JPH05221930A - ジアリールカーボネートの製造を目的とする捕獲的なハロゲン化カルボニル化合物工程とその反応装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 ジアリールカーボネートの製造方法、及びそ
の反応装置の提供。 【構成】 ａ）ハロゲン化カルボニル化合物生成反応条
件下、第一反応域においてＣＯと塩素、臭素またはそれ
らの混合物から成るハロゲンを接触させ、ｂ）第二反応
域において、工程ａ）からのハロゲン化カルボニル化合
物の一部分と芳香族水酸化化合物又はそれの混合物を接
触させ、ハロゲン化水素及びジアリールカーボネートを
生成しそしてそのジアリールカーボネートの一部分を回
収し、ｃ）第三反応域において段階ｂ）で生成されたハ
ロゲン化水素の幾分かと金属酸化物を接触させ、水及び
対応する金属ハロゲン化物を生成し、ｄ）第三反応域で
のその金属酸化物の排出時と排出前に、酸化体をその第
三反応域に導入し金属酸化物を再生、ハロゲンを解放
し、ｅ）解放されたハロゲンを段階ａ）に循環する方
法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明はジアリールカーボネートの製造工
程とその装置に関し、更に詳しくは本発明はハロゲン化
カルボニル化合物を装置内で再生する為循環される無水
ハロゲン化水素の除去を伴うハロゲン化カルボニル化合
物を用いたジアリールカーボネートを生成するため芳香
族水酸化化合物とカルボニルハロゲン化物との反応を目
的とする反応循環装置に関する。

【０００２】ジアリールカーボネートを生成する触媒工
方法は、その触媒にアミン又はそれらの塩、五価の有機
リン化合物又はそれらの塩と有機金属化合物を使用して
いたが、その際無水ハロゲン化水素は副産物として産さ
れる。

【０００３】先の工程例においてはＵＳ−Ａ−２，３６
２，８６５とＵＳ−Ａ−３，２５１，８７３（金属フェ
ナート触媒）、ＵＳ−Ａ−３，２３４，２６１（金属酸
化物触媒）ＵＳ−Ａ−３，２３４，２６３（第三アミン
触媒）等があるが、ＵＳ−Ａ−３，９９６，２７３では
塩化第二銅塊を一酸化炭素に接触させて使用するホスゲ
ンの製造工程が明言されている。引用で明言されるＫＣ
Ｌ／ＣｕＣＬ反応塊使用の技術向上にもかかわらず反応
装置をめぐる物理的な塊交換始動要求が問題処理固体と
エネルギー集約装置へと導く。

【０００４】本発明に従えば、ジアリールカーボネート
とハロゲン化水素の形成を満たす条件下、反応装置内触
媒存在下における芳香族水酸化化合物又は芳香族水酸化
化合物とそのアリールハロホルム誘導体の混合物とハロ
ゲン化カルボニル化合物との接触、ジアリールカーボネ
ートの回収、そして装置内でハロゲン化カルボニル化合
物を循環するハロゲン化水素化合物の少なくとも幾分か
の循環を含むジアリールカーボネートの製造工方法が提
供される。

【０００５】本工程では、ハロゲン化水素を引き続き遊
離ハロゲンに再変換されるハロゲン化金属に変換する事
により捕獲されるので、ハロゲン化カルボニル化合物は
効果的に捕獲試薬である。それによりハロゲン化カルボ
ニル化合物の大量棚卸し作業は回避され、有機物に汚染
された塩化水素酸の廃棄流の処分は除かれる。

【０００６】本発明の使用は、重合炭酸樹脂を製造する
溶融重合加工に使用されるジアリールカーボネートの経
済的な製造を可能し、又これらの重合炭酸樹脂は加熱応
用または他の適宜技術による物品成形製造の成形樹脂と
して有効である。

【０００７】本発明の主たる目的は、先のジアリールカ
ーボネート製造技法の不利益の回避にあり、これらには
そこで副産物ハロゲン化水素が産されるという製造工程
に関連する処理問題がある。

【０００８】前述の方法の利益を達成する為、できうれ
ば １） ハロゲン化カルボニル化合物の反応条件下、一酸
化炭素と塩素、臭素またはそれらの混合物を含む群から
選択されたハロゲンとの接触に適する第１反応域、 ２） ハロゲン化水素化合物とジアリールカーボネート
を作りそのジアリールカーボネート少なくとも一部分の
除去に適し、第１反応域で生成されたハロゲン化カルボ
ニル化合物の少なくとも一部分と芳香族水酸化化合物又
は芳香族水酸化化合物とそのハロホーメイト誘導体の混
合物との接触に適する第１反応域と操作連絡下にある第
２反応域、そして ３） 水と対応するハロゲン化金属を生成し、第２反応
域で生成されたハロゲン化水素の少なくとも一部分と金
属酸化物との接触に適する第２反応域と操作連絡下にあ
る第３反応域、 を含むジアリールカーボネート製造に適する反応装置を
使用する事が望ましい。

