JP2972901B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JP2972901B2 JP2972901B2 JP3166463A JP16646391A JP2972901B2 JP 2972901 B2 JP2972901 B2 JP 2972901B2 JP 3166463 A JP3166463 A JP 3166463A JP 16646391 A JP16646391 A JP 16646391A JP 2972901 B2 JP2972901 B2 JP 2972901B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magneto
- thin film
- thickness
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光を用いて磁
気記録を行い、磁気カー効果を利用して記録情報の読出
しを行うキュリー点書込タイプの光磁気記録媒体に関す
る。
気記録を行い、磁気カー効果を利用して記録情報の読出
しを行うキュリー点書込タイプの光磁気記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は垂直磁気記録と磁気光
学効果（カー効果等）を利用するもので、従来の光記録
媒体と同様にレーザー光を用いて情報の記録、再生を行
うため記録容量が大きく、その上書き換えが可能であ
る。さらにヘッドと媒体が非接触で記録再生を行うこと
ができ、塵埃の影響を受けないための安定性にも優れて
いる。この光磁気記録媒体は、現在盛んに研究されてお
り、文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コン
ピュータ用メモリ等への利用あるいはフロッピーディス
ク、ハードディスクの代替が期待され、既に商品化が行
われている。
学効果（カー効果等）を利用するもので、従来の光記録
媒体と同様にレーザー光を用いて情報の記録、再生を行
うため記録容量が大きく、その上書き換えが可能であ
る。さらにヘッドと媒体が非接触で記録再生を行うこと
ができ、塵埃の影響を受けないための安定性にも優れて
いる。この光磁気記録媒体は、現在盛んに研究されてお
り、文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コン
ピュータ用メモリ等への利用あるいはフロッピーディス
ク、ハードディスクの代替が期待され、既に商品化が行
われている。
【０００３】従来の光磁気記録媒体は一般に透明基板上
に第１の透明薄膜、磁性薄膜、第２の透明薄膜及び反射
膜を順次積層した構成をとっている。このような構成で
は、再生出力の目安としてＦＯＭ（Figure Of Merit）
なる量が定義されており、その定義式はＦＯＭ＝Ｒ・si
n θk）である。Ｒは媒体からの反射光の反射率を示
し、θkはカー回転角の大きさである。したがって、再
生出力を大きくするには、ＦＯＭを大きくできるように
Ｒ及びθｋを大きくすることが重要である。そのために
は、第１の透明薄膜と磁性薄膜との間で光の多重効果を
利用してカー回転角をエンハンス（増大）させる方法が
とられ、公知技術となっている。また、磁性薄膜を光が
透過できる程度に薄くし、ファラデー効果をカー効果に
重量させる方法も併せてとられている。
に第１の透明薄膜、磁性薄膜、第２の透明薄膜及び反射
膜を順次積層した構成をとっている。このような構成で
は、再生出力の目安としてＦＯＭ（Figure Of Merit）
なる量が定義されており、その定義式はＦＯＭ＝Ｒ・si
n θk）である。Ｒは媒体からの反射光の反射率を示
し、θkはカー回転角の大きさである。したがって、再
生出力を大きくするには、ＦＯＭを大きくできるように
Ｒ及びθｋを大きくすることが重要である。そのために
は、第１の透明薄膜と磁性薄膜との間で光の多重効果を
利用してカー回転角をエンハンス（増大）させる方法が
とられ、公知技術となっている。また、磁性薄膜を光が
透過できる程度に薄くし、ファラデー効果をカー効果に
重量させる方法も併せてとられている。
【０００４】一方、光磁気記録媒体において磁性薄膜を
支持する基板はポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂等
のプラスチックやガラス等、一般に誘電性の材料で形成
される。このため光磁気記録媒体は一般に帯電しやす
い。光磁気記録媒体が帯電すると、微小な塵が静電気に
より外表面部に付着して情報の書込みや読出しの妨げに
