JP3099559B2 - 液晶配向膜および液晶表示素子 - Google Patents
液晶配向膜および液晶表示素子Info
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- JP3099559B2 JP3099559B2 JP31399592A JP31399592A JP3099559B2 JP 3099559 B2 JP3099559 B2 JP 3099559B2 JP 31399592 A JP31399592 A JP 31399592A JP 31399592 A JP31399592 A JP 31399592A JP 3099559 B2 JP3099559 B2 JP 3099559B2
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- Japan
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- liquid crystal
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- phenyl
- aminophenoxy
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶の配向及びプレチ
ルト角制御能を有するポリエーテルイミド液晶配向膜の
改良に関する。
ルト角制御能を有するポリエーテルイミド液晶配向膜の
改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】時計や電卓に用いられてる液晶表示素子
には、上、下２枚で一対をなす電極基板の間でネマチッ
ク液晶分子の配列方向を９０度に捻った構造のツイスト
・ネマチック（以下、ＴＮと略す。）モードが主に採用
されている。しかし、ＴＮモードは、高デューティー駆
動した場合、コントラストが低く、視野角が狭いため、
表示品質、表示面積の向上を計るには十分なものではな
かった。一方、超捻れ複屈折効果（super twisted bire
fringence effect）（T.J.Scheffer and J.Nethriug,Ap
pl.phys.Lett.45(10),1021(1984)）を利用した液晶表示
装置が発表されて以来、上、下電極基板の間でネマチッ
ク液晶分子の配列方向を１８０〜３００度捻ったスーパ
ーツイスト・ネマチック（以下ＳＴＮと略す）モードを
利用した液晶表示素子が開発され、大画面液晶表示素子
でも表示品位の良好なものが得られるようになってき
た。
には、上、下２枚で一対をなす電極基板の間でネマチッ
ク液晶分子の配列方向を９０度に捻った構造のツイスト
・ネマチック（以下、ＴＮと略す。）モードが主に採用
されている。しかし、ＴＮモードは、高デューティー駆
動した場合、コントラストが低く、視野角が狭いため、
表示品質、表示面積の向上を計るには十分なものではな
かった。一方、超捻れ複屈折効果（super twisted bire
fringence effect）（T.J.Scheffer and J.Nethriug,Ap
pl.phys.Lett.45(10),1021(1984)）を利用した液晶表示
装置が発表されて以来、上、下電極基板の間でネマチッ
ク液晶分子の配列方向を１８０〜３００度捻ったスーパ
ーツイスト・ネマチック（以下ＳＴＮと略す）モードを
利用した液晶表示素子が開発され、大画面液晶表示素子
でも表示品位の良好なものが得られるようになってき
た。
【０００３】このような液晶表示素子に使用される配向
膜は、単に液晶分子を配列させるだけでは不十分であ
り、応答性を良くし双安定性を確実にするために、基板
面と液晶分子の間に所定の角度、いわゆるプレチルト角
をもたせるものでなければならない。また、捻り角を大
きくするにつれて、プレチルト角も大きくすることが望
ましく、捻れ角の比較的小さいもの（１８０〜２００度
ツイスト）は、プレチルト角が３度以下の配向膜で十分
であるが、表示品質を良くするために２００〜３００度
の捻れ角を有するものにあっては、広い表示面積の基板
全域にわたり均一でかつより高いプレチルト角（５゜＜
θ≦１０゜）を持つ配向膜を使用する必要がある。
膜は、単に液晶分子を配列させるだけでは不十分であ
り、応答性を良くし双安定性を確実にするために、基板
面と液晶分子の間に所定の角度、いわゆるプレチルト角
をもたせるものでなければならない。また、捻り角を大
きくするにつれて、プレチルト角も大きくすることが望
ましく、捻れ角の比較的小さいもの（１８０〜２００度
ツイスト）は、プレチルト角が３度以下の配向膜で十分
であるが、表示品質を良くするために２００〜３００度
の捻れ角を有するものにあっては、広い表示面積の基板
全域にわたり均一でかつより高いプレチルト角（５゜＜
θ≦１０゜）を持つ配向膜を使用する必要がある。
【０００４】ＳＴＮモード用として高いプレチルト角を
持ったポリイミド配向膜も存在しているが、それらは広
い表示面積の基板全域にわたるプレチルト角の均一性お
よび再現性に問題を残している。確実に、高いプレチル
ト角を得るためには、ＳｉＯ等の真空斜方蒸着による薄
膜形成が、現在行われている最良の方法である。しか
し、真空斜方蒸着による薄膜の形成は工業的に大量生産
する場合、その製造装置の面からコスト的に不利であ
る。
持ったポリイミド配向膜も存在しているが、それらは広
い表示面積の基板全域にわたるプレチルト角の均一性お
よび再現性に問題を残している。確実に、高いプレチル
ト角を得るためには、ＳｉＯ等の真空斜方蒸着による薄
膜形成が、現在行われている最良の方法である。しか
し、真空斜方蒸着による薄膜の形成は工業的に大量生産
する場合、その製造装置の面からコスト的に不利であ
る。
【０００５】また、液晶表示素子の同一場面を長時間点
灯すると、その場面を消灯した後も、前の画像が残像と
して残る現象が見られることがある。残像の原因は、液
晶素子にＤＣ成分が印加されるために、配向膜表面に液
晶中に含まれる不純物のイオン成分による電気二重層が
生じ、上下の基板の間で電荷の偏りが生じ、その偏りが
安定に保たれることによる電位差が原因であると考えら
れる。特に、ＴＦＴ素子においては、素子の特性上、Ｄ
Ｃ成分を除去することができないので、残像現象は、Ｔ
Ｎ、ＳＴＮよりも目だちやすく深刻である。よって、従
来のＴＮモードに使用されている配向膜同様、簡便な方
法すなわち有機質薄膜のラビングによる界面処理で、残
像現象がなく、配向性がよく、均一性および再現性のあ
る高いプレチルト角を実現することが切望されている。
灯すると、その場面を消灯した後も、前の画像が残像と
して残る現象が見られることがある。残像の原因は、液
晶素子にＤＣ成分が印加されるために、配向膜表面に液
晶中に含まれる不純物のイオン成分による電気二重層が
生じ、上下の基板の間で電荷の偏りが生じ、その偏りが
安定に保たれることによる電位差が原因であると考えら
れる。特に、ＴＦＴ素子においては、素子の特性上、Ｄ
Ｃ成分を除去することができないので、残像現象は、Ｔ
Ｎ、ＳＴＮよりも目だちやすく深刻である。よって、従
来のＴＮモードに使用されている配向膜同様、簡便な方
法すなわち有機質薄膜のラビングによる界面処理で、残
像現象がなく、配向性がよく、均一性および再現性のあ
る高いプレチルト角を実現することが切望されている。
【０００６】特開昭６１−２４０２２３号公報には、式
【０００７】
【化８】
【０００８】にて表される反復単位を有するポリイミド
樹脂を用いた液晶配向膜を備えた液晶表示素子が開示さ
れている。このポリイミドの原料として、式
樹脂を用いた液晶配向膜を備えた液晶表示素子が開示さ
れている。このポリイミドの原料として、式
【０００９】
【化９】
【００１０】で表されるジアミンを用いた具体例が示さ
れている。しかし、このジアミノ化合物を用いて得られ
るポリイミド配向膜では、後記する比較例に示すように
高いプレチルト角が得られないばかりでなく、残像現象
が発生するという難点がある。
れている。しかし、このジアミノ化合物を用いて得られ
るポリイミド配向膜では、後記する比較例に示すように
高いプレチルト角が得られないばかりでなく、残像現象
が発生するという難点がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の問題点を解決することであり、ラビング処理すること
により簡単に得られ、かつ残像現象がなく、配向性が良
く、さらに広い表示面積の基板全域にわたり、均一で高
いプレチルト角を持つ液晶配向膜および液晶表示素子を
提供することである。
の問題点を解決することであり、ラビング処理すること
により簡単に得られ、かつ残像現象がなく、配向性が良
く、さらに広い表示面積の基板全域にわたり、均一で高
いプレチルト角を持つ液晶配向膜および液晶表示素子を
提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
開発を進めた結果、ある特定の構造単位を持つジアミノ
化合物を使用した液晶配向膜は、残像現象がなく、配向
性が良く、広い表示面積の基板全域にわたり、均一で高
いプレチルト角を持つことを見いだし、本発明を完成さ
せた。以下に、さらに詳しく発明の詳細を記す。
開発を進めた結果、ある特定の構造単位を持つジアミノ
化合物を使用した液晶配向膜は、残像現象がなく、配向
性が良く、広い表示面積の基板全域にわたり、均一で高
いプレチルト角を持つことを見いだし、本発明を完成さ
せた。以下に、さらに詳しく発明の詳細を記す。
【００１３】本発明の配向膜の形成に付いて具体的に説
明する。液晶配向膜として用いられるポリイミド系高分
子は、一般に溶剤に不溶である。そのため、基板上に均
一なポリイミド系高分子膜を設けるには、その前駆体で
あるポリアミック酸をＮ−メチルー２ーピロリドン（Ｎ
ＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチル
ホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭ
ＳＯ）等の溶剤に溶解し、この溶液を刷毛塗り法、浸漬
法、回転塗布法、スプレー法、印刷法などの方法で基板
に塗布した後、１００〜４５０℃、好ましくは１５０〜
３００℃で加熱処理を行い、脱水閉環反応させてポリイ
ミド系高分子膜とする方法が行われている。
明する。液晶配向膜として用いられるポリイミド系高分
子は、一般に溶剤に不溶である。そのため、基板上に均
一なポリイミド系高分子膜を設けるには、その前駆体で
あるポリアミック酸をＮ−メチルー２ーピロリドン（Ｎ
ＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチル
ホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭ
ＳＯ）等の溶剤に溶解し、この溶液を刷毛塗り法、浸漬
法、回転塗布法、スプレー法、印刷法などの方法で基板
に塗布した後、１００〜４５０℃、好ましくは１５０〜
３００℃で加熱処理を行い、脱水閉環反応させてポリイ
ミド系高分子膜とする方法が行われている。
【００１４】上記のポリアミック酸は、通常テトラカル
ボン酸二無水物とジアミノ化合物との縮合により合成さ
れる。これらの縮合反応は、無水の条件下、Ｎ−メチル
ー２ーピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド
（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメ
チルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、硫酸ジメチル、スルホ
ラン、ブチロラクトン、クレゾール、フェノール、ハロ
ゲン化フェノール、シクロヘキサノン、ジオキサン、テ
トラヒドロフランなど、好ましくはＮ−メチルー２ーピ
ロリドン（ＮＭＰ）の溶媒中５０℃またはそれ以下の温
度で行われる。
ボン酸二無水物とジアミノ化合物との縮合により合成さ
れる。これらの縮合反応は、無水の条件下、Ｎ−メチル
ー２ーピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド
（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメ
チルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、硫酸ジメチル、スルホ
ラン、ブチロラクトン、クレゾール、フェノール、ハロ
ゲン化フェノール、シクロヘキサノン、ジオキサン、テ
トラヒドロフランなど、好ましくはＮ−メチルー２ーピ
ロリドン（ＮＭＰ）の溶媒中５０℃またはそれ以下の温
度で行われる。
【００１５】ジアミノ化合物は、前記式（３）または
（４）で示す化合物であり、具体例を示すと、１，１−
ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−
フェニルシクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］−４−（４−エチルフェニル）
シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］−４−（４−ｎプロピルフェニル）
シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シ
クロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シ
クロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シ
クロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シ
クロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シ
クロヘキサン、
（４）で示す化合物であり、具体例を示すと、１，１−
ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−
フェニルシクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］−４−（４−エチルフェニル）
シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］−４−（４−ｎプロピルフェニル）
シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シ
クロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シ
クロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シ
クロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シ
クロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シ
クロヘキサン、
【００１６】１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（３−メチルフェニル）シクロヘ
キサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル］−４−（３−エチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎプロピルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎブチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎペンチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサ
ン、
シ）フェニル］−４−（３−メチルフェニル）シクロヘ
キサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル］−４−（３−エチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎプロピルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎブチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎペンチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサ
ン、
【００１７】１，１−ビス［４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキ
サン、１，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニル）シ
クロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−メチル−４−
アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−エチルフェ
ニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−メチ
ル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎ
プロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４
−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−
４−（４−ｎブチルフェニル）シクロヘキサン、１，１
−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シクロヘキ
サン、１，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−メチル
−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘ
プチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−
（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４
−（４−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサン、
ミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキ
サン、１，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニル）シ
クロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−メチル−４−
アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−エチルフェ
ニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−メチ
ル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎ
プロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４
−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−
４−（４−ｎブチルフェニル）シクロヘキサン、１，１
−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シクロヘキ
サン、１，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−メチル
−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘ
プチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−
（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４
−（４−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサン、
【００１８】１，１−ビス［３−メチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキ
サン、１，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニル）シ
クロヘキサン、１，１−ビス［３−メチル−４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−エチルフェ
ニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−メチル−４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎ
プロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３
−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−
４−（４−ｎブチルフェニル）シクロヘキサン、１，１
−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シクロヘキ
サン、１，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−メチル−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘ
プチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−
メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４
−（４−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサン、
ミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキ
サン、１，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニル）シ
クロヘキサン、１，１−ビス［３−メチル−４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−エチルフェ
ニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−メチル−４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎ
プロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３
−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−
４−（４−ｎブチルフェニル）シクロヘキサン、１，１
−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニル）シクロヘキ
サン、１，１−ビス［３−メチル−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘキシルフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−メチル−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘ
プチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−
メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４
−（４−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサン、
【００１９】１，１−ビス［４−（２−メチル−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−メチルフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−メチル
−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−エチ
ルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２
−メチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−
（３−ｎプロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎブチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］−４−（３−ｎペンチルフェニル）
シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−メチル−４
−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎヘキシ
ルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２
−メチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−
（３−ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサ
ン、
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−メチルフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−メチル
−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−エチ
ルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２
−メチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−
（３−ｎプロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎブチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］−４−（３−ｎペンチルフェニル）
シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−メチル−４
−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎヘキシ
ルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２
−メチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−
（３−ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス［４−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサ
ン、
【００２０】１，１−ビス［３−メチル−４−（２−メ
チル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス［３−メチル−４−
（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４
−（３−メチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビ
ス［３−メチル−４−（２−メチル−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（３−エチルフェニル）シクロ
ヘキサン、１，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチ
ル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎ
プロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３
−メチル−４−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）
フェニル］−４−（３−ｎブチルフェニル）シクロヘキ
サン、１，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−
４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎペン
チルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−メ
チル−４−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４
−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎヘプチ
ルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−メチ
ル−４−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサ
ン、
チル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス［３−メチル−４−
（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４
−（３−メチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビ
ス［３−メチル−４−（２−メチル−４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（３−エチルフェニル）シクロ
ヘキサン、１，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチ
ル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎ
プロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３
−メチル−４−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）
フェニル］−４−（３−ｎブチルフェニル）シクロヘキ
サン、１，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−
４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎペン
チルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−メ
チル−４−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−４−（３−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［３−メチル−４−（２−メチル−４
−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（３−ｎヘプチ
ルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−メチ
ル−４−（２−メチル−４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（３−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサ
ン、
【００２１】１，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−
アミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘ
キサン、１，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−フルオ
ロ−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−エ
チルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−
（２−フルオロ−４−アミノフェノキシ）フェニル］−
４−（４−ｎプロピルフェニル）シクロヘキサン、１，
１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロ
ヘキサン、１，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフ
ェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−フ
ルオロ−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４
−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフェニ
ル）シクロヘキサン、
アミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘ
キサン、１，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−フルオ
ロ−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−エ
チルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−
（２−フルオロ−４−アミノフェノキシ）フェニル］−
４−（４−ｎプロピルフェニル）シクロヘキサン、１，
１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロ
ヘキサン、１，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフ
ェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−フ
ルオロ−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４
−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
［４−（２−フルオロ−４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（２−フルオロ−４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフェニ
ル）シクロヘキサン、
【００２２】１，１−ビス［４−（２−トリフルオロメ
チル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−トリフル
オロメチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−
（４−メチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
［４−（２−トリフルオロメチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−エチルフェニル）シクロヘ
キサン、１，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル
−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎプ
ロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−
（２−トリフルオロメチル−４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４
−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチ
ルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２
−トリフルオロメチル−４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４
−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチ
ルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２
−トリフルオロメチル−４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサ
ン、
チル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２−トリフル
オロメチル−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−
（４−メチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
［４−（２−トリフルオロメチル−４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−エチルフェニル）シクロヘ
キサン、１，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル
−４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎプ
ロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−
（２−トリフルオロメチル−４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４
−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチ
ルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２
−トリフルオロメチル−４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（２−トリフルオロメチル−４
−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチ
ルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（２
−トリフルオロメチル−４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサ
ン、
【００２３】１，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘ
キサン、１，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−フルオロ−４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−エ
チルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−フ
ルオロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４
−（４−ｎプロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１
−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロヘキ
サン、１，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−フルオロ−４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎ
ヘキシルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３
−フルオロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］
−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シ
クロヘキサン、
アミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘ
キサン、１，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］−４−（４−メチルフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−フルオロ−４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−エ
チルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−フ
ルオロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４
−（４−ｎプロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１
−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロヘキ
サン、１，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチルフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−フルオロ−４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎ
ヘキシルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３
−フルオロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］
−４−（４−ｎヘプチルフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス［３−フルオロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シ
クロヘキサン、
【００２４】１，１−ビス［３−トリフルオロメチル−
４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス［３−トリフルオロメ
チル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−
（４−メチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
［３−トリフルオロメチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−エチルフェニル）シクロヘ
キサン、１，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎプ
ロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−
トリフルオロメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチ
ルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−トリ
フルオロメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチ
ルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−トリ
フルオロメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサン
などが挙げられる。
４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−フェニ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス［３−トリフルオロメ
チル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−
（４−メチルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
［３−トリフルオロメチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−（４−エチルフェニル）シクロヘ
キサン、１，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎプ
ロピルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−
トリフルオロメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］−４−（４−ｎブチルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎペンチ
ルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−トリ
フルオロメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎヘキシルフェニル）シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［３−トリフルオロメチル−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］−４−（４−ｎヘプチ
ルフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス［３−トリ
フルオロメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−４−（４−ｎオクチルフェニル）シクロヘキサン
などが挙げられる。
【００２５】テトラカルボン酸二無水物は、前記式
（２）で示される化合物であり、具体的には、ピロメリ
ット酸二無水物、3、3'、4、4'ービフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、2、2'、3、3'ービフェニルテトラカルボン
酸二無水物、2、3、3'、4'ービフェニルテトラカルボン酸
二無水物、3、3'、4、4'ーベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物、2、3、3'、4'ーベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、2、2'、3、3'ーベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、ビス（3、4ージカルボキシフェニル）
エーテル二無水物、ビス（3、4ージカルボキシフェニ
ル）スルホン二無水物、1、2、5、6ーナフタリンテトラカ
ルボン酸二無水物、2、3、6、7ーナフタリンテトラカルボ
ン酸二無水物等が挙げられる。また、脂環式テトラカル
ボン酸二無水物として、
（２）で示される化合物であり、具体的には、ピロメリ
ット酸二無水物、3、3'、4、4'ービフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、2、2'、3、3'ービフェニルテトラカルボン
酸二無水物、2、3、3'、4'ービフェニルテトラカルボン酸
二無水物、3、3'、4、4'ーベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物、2、3、3'、4'ーベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、2、2'、3、3'ーベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、ビス（3、4ージカルボキシフェニル）
エーテル二無水物、ビス（3、4ージカルボキシフェニ
ル）スルホン二無水物、1、2、5、6ーナフタリンテトラカ
ルボン酸二無水物、2、3、6、7ーナフタリンテトラカルボ
ン酸二無水物等が挙げられる。また、脂環式テトラカル
ボン酸二無水物として、
【００２６】
【化１０】
【００２７】等を挙げることができる。これらの化合物
には異性体を含むものもあるが、これらの異性体混合物
であってもかまわない。また、本発明に使用するテトラ
カルボン酸二無水物を上記の例示化合物に限定する必要
はない。
には異性体を含むものもあるが、これらの異性体混合物
であってもかまわない。また、本発明に使用するテトラ
カルボン酸二無水物を上記の例示化合物に限定する必要
はない。
【００２８】本発明の液晶配向膜において、アミノシリ
コン化合物またはジアミノシリコン化合物をポリイミド
に導入することで、基板への接着性を高くすることが可
能である。アミノシリコン化合物は、前記式（５）で示
される化合物であり、具体的には、３−アミノプロピル
トリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、
３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−アミ
ノプロピルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２
−アミノエチルトリメトキシシラン、２−アミノエチル
トリエトキシシラン、２−アミノエチルメチルジメトキ
シシラン、２−アミノエチルメチルジエトキシシラン、
４−アミノブチルトリメトキシシラン、４−アミノフェ
ニルトリメトキシシラン、４−アミノフェニルトリエト
キシシラン、４−アミノフェニルメチルジメトキシシラ
ン、４−アミノフェニルメチルジエトキシシラン、４−
アミノフェニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラ
ン、３−（４−アミノフェニル）プロピルトリメトキシ
シラン、３−（４−アミノフェニル）プロピルトリエト
キシシラン、３−アミノフェニルトリメトキシシラン、
３−アミノフェニルトリエトキシシラン、３−（４−ア
ミノフェニル）プロピルメチルジメトキシシラン、３−
（４−アミノフェニル）プロピルメチルジエトキシシラ
ン、３−アミノフェニルメチルジメトキシシラン、３−
アミノフェニルメチルジエトキシシランを挙げることが
できる。これらのアミノシリコン化合物をポリイミド系
高分子に導入する場合、その含有量はポリイミド原料に
対して５０モル％以下、好ましくは３０モル％以下であ
ることが好ましい。
コン化合物またはジアミノシリコン化合物をポリイミド
に導入することで、基板への接着性を高くすることが可
能である。アミノシリコン化合物は、前記式（５）で示
される化合物であり、具体的には、３−アミノプロピル
トリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、
３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−アミ
ノプロピルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２
−アミノエチルトリメトキシシラン、２−アミノエチル
トリエトキシシラン、２−アミノエチルメチルジメトキ
シシラン、２−アミノエチルメチルジエトキシシラン、
４−アミノブチルトリメトキシシラン、４−アミノフェ
ニルトリメトキシシラン、４−アミノフェニルトリエト
キシシラン、４−アミノフェニルメチルジメトキシシラ
ン、４−アミノフェニルメチルジエトキシシラン、４−
アミノフェニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラ
ン、３−（４−アミノフェニル）プロピルトリメトキシ
シラン、３−（４−アミノフェニル）プロピルトリエト
キシシラン、３−アミノフェニルトリメトキシシラン、
３−アミノフェニルトリエトキシシラン、３−（４−ア
ミノフェニル）プロピルメチルジメトキシシラン、３−
（４−アミノフェニル）プロピルメチルジエトキシシラ
ン、３−アミノフェニルメチルジメトキシシラン、３−
アミノフェニルメチルジエトキシシランを挙げることが
できる。これらのアミノシリコン化合物をポリイミド系
高分子に導入する場合、その含有量はポリイミド原料に
対して５０モル％以下、好ましくは３０モル％以下であ
ることが好ましい。
【００２９】また、ジアミノシリコン化合物としては、
【００３０】
【化１１】
【００３１】を挙げることができる。これらのジアミノ
シリコン化合物をポリイミド系高分子に導入する場合、
その含有量はポリイミド原料であるジアミノ化合物の５
０モル％以下、好ましくは３０モル％以下をジアミノシ
リコン化合物で置き換えて用いることが出来る。
シリコン化合物をポリイミド系高分子に導入する場合、
その含有量はポリイミド原料であるジアミノ化合物の５
０モル％以下、好ましくは３０モル％以下をジアミノシ
リコン化合物で置き換えて用いることが出来る。
【００３２】本発明の液晶配向膜を基板上に設けるに
は、ポリイミドの前駆体であるテトラカルボン酸二無水
物とジアミノ化合物との縮合によって得られるポリアミ
ック酸を基板上に塗布し、加熱処理して脱水反応をさせ
てポリイミド系高分子膜を基板上に形成する方法が好ま
しい。具体的に説明すると、ポリアミック酸をＮ−メチ
ル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド
（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメ
チルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ブチルセロソルブ、エ
チルカルビトールなどの溶剤に溶解し、０．１〜３０重
量％溶液に調整し、この溶液を刷毛塗り法、浸漬法、回
転塗布法、スプレー法、印刷法等により基板上に塗布
し、塗膜を形成させる。塗布後、１００〜４５０℃、好
ましくは１８０〜２９０℃で加熱処理を行い、脱水閉環
反応させてポリイミド系高分子膜を設ける。塗布前に、
基板表面上にシランカップリング剤で処理し、その上に
高分子膜を形成させれば、高分子膜と基板との接着性を
改善することができる。しかる後、この被膜面を布など
で一方向にラビングして、液晶配向膜を得る。
は、ポリイミドの前駆体であるテトラカルボン酸二無水
物とジアミノ化合物との縮合によって得られるポリアミ
ック酸を基板上に塗布し、加熱処理して脱水反応をさせ
てポリイミド系高分子膜を基板上に形成する方法が好ま
しい。具体的に説明すると、ポリアミック酸をＮ−メチ
ル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド
（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメ
チルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ブチルセロソルブ、エ
チルカルビトールなどの溶剤に溶解し、０．１〜３０重
量％溶液に調整し、この溶液を刷毛塗り法、浸漬法、回
転塗布法、スプレー法、印刷法等により基板上に塗布
し、塗膜を形成させる。塗布後、１００〜４５０℃、好
ましくは１８０〜２９０℃で加熱処理を行い、脱水閉環
反応させてポリイミド系高分子膜を設ける。塗布前に、
基板表面上にシランカップリング剤で処理し、その上に
高分子膜を形成させれば、高分子膜と基板との接着性を
改善することができる。しかる後、この被膜面を布など
で一方向にラビングして、液晶配向膜を得る。
【００３３】液晶表示素子として用いる基板は、通常、
基板上に電極、具体的にはＩＴＯ（酸化インジウムー酸
化スズ）や酸化スズの透明電極が形成されたものである
が、さらに、この電極と基板との間に、基板からのアル
カリ溶出を防止するための絶縁膜、カラーフィルター、
カラーフィルターオーバーコート等のアンダーコート膜
を設けてもよく、電極上に絶縁膜、カラーフィルター膜
などのオーバーコート膜を設けてもよい。また、ＴＦＴ
素子、非線形抵抗素子などの能動素子を形成していても
よい。これらの電極、アンダーコート、その他の液晶セ
ル内の構成は、従来の液晶表示素子の構成が使用可能で
ある。
基板上に電極、具体的にはＩＴＯ（酸化インジウムー酸
化スズ）や酸化スズの透明電極が形成されたものである
が、さらに、この電極と基板との間に、基板からのアル
カリ溶出を防止するための絶縁膜、カラーフィルター、
カラーフィルターオーバーコート等のアンダーコート膜
を設けてもよく、電極上に絶縁膜、カラーフィルター膜
などのオーバーコート膜を設けてもよい。また、ＴＦＴ
素子、非線形抵抗素子などの能動素子を形成していても
よい。これらの電極、アンダーコート、その他の液晶セ
ル内の構成は、従来の液晶表示素子の構成が使用可能で
ある。
【００３４】このように形成された基板を使用してセル
化し、液晶を注入し、注入口を封止して液晶表示素子を
作る。この封入される液晶としては、通常のネマチック
液晶の他、二色性色素を添加した液晶等種々の液晶が使
用できる。本発明の液晶配向膜は、広い表示面積の基板
全域にわたり均一でかつ高いプレチルト角を通常のラビ
ング処理により実現できるという特性を備えていること
が特徴である。
化し、液晶を注入し、注入口を封止して液晶表示素子を
作る。この封入される液晶としては、通常のネマチック
液晶の他、二色性色素を添加した液晶等種々の液晶が使
用できる。本発明の液晶配向膜は、広い表示面積の基板
全域にわたり均一でかつ高いプレチルト角を通常のラビ
ング処理により実現できるという特性を備えていること
が特徴である。
【００３５】本発明の液晶表示素子は、広い表示面積の
基板全域にわたり均一でかつ高いプレチルト角を通常の
ラビング処理により実現できるという特性を備えている
液晶配向膜、すなわち本発明に係わる液晶配向膜を備え
ていることが特徴であり、通常、基板、電圧印加手段、
液晶配向膜、液晶層などにより構成される。
基板全域にわたり均一でかつ高いプレチルト角を通常の
ラビング処理により実現できるという特性を備えている
液晶配向膜、すなわち本発明に係わる液晶配向膜を備え
ていることが特徴であり、通常、基板、電圧印加手段、
液晶配向膜、液晶層などにより構成される。
【００３６】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明するが、本発明ではこれらの実施例に限定されな
い。各実施例および比較例において、残像現象の度合
は、Ｃ−Ｖカーブ法を用いて測定した。Ｃ−Ｖカーブ法
は、液晶セルに２５ｍＶ、１ｋＨｚの交流を印加し、さ
らに周波数０．００３６Ｈｚの直流の三角波（以下、Ｄ
Ｃ電圧という。）を重たんさせ、ＤＣ電圧を−１０Ｖか
ら１０Ｖの範囲で掃引することにより変化する容量Ｃを
記録する方法である。ＤＣ電圧を正側（０→１０Ｖ）に
掃引すると、容量は大きくなる。次に負側（１０→０
Ｖ）に掃引すると、容量は小さくなる。同様に、０より
負側（０→−１０Ｖ）に掃引すると、容量は大きくな
り、正側（−１０→０Ｖ）に掃引すると小さくなる。こ
れを数サイクル繰り返すと図１のような波形が得られ
る。液晶配向膜表面に電荷の偏りが生じ、この偏りが安
定すると、電圧が正側、負側両方において図１のような
ヒステリシスカーブを描く。この図１をもとに、各Ｃ−
Ｖ曲線に対し接線をひき、またＤＣ電圧が０のときの容
量（Ｃ0 ）を示す直線をひく、そして、それら各々の交
点（α1〜α4）を求め、正側は｜α1−α2｜、負側は｜
α3−α4｜の各２点間の電圧差を求めた後、これらの平
均の電圧差、すなわち（｜α1−α2｜＋｜α3−α4｜）
／２を求め、得られた値を残留電荷とした。残留電荷
は、液晶セルの膜厚及び配向膜の膜厚が同じであれば、
電荷の偏りと、そしてその安定化を示すパラメーターと
して用いることができる。すなわち残留電荷の小さい配
向膜を用いれば、液晶表示素子の残像現象を緩和できる
ということが分かる。
説明するが、本発明ではこれらの実施例に限定されな
い。各実施例および比較例において、残像現象の度合
は、Ｃ−Ｖカーブ法を用いて測定した。Ｃ−Ｖカーブ法
は、液晶セルに２５ｍＶ、１ｋＨｚの交流を印加し、さ
らに周波数０．００３６Ｈｚの直流の三角波（以下、Ｄ
Ｃ電圧という。）を重たんさせ、ＤＣ電圧を−１０Ｖか
ら１０Ｖの範囲で掃引することにより変化する容量Ｃを
記録する方法である。ＤＣ電圧を正側（０→１０Ｖ）に
掃引すると、容量は大きくなる。次に負側（１０→０
Ｖ）に掃引すると、容量は小さくなる。同様に、０より
負側（０→−１０Ｖ）に掃引すると、容量は大きくな
り、正側（−１０→０Ｖ）に掃引すると小さくなる。こ
れを数サイクル繰り返すと図１のような波形が得られ
る。液晶配向膜表面に電荷の偏りが生じ、この偏りが安
定すると、電圧が正側、負側両方において図１のような
ヒステリシスカーブを描く。この図１をもとに、各Ｃ−
Ｖ曲線に対し接線をひき、またＤＣ電圧が０のときの容
量（Ｃ0 ）を示す直線をひく、そして、それら各々の交
点（α1〜α4）を求め、正側は｜α1−α2｜、負側は｜
α3−α4｜の各２点間の電圧差を求めた後、これらの平
均の電圧差、すなわち（｜α1−α2｜＋｜α3−α4｜）
／２を求め、得られた値を残留電荷とした。残留電荷
は、液晶セルの膜厚及び配向膜の膜厚が同じであれば、
電荷の偏りと、そしてその安定化を示すパラメーターと
して用いることができる。すなわち残留電荷の小さい配
向膜を用いれば、液晶表示素子の残像現象を緩和できる
ということが分かる。
【００３７】実施例１ 攪拌装置、温度計、コンデンサー及び窒素置換装置を備
えた三ッ口フラスコに、１，１−ビス［４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキサ
ン１２．９１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１６５．
００ｇを仕込み、溶解した。これを１０℃に冷却して、
無水ピロメリット酸６．１１ｇを投入し、攪拌反応させ
た。１時間後、パラアミノフェニルトリメトキシシラン
１．３５ｇを加え、１５℃、１時間攪拌反応させた。そ
の後反応液をブチルセルソルブ１８．３３ｇで希釈し、
ポリアミック酸溶液（１０重量％、η20＝１２０ｃｐ
ｓ）を得た。この溶液をＮ−メチル−２−ピロリドン２
倍量、ブチルセルソルブ２倍量で希釈した後、片面に透
明電極を設けたガラス基板上に、回転塗布法（スピナー
法）で塗布した。塗布条件は回転数２０００ｒｐｍ，２
０秒であった。塗布後、１００℃で１０分間予備加熱を
行った後、２００℃１時間で加熱処理を行い、膜厚６０
ｎｍのポリイミド膜を得た。続いて、２枚の基板の膜面
をそれぞれラビング処理を施し、ラビング方向が平行で
かつ互いに対向するようにセル厚２０μｍの液晶セルを
組立、メルク（株）製液晶ZLI-1132を封入した、その後
液晶を１３０℃、３０分加熱処理を行った。この液晶素
子は配向が良好であり、クリスタルローテーション法か
らプレチルト角を求めると５度であった。同じ方法でセ
ル厚６μｍの液晶セルを組み立て、残留電荷を測定した
ところ、２５℃で０．０２Ｖであった。次に前記と同じ
方法で、６４０×２００ドットになるように、ＩＴＯ透
明基板を設けたガラス基板上にポリイミド膜を得、表面
を２４０度ツイストになるようにラビング処理を施し、
セルを組み立て、液晶ＬＩＸＯＮ−４０１１（チッソ
（株）製）を注入し、液晶素子を得た。この液晶素子の
駆動実験をしたところ、ドメインおよび残像現象の発生
もない良好なものであった。
えた三ッ口フラスコに、１，１−ビス［４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキサ
ン１２．９１ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１６５．
００ｇを仕込み、溶解した。これを１０℃に冷却して、
無水ピロメリット酸６．１１ｇを投入し、攪拌反応させ
た。１時間後、パラアミノフェニルトリメトキシシラン
１．３５ｇを加え、１５℃、１時間攪拌反応させた。そ
の後反応液をブチルセルソルブ１８．３３ｇで希釈し、
ポリアミック酸溶液（１０重量％、η20＝１２０ｃｐ
ｓ）を得た。この溶液をＮ−メチル−２−ピロリドン２
倍量、ブチルセルソルブ２倍量で希釈した後、片面に透
明電極を設けたガラス基板上に、回転塗布法（スピナー
法）で塗布した。塗布条件は回転数２０００ｒｐｍ，２
０秒であった。塗布後、１００℃で１０分間予備加熱を
行った後、２００℃１時間で加熱処理を行い、膜厚６０
ｎｍのポリイミド膜を得た。続いて、２枚の基板の膜面
をそれぞれラビング処理を施し、ラビング方向が平行で
かつ互いに対向するようにセル厚２０μｍの液晶セルを
組立、メルク（株）製液晶ZLI-1132を封入した、その後
液晶を１３０℃、３０分加熱処理を行った。この液晶素
子は配向が良好であり、クリスタルローテーション法か
らプレチルト角を求めると５度であった。同じ方法でセ
ル厚６μｍの液晶セルを組み立て、残留電荷を測定した
ところ、２５℃で０．０２Ｖであった。次に前記と同じ
方法で、６４０×２００ドットになるように、ＩＴＯ透
明基板を設けたガラス基板上にポリイミド膜を得、表面
を２４０度ツイストになるようにラビング処理を施し、
セルを組み立て、液晶ＬＩＸＯＮ−４０１１（チッソ
（株）製）を注入し、液晶素子を得た。この液晶素子の
駆動実験をしたところ、ドメインおよび残像現象の発生
もない良好なものであった。
【００３８】実施例２ 実施例１の１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキサンを１，１
−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４
−（４−エチルフェニル）シクロヘキサンに置き換えた
以外は、実施例１に準じた操作で、粘度１２０ｃｐｓの
ポリアミック酸溶液１０重量％を得た。この溶液を用い
て、実施例１と同様の操作で得られた液晶素子の液晶配
向性は良好であり、プレチルト角は６度であった。同じ
方法でセル厚６μｍの液晶セルを組み立て、残留電荷を
測定したところ、２５℃で０．０２Ｖであった。また、
実施例１と同様の駆動実験の結果は、ドメインおよび残
像現象の発生もない良好なものであった。
シ）フェニル］−４−フェニルシクロヘキサンを１，１
−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４
−（４−エチルフェニル）シクロヘキサンに置き換えた
以外は、実施例１に準じた操作で、粘度１２０ｃｐｓの
ポリアミック酸溶液１０重量％を得た。この溶液を用い
て、実施例１と同様の操作で得られた液晶素子の液晶配
向性は良好であり、プレチルト角は６度であった。同じ
方法でセル厚６μｍの液晶セルを組み立て、残留電荷を
測定したところ、２５℃で０．０２Ｖであった。また、
実施例１と同様の駆動実験の結果は、ドメインおよび残
像現象の発生もない良好なものであった。
【００３９】比較例１ 実施例１に準じた操作によって、２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンのジアミ
ノ化合物から、ポリアミック酸溶液（１０重量％、η20
＝１１３ｃｐｓ）を得た。この溶液を用いて、実施例１
と同様の操作で得られた液晶素子のプレチルト角は３度
であった。同じ方法でセル厚６μｍの液晶セルを組み立
て、残留電荷を測定したところ、２５℃で０．３０Ｖで
あった。また、実施例１と同様の駆動実験の結果は、ド
メインおよび残像現象の発生が見られた。
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンのジアミ
ノ化合物から、ポリアミック酸溶液（１０重量％、η20
＝１１３ｃｐｓ）を得た。この溶液を用いて、実施例１
と同様の操作で得られた液晶素子のプレチルト角は３度
であった。同じ方法でセル厚６μｍの液晶セルを組み立
て、残留電荷を測定したところ、２５℃で０．３０Ｖで
あった。また、実施例１と同様の駆動実験の結果は、ド
メインおよび残像現象の発生が見られた。
【００４０】この結果から、本発明の配向膜は、広い表
示面積の基板全域にわたり均一でかつ高いプレチルト角
を有しており、該配向膜を用いて得られる液晶素子は、
ドメインおよび残像現象の発生のない高品位なものであ
った。また、原料中のフェニルシクロヘキサンに結合し
ているＲ1〜Ｒ3のアルキル鎖長を長くするとプレチルト
角を大きくすることができ、適当な鎖長を選択すること
により、液晶素子を製造する際に必要な、もっとも最適
なプレチルト角を得ることができる。
示面積の基板全域にわたり均一でかつ高いプレチルト角
を有しており、該配向膜を用いて得られる液晶素子は、
ドメインおよび残像現象の発生のない高品位なものであ
った。また、原料中のフェニルシクロヘキサンに結合し
ているＲ1〜Ｒ3のアルキル鎖長を長くするとプレチルト
角を大きくすることができ、適当な鎖長を選択すること
により、液晶素子を製造する際に必要な、もっとも最適
なプレチルト角を得ることができる。
【００４１】
【発明の効果】本発明により高プレチルト角を有する液
晶配向膜およびドメインや残像現象の起こらない高品位
な液晶表示素子が容易に得ることができる。また、該液
晶配向膜は、ＳＴＮ液晶表示素子に要求されている広い
表示面積の基板全域にわたり均一でかつ高いプレチルト
角を通常のラビング処理により実現することができる。
晶配向膜およびドメインや残像現象の起こらない高品位
な液晶表示素子が容易に得ることができる。また、該液
晶配向膜は、ＳＴＮ液晶表示素子に要求されている広い
表示面積の基板全域にわたり均一でかつ高いプレチルト
角を通常のラビング処理により実現することができる。
【００４２】
【図１】Ｃ−Ｖヒステリシス曲線を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1337 525
Claims (9)
- 【請求項１】一般式（１） 【化１】 で示される構造単位を主成分として有するポリイミドを
用いることを特徴とする液晶配向膜。 - 【請求項２】下記の式（２）で表されるテトラカルボン
酸二無水物と式（３）もしくは／および式（４）で表さ
れるジアミノ化合物とを溶媒中で反応させてポリアミッ
ク酸を生成し、該ポリアミック酸を加熱することにより
得られるポリイミドを用いることを特徴とする請求項１
記載の液晶配向膜。 【化２】 - 【請求項３】下記の式（２）で表されるテトラカルボン
酸二無水物と式（３）もしくは／および式（４）で表さ
れるジアミノ化合物および式（５）で表されるシリコン
化合物とを溶媒中で反応させてポリアミック酸を生成
し、該ポリアミック酸を加熱することにより得られるポ
リイミドを用いることを特徴とする請求項１記載の液晶
配向膜。 【化３】 - 【請求項４】ポリアミック酸が、式（２）で表されるテ
トラカルボン酸二無水物と式（３）もしくは／および式
（４）で表されるジアミノ化合物を溶媒中で反応させた
後、さらに、式（５）で表されるシリコン化合物を混合
し反応させて得られたポリアミック酸であることを特徴
とする請求項３記載の液晶配向膜。 - 【請求項５】一般式（６） 【化４】 で示される構造単位を主成分として有するポリエーテル
ポリイミドを用いることを特徴とする請求項１記載の液
晶配向膜。 - 【請求項６】一般式（７） 【化５】 で表される置換イミド基を有するポリエーテルポリイミ
ドを用いることを特徴とする請求項５記載の液晶配向
膜。 - 【請求項７】一般式（８） 【化６】 で示される構造単位を主成分として有するポリエーテル
ポリイミドを用いることを特徴とする請求項１記載の液
晶配向膜。 - 【請求項８】一般式（９） 【化７】 で表される置換イミド基を有するポリエーテルポリイミ
ドを用いることを特徴とする請求項７記載の液晶配向
膜。 - 【請求項９】請求項１〜８のいずれかの項に記載される
液晶配向膜を備えた液晶表示素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31399592A JP3099559B2 (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 液晶配向膜および液晶表示素子 |
| US08/141,600 US5414126A (en) | 1992-10-29 | 1993-10-27 | Diamino compounds and liquid crystal aligning films |
| US08/328,463 US5430195A (en) | 1992-10-29 | 1994-10-25 | Diamino compounds and liquid crystal aligning films |
| US08/471,184 US5545444A (en) | 1992-10-29 | 1995-06-06 | Diamino compounds and liquid crystal aligning films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31399592A JP3099559B2 (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 液晶配向膜および液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06138465A JPH06138465A (ja) | 1994-05-20 |
| JP3099559B2 true JP3099559B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=18047962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31399592A Expired - Lifetime JP3099559B2 (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 液晶配向膜および液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3099559B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3177872B2 (ja) * | 1995-03-27 | 2001-06-18 | ジェイエスアール株式会社 | 液晶配向剤 |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP31399592A patent/JP3099559B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06138465A (ja) | 1994-05-20 |
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