JPH05225630A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH05225630A JPH05225630A JP2643692A JP2643692A JPH05225630A JP H05225630 A JPH05225630 A JP H05225630A JP 2643692 A JP2643692 A JP 2643692A JP 2643692 A JP2643692 A JP 2643692A JP H05225630 A JPH05225630 A JP H05225630A
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- JP
- Japan
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- film
- protective film
- protective
- recording
- magneto
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ヘッドが接触して記録膜を損傷するヘッ
ドクラッシュから記録膜を保護するための強度と、コン
タクトスタートストップ時の磁気ヘッドとの摩擦および
吸着を軽減するための潤滑性の双方を満足させる保護膜
を有する光磁気ディスクを提供する。 【構成】 基板の記録膜側表面に誘電体からなる保護膜
を有し、該保護膜が記録膜側から第１の保護膜および第
１の保護膜よりも表面粗さが大きい第２の保護膜の２層
膜から形成されており、該保護膜表面に潤滑剤が塗布さ
れている光磁気ディスク。
ドクラッシュから記録膜を保護するための強度と、コン
タクトスタートストップ時の磁気ヘッドとの摩擦および
吸着を軽減するための潤滑性の双方を満足させる保護膜
を有する光磁気ディスクを提供する。 【構成】 基板の記録膜側表面に誘電体からなる保護膜
を有し、該保護膜が記録膜側から第１の保護膜および第
１の保護膜よりも表面粗さが大きい第２の保護膜の２層
膜から形成されており、該保護膜表面に潤滑剤が塗布さ
れている光磁気ディスク。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板の記録膜側に対向し
てある磁気ヘッドに情報信号に対応する磁界を与えつつ
基板を通じてレーザー光を照射して重ね書きを行う光磁
気ディスクに関わり、特に記録膜を保護する強固で潤滑
性の良好な保護膜に関する。
てある磁気ヘッドに情報信号に対応する磁界を与えつつ
基板を通じてレーザー光を照射して重ね書きを行う光磁
気ディスクに関わり、特に記録膜を保護する強固で潤滑
性の良好な保護膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光磁気ディスクでは記録された情
報を書き換える際に消去のプロセスが必要であり、この
ためにディスクを余分に１回転させねばならず、記録の
際の情報の転送レートが小さいという問題を有する。こ
れを解決するために、近年、重ね書きの研究が盛んであ
るが、この中でも浮上磁気ヘッドを用いた磁界変調法に
よる重ね書きの方法が実用化に最も近いと言われてい
る。
報を書き換える際に消去のプロセスが必要であり、この
ためにディスクを余分に１回転させねばならず、記録の
際の情報の転送レートが小さいという問題を有する。こ
れを解決するために、近年、重ね書きの研究が盛んであ
るが、この中でも浮上磁気ヘッドを用いた磁界変調法に
よる重ね書きの方法が実用化に最も近いと言われてい
る。
【０００３】ところで、浮上磁気ヘッドを用いる場合に
は磁気ヘッドと誘電体膜または反射膜との距離が数μｍ
であるため磁気ヘッドが接触し記録膜を損傷するヘッド
クラッシュが生じる可能性がある。そこで、このヘッド
クラッシュによる記録膜の損傷を防止するために、数μ
ｍから数十μｍのアルミナを含有した樹脂層からなる保
護膜を形成することが提案されている（特開昭６４−３
００４１号公報）。
は磁気ヘッドと誘電体膜または反射膜との距離が数μｍ
であるため磁気ヘッドが接触し記録膜を損傷するヘッド
クラッシュが生じる可能性がある。そこで、このヘッド
クラッシュによる記録膜の損傷を防止するために、数μ
ｍから数十μｍのアルミナを含有した樹脂層からなる保
護膜を形成することが提案されている（特開昭６４−３
００４１号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な樹脂層からなる保護膜を形成する際には、原料樹脂や
原料アルミナ中の異物および塗布形成の際の外部からの
異物により保護膜に欠陥が生じ易く、ディスク生産の歩
留まりが悪くなるという問題があった。一方、上記問題
点を解決するために、保護膜を蒸着やスパッタ法にて形
成される誘電体薄膜とすることも考えられるが、この時
には記録膜を保護するための強度と、コンタクトスター
トストップ（ＣＳＳ）時の磁気ヘッドとの摩擦および吸
着を軽減するための潤滑性の双方の特性を満足させる保
護膜を形成するのに適する膜材料がなかった。
な樹脂層からなる保護膜を形成する際には、原料樹脂や
原料アルミナ中の異物および塗布形成の際の外部からの
異物により保護膜に欠陥が生じ易く、ディスク生産の歩
留まりが悪くなるという問題があった。一方、上記問題
点を解決するために、保護膜を蒸着やスパッタ法にて形
成される誘電体薄膜とすることも考えられるが、この時
には記録膜を保護するための強度と、コンタクトスター
トストップ（ＣＳＳ）時の磁気ヘッドとの摩擦および吸
着を軽減するための潤滑性の双方の特性を満足させる保
護膜を形成するのに適する膜材料がなかった。
【０００５】かかる事情に鑑み、本発明者は鋭意検討し
た結果、保護膜を誘電体膜とし、記録膜側から第１の保
護膜および第１の保護膜よりも表面粗さが大きい第２の
保護膜からなる２層膜とし、保護膜表面に潤滑剤を塗布
することにより、記録膜を保護するための強度と、ＣＳ
Ｓ時の磁気ヘッドとの摩擦および吸着を軽減するための
潤滑性の双方の特性を満足させる保護膜を有する光磁気
ディスクが得られることを見いだし、本発明を完成させ
るに至った。
た結果、保護膜を誘電体膜とし、記録膜側から第１の保
護膜および第１の保護膜よりも表面粗さが大きい第２の
保護膜からなる２層膜とし、保護膜表面に潤滑剤を塗布
することにより、記録膜を保護するための強度と、ＣＳ
Ｓ時の磁気ヘッドとの摩擦および吸着を軽減するための
潤滑性の双方の特性を満足させる保護膜を有する光磁気
ディスクが得られることを見いだし、本発明を完成させ
るに至った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、基板
の記録膜側表面に誘電体からなる保護膜を有し、該保護
膜が記録膜側から第１の保護膜および第１の保護膜より
も表面粗さが大きい第２の保護膜の２層膜から形成され
ており、該保護膜表面に潤滑剤が塗布されている光磁気
ディスクである。
の記録膜側表面に誘電体からなる保護膜を有し、該保護
膜が記録膜側から第１の保護膜および第１の保護膜より
も表面粗さが大きい第２の保護膜の２層膜から形成され
ており、該保護膜表面に潤滑剤が塗布されている光磁気
ディスクである。
【０００７】光磁気ディスクの構成を図面に基づき説明
する。図１は本発明に係わる光磁気ディスクの構造の一
例を示したものである。ポリカーボネート、ポリメチル
メタクリレート等の透明樹脂またはガラスからなる透明
基板１の上に、シリコンナイトライド、アルミニウムナ
イトライド等の透明誘電体膜２があり、その上にＴｂＦ
ｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類と遷移
金属のアモルファス合金またはこれらの合金にＣｒ、Ｔ
ｉなどの元素を添加した記録膜３がある。記録膜３の上
にシリコンナイトライド、アルミニウムナイトライドな
どの透明誘電体膜４を介して、Ａｌ、ＡｌＣｒ、ＡｌＴ
ｉなどの金属からなる反射膜５があり、その上に、本発
明に係わる第１保護膜６および第２保護膜７がある。レ
ーザー光は対物レンズ８より基板１を透過して記録膜３
に照射され、磁界は第２保護膜７から数μｍ〜数十μｍ
離れた磁気ヘッド９から与えられる。
する。図１は本発明に係わる光磁気ディスクの構造の一
例を示したものである。ポリカーボネート、ポリメチル
メタクリレート等の透明樹脂またはガラスからなる透明
基板１の上に、シリコンナイトライド、アルミニウムナ
イトライド等の透明誘電体膜２があり、その上にＴｂＦ
ｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類と遷移
金属のアモルファス合金またはこれらの合金にＣｒ、Ｔ
ｉなどの元素を添加した記録膜３がある。記録膜３の上
にシリコンナイトライド、アルミニウムナイトライドな
どの透明誘電体膜４を介して、Ａｌ、ＡｌＣｒ、ＡｌＴ
ｉなどの金属からなる反射膜５があり、その上に、本発
明に係わる第１保護膜６および第２保護膜７がある。レ
ーザー光は対物レンズ８より基板１を透過して記録膜３
に照射され、磁界は第２保護膜７から数μｍ〜数十μｍ
離れた磁気ヘッド９から与えられる。
【０００８】本発明に係わる保護膜には、シリコンナイ
トライド、シリコンオキサイド、アルミニウムナイトラ
イド、アルミニウムオキサイドなどの誘電体材料が用い
られるが、特にシリコンナイトライド、シリコンオキサ
イドが好ましい。
トライド、シリコンオキサイド、アルミニウムナイトラ
イド、アルミニウムオキサイドなどの誘電体材料が用い
られるが、特にシリコンナイトライド、シリコンオキサ
イドが好ましい。
【０００９】これらの保護膜は蒸着法、スパッタ法、Ｃ
ＶＤ法などにより成膜される。成膜方法は特に限定され
ないが、樹脂基板を用いる場合には、低温成膜が容易な
蒸着法またはスパッタ法が好ましく、さらに膜の表面粗
さを調節しやすいスパッタ法が好ましく用いられる。
ＶＤ法などにより成膜される。成膜方法は特に限定され
ないが、樹脂基板を用いる場合には、低温成膜が容易な
蒸着法またはスパッタ法が好ましく、さらに膜の表面粗
さを調節しやすいスパッタ法が好ましく用いられる。
【００１０】スパッタ法にて保護膜を成膜する場合、比
較的表面粗さの小さい該第１の保護膜は、比較的低いガ
ス圧または比較的小さいガス流量にてスパッタすること
により成膜し、比較的表面粗さの大きい該第２の保護膜
は、比較的高いガス圧または比較的大きいガス流量にて
成膜する。これらのガス圧、ガス流量は用いる装置によ
って異なり、装置毎に適宜設定される。
較的表面粗さの小さい該第１の保護膜は、比較的低いガ
ス圧または比較的小さいガス流量にてスパッタすること
により成膜し、比較的表面粗さの大きい該第２の保護膜
は、比較的高いガス圧または比較的大きいガス流量にて
成膜する。これらのガス圧、ガス流量は用いる装置によ
って異なり、装置毎に適宜設定される。
【００１１】またスパッタ法にてシリコンナイトライド
またはシリコンオキサイドを成膜する際に用いるターゲ
ットは、シリコンナイトライドまたはシリコンオキサイ
ドそのものでもよいし、シリコンナイトライドを成膜す
る際にはシリコンターゲットを用いてアルゴンと窒素、
シリコンオキサイドを成膜する際にはアルゴンと酸素の
混合ガスにてスパッタ成膜してもよく、特に限定されな
い。
またはシリコンオキサイドを成膜する際に用いるターゲ
ットは、シリコンナイトライドまたはシリコンオキサイ
ドそのものでもよいし、シリコンナイトライドを成膜す
る際にはシリコンターゲットを用いてアルゴンと窒素、
シリコンオキサイドを成膜する際にはアルゴンと酸素の
混合ガスにてスパッタ成膜してもよく、特に限定されな
い。
【００１２】成膜された保護膜の表面粗さは、通常の表
面粗さ計にても測定できるが、より厳密に測定するため
にはスキャニングトンネリングマイクロスコープ（ＳＴ
Ｍ）により測定することが好ましい。
面粗さ計にても測定できるが、より厳密に測定するため
にはスキャニングトンネリングマイクロスコープ（ＳＴ
Ｍ）により測定することが好ましい。
【００１３】本発明に係わる第１の保護膜の表面粗さを
表す中心線平均粗さＲａは５Å未満、最大高さＲｍａｘ
は３０Å未満、より好ましくはＲａは４Å以下、Ｒｍａ
ｘは２５Å以下であり、第２の保護膜のＲａは５Å以上
１５Å以下の範囲にあり、Ｒｍａｘは３０Å以上７０Å
以下の範囲であることが好ましい。
表す中心線平均粗さＲａは５Å未満、最大高さＲｍａｘ
は３０Å未満、より好ましくはＲａは４Å以下、Ｒｍａ
ｘは２５Å以下であり、第２の保護膜のＲａは５Å以上
１５Å以下の範囲にあり、Ｒｍａｘは３０Å以上７０Å
以下の範囲であることが好ましい。
【００１４】該第１の保護膜については、スパッタ法で
成膜する際、比較的低いガス圧または比較的小さいガス
流量で成膜されるが、ガス圧またはガス流量が小さくな
りすぎると、スパッタが安定的に行えなくなると共に膜
の応力が大きくなりすぎる。また、該第２の保護膜につ
いては、スパッタ法で成膜する際、比較的高いガス圧ま
たは比較的大きいガス流量で成膜されるが、ガス圧また
はガス流量が大きくなりすぎると、成膜速度が遅くなる
と共に膜の強度が低下し過ぎる。
成膜する際、比較的低いガス圧または比較的小さいガス
流量で成膜されるが、ガス圧またはガス流量が小さくな
りすぎると、スパッタが安定的に行えなくなると共に膜
の応力が大きくなりすぎる。また、該第２の保護膜につ
いては、スパッタ法で成膜する際、比較的高いガス圧ま
たは比較的大きいガス流量で成膜されるが、ガス圧また
はガス流量が大きくなりすぎると、成膜速度が遅くなる
と共に膜の強度が低下し過ぎる。
【００１５】保護膜の膜厚は特に限定されないが、通常
１μｍ以下であり、特に成膜速度の遅いスパッタ法を用
いる場合には数１００Åから数１０００Åが好ましい。
ただし、第１の保護膜と第２の保護膜の膜厚比があまり
大きすぎると良好な特性を示さず、通常第１の保護膜に
対する第２の保護膜の膜厚比が約０．２から５．０、よ
り好ましくは０．３から３．０にて良好な特性となる。
１μｍ以下であり、特に成膜速度の遅いスパッタ法を用
いる場合には数１００Åから数１０００Åが好ましい。
ただし、第１の保護膜と第２の保護膜の膜厚比があまり
大きすぎると良好な特性を示さず、通常第１の保護膜に
対する第２の保護膜の膜厚比が約０．２から５．０、よ
り好ましくは０．３から３．０にて良好な特性となる。
【００１６】保護膜表面の摩擦、吸着が大きいとＣＳＳ
が良好に行えないと共に、ヘッドクラッシュが生じた場
合に応力により記録膜の損傷が発生しやすい。上記に記
載の表面粗度の保護膜においても、表面の摩擦および吸
着は十分小さいが、さらに摩擦および吸着を軽減するた
めに、保護膜の表面上にパーフロロポリエーテルからな
るフロロカーボン系等の潤滑剤を塗布することが好まし
い。これは保護膜を成膜後、適当な溶剤に希釈しスピン
コート等の方法で塗布してもよいし、潤滑剤の蒸気中に
成膜後のディスクをおき被着させてもよく、塗布方法は
特に限定されない。
が良好に行えないと共に、ヘッドクラッシュが生じた場
合に応力により記録膜の損傷が発生しやすい。上記に記
載の表面粗度の保護膜においても、表面の摩擦および吸
着は十分小さいが、さらに摩擦および吸着を軽減するた
めに、保護膜の表面上にパーフロロポリエーテルからな
るフロロカーボン系等の潤滑剤を塗布することが好まし
い。これは保護膜を成膜後、適当な溶剤に希釈しスピン
コート等の方法で塗布してもよいし、潤滑剤の蒸気中に
成膜後のディスクをおき被着させてもよく、塗布方法は
特に限定されない。
【００１７】本発明に係わる保護膜が、強固で潤滑性に
優れている機構についてはいまだ不明であるが、以下の
ように推測される。２層の保護膜のなかの該第１の保護
膜は表面粗さが比較的小さく、従って膜を構成する組織
がより微細であり、このため密度の高い強固な膜となっ
ており記録膜を保護する特性が優れている。一方、該第
２の保護膜は表面粗さが比較的大きく、従って膜を構成
する組織がより大きく、膜の密度は低いが、磁気ヘッド
のスライダー面と接触する面積が小さいため摩擦力、吸
着力が小さく、ＣＳＳに好ましい特性となると考えられ
る。
優れている機構についてはいまだ不明であるが、以下の
ように推測される。２層の保護膜のなかの該第１の保護
膜は表面粗さが比較的小さく、従って膜を構成する組織
がより微細であり、このため密度の高い強固な膜となっ
ており記録膜を保護する特性が優れている。一方、該第
２の保護膜は表面粗さが比較的大きく、従って膜を構成
する組織がより大きく、膜の密度は低いが、磁気ヘッド
のスライダー面と接触する面積が小さいため摩擦力、吸
着力が小さく、ＣＳＳに好ましい特性となると考えられ
る。
【００１８】
【発明の効果】本発明の光磁気ディスクは均一で適度な
表面粗さと強度をもった保護膜を有し、この保護膜は磁
界変調記録において磁気ヘッドのヘッドクラッシュによ
るデータの破壊から記録膜を保護すると共に、ＣＳＳ時
の磁気ヘッドの浮上、降下を円滑に行わせることができ
る。
表面粗さと強度をもった保護膜を有し、この保護膜は磁
界変調記録において磁気ヘッドのヘッドクラッシュによ
るデータの破壊から記録膜を保護すると共に、ＣＳＳ時
の磁気ヘッドの浮上、降下を円滑に行わせることができ
る。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【００２０】実施例１ ポリカーボネート樹脂からなる透明ディスク基板にマグ
ネトロンスパッタ装置にて、シリコンナイトライドの誘
電体膜、ＴｂＦｅＣｏＣｒアモルファス合金からなる記
録膜、シリコンナイトライドの誘電体膜、ＡｌＣｒ合金
からなる反射膜を成膜し、さらにその上に、シリコンタ
ーゲットを用い、アルゴンガスを１１SCCM、窒素ガスを
５SCCM流して、全圧力を３．４×１０-3Torrとして、投
入電力１．０ＫＷでスパッタを行い第１保護膜を３００
Å形成し、ついでシリコンターゲットを用い、アルゴン
ガスを２００SCCM、窒素ガスを４５SCCM流して、全圧力
を５．５×１０-2Torrとして、投入電力１．０ＫＷでス
パッタを行い第１保護膜を１００Å形成した。
ネトロンスパッタ装置にて、シリコンナイトライドの誘
電体膜、ＴｂＦｅＣｏＣｒアモルファス合金からなる記
録膜、シリコンナイトライドの誘電体膜、ＡｌＣｒ合金
からなる反射膜を成膜し、さらにその上に、シリコンタ
ーゲットを用い、アルゴンガスを１１SCCM、窒素ガスを
５SCCM流して、全圧力を３．４×１０-3Torrとして、投
入電力１．０ＫＷでスパッタを行い第１保護膜を３００
Å形成し、ついでシリコンターゲットを用い、アルゴン
ガスを２００SCCM、窒素ガスを４５SCCM流して、全圧力
を５．５×１０-2Torrとして、投入電力１．０ＫＷでス
パッタを行い第１保護膜を１００Å形成した。
【００２１】これら保護膜の表面粗さは、別途上記と同
一条件にて各保護膜を成膜し、ＳＴＭを用いて測定し
た。その結果、第１保護膜については、Ｒａが２．９
Å、Ｒｍａｘが１９．２Åであり、第２保護膜について
は、Ｒａが７．１Å、Ｒｍａｘが４５．８Åであった。
一条件にて各保護膜を成膜し、ＳＴＭを用いて測定し
た。その結果、第１保護膜については、Ｒａが２．９
Å、Ｒｍａｘが１９．２Åであり、第２保護膜について
は、Ｒａが７．１Å、Ｒｍａｘが４５．８Åであった。
【００２２】次に潤滑剤クライトックス１４３ＣＺ（デ
ュポン社製）をイソプロピルアルコールに１／１０００
（重量部）溶解した塗布液を作製し、上記ディスクの保
護膜面上にスピンコート法により塗布した。
ュポン社製）をイソプロピルアルコールに１／１０００
（重量部）溶解した塗布液を作製し、上記ディスクの保
護膜面上にスピンコート法により塗布した。
【００２３】このディスクについて、フェライト製スラ
イダーを有する磁気ヘッドでＣＳＳを１０００回行い、
ＣＳＳ前後で磁気ヘッドとの摩擦力と吸着力を測定し、
その変化を比較した。結果を表１に示す。またＣＳＳ１
０００回後の保護膜表面を観察したところ、損傷は見ら
れなかった。
イダーを有する磁気ヘッドでＣＳＳを１０００回行い、
ＣＳＳ前後で磁気ヘッドとの摩擦力と吸着力を測定し、
その変化を比較した。結果を表１に示す。またＣＳＳ１
０００回後の保護膜表面を観察したところ、損傷は見ら
れなかった。
【００２４】実施例２ 保護膜の膜厚だけを第１保護膜については２００Å、第
２保護膜については２００Åと代えた以外は実施例１と
同様に行った。ＣＳＳを１０００回行った前後で磁気ヘ
ッドとの摩擦力と吸着力を測定して比較した結果を表１
に示す。またＣＳＳ１０００回後の保護膜表面を観察し
たところ、損傷は見られなかった。
２保護膜については２００Åと代えた以外は実施例１と
同様に行った。ＣＳＳを１０００回行った前後で磁気ヘ
ッドとの摩擦力と吸着力を測定して比較した結果を表１
に示す。またＣＳＳ１０００回後の保護膜表面を観察し
たところ、損傷は見られなかった。
【００２５】実施例３ 保護膜の膜厚だけを第１保護膜については１００Å、第
２保護膜については３００Åと代えた以外は実施例１と
同様に行った。ＣＳＳを１０００回行った前後で磁気ヘ
ッドとの摩擦力と吸着力を測定して比較した結果を表１
に示す。またＣＳＳ１０００回後の保護膜表面を観察し
たところ、損傷は見られなかった。
２保護膜については３００Åと代えた以外は実施例１と
同様に行った。ＣＳＳを１０００回行った前後で磁気ヘ
ッドとの摩擦力と吸着力を測定して比較した結果を表１
に示す。またＣＳＳ１０００回後の保護膜表面を観察し
たところ、損傷は見られなかった。
【００２６】比較例１ 実施例１と同様の成膜条件にて、ＡｌＣｒ反射膜までを
成膜し、その上に、シリコンターゲットを用い、アルゴ
ンガスを２００SCCM、窒素ガスを４５SCCM流して、全圧
力を５．５×１０-2Torrとして、投入電力１．０ＫＷで
スパッタを行い保護膜を１層だけ４００Å形成し、つい
で、実施例１と同様の方法で潤滑剤を塗布した。ＣＳＳ
を１０００回行った前後で磁気ヘッドとの摩擦力と吸着
力を測定して比較した結果を表１に示す。またＣＳＳ１
０００回後の保護膜表面を観察したところ、損傷が生じ
ていた。
成膜し、その上に、シリコンターゲットを用い、アルゴ
ンガスを２００SCCM、窒素ガスを４５SCCM流して、全圧
力を５．５×１０-2Torrとして、投入電力１．０ＫＷで
スパッタを行い保護膜を１層だけ４００Å形成し、つい
で、実施例１と同様の方法で潤滑剤を塗布した。ＣＳＳ
を１０００回行った前後で磁気ヘッドとの摩擦力と吸着
力を測定して比較した結果を表１に示す。またＣＳＳ１
０００回後の保護膜表面を観察したところ、損傷が生じ
ていた。
【００２７】比較例２ 実施例１と同様の成膜条件にて、ＡｌＣｒ反射膜までを
成膜し、その上に、シリコンターゲットを用いて、実施
例１よりもさらに低いガス圧である全圧１．５×１０-3
Torrにて、実施例の第１保護膜よりもさらに表面粗さの
小さい第１保護膜を成膜しようとしたが、スパッタ放電
が不安定であり成膜できなかった。
成膜し、その上に、シリコンターゲットを用いて、実施
例１よりもさらに低いガス圧である全圧１．５×１０-3
Torrにて、実施例の第１保護膜よりもさらに表面粗さの
小さい第１保護膜を成膜しようとしたが、スパッタ放電
が不安定であり成膜できなかった。
【００２８】比較例３ 実施例１と同様の成膜条件にて、第１保護膜までを成膜
し、その上にシリコンターゲットを用いて実施例１より
もさらに高いガス圧である全圧１．０×１０-1Torrに
て、実施例１の第２保護膜よりもさらに表面粗さの大き
い第２保護膜を成膜しようとしたが、成膜速度が非常に
遅く、更にできた膜は非常にもろく、大気中で放置して
おくと割れて崩れてしまった。
し、その上にシリコンターゲットを用いて実施例１より
もさらに高いガス圧である全圧１．０×１０-1Torrに
て、実施例１の第２保護膜よりもさらに表面粗さの大き
い第２保護膜を成膜しようとしたが、成膜速度が非常に
遅く、更にできた膜は非常にもろく、大気中で放置して
おくと割れて崩れてしまった。
【００２９】実施例４ 実施例１と同様の成膜条件にて、ＡｌＣｒ反射膜までを
成膜し、その上に、シリコンモノオキサイド（ＳｉＯ）
ターゲットを用いて、アルゴンガスを１０SCCM流して、
全圧力を２．３×１０-3Torrとして、投入電力１．０Ｋ
Ｗでスパッタを行い第１保護膜を３００Å形成し、次い
でシリコンモノオキサイドターゲットを用い、アルゴン
ガスを２００SCCM流して、全圧力を４．４×１０-2Torr
として、投入電力１．３ＫＷでスパッタを行い第２保護
膜を１００Å形成した。
成膜し、その上に、シリコンモノオキサイド（ＳｉＯ）
ターゲットを用いて、アルゴンガスを１０SCCM流して、
全圧力を２．３×１０-3Torrとして、投入電力１．０Ｋ
Ｗでスパッタを行い第１保護膜を３００Å形成し、次い
でシリコンモノオキサイドターゲットを用い、アルゴン
ガスを２００SCCM流して、全圧力を４．４×１０-2Torr
として、投入電力１．３ＫＷでスパッタを行い第２保護
膜を１００Å形成した。
【００３０】これら保護膜の表面粗さは、別途上記と同
一条件にて各保護膜を成膜しＳＴＭを用いて測定した。
その結果、第１保護膜については、Ｒａが３．７Å、Ｒ
ｍａｘが２２．９Åであり、第２保護膜については、Ｒ
ａが１１．８Å、Ｒｍａｘが６５．０Åであった。
一条件にて各保護膜を成膜しＳＴＭを用いて測定した。
その結果、第１保護膜については、Ｒａが３．７Å、Ｒ
ｍａｘが２２．９Åであり、第２保護膜については、Ｒ
ａが１１．８Å、Ｒｍａｘが６５．０Åであった。
【００３１】ついで潤滑剤クライトックス２４３ＣＺ
（デュポン社製）をイソプロピルアルコールに１／１０
００（重量部）溶解した塗布液を作成し上記ディスクの
保護膜面上にスピンコート法により塗布した。
（デュポン社製）をイソプロピルアルコールに１／１０
００（重量部）溶解した塗布液を作成し上記ディスクの
保護膜面上にスピンコート法により塗布した。
【００３２】このディスクについても、ＣＳＳを１００
０回行い、その前後の摩擦力、吸着力について比較を行
ったが、ほとんど変化は見られず、また、保護膜表面上
に傷は見られなかった。
０回行い、その前後の摩擦力、吸着力について比較を行
ったが、ほとんど変化は見られず、また、保護膜表面上
に傷は見られなかった。
【００３３】比較例４ 実施例１と同様の条件にて、第２保護膜までを成膜し、
潤滑剤を塗布しないディスクを作成した。このディスク
についてもＣＳＳ１０００回前後の摩擦力、吸着力を測
定した。結果を表１に示す。
潤滑剤を塗布しないディスクを作成した。このディスク
についてもＣＳＳ１０００回前後の摩擦力、吸着力を測
定した。結果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
【図１】本発明に係わる光磁気ディスクの構造図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 誘電体膜 ３ 記録膜 ４ 誘電体膜 ５ 反射膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川淵 晃 兵庫県姫路市網干区新在家1239 ダイセル 化学工業株式会社内 (72)発明者 新井 隆 兵庫県姫路市網干区新在家1239 ダイセル 化学工業株式会社内 (72)発明者 平川 学 兵庫県姫路市網干区新在家1239 ダイセル 化学工業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の記録膜側表面に誘電体からなる保
護膜を有し、該保護膜が記録膜側から第１の保護膜およ
び第１の保護膜よりも表面粗さが大きい第２の保護膜の
２層膜から形成されており、該保護膜表面に潤滑剤が塗
布されている光磁気ディスク。 - 【請求項２】 第１の保護膜の表面粗さを表す中心線平
均粗さＲａが５Å未満、最大高さＲｍａｘが３０Å未満
の範囲にあり、第２の保護膜のＲａが５Å以上１５Å以
下の範囲にあり、Ｒｍａｘが３０Å以上７０Å以下の範
囲にある請求項１記載の光磁気ディスク。 - 【請求項３】 第１および第２の保護膜がシリコンナイ
トライドまたはシリコンオキサイドからなる請求項１ま
たは請求項２記載の光磁気ディスク。 - 【請求項４】 潤滑剤がパーフロロポリエーテルからな
るフロロカーボン系潤滑剤である請求項１記載の光磁気
ディスク。 - 【請求項５】 スパッタ法にて該保護膜が成膜する際、
該第１の保護膜を成膜するときよりも高いガス圧または
大きいガス流量にて該第２の保護膜を成膜することを特
徴とする請求項１または請求項２記載の光磁気ディスク
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2643692A JPH05225630A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2643692A JPH05225630A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05225630A true JPH05225630A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12193461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2643692A Pending JPH05225630A (ja) | 1992-02-13 | 1992-02-13 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05225630A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660317A2 (en) * | 1993-12-20 | 1995-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording-reproducing system |
-
1992
- 1992-02-13 JP JP2643692A patent/JPH05225630A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660317A2 (en) * | 1993-12-20 | 1995-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording-reproducing system |
| EP0660317A3 (en) * | 1993-12-20 | 1995-10-11 | Canon Kk | Magneto-optical recording-reproduction system. |
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