なるし、帯電電荷が電子回路の誤動作の原因と成ったり
する。このような光磁気記録媒体の帯電を防止する目的
で光磁気記録媒体の外表面部分に帯電防止膜を設けるこ
とが提案されている。
支持する基板はポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂等
のプラスチックやガラス等、一般に誘電性の材料で形成
される。このため光磁気記録媒体は一般に帯電しやす
い。光磁気記録媒体が帯電すると、微小な塵が静電気に
より外表面部に付着して情報の書込みや読出しの妨げに
なるし、帯電電荷が電子回路の誤動作の原因と成ったり
する。このような光磁気記録媒体の帯電を防止する目的
で光磁気記録媒体の外表面部分に帯電防止膜を設けるこ
とが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、情報処
理の高速化、ハードディスク等の代替に充分対応しうる
ためには、記録感度が良好で媒体性能指数ＦＯＭがより
高く、かつ帯電による上記のような不具合がないことが
望まれる。
理の高速化、ハードディスク等の代替に充分対応しうる
ためには、記録感度が良好で媒体性能指数ＦＯＭがより
高く、かつ帯電による上記のような不具合がないことが
望まれる。
【０００６】そこで本発明は、このような従来技術の実
情に鑑みてなされたもので、磁気光学特性が充分確保さ
れると共に帯電防止特性及び信頼性が得られ、情報処理
の高速化、ハードディスク等の代替に充分対応しうる光
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
情に鑑みてなされたもので、磁気光学特性が充分確保さ
れると共に帯電防止特性及び信頼性が得られ、情報処理
の高速化、ハードディスク等の代替に充分対応しうる光
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、透明基板の一方の面上に少なくと
も第１の透明薄膜、垂直磁気異方性を有する磁性薄膜、
第２の透明薄膜及び反射膜を順次形成するとともに、他
方の面上に反射防止膜を形成してなり、第１の透明薄膜
及び第２の透明薄膜の少なくとも一方がＩｎ2Ｏ3膜、Ｉ
ＴＯ膜、ＳｎＯ2膜及びＺｎＯ膜のうちいずれかの膜か
らなり、磁性薄膜がＴｂＤｙＦｅＣｏ膜又はＧｄＤｙＦ
ｅＣｏ膜からなり、反射防止膜が１層以上の透明導電膜
を含むことを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
め、本発明によれば、透明基板の一方の面上に少なくと
も第１の透明薄膜、垂直磁気異方性を有する磁性薄膜、
第２の透明薄膜及び反射膜を順次形成するとともに、他
方の面上に反射防止膜を形成してなり、第１の透明薄膜
及び第２の透明薄膜の少なくとも一方がＩｎ2Ｏ3膜、Ｉ
ＴＯ膜、ＳｎＯ2膜及びＺｎＯ膜のうちいずれかの膜か
らなり、磁性薄膜がＴｂＤｙＦｅＣｏ膜又はＧｄＤｙＦ
ｅＣｏ膜からなり、反射防止膜が１層以上の透明導電膜
を含むことを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
【０００８】以下本発明の構成を図面に従い詳述する。
図１は本発明による光磁気記録媒体の構成例を示す断面
図で、透明基板１上に第１の透明薄膜２、磁性薄膜３、
第２の透明薄膜４、反射膜５及びカバー層６を設けると
ともに、反射側の基板上に反射防止膜７を設けた構造を
有している。勿論、本発明はこの構成例に限定されるも
のではなく、種々の変形、変更が可能である。
図１は本発明による光磁気記録媒体の構成例を示す断面
図で、透明基板１上に第１の透明薄膜２、磁性薄膜３、
第２の透明薄膜４、反射膜５及びカバー層６を設けると
ともに、反射側の基板上に反射防止膜７を設けた構造を
有している。勿論、本発明はこの構成例に限定されるも
のではなく、種々の変形、変更が可能である。
【０００９】基板１には光透過性に優れるポリカーボネ
ート（ＰＣ）やガラスもしくは２Ｐ（フォトポリマー）
基板を使用する。
ート（ＰＣ）やガラスもしくは２Ｐ（フォトポリマー）
基板を使用する。
【００１０】基板１上に設ける第１の透明薄膜２は磁性
薄膜３を外界の湿気（つまり水分）などによる腐食から
防止するパッシベーション効果と、磁性薄膜３の反射カ
ー回転角を光の多重反射により増大させるエンハンスメ
ント効果を有する必要がある。このため、第１の透明薄
膜２としては，屈折率ｎを大きくでき、しかもパッシベ
ーション効果も十分であるＳｉＮ，Ｉｎ2Ｏ3，ＩＴＯ、
ＳｎＯ2，ＺｎＯ等が好ましく使用される。第１の透明
薄膜２の膜厚は６００〜１２００Åが適当である。
薄膜３を外界の湿気（つまり水分）などによる腐食から
防止するパッシベーション効果と、磁性薄膜３の反射カ
ー回転角を光の多重反射により増大させるエンハンスメ
ント効果を有する必要がある。このため、第１の透明薄
膜２としては，屈折率ｎを大きくでき、しかもパッシベ
ーション効果も十分であるＳｉＮ，Ｉｎ2Ｏ3，ＩＴＯ、
ＳｎＯ2，ＺｎＯ等が好ましく使用される。第１の透明
薄膜２の膜厚は６００〜１２００Åが適当である。
【００１１】磁性薄膜３の構成材料としては、ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏもしくはＧｄＤｙＦｅＣｏを用いるが、下記の
条件を満足することが望ましい。 （イ）希土類金属の組成比が２１〜２６ａｔ％であるこ
と。 （ロ）キュリー点が１３０〜２００℃であること。
ＦｅＣｏもしくはＧｄＤｙＦｅＣｏを用いるが、下記の
条件を満足することが望ましい。 （イ）希土類金属の組成比が２１〜２６ａｔ％であるこ
と。 （ロ）キュリー点が１３０〜２００℃であること。
【００１２】前記（イ）に示す希土類金属の範囲は、補
償組成に対し希土類金属が低濃度側にある。希土類金属
の組成比が上記範囲内であると他の条件とあいまって高
感度化が図れるとともにジッターを少なくする事ができ
る。又、キュリー点は高感度化の点から上記（ロ）の範
囲にあるのが好ましい。磁性膜３の膜厚は１５０〜３０
０Å程度が適当である。
償組成に対し希土類金属が低濃度側にある。希土類金属
の組成比が上記範囲内であると他の条件とあいまって高
感度化が図れるとともにジッターを少なくする事ができ
る。又、キュリー点は高感度化の点から上記（ロ）の範
囲にあるのが好ましい。磁性膜３の膜厚は１５０〜３０
０Å程度が適当である。
【００１３】第２の透明薄膜４は磁性薄膜３の腐食劣化
を防止するために設けられるもので、パッシベーション
効果が十分大きいＳｉＮ，Ｉｎ2Ｏ3，ＩＴＯ，Ｓｎ
Ｏ2，ＺｎＯ等が用いられ、膜厚は２００〜５００Å程
度が適当である。
を防止するために設けられるもので、パッシベーション
効果が十分大きいＳｉＮ，Ｉｎ2Ｏ3，ＩＴＯ，Ｓｎ
Ｏ2，ＺｎＯ等が用いられ、膜厚は２００〜５００Å程
度が適当である。
【００１４】反射膜５は磁気光学効果のエンハンスメン
トのために設けられるもので、Ａ１、Ａｕ等の反射率の
大きい材料が用いられ、膜厚は３００〜８００Å程度が
適当である。
トのために設けられるもので、Ａ１、Ａｕ等の反射率の
大きい材料が用いられ、膜厚は３００〜８００Å程度が
適当である。
【００１５】カバー層６は反射膜５以下の層の酸化腐食
の防止と損傷防止のために設けられるもので、紫外線硬
化型樹脂、熱可塑性樹脂、ホットメルトレジン等が用い
られ、膜厚は１〜１００μｍ程度が適当である。
の防止と損傷防止のために設けられるもので、紫外線硬
化型樹脂、熱可塑性樹脂、ホットメルトレジン等が用い
られ、膜厚は１〜１００μｍ程度が適当である。
【００１６】反射防止膜７の構造は、従来光学部品等に
おいて広く行われている反射防止膜の設計理論に則り、
それぞれ独自の屈折率を持つフッ化マグネシウム、一酸
化珪素、二酸化珪素、酸化チタン、酸化セリウム、酸化
アルミニウム等、従来の光学部品の反射防止膜として用
いられている透明絶縁性材料による膜と、ｎ＝２前後の
屈折率をもつＩｎ2Ｏ3，ＩＴＯ，ＳｎＯ2，ＺｎＯ等の
無機材料による透明導電膜とを組合せて構成する。図２
に反射防止膜７の構成例を示す。透明導電膜Ａと反射防
止膜Ｂ，Ｂ’とにより３層に構成されている。反射防止
膜Ｂ，Ｂ’は低屈折率薄膜であり、膜厚はλ／４（λは
レーザー波長）である。透明導電膜Ａは高屈折率薄膜で
あり、膜厚はλ／２である。
おいて広く行われている反射防止膜の設計理論に則り、
それぞれ独自の屈折率を持つフッ化マグネシウム、一酸
化珪素、二酸化珪素、酸化チタン、酸化セリウム、酸化
アルミニウム等、従来の光学部品の反射防止膜として用
いられている透明絶縁性材料による膜と、ｎ＝２前後の
屈折率をもつＩｎ2Ｏ3，ＩＴＯ，ＳｎＯ2，ＺｎＯ等の
無機材料による透明導電膜とを組合せて構成する。図２
に反射防止膜７の構成例を示す。透明導電膜Ａと反射防
止膜Ｂ，Ｂ’とにより３層に構成されている。反射防止
膜Ｂ，Ｂ’は低屈折率薄膜であり、膜厚はλ／４（λは
レーザー波長）である。透明導電膜Ａは高屈折率薄膜で
あり、膜厚はλ／２である。
【００１７】
【実施例】次に本発明を実施例により更に詳しく説明す
る。
る。
【００１８】実施例１ ポリカーボネート基板上に、ＳｉＮ膜を１０００Å厚、
ＴｂＤｙＦｅＣｏ膜を２００Å厚、Ｉｎ２Ｏ３膜を３５
０Å厚、Ａｌ膜を５００Å厚に順次形成したのち、その
上に紫外線硬化樹脂（商品名ＳＤ３０１：大日本インキ
社製）を４μｍ厚に形成した。また、反対側の基板面上
にＳｉＯ膜（λ／４厚）、ＩＴＯ膜（λ／２厚）及びＳ
ｉＯ２膜（λ／４厚）からなる３層の反射防止膜を設
け、本発明の光磁気ディスクとした。ここでλ／４厚、
λ／２厚とは光学的膜厚ｎｄ（ｎ：屈折率、ｄ：膜厚）
を示す。紫外線化樹脂からなるカバー層はスピナーによ
り形成し、それ以外の膜はスパッタ又は蒸着により形成
した。
ＴｂＤｙＦｅＣｏ膜を２００Å厚、Ｉｎ２Ｏ３膜を３５
０Å厚、Ａｌ膜を５００Å厚に順次形成したのち、その
上に紫外線硬化樹脂（商品名ＳＤ３０１：大日本インキ
社製）を４μｍ厚に形成した。また、反対側の基板面上
にＳｉＯ膜（λ／４厚）、ＩＴＯ膜（λ／２厚）及びＳ
ｉＯ２膜（λ／４厚）からなる３層の反射防止膜を設
け、本発明の光磁気ディスクとした。ここでλ／４厚、
λ／２厚とは光学的膜厚ｎｄ（ｎ：屈折率、ｄ：膜厚）
を示す。紫外線化樹脂からなるカバー層はスピナーによ
り形成し、それ以外の膜はスパッタ又は蒸着により形成
した。
【００１９】実施例２〜５ 実施例１と同様にして表１に示す構成の光磁気ディスク
を得た。なお、表１中、ガラス２Ｐはガラス基板上に溝
付き２Ｐ樹脂層を形成したものである。
を得た。なお、表１中、ガラス２Ｐはガラス基板上に溝
付き２Ｐ樹脂層を形成したものである。
【００２０】
【表１】
【００２１】比較例１ ポリカーボネート基板上に、ＳｉＮ膜を１２００Å厚、
ＴｂＦｅＣｏ膜を２５０Å厚、ＳｉＮ膜を３５０Å厚、
Ａｌ膜を６００Å厚に順次形成した後、実施例１と同様
の紫外線硬化樹脂を４μｍ厚に形成するとともに反対側
の基板面上にはエポキシ系紫外線硬化樹脂（膜厚４μ
ｍ）のみからなる反射防止膜を形成し、比較例の光磁気
ディスクとした。
ＴｂＦｅＣｏ膜を２５０Å厚、ＳｉＮ膜を３５０Å厚、
Ａｌ膜を６００Å厚に順次形成した後、実施例１と同様
の紫外線硬化樹脂を４μｍ厚に形成するとともに反対側
の基板面上にはエポキシ系紫外線硬化樹脂（膜厚４μ
ｍ）のみからなる反射防止膜を形成し、比較例の光磁気
ディスクとした。
【００２２】比較例２ ポリカーボネート基板上にＳｉＮ膜を１０００Å厚、Ｔ
ｂＦｅＣｏ膜を２５０Å厚、ＳｉＮ膜を３００Å厚、Ａ
ｌ膜を５００Å厚に順次形成したのち、その上に紫外線
硬化樹脂を４μｍ厚に形成した。また反対側の基板面上
にＳｉＯ膜（λ／４厚）、Ｉｎ２Ｏ３（λ／２厚）及び
ＳｉＯ２膜（λ／４厚）からなる３層の反射防止膜を形
成し、比較例の光磁気ディスクとした。ここでλ／４
厚、λ／２厚とは光学的膜厚ｎｄ（ｎ：屈折率、ｄ：膜
厚）を示す。
ｂＦｅＣｏ膜を２５０Å厚、ＳｉＮ膜を３００Å厚、Ａ
ｌ膜を５００Å厚に順次形成したのち、その上に紫外線
硬化樹脂を４μｍ厚に形成した。また反対側の基板面上
にＳｉＯ膜（λ／４厚）、Ｉｎ２Ｏ３（λ／２厚）及び
ＳｉＯ２膜（λ／４厚）からなる３層の反射防止膜を形
成し、比較例の光磁気ディスクとした。ここでλ／４
厚、λ／２厚とは光学的膜厚ｎｄ（ｎ：屈折率、ｄ：膜
厚）を示す。
【００２３】以上のようにして作製した光磁気ディスク
について、反射率（Ｒ）、カー回転角（θk）、Ｃ／
Ｎ、キュリー温度（Ｔc）及び表面抵抗を測定するとと
もに、ヒートショック試験（Ｚ／ＡＤ試験：電子部品が
高い相対湿度の下で温度変化を受けるような状態で使用
及び貯蔵する場合の適性を短時間で判定するための試験
で、ＪＩＳの規格として判定されている）を行った。こ
れらの結果を表２に示す。なお、Ｃ／Ｎ測定の記録再生
条件は以下の通りである。 記録レーザーパワー：１０ｍＷ以下（λ＝７７０〜８５
０ｎｍ） ディスク回転数：３６００ｒｐｍ 線 速：２２．６ｍ／ｓｅｃ 記録周波数のデューティ比：２０〜５０％
について、反射率（Ｒ）、カー回転角（θk）、Ｃ／
Ｎ、キュリー温度（Ｔc）及び表面抵抗を測定するとと
もに、ヒートショック試験（Ｚ／ＡＤ試験：電子部品が
高い相対湿度の下で温度変化を受けるような状態で使用
及び貯蔵する場合の適性を短時間で判定するための試験
で、ＪＩＳの規格として判定されている）を行った。こ
れらの結果を表２に示す。なお、Ｃ／Ｎ測定の記録再生
条件は以下の通りである。 記録レーザーパワー：１０ｍＷ以下（λ＝７７０〜８５
０ｎｍ） ディスク回転数：３６００ｒｐｍ 線 速：２２．６ｍ／ｓｅｃ 記録周波数のデューティ比：２０〜５０％
【００２４】
【表２】
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、前記構成としたので以
下のような効果が得られる。 磁性薄膜をＴｂＤｙＦｅＣｏ又はＧｄＤｙＦｅＣｏ
で形成しているので、キュリー温度が低いため記録感度
が向上し、かつ反射防止膜を形成する事で反射率（Ｒ）
が増加し、かつ磁気光学効果のエンハンスメントが大き
くなり、カー回転角（θk）が増加する。したがって、
メディア性能指数ＦＯＭが向上し、Ｃ／Ｎが向上する。 第１及び第２の透明薄膜のうちの少なくとも一方を
ＩＴＯ，Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2又はＺｎＯで形成する事で
反射率（Ｒ）が増加し、メディア性能指数ＦＯＭが向上
し、Ｃ／Ｎが向上し、しかもこれらの材料は耐環境性が
良いので信頼性が向上する。 反射防止膜が一層以上の透明導電膜を含む事で帯電
防止効果と反射防止効果を兼ね備えたものとなり、かつ
これらに使用される材料は耐環境性が良いので信頼性が
向上する。
下のような効果が得られる。 磁性薄膜をＴｂＤｙＦｅＣｏ又はＧｄＤｙＦｅＣｏ
で形成しているので、キュリー温度が低いため記録感度
が向上し、かつ反射防止膜を形成する事で反射率（Ｒ）
が増加し、かつ磁気光学効果のエンハンスメントが大き
くなり、カー回転角（θk）が増加する。したがって、
メディア性能指数ＦＯＭが向上し、Ｃ／Ｎが向上する。 第１及び第２の透明薄膜のうちの少なくとも一方を
ＩＴＯ，Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2又はＺｎＯで形成する事で
反射率（Ｒ）が増加し、メディア性能指数ＦＯＭが向上
し、Ｃ／Ｎが向上し、しかもこれらの材料は耐環境性が
良いので信頼性が向上する。 反射防止膜が一層以上の透明導電膜を含む事で帯電
防止効果と反射防止効果を兼ね備えたものとなり、かつ
これらに使用される材料は耐環境性が良いので信頼性が
向上する。
【図１】本発明による光磁気記録媒体の構成例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】反射防止膜の構成例を示す断面図である。
１ 透明基板 ２ 第１の透明薄膜 ３ 磁性薄膜 ４ 第２の透明薄膜 ５ 反射膜 ６ カバー層 ７ 反射防止膜 Ａ 透明導電膜 Ｂ，Ｂ’ 反射防止膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中沢 政志 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 金子 裕治郎 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 宮本 功 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 吉尾 利彦 鳥取県鳥取市北村10−３ リコーマイク ロエレクトロニクス株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−280054（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−209750（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−279446（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−34140（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−175639（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 521 G11B 7/24 535 G11B 7/24 534 G11B 7/24 538
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板の一方の面上に少なくとも第１
の透明薄膜、垂直磁気異方性を有する磁性薄膜、第２の
透明薄膜及び反射膜を順次形成するとともに、他方の面
上に反射防止膜を形成してなり、第１の透明薄膜及び第
２の透明薄膜の少なくとも一方がＩｎ2Ｏ3膜、ＩＴＯ
膜、ＳｎＯ2膜及びＺｎＯ膜のうちいずれかの膜からな
り、磁性薄膜がＴｂＤｙＦｅＣｏ膜又はＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ膜からなり、反射防止膜が１層以上の透明導電膜を含
むことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3166463A JP2972901B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3166463A JP2972901B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04364247A JPH04364247A (ja) | 1992-12-16 |
| JP2972901B2 true JP2972901B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=15831868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3166463A Expired - Fee Related JP2972901B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2972901B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-11 JP JP3166463A patent/JP2972901B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04364247A (ja) | 1992-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4414650A (en) | Magneto-optic memory element | |
| US5251202A (en) | Optical information recording medium having multi-layered structures for preventing undesired reflection and electric charging | |
| KR920007318B1 (ko) | 광메모리소자 | |
| JPH0430098B2 (ja) | ||
| JP2972901B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0263262B2 (ja) | ||
| JP2622206B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| EP0475452B1 (en) | Use of a quasi-amorphous or amorphous zirconia dielectric layer for optical or magneto-optic data storage media | |
| JP2921590B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0479076B2 (ja) | ||
| JP2001110104A (ja) | 高伝導性の平滑な反射体層を備えた光磁気データ記憶ディスク | |
| JP2815245B2 (ja) | 光記録素子 | |
| JP3000400B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2801984B2 (ja) | 磁気光学記憶素子 | |
| JP2814601B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3115088B2 (ja) | 水素化シリコン膜を設けた光情報記録媒体 | |
| JP2959645B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH04172639A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH04295646A (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH05114167A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH05258370A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3421875B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2787070B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2908911B2 (ja) | 磁気光学記憶素子 | |
| JP2960767B2 (ja) | 光磁気記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |