護層２、第２誘電体保護層４は光磁気記録層３を
Ｈ2Ｏ，Ｏ2等による酸化腐食から保護したり、力−回転
角のエンハンスメント効果のために設けられ、材料とし
てはＳｉＮｘ，ＳｉＯｘ，Ｉｎ2Ｏ3等が使われる。光磁
気記録層３としてはＴｂＤｙＦｅＣｏ合金を用いること
が好ましいが、これに限定されるものではない。金属反
射層５は入射レーザー光を反射しエンハンスメント効果
をもたらすために設けられＡｌ，Ａｕ等の反射率の高い
金属が用いられる。有機保護膜６は金属反射層５以下に
積層された各層の腐食防止を行うもので、紫外線硬化型
樹脂、熱可塑性樹脂等が用いられる。
【００１１】
【実施例】表１に記載の各特性を示す水素化シリコン膜
を、光情報記録媒体の記録再生側の基板表面上に、ＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法を用い、以下の成膜条件で形成し
た。表１に各実施例で用いる水素化シリコン膜の各特性
を示す。成膜法はＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いてい
る。主な成膜条件は、 ＳｉＨ4 …１〜４ｓｃｃｍ Ｈ2 …４〜８ｓｃｃｍ 圧 力 …２．５Ｅ−４〜７．３Ｅ−４ Ｔｏｒｒ パワー …４００〜６００Ｗ 基板温度…７５〜１５０℃ 表面での反射を防止するために膜厚をコントロールして
決めている。実施例１から実施例３における光磁気記録
媒体の各構成は、表２に記載の構成のものである。第１
誘電体保護層２として、屈折率２．２０のシリコン窒化
膜を９００Ａ、光磁気記録層３としてＤｙ15Ｔｂ7Ｆｅ
70Ｃｏ8を２００Ａ、第２誘電体保護層４として、屈折
率２．２０のシリコン窒化膜を３００Ａ、金属反射膜５
としてアルミニウムを５００Ａ、紫外線硬化型樹脂６を
１μｍを積層している。以上のようにして作製した光磁
気記録媒体について反射率、表面硬度、及び塵あい試験
前後のＢＥＲ（ビットエラー率）を評価し、その結果を
表３に示す。比較例として、水素化シリコン膜を設けて
いない表２に記載の構成を有する光情報記録媒体につい
て、同様の評価試験を行い、表３に示す。 （以下余白）
を、光情報記録媒体の記録再生側の基板表面上に、ＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法を用い、以下の成膜条件で形成し
た。表１に各実施例で用いる水素化シリコン膜の各特性
を示す。成膜法はＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いてい
る。主な成膜条件は、 ＳｉＨ4 …１〜４ｓｃｃｍ Ｈ2 …４〜８ｓｃｃｍ 圧 力 …２．５Ｅ−４〜７．３Ｅ−４ Ｔｏｒｒ パワー …４００〜６００Ｗ 基板温度…７５〜１５０℃ 表面での反射を防止するために膜厚をコントロールして
決めている。実施例１から実施例３における光磁気記録
媒体の各構成は、表２に記載の構成のものである。第１
誘電体保護層２として、屈折率２．２０のシリコン窒化
膜を９００Ａ、光磁気記録層３としてＤｙ15Ｔｂ7Ｆｅ
70Ｃｏ8を２００Ａ、第２誘電体保護層４として、屈折
率２．２０のシリコン窒化膜を３００Ａ、金属反射膜５
としてアルミニウムを５００Ａ、紫外線硬化型樹脂６を
１μｍを積層している。以上のようにして作製した光磁
気記録媒体について反射率、表面硬度、及び塵あい試験
前後のＢＥＲ（ビットエラー率）を評価し、その結果を
表３に示す。比較例として、水素化シリコン膜を設けて
いない表２に記載の構成を有する光情報記録媒体につい
て、同様の評価試験を行い、表３に示す。 （以下余白）
【表１】
【表２】 １）表１の実施例１の水素化シリコン膜 ２）表１の実施例２の水素化シリコン膜 ３）表１の実施例３の水素化シリコン膜 （以下余白）
【表３】
【００１２】
【効果】本発明の光情報記録媒体は、帯電防止効果を持
つ水素化シリコン膜をその表面、特に記録再生側の基板
表面に設けることで、記録媒体表面への塵あい付着を防
止することができ、かつ、布などで表面を清掃してもデ
ィスクを損傷する可能性が低減できる。
つ水素化シリコン膜をその表面、特に記録再生側の基板
表面に設けることで、記録媒体表面への塵あい付着を防
止することができ、かつ、布などで表面を清掃してもデ
ィスクを損傷する可能性が低減できる。
【図１】本発明の光情報記録媒体の１構成例の断面図を
モデル的に示す図である。
モデル的に示す図である。
１ 透明基板 ２ 第１誘電体保護層 ３ 光磁気記録層 ４ 第２誘電体保護層 ５ 金属反射層 ６ 有機保護膜 ７ 水素化シリコン膜
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも透明基板と記録層とからなる
光情報記録媒体において、該記録媒体の記録再生側表面
に水素化シリコン膜を設けたことを特徴とする光情報記
録媒体。 - 【請求項２】 少なくとも透明基板と記録層とからなる
光情報記録媒体において、少なくとも該記録媒体の大気
に接触する表面に水素化シリコン膜を設けたことを特徴
とする光情報記録媒体。 - 【請求項３】 水素化シリコン膜が、２．１ｅＶ以上の
光学ギャップを有するものである請求項１または２記載
の光情報記録媒体。 - 【請求項４】 水素化シリコン膜が、活性型の伝導率を
示し、その値が室温で１×１０-13Ｓ／ｃｍ以上であ
り、かつ光学ギャップが２．１ｅＶ以上である請求項１
または２記載の光情報記録媒体。 - 【請求項５】 水素化シリコン膜が、シランガスと水素
ガスをＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いて分解して膜形成
を行ったものである請求項１または２記載の光情報記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04069255A JP3115088B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 水素化シリコン膜を設けた光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04069255A JP3115088B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 水素化シリコン膜を設けた光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234137A true JPH05234137A (ja) | 1993-09-10 |
| JP3115088B2 JP3115088B2 (ja) | 2000-12-04 |
Family
ID=13397437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04069255A Expired - Fee Related JP3115088B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 水素化シリコン膜を設けた光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3115088B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112002782A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-11-27 | 河南师范大学 | 一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度光电传感器 |
-
1992
- 1992-02-18 JP JP04069255A patent/JP3115088B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112002782A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-11-27 | 河南师范大学 | 一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度光电传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3115088B2 (ja) | 2000-12-04 |
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Legal Events
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