【０００９】第３反応域内で相当量の金属酸化物の消費
後、第３反応域はラインから離れそして工程は変更され
る。第３反応域はそこで形成される金属ハロゲン化物と
酸化体との接触により復活しハロゲンを解放する。そし
てそのハロゲンは第１反応域に供給される。新規酸化金
属床はそれも又再生が要求される時まで第３反応域を代
行する。仮に二つの金属酸化物／ハロゲン化金属床が同
等の能力を持つとするならば、各床を交互に第２反応域
からハロゲン化水素を吸収させるか、又は第１反応域に
ハロゲンを解放させるかさせて使用し工程それ自身を反
復する事ができる。

【００１０】更に詳しくは、前述の方法と反応装置は金
属ハロゲン化物／ハロゲン系装置の手段によりハロゲン
の捕獲的な循環でもって芳香族水酸化化合物又は芳香族
水素化合物とそのハロホーメイト誘導体との混合物、一
酸化炭素及び酸化剤からジアリールカーボネートを製造
する方法に有効使用され、その方法は、 ａ） ハロゲン化カルボニル化合物生成条件下、第一反
応域内で一酸化炭素と塩素、臭素またはその混合物から
成る群から選択されたハロゲンを接触させ、 ｂ） その第一反応域との操作連絡下にある第二反応域
において段階ａ）からのハロゲン化カルボニル化合物の
少なくとも一部分と芳香族水酸化化合物もしくはその混
合物を接触させてハロゲン化水素とジアリールカーボネ
ートを作り、そしてジアリールカーボネートの少なくと
も一部分を回収し、 ｃ） その第二反応域との操作連絡下にある第三反応に
おいて、段階ｂ）で形成されたハロゲン化水素の少なく
とも一部分と金属酸化物を接触させて水とその対応金属
ハロゲン化物を生成し、 ｄ） その第三反応域における金属酸化物の排出中及び
排出前に酸化体をその第三反応ゾーン中に導入し金属酸
化物を再生し、そしてハロゲンを解放し、 ｅ） その解放されたハロゲンを段階ａ）に循環する、
事を含む。

【００１１】先の技術で知られる芳香族水酸化化合物と
ハロゲン化カルボニル化合物の反応に関する任意の反応
条件と触媒が本発明の方法の段階ｂ）に適宜使用がで
き、その例には先に明言された均一触媒法がある。又相
応しくはＵＳ−Ａ−３，８３７，５５５で明言されるハ
ロゲン化トリメチルアンモニウム塩触媒法、ＵＳ−Ａ−
４，０１２，４０６で明言される芳香族５環基窒素化合
物又はその塩もしくはその付加物による触媒法がある。
又相応しくは、有機ホスフィンのような芳香族含窒素５
環化合物又はトリフェニルホスィンやトリベンジルホス
フィン等の化合物がある。

【００１２】不均一触媒反応の典型例にはＵＳ−Ａ−
４，０４５，４６４で明言されるルイス酸とそれらを生
成物する転移金属化合物を使用した触媒法があり、もう
一つの適宜工程にはＵＳ−Ａ−４２９，９５４で明言さ
れる支持金属塩触媒法がある。

【００１３】三フッ化アルミニウム化合物を含む触媒は
特に望ましく、これらはアルミニナなどの酸化アルミニ
ウム化合物とフッ化水素とを水発生を供なう高温におい
て接触させて前調整される。このような触媒調整温度は
２５０℃から７００℃が好ましく、更により好ましくは
４５０℃から６００℃が良い。好ましくは触媒はグラム
当たり０．１から１．０平方メートルの表面積を持つの
が良く、更に好ましくは０．３から０．７５平方メート
ルが良い。又好ましくは触媒は５０パーセントから１０
０パーセントのα−アルミニウム三価フッソ化合物を含
むのが良く、更に好ましくは９５パーセントから１００
パーセント、最も好ましくは９８パーセントから１００
パーセントを含むのが良い。

