JPH04366920A - 液晶配向膜 - Google Patents
液晶配向膜Info
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- JPH04366920A JPH04366920A JP17053191A JP17053191A JPH04366920A JP H04366920 A JPH04366920 A JP H04366920A JP 17053191 A JP17053191 A JP 17053191A JP 17053191 A JP17053191 A JP 17053191A JP H04366920 A JPH04366920 A JP H04366920A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶を配向させるため
の液晶配向膜に関し、更に詳しくは、プレチルト角を付
与することが容易であり、TN形液晶素子を作製した場
合にリバースチルトやリバースツイストの発生を抑制し
得る液晶配向膜に関するものである。
の液晶配向膜に関し、更に詳しくは、プレチルト角を付
与することが容易であり、TN形液晶素子を作製した場
合にリバースチルトやリバースツイストの発生を抑制し
得る液晶配向膜に関するものである。
【0002】
【従来の技術】時計やテレビなどにおいて液晶を使った
平面ディスプレイが広く使われるようになっているが、
従来SiO2 、Au等を斜め方向から蒸着する斜方蒸
着法、基板上にポリイミド系高分子樹脂を塗布した後、
布等で一定方向にラビングするラビング法等で形成した
配向膜を用いて液晶を配向させ液晶配向膜を得ている。 しかしながら、斜方蒸着法により形成された液晶配向膜
は、液晶に所定のプレチルト角を与えるのに大変有利で
あるが、反面、真空蒸着法であるため10−5torr
程度の高真空が必要であり、また基板を傾斜しなければ
ならない等、量産性に乏しいという欠点を有している。 また、ラビング法により形成された液晶配向膜は、ラビ
ング時に発生するごみや静電気により生産性が低下しや
すく、品質に悪影響を与えるという欠点を有している。
平面ディスプレイが広く使われるようになっているが、
従来SiO2 、Au等を斜め方向から蒸着する斜方蒸
着法、基板上にポリイミド系高分子樹脂を塗布した後、
布等で一定方向にラビングするラビング法等で形成した
配向膜を用いて液晶を配向させ液晶配向膜を得ている。 しかしながら、斜方蒸着法により形成された液晶配向膜
は、液晶に所定のプレチルト角を与えるのに大変有利で
あるが、反面、真空蒸着法であるため10−5torr
程度の高真空が必要であり、また基板を傾斜しなければ
ならない等、量産性に乏しいという欠点を有している。 また、ラビング法により形成された液晶配向膜は、ラビ
ング時に発生するごみや静電気により生産性が低下しや
すく、品質に悪影響を与えるという欠点を有している。
【0003】本発明者らは、上記の様な問題点を解決す
るため、均一で非常に欠陥が少なく、且つラビングなし
で良好な配向性を有する新しい液晶配向膜として、ポリ
イミドLB膜を提案した(特開昭63−23131、特
開平3−53223)。しかしながら、LB膜は所定の
プレチルト角を与えることが困難であり、またLB膜を
液晶配向膜としてTN形液晶素子を作製した場合にリバ
ースチルトやリバースツイスト欠陥が発生するという問
題があった。
るため、均一で非常に欠陥が少なく、且つラビングなし
で良好な配向性を有する新しい液晶配向膜として、ポリ
イミドLB膜を提案した(特開昭63−23131、特
開平3−53223)。しかしながら、LB膜は所定の
プレチルト角を与えることが困難であり、またLB膜を
液晶配向膜としてTN形液晶素子を作製した場合にリバ
ースチルトやリバースツイスト欠陥が発生するという問
題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、液晶に所定
のプレチルト角を容易に付与でき、且つTN形液晶素子
とした場合のリバースチルトやリバースツイストの発生
を抑制し得る液晶配向膜を提供するものである。
のプレチルト角を容易に付与でき、且つTN形液晶素子
とした場合のリバースチルトやリバースツイストの発生
を抑制し得る液晶配向膜を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸無水物及び
ジアミンとして平面性又は直線性の高い材料を用い、エ
ステル化反応により疎水性基が導入された上記酸無水物
と、上記ジアミンの縮重合により得られるポリイミド前
駆体を水面上に展開することにより得られる単分子膜を
、少なくとも電極層を形成した基板上に1層以上積層し
た後、完全にあるいは部分的にイミド化反応が起こるよ
うな熱処理を施した薄膜において、前記疎水性基が双極
子を持つ基を含む炭素数12〜30の1価の基であるこ
とを特徴とする液晶配向膜を内容とするものである。
ジアミンとして平面性又は直線性の高い材料を用い、エ
ステル化反応により疎水性基が導入された上記酸無水物
と、上記ジアミンの縮重合により得られるポリイミド前
駆体を水面上に展開することにより得られる単分子膜を
、少なくとも電極層を形成した基板上に1層以上積層し
た後、完全にあるいは部分的にイミド化反応が起こるよ
うな熱処理を施した薄膜において、前記疎水性基が双極
子を持つ基を含む炭素数12〜30の1価の基であるこ
とを特徴とする液晶配向膜を内容とするものである。
【0006】本発明に用いられる平面性又は直線性の高
い酸無水物の好ましい例としては、以下の物質が挙げら
れる。
い酸無水物の好ましい例としては、以下の物質が挙げら
れる。
【0007】
【化2】
【0008】本発明に用いられる平面性又は直線性の高
いジアミンの好ましい例としては、以下の物質が挙げら
れる。
いジアミンの好ましい例としては、以下の物質が挙げら
れる。
【0009】
【化3】
【0010】さらに、酸無水物にエステル化反応により
導入される、双極子を持つ基の好ましい例としては、以
下の基が挙げられる。
導入される、双極子を持つ基の好ましい例としては、以
下の基が挙げられる。
【0011】
【化4】=C=O, −OH, −NH2 ,
=S=O, ハロゲン原子
=S=O, ハロゲン原子
【0012】上記双極子を持つ基を含むRは炭素数が1
2〜30の1価の基で、炭素数が上記範囲以外では本発
明の効果を充分に期待することができない。
2〜30の1価の基で、炭素数が上記範囲以外では本発
明の効果を充分に期待することができない。
【0013】本発明においては、ここに例示した酸無水
物、ジアミン、双極子を持つ基は、それぞれ単独又は2
種以上組み合わせて用いられる。また本発明に用いられ
る酸無水物、ジアミン、双極子を持つ基は、いずれもこ
れら例示物に限定されるものではないことは勿論である
。
物、ジアミン、双極子を持つ基は、それぞれ単独又は2
種以上組み合わせて用いられる。また本発明に用いられ
る酸無水物、ジアミン、双極子を持つ基は、いずれもこ
れら例示物に限定されるものではないことは勿論である
。
【0014】上記酸無水物とジアミンとの縮重合により
得られるポリイミド前駆体は、特に下記構造式(1)
得られるポリイミド前駆体は、特に下記構造式(1)
【
0015】
0015】
【化5】
【0016】〔式中、Rは双極子を持つ基を含む炭素数
12〜30の1価の基であり、同種でも異種でもよい〕
で表されるのが好適である。ポリイミド前駆体の数平均
分子量は2000〜300000程度が好適である。数
平均分子量が上記範囲を外れると、単分子膜の強度が低
すぎたり、粘度が高すぎて単分子膜の作製に支障をきた
す等の問題を生じる。
12〜30の1価の基であり、同種でも異種でもよい〕
で表されるのが好適である。ポリイミド前駆体の数平均
分子量は2000〜300000程度が好適である。数
平均分子量が上記範囲を外れると、単分子膜の強度が低
すぎたり、粘度が高すぎて単分子膜の作製に支障をきた
す等の問題を生じる。
【0017】ポリイミド前駆体は例えばラングミュア・
ブロジェット法(LB法)により水面上に展開すること
により容易に単分子膜を形成し、これを少なくとも電極
層を形成した基板上に1層以上積層した後、完全に又は
部分的に閉環しポリイミド化する。ポリイミド化は化学
的又は熱的に行うことが可能であるが、部分的にポリイ
ミド化する場合、ポリイミド前駆体の繰り返し単位当り
の疎水性基の個数を制御し易い点で熱的にポリイミド化
するのが望ましい。
ブロジェット法(LB法)により水面上に展開すること
により容易に単分子膜を形成し、これを少なくとも電極
層を形成した基板上に1層以上積層した後、完全に又は
部分的に閉環しポリイミド化する。ポリイミド化は化学
的又は熱的に行うことが可能であるが、部分的にポリイ
ミド化する場合、ポリイミド前駆体の繰り返し単位当り
の疎水性基の個数を制御し易い点で熱的にポリイミド化
するのが望ましい。
【0018】熱処理温度は配向膜形成後、液晶素子組立
工程で受ける温度よりも高く、且つ配向膜材料が分解す
る温度よりも低い温度であり、通常、好ましくは150
〜450℃、より好ましくは150〜250℃の範囲で
ある。
工程で受ける温度よりも高く、且つ配向膜材料が分解す
る温度よりも低い温度であり、通常、好ましくは150
〜450℃、より好ましくは150〜250℃の範囲で
ある。
【0019】
【作用】前記ポリイミド前駆体を水面上に展開すること
により得られた単分子膜を、電極層を形成した基板上に
1層以上積層して得られた膜(LB膜)は、一軸方向に
配向した膜であり、該膜上で液晶物質を良好に配向させ
ることができる。更に、エステル化反応により導入され
た双極子を持つ基を含む炭素数が12〜30の1価の基
は、排除体積効果〔「ジャパニーズ・ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス(Japanese Jo
urnal of Applied Physics)
」、29(1990)、2045〕により液晶にプレチ
ルト角を付与することが可能となり、TN形液晶素子を
作製した場合にリバースチルトやリバースツイストの発
生を抑えることができる。
により得られた単分子膜を、電極層を形成した基板上に
1層以上積層して得られた膜(LB膜)は、一軸方向に
配向した膜であり、該膜上で液晶物質を良好に配向させ
ることができる。更に、エステル化反応により導入され
た双極子を持つ基を含む炭素数が12〜30の1価の基
は、排除体積効果〔「ジャパニーズ・ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス(Japanese Jo
urnal of Applied Physics)
」、29(1990)、2045〕により液晶にプレチ
ルト角を付与することが可能となり、TN形液晶素子を
作製した場合にリバースチルトやリバースツイストの発
生を抑えることができる。
【0020】
【実施例】次に、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はこれらにのみ限定されるものではない
。
するが、本発明はこれらにのみ限定されるものではない
。
【0021】実施例
ガラス基板上にITOを真空蒸着法で100nmの厚さ
に形成した。次いで、下記構造式(2)
に形成した。次いで、下記構造式(2)
【0022】
【化6】
【0023】で表されるポリイミド前駆体(数平均分子
量4000)の単分子膜を前記ITOを形成したガラス
基板上にラングミュア・ブロジェット法(LB法)によ
り11層累積した。更に、該LB膜を形成したガラス基
板を、200℃で1時間熱処理した。
量4000)の単分子膜を前記ITOを形成したガラス
基板上にラングミュア・ブロジェット法(LB法)によ
り11層累積した。更に、該LB膜を形成したガラス基
板を、200℃で1時間熱処理した。
【0024】前記と同一の方法で処理したガラス基板を
2枚用意し、2枚の基板のLB膜形成時の基板の引上げ
方向が互いに垂直方向となるようにセルを構成し、減圧
下でネマティック液晶(メルク社製、商品名ZLI15
65)を注入した。注入後、開口部を市販の酸無水物硬
化型エポキシ樹脂で固着し、液晶を封止してTN型液晶
素子を完成した。完成した液晶セルを一旦100℃まで
加熱してから徐々に冷却して初期配向させた。得られた
TN型液晶素子は良好な液晶配向性を示し、約10°の
プレチルト角が付与できており、電圧駆動時にもリバー
スチルトなどの欠陥は皆無であった。
2枚用意し、2枚の基板のLB膜形成時の基板の引上げ
方向が互いに垂直方向となるようにセルを構成し、減圧
下でネマティック液晶(メルク社製、商品名ZLI15
65)を注入した。注入後、開口部を市販の酸無水物硬
化型エポキシ樹脂で固着し、液晶を封止してTN型液晶
素子を完成した。完成した液晶セルを一旦100℃まで
加熱してから徐々に冷却して初期配向させた。得られた
TN型液晶素子は良好な液晶配向性を示し、約10°の
プレチルト角が付与できており、電圧駆動時にもリバー
スチルトなどの欠陥は皆無であった。
【0025】
【発明の効果】本発明の液晶配向膜は、ラビング等の処
理を施す必要がなく、均一で無欠陥且つ良好な配向性を
有する。また所定のプレチルト角を与えることが容易で
、更にTN形液晶素子を作製した場合に、リバースチル
トやリバースツイストの発生が抑制される。
理を施す必要がなく、均一で無欠陥且つ良好な配向性を
有する。また所定のプレチルト角を与えることが容易で
、更にTN形液晶素子を作製した場合に、リバースチル
トやリバースツイストの発生が抑制される。
Claims (2)
- 【請求項1】 酸無水物及びジアミンとして平面性又
は直線性の高い材料を用い、エステル化反応により疎水
性基が導入された上記酸無水物と、上記ジアミンの縮重
合により得られるポリイミド前駆体を水面上に展開する
ことにより得られる単分子膜を、少なくとも電極層を形
成した基板上に1層以上積層した後、完全にあるいは部
分的にイミド化反応が起こるような熱処理を施した薄膜
において、前記疎水性基が双極子を持つ基を含む炭素数
12〜30の1価の基であることを特徴とする液晶配向
膜。 - 【請求項2】 ポリイミド前駆体が、下記構造式(1
)【化1】 〔式中、Rは双極子を持つ基を含む炭素数12〜30の
1価の基であり、同種でも異種でもよい。〕で表される
請求項1記載の液晶配向膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17053191A JPH04366920A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 液晶配向膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17053191A JPH04366920A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 液晶配向膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04366920A true JPH04366920A (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=15906655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17053191A Withdrawn JPH04366920A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 液晶配向膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04366920A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104730771A (zh) * | 2015-03-30 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制造方法及显示面板、取向膜制造设备 |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP17053191A patent/JPH04366920A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104730771A (zh) * | 2015-03-30 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制造方法及显示面板、取向膜制造设备 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |