JPH0511254A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0511254A JPH0511254A JP19078591A JP19078591A JPH0511254A JP H0511254 A JPH0511254 A JP H0511254A JP 19078591 A JP19078591 A JP 19078591A JP 19078591 A JP19078591 A JP 19078591A JP H0511254 A JPH0511254 A JP H0511254A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- group
- aliphat
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- Liquid Crystal (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 水面上に展開することにより得られる単分子
膜を、少なくとも電極層を形成した基板上に１層以上積
層して液晶配向膜とした液晶素子において、液晶素子へ
の液晶注入速度を０．２mm3 ／min 以下とすることを特
徴とする液晶素子の製造方法。 【効果】 液晶注入時に発生する筋状の液晶配向欠陥を
防止できる。
膜を、少なくとも電極層を形成した基板上に１層以上積
層して液晶配向膜とした液晶素子において、液晶素子へ
の液晶注入速度を０．２mm3 ／min 以下とすることを特
徴とする液晶素子の製造方法。 【効果】 液晶注入時に発生する筋状の液晶配向欠陥を
防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶注入後の筋状の液
晶配向欠陥の発生を防止する液晶素子の製造方法に関す
るものである。
晶配向欠陥の発生を防止する液晶素子の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】時計やテレビなどにおいて液晶を使った
平面ディスプレイが広く使われるようになっているが、
従来ＳｉＯ2 ，Ａｕ等を斜め方向から蒸着する斜方蒸着
法、基板上にポリイミド系高分子樹脂を塗布した後、布
等で一定方向にラビングするラビング法等で形成した配
向膜を用いて液晶を配向させ液晶配向膜を得ている。
平面ディスプレイが広く使われるようになっているが、
従来ＳｉＯ2 ，Ａｕ等を斜め方向から蒸着する斜方蒸着
法、基板上にポリイミド系高分子樹脂を塗布した後、布
等で一定方向にラビングするラビング法等で形成した配
向膜を用いて液晶を配向させ液晶配向膜を得ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら、斜方蒸着
法により形成された液晶配向膜は、液晶に所定のプレチ
ルト角を与えるのに大変有利であるが、反面、真空蒸着
法であるため１０-5torr程度の高真空が必要であり、ま
た基板を傾斜しなければならない等、量産性に乏しいと
いう欠点を有している。また、ラビング法により形成さ
れた液晶配向膜は、ラビング時に発生するごみや静電気
により生産性が低下しやすく、品質に悪影響を与えると
いう欠点を有している。
法により形成された液晶配向膜は、液晶に所定のプレチ
ルト角を与えるのに大変有利であるが、反面、真空蒸着
法であるため１０-5torr程度の高真空が必要であり、ま
た基板を傾斜しなければならない等、量産性に乏しいと
いう欠点を有している。また、ラビング法により形成さ
れた液晶配向膜は、ラビング時に発生するごみや静電気
により生産性が低下しやすく、品質に悪影響を与えると
いう欠点を有している。
【０００４】本発明者らは、上記の様な問題点を解決す
るため、均一で非常に欠陥が少なく、且つラビングなし
で良好な配向性を有する新しい液晶配向膜として、ポリ
イミドＬＢ膜を提案した（特開昭６３−２３１３１、特
開平３−５３２２３）。しかし乍ら、ＬＢ膜を液晶配向
膜として用いた場合、液晶注入時における液晶注入方向
に沿った筋状の液晶配向欠陥が発生するという問題があ
った。
るため、均一で非常に欠陥が少なく、且つラビングなし
で良好な配向性を有する新しい液晶配向膜として、ポリ
イミドＬＢ膜を提案した（特開昭６３−２３１３１、特
開平３−５３２２３）。しかし乍ら、ＬＢ膜を液晶配向
膜として用いた場合、液晶注入時における液晶注入方向
に沿った筋状の液晶配向欠陥が発生するという問題があ
った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ＬＢ膜を
液晶配向膜として用いた場合の上記問題点を解決するた
め、液晶素子への液晶注入速度について検討を行った。
その結果、液晶注入速度を０．２mm3 ／min 以下にする
ことにより、液晶注入後に液晶注入方向に沿った筋状の
液晶配向欠陥の発生が非常に少なくなることを見出し、
本発明を完成した。即ち、本発明は水面上に展開するこ
とにより得られる単分子膜を、少なくとも電極層を形成
した基板上に１層以上積層して液晶配向膜とした液晶素
子において、液晶素子への液晶注入速度を０．２mm3 ／
min 以下とすることを特徴とする液晶素子の製造方法を
内容とする。液晶配向膜は、両親媒性物質、例えば下記
一般式（１）で表される両親媒性物質を展開して得られ
た単分子薄膜を、基板上に少なくとも１層以上積層する
ことにより得ることができる。
液晶配向膜として用いた場合の上記問題点を解決するた
め、液晶素子への液晶注入速度について検討を行った。
その結果、液晶注入速度を０．２mm3 ／min 以下にする
ことにより、液晶注入後に液晶注入方向に沿った筋状の
液晶配向欠陥の発生が非常に少なくなることを見出し、
本発明を完成した。即ち、本発明は水面上に展開するこ
とにより得られる単分子膜を、少なくとも電極層を形成
した基板上に１層以上積層して液晶配向膜とした液晶素
子において、液晶素子への液晶注入速度を０．２mm3 ／
min 以下とすることを特徴とする液晶素子の製造方法を
内容とする。液晶配向膜は、両親媒性物質、例えば下記
一般式（１）で表される両親媒性物質を展開して得られ
た単分子薄膜を、基板上に少なくとも１層以上積層する
ことにより得ることができる。
【０００６】
【化２】
【０００７】〔式中、Ｒ1 は少なくとも２個の炭素原子
数を有する４価の基、Ｒ2 は少なくとも２個の炭素原子
数を有する２価の基、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は、脂
肪族、環状脂肪族あるいは芳香族（これらが相互に組合
わさってもよい）の炭素数１〜３０の１価の基（これら
の基がハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、
メトキシ基、アセトキシ基で置換されていてもよい）ま
たは水素原子である。また、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6
の内の少なくとも一つは、脂肪族、環状脂肪族あるいは
芳香族（これらが相互に組合わさっていてもよい）の炭
素数１２〜３０の１価の基（これらの基がハロゲン原
子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基、アセ
トキシ基で置換されていてもよい）である。〕しかし、
ＬＢ膜を液晶配向膜として用いた場合、上記した如く、
液晶注入後に液晶注入方向に沿った筋状の液晶配向欠陥
が発生する。本発明においては、この液晶配向欠陥の発
生を防止するために、液晶注入速度を０．２mm3 ／min
以下にコントロールして液晶を注入する。この液晶注入
速度のコントロールにより、上記液晶配向欠陥の発生が
非常に少なくなり、実質的に皆無とすることも可能であ
る。本発明は、液晶注入速度を特定の速度以下にコント
ロールすることにより、液晶配向欠陥を防止することを
特徴とする。従って、本発明は液晶の種類、液晶素子の
形態、ＬＢ膜の種類等に何ら影響されることなく適用さ
れることはいうまでもない。
数を有する４価の基、Ｒ2 は少なくとも２個の炭素原子
数を有する２価の基、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は、脂
肪族、環状脂肪族あるいは芳香族（これらが相互に組合
わさってもよい）の炭素数１〜３０の１価の基（これら
の基がハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、
メトキシ基、アセトキシ基で置換されていてもよい）ま
たは水素原子である。また、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6
の内の少なくとも一つは、脂肪族、環状脂肪族あるいは
芳香族（これらが相互に組合わさっていてもよい）の炭
素数１２〜３０の１価の基（これらの基がハロゲン原
子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基、アセ
トキシ基で置換されていてもよい）である。〕しかし、
ＬＢ膜を液晶配向膜として用いた場合、上記した如く、
液晶注入後に液晶注入方向に沿った筋状の液晶配向欠陥
が発生する。本発明においては、この液晶配向欠陥の発
生を防止するために、液晶注入速度を０．２mm3 ／min
以下にコントロールして液晶を注入する。この液晶注入
速度のコントロールにより、上記液晶配向欠陥の発生が
非常に少なくなり、実質的に皆無とすることも可能であ
る。本発明は、液晶注入速度を特定の速度以下にコント
ロールすることにより、液晶配向欠陥を防止することを
特徴とする。従って、本発明は液晶の種類、液晶素子の
形態、ＬＢ膜の種類等に何ら影響されることなく適用さ
れることはいうまでもない。
【０００８】
【実施例】次に、実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明は実施例のみに限定されるものではな
い。 実施例 ガラス基板上に電極層としてＩＴＯを１００nmの厚さに
形成した。 次いで、下記構造式（２）
明するが、本発明は実施例のみに限定されるものではな
い。 実施例 ガラス基板上に電極層としてＩＴＯを１００nmの厚さに
形成した。 次いで、下記構造式（２）
【０００９】
【化３】
【００１０】で表されるポリイミド前駆体の単分子膜
を、前記ＩＴＯを形成したガラス基板上にラングミュア
・ブロジェット法（ＬＢ法）により１１層累積した。更
に、ＬＢ膜を形成したガラス基板を、２００℃で１時間
熱処理した。この熱処理により、該ポリイミド前駆体は
下記構造式（３）で表されるようなポリイミドとなっ
て、ＬＢ膜は非常に良好な耐薬品性と耐熱性を有するよ
うになる。
を、前記ＩＴＯを形成したガラス基板上にラングミュア
・ブロジェット法（ＬＢ法）により１１層累積した。更
に、ＬＢ膜を形成したガラス基板を、２００℃で１時間
熱処理した。この熱処理により、該ポリイミド前駆体は
下記構造式（３）で表されるようなポリイミドとなっ
て、ＬＢ膜は非常に良好な耐薬品性と耐熱性を有するよ
うになる。
【００１１】
【化４】
【００１２】前記同一処理を施したガラス基板を２枚用
意し、２枚の基板のＬＢ膜形成時の基板の引上げ方向が
互いに垂直方向となるようにセルを構成し、減圧下でネ
マティック液晶（メルク社製、商品名ＺＬＩ１５６５）
を、０．５mm3 ／min 、０．４mm3 ／min 、０．３mm3
／min 、０．２mm3 ／min 、０．１mm3 ／min の各速度
で注入した。注入後、開口部を市販の酸無水物硬化型エ
ポキシ樹脂で固着し、液晶を封止してＴＮ型液晶セルを
完成した。得られたＴＮ型液晶セルを肉眼により観察し
たところ、液晶注入速度が０．５mm3 ／min 、０．４mm
3 ／min 、０．３mm3 ／min の各液晶素子には、液晶注
入方向に沿った筋状の液晶配向欠陥が発生していたのに
対し、０．２mm3 ／min 、０．１mm3 ／min の液晶素子
には上記欠陥は観察されなかった。
意し、２枚の基板のＬＢ膜形成時の基板の引上げ方向が
互いに垂直方向となるようにセルを構成し、減圧下でネ
マティック液晶（メルク社製、商品名ＺＬＩ１５６５）
を、０．５mm3 ／min 、０．４mm3 ／min 、０．３mm3
／min 、０．２mm3 ／min 、０．１mm3 ／min の各速度
で注入した。注入後、開口部を市販の酸無水物硬化型エ
ポキシ樹脂で固着し、液晶を封止してＴＮ型液晶セルを
完成した。得られたＴＮ型液晶セルを肉眼により観察し
たところ、液晶注入速度が０．５mm3 ／min 、０．４mm
3 ／min 、０．３mm3 ／min の各液晶素子には、液晶注
入方向に沿った筋状の液晶配向欠陥が発生していたのに
対し、０．２mm3 ／min 、０．１mm3 ／min の液晶素子
には上記欠陥は観察されなかった。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液晶注入時に発生する筋状の液晶配向欠陥を防止するこ
とができる。
液晶注入時に発生する筋状の液晶配向欠陥を防止するこ
とができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 水面上に展開することにより得られる単
分子膜を、少なくとも電極層を形成した基板上に１層以
上積層して液晶配向膜とした液晶素子において、液晶素
子への液晶注入速度を０．２mm3 ／min 以下とすること
を特徴とする液晶素子の製造方法。 - 【請求項２】 単分子膜が下記一般式（１） 【化１】 〔式中、Ｒ1 は少なくとも２個の炭素原子数を有する４
価の基、Ｒ2 は少なくとも２個の炭素原子数を有する２
価の基、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は、脂肪族、環状脂
肪族あるいは芳香族（これらが相互に組合わさってもよ
い）の炭素数１〜３０の１価の基（これらの基がハロゲ
ン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基、
アセトキシ基で置換されていてもよい）または水素原子
である。また、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 の内の少なく
とも一つは、脂肪族、環状脂肪族あるいは芳香族（これ
らが相互に組合わさっていてもよい）の炭素数１２〜３
０の１価の基（これらの基がハロゲン原子、ニトロ基、
アミノ基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基で置換
されていてもよい）である。〕で表される両親媒性高分
子物質からなる請求項１記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19078591A JPH0511254A (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19078591A JPH0511254A (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511254A true JPH0511254A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=16263701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19078591A Withdrawn JPH0511254A (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0511254A (ja) |
-
1991
- 1991-07-03 JP JP19078591A patent/JPH0511254A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |