JPH05224209A - 液晶用高分子配向膜の形成方法 - Google Patents

液晶用高分子配向膜の形成方法

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JPH05224209A
JPH05224209A JP2414892A JP2414892A JPH05224209A JP H05224209 A JPH05224209 A JP H05224209A JP 2414892 A JP2414892 A JP 2414892A JP 2414892 A JP2414892 A JP 2414892A JP H05224209 A JPH05224209 A JP H05224209A
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JP
Japan
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liquid crystal
substrate
silicone rubber
cell
molding
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Application number
JP2414892A
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Mikio Murakami
幹男 村上
Hiroyuki Fujii
浩之 藤井
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GTC KK
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G T C KK
GTC KK
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 本発明は、シリコンゴム成形物2を基板1表
面に一定圧力で接触させながら、一定方向に移動させる
ことを特徴としている。 【効果】 基板表面をラビング処理することなく、高度
な液晶配向能力を有する配向膜を提供することができ
る。ラビング処理をしないので、従来のような発塵の問
題を回避して歩留まりを高めるとともに、工程の簡略化
を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶素子等に用いられ
る液晶用高分子配向膜の形成方法に関し、特にシリコン
ゴム成形物を用いて基板上に液晶用高分子配向膜を形成
する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、液晶素子等に用いられる液晶用高
分子配向膜を形成するに際しては、基板上に、ポリイミ
ド、ポリビニルアルコール、ポリアミド等の高分子を、
スピンコート、印刷法、ディッピング法等で塗布し、硬
化させた後、その塗布膜の表面を布等で一定方向にラビ
ングして配向させ、高分子配向膜を形成するという手法
が採られている。このようにして得られた高分子配向膜
を利用することにより、液晶分子を一方向に配向させる
ことができる。高分子としては、ポリイミドあるいはポ
リアミドが一般的に用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
に高分子を配向させるラビング法は、ナイロン等の布で
高分子膜の表面を擦るために発塵の問題があった。これ
らの発塵は、液晶セルの厚みを変化させて歩留まりを低
下させるのみでなく、不純物として液晶セル内に留まり
信頼性を低下させる原因ともなる。
【0004】そこで、このラビング法に代わるものとし
ていろいろな方法が試みられている。その代表的なもの
がラングミャー・ブロジェット膜(LB膜)である。こ
の方法は、もともと石鹸のように親水性基と親油性基と
を合わせ持った分子を含む溶液を水面に滴下して単分子
膜を水面上に形成し、それを基板上に移し取るという手
法である。特開昭62−209415号公報では、ポリ
イミドを用いたLB膜を液晶用配向膜に使用した方法が
示されている。しかしながら、その配向を制御するため
には、多大な時間を要し、この点が実用化の問題点とな
っていた。
【0005】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、高コントラストで高品位な液晶表示素子を得
るために、新しい高度な液晶配向能力を有する液晶用高
分子配向膜の形成方法を提供することを目的としてい
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明では、シリコンゴ
ム成形物を基板表面に一定圧力で接触させながら、一定
方向に移動させることにより、前記課題を解決するよう
にした。請求項2では、基板として、表面にすでに他の
高分子薄膜が形成されているものを用いることとした。
【0007】
【作用】シリコンゴムは非常に低いガラス転移点(−2
0℃以下)を有しているため、シリコンゴム成形物を基
板表面に接触させながら移動させることで、シリコンゴ
ムが基板表面に転写され、該基板の表面状態を変化させ
ることができる。すなわち、シリコンゴム成形物による
処理後の基板は、処理前の基板に比べて、表面の水の接
触角が大きくなり、液晶の配向に影響を与える。処理前
の基板の水の接触角はほとんど0゜であるのに対し、処
理後は約60゜になる。
【0008】以下、図1を参照して、本発明の液晶用高
分子配向膜の形成方法について説明する。
【0009】図1に示すように、液晶表示素子用の基板
1の表面に、シリコンゴム製のへら状の成形物2を一定
圧力で接触させる。基板1には、液晶表示素子のセル等
として通常用いられる厚さ0.1〜5mm程度のガラス基
板などを用いる。またシリコンゴム成形物2には、図1
に示すようなへら状のものの他、例えばスティック状や
板状などのものを用い、前記基板1表面に対し所定角度
(1〜80゜程度)傾けた状態で、その先端部分を接触
させる。シリコンゴム成形物2を基板1に接触させる際
の圧力は、0.1〜6kg/cm2程度とするのが望ましい。
またその際、図1に示すように、前記基板1をホットプ
レート3の上に設置するなどして、所定温度(50〜2
50℃程度)に加熱してもよい。このように基板1を所
定温度に加熱することで、配向能力を制御することが可
能である。
【0010】次いで、液晶を配向させたい方向(図1で
は符号4で示される方向)に、一定速度で基板1を移動
させる。あるいは、符号4で示される方向と反対方向
に、シリコンゴム成形物2を移動させてもよい。この
時、基板1あるいはシリコンゴム成形物2を移動させる
速度は、10〜10000mm/分程度とするのが望まし
い。
【0011】このようにしてシリコンゴム成形物2で処
理した後の基板2枚を、所定厚さのスペーサを介して重
ね合わせ、液晶表示素子用のセルを作成する。そして、
適宜の液晶をキャピラリー力によってセル内に注入す
る。液晶分子は、先に基板1を処理した方向に沿って配
向し、これによって所望の液晶表示素子を得ることがで
きる。
【0012】次に、請求項2に記載した液晶用高分子配
向膜の形成方法であるが、これは、基板1として表面に
すでに高分子薄膜が形成されているものを用いることを
特徴としている。高分子には、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリビニルアルコール等を用い、スピンコート、印
刷法、ディッピング法等の適宜の手段により、厚さ10
〜500nm程度に塗布した後、硬化させて、高分子薄膜
を形成する。特にポリイミドのような耐熱性の高い高分
子を用いることにより、配向膜の熱的安定性を向上させ
ることができる。
【0013】以下、実施例を示して本発明の効果を明ら
かにするが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
【0014】(実施例1)厚さ1.1mmのガラス基板を可
動式ホットプレート上に設置し、真空吸着により固定し
た。またシリコンゴム製のへら(井内盛栄堂製)をこの
ホットプレート上の一端に配し、へらの先端部が基板表
面に一定圧力2kg/mm2で接触するとともに、へらと基板
表面との成す角度が15゜となるように設置した。ホッ
トプレートを約70℃に加熱し、一定速度(200mm/
分)でホットプレートを一定方向に移動させた。ガラス
基板はホットプレートと共に動き、その際へらは、連続
的に一定圧力で基板表面に接しながら基板上を移動し
た。この処理を行なった2枚の基板を、互いに処理方向
が反平行となるようにスペーサを介して重ね合わせてセ
ルを作成した。その後、ネマティック液晶(GT500
1;チッソ(株)製)をそのセルに封入し偏光顕微鏡下
で観察したところ、液晶分子が処理方向に配向している
ことが判明した。この液晶を95℃で5分間イソトロピ
ック処理した後、再度配向を観察したところ、変化は認
められず配向が安定であることがわかった。また、配向
処理後洗浄しなかったにもかかわらず、ごみの発生は認
められず、セル厚の制御も非常に良好に行なえた。
【0015】(実施例2)ガラス基板として、表面に予め
ポリイミドを厚さ100nmに塗布してあるものを用い
て、実施例1と同じ装置で同様の方法によりセルを作成
したところ、実施例1とほぼ同様の配向を得ることがで
きた。基板表面に予めポリイミドが塗布されていたた
め、実施例1と比較してさらに熱的安定性が良く、15
0℃、10分間の熱処理を施しても配向に変化は見られ
なかった。また、液晶のプレティルト角を測定したとこ
ろ、2.5゜と、液晶表示素子に好ましい角度を得るこ
とができた。
【0016】(実施例3)ポリテトラフロオロエチレン製
のへらを用い、実施例1と同じ装置で、ホットプレート
の温度を150℃に加熱して基板に処理を施した。その
後、シリコンゴム製のへらを用いて温度70℃で再度基
板に処理を施して、セルを作成したところ、良好な配向
を得ることができた。
【0017】(比較例1)ガラス基板をナイロン布で直接
ラビング処理した以外は実施例1と同様にしてセルを作
成した。初期配向は良好であったが、95℃、5分間の
イソトロピック処理後は、配向は劣化した。また、ナイ
ロン布よりごみが発生し、洗浄しない状態ではセル厚の
制御が困難であった。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶用高
分子配向膜の形成方法によれば、基板表面をラビング処
理することなく、高度な液晶配向能力を有する配向膜を
提供することができる。ラビング処理をしないので、従
来のような発塵の問題が回避され、その結果、液晶セル
の厚みを制御して歩留まりを高めるとともに、信頼性を
向上させることができる。また、ラビング処理が不必要
であるだけでなく、従来のように高分子膜を必ずしも基
板表面に設ける必要がなくなるので、工程の簡略化を図
ることができる。また、請求項2に記載したように、基
板表面に予め他の高分子薄膜を形成しておけば、配向の
状態をより安定化することができ、特に高分子薄膜とし
て耐熱性の高い高分子からなるものを設ければ、熱的安
定性を向上することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の液晶用高分子配向膜の形成方
法の一例を示す模式図である。
【符号の説明】
1 基板 2 シリコンゴム成形物

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 シリコンゴム成形物を基板表面に一定圧
    力で接触させながら、一定方向に移動させることを特徴
    とする液晶用高分子配向膜の形成方法。
  2. 【請求項2】 上記基板表面には、すでに他の高分子薄
    膜が形成されていることを特徴とする液晶用高分子配向
    膜の形成方法。
JP2414892A 1992-02-10 1992-02-10 液晶用高分子配向膜の形成方法 Pending JPH05224209A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008235435A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Ricoh Co Ltd π共役ポリマーの一軸配向膜の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008235435A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Ricoh Co Ltd π共役ポリマーの一軸配向膜の製造方法

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19960910