【００１４】触媒は好ましくは支持されないアルミニウ
ムフッソ化合物が良いが、所望ならば触媒は支持体上で
合体する事もでき、例えば基質材は、その中で陰イオン
が有機陰イオン（例えばオキサレートなどのカルボキシ
レートやジカルボキシレート又はナイトレートやニトレ
ートなどの含窒素陰イオン）であるアルミニウム塩を浸
透させる事ができる。これらの塩は例えば大気中５００
℃以上で加熱するなどのカルシングにより対応する酸化
アルミニウムに変換ができ、アルミニナ被覆材のＡＩＦ
₃への変換は前明言のようにその時達成できる。

【００１５】適宜支持材には、多孔質で高温においても
安定である耐熱性酸化物、セラミックや他の不活性材が
あり、例にはシリカ、アルミノシリケート、カーボン、
シリコンカーバイド、アルミニウム窒素化合物、シリカ
ライト、チタニア、ジルコニアがある。

【００１６】使用される場合の多孔性支持材は望ましく
はグラム当たり５０平方メートルから５００平方メート
ルの表面積を持つのが良く、その支持材の平均孔半径
は、望ましくは５０〜３００オングストロームであり、
一方触媒の粒子の大きさが望ましくは２５μｍから１．
５センチメートルである。焼成前のアルミニウム塩は望
ましくは触媒重量の１パーセントから４０パーセントで
あるのが良く、また好ましくは触媒重量の１０パーセン
トから３０パーセントであるのが良い。

【００１７】段階ｂ）の望ましい芳香族水酸化化合物は
一般式 Ａｒ（ＯＨ）_m で表せられるが、ここでＡｒは炭素数２４までの芳香族
もしくは置換芳香族基であり、そしてｍは１−３であ
る。適宜置換基にはハロゲンあるいは炭素原子が１から
１２のアルキル基、アルカジイル基、アリールオキシ基
又はアルコキシ基などがあり、０個から５個まで置換基
が存在可能である。好ましい芳香族水酸化化合物は炭素
数２０までのフェノール化合物及びビスフェノール化合
物であり、最も好ましい芳香族水酸化出発化合物はフェ
ノール、ビスフェノールＡ（２，２−ビス（ヒドロキシ
メチル）プロパン）とビスフェノールＦ（ビス（ヒドロ
キシフェニル）メタン）である。

【００１８】好ましいハロゲン化カルボニル化合物はホ
スゲン、臭化ホスゲン又はそれらの混合物であり、最も
好ましいハロゲン化カルボニル化合物はホスゲンであ
る。アリールハロホーメイト化合物は、段階ｂ）でのハ
ロゲン化カルボニル化合物と芳香族水酸化化合物の反応
の結果生じる中間生成物と推測されるが、それも又本方
法により生成する事ができる。又それらは、反応の初め
から使用されている芳香族水酸化化合物と同種又は他種
の芳香族水酸化化合物が混合された型で所望であるとこ
ろのジアリールカーボネートから分離ができカルボニル
ハロゲン化合物と接触させて循環することができる。熟
練技師であれば本方法が前述の芳香族水酸化化合物、そ
のアリールハロホーメイト誘導体又はその混合物の転換
に利用できる事が解るだろう。

【００１９】通常、段階ｂ）の工程には、２５℃から４
５０℃の反応条件を使用するが、好ましくは１２５℃か
ら４００℃が良く、又工程はできうればホスゲンが気体
であるような条件下でホスゲンを使用して行われるのが
良く、更に好ましい具象では、ホスゲンと芳香族水酸化
化合物双方共がその時に触媒に吸収されないように気体
層中に保留されるのが良い。本発明の一具象では生成物
ジアリールカーボネートも又気体であるが、生成物ジア
リールカーボネートはできうれば液体状に保たれるのが
良く、従ってその状態を変える温度は好ましくは反応体
と生成物の蒸気転移温度もしくは工程が実施される装置
気圧に依存するのが良く、又上限においては生成物の分
解の起こる温度に依存するのが良い。最も好ましい具象
は、そこで出発物質がフェノールのホスゲンであり、生
成物がジフェノールカーボネート（ＤＰＣ）であり、フ
ェノールの通常沸点が１８２℃であり、生成物ジフェノ
ールカーボネートの沸点が３０２℃であり、そして本工
程で最も好ましい低限温度範囲は一気圧において１８２
℃であり、上限は３０２℃である場合である。

【００２０】本発明の更なる具象では、不活性気体は運
搬用気体として用いる事ができ、反応体と生成物は選択
的にそれらの沸点以下の温度の段階ｂ）の気体層中に滞
留する。できうれば不活性気体は窒素、二酸化炭素又は
ガス状トルエンのような炭化水素が良く、段階ｂ）にお
いて１．０ｋＰａから５００ｋＰａの装置気体が使用可
能であるが、好ましくは装置気圧は約１０ｋＰａから約
５００ｋＰａを使用するのが良い。

【００２１】芳香族水酸化化合物とその混合物とハロゲ
ン化カルボニル化合物の希望モル比は望ましくは１：１
から３：１であり、芳香族水酸化化合物に対してハロゲ
ン化カルボニル化合物が高い比率を持つとその結果とし
て大量のアリールハロホーメイト中間体が形成される事
になる。従って好ましい芳香族水酸化化合物とハロゲン
化カルボニル化合物のモル比は１，８：１から２，１：
２である。

【００２２】段階ｂ）の工程は固定床反応装置、流動床
反応装置又は循環流動床反応装置などの適宜反応装置内
で実施できるが、流動床反応装置や循環流動床反応装置
の場合は触媒はできうれば流動粉体として用いるのが良
い。そのような反応装置内滞留時間は望ましくは１秒か
ら３０００秒間、好ましくは１秒から６０秒間が良く、
最も好ましくは滞留時間は１秒から１０秒間が良い。構
成材は腐食力の高いハロゲン化カルボニル化合物に対し
て抵抗できるものでなければならず、従って適宜構成材
はガラス、ガラス繊維鋼とＨａｓｔａｌｌｏｙ^TMであ
る。

【００２３】不均一触媒の定期的な再生は出発物質から
生成物への転換率を促進する事が出来、又再生は約４０
０℃から６００℃の範囲の高温においてメタノールもし
くは水で触媒を処理する事により達成される。

【００２４】段階ｃ）ｄ）及びｅ）において、ハロゲン
化水素副産物は金属酸化物／ハロゲン化金属系循環装置
の使用により循環されるが、本技法では二つの装置又は
一つの装置から成る二つの分割領域を、交互に芳香族水
酸化化合物のホスゲン反応から作られるハロゲン化水素
と金属酸化物を反応させて金属ハロゲン化物を生成して
水を解放させるのに使用する。その後、金属ハロゲン化
物は酸化体と反応し金属酸化物を再生しハロゲンを解放
する。

【００２５】このような循環反応装置の好ましい金属酸
化物／金属ハロゲン化物対は酸化第二銅／塩化第二銅系
であり、好ましくは酸化体は酸素含有気体、特には空気
が良い。ハロゲン化水素をそれに対応する金属ハロゲン
化物に転換する反応条件は好ましくは温度が１００℃か
ら５００℃、操作気圧が１気圧（１００ｋＰａ）から１
０気圧（１ＭＰａ）が良い。また金属酸化物を再生する
反応条件は温度が５０℃から５００℃で、操作圧は１気
圧（１００ｋＰａ）から１０気圧（１ＭＰａ）が良い。

【００２６】再生期間中に解放されるハロゲンは、段階
ａ）において一酸化炭素と接触してハロゲン化カルボニ
ル化合物を作るが、このような工程は公知技術である。
適宜反応条件には高温の使用があり、高圧も又使用可能
である。好ましい温度は２５０℃から４５０℃であり、
好ましい操作気圧は１気圧（１００ｋＰａ）から１０気
圧（１ＭＰａ）である。一酸化炭素は、酸化体の手段に
よってハロゲンが再生されると同時にハロゲン化金属床
に直接導入する事ができるが、好ましくは触媒を含む領
域が独立している反応領域を使用するのが良い。

【００２７】段階ａ）の適宜触媒は活性炭である事が分
かっており、例えば活性炭木炭や活性骨炭などの適宜な
型の活性炭が使用できる。又活性炭には又段階ｄ）から
の余分な酸化体を吸収する作用があり、その結果それは
酸化体と一酸化炭素との反応を防ぐ事となる。このよう
な活性炭の二重の効力遂行機能により活性炭は段階ａ）
の希望触媒である。できうれば段階ｄ）における金属酸
化物の再生期間中に反応装置から退去する生成物流中の
酸化体の存在を検知するのが望ましく、その為に酸素セ
ンサが使用される。そしてその酸素センサが起こりうる
酸素の段階ａ）の反応装置への通過が検知された時に酸
素流の方向は反転する。

【００２８】この様な金属酸化物／金属ハロゲン化物の
循環装置の使用を、更に引用図１ので図解する。ここで
はハロゲン化カルボニル化合物はライン３を経由で、芳
香族水酸化化合物、そのハロホーメイト誘導体又はそれ
らの混合物がライン５経由で供給され（以下文中でも芳
香族水酸化化合物の例は前にも記述したような混合物を
含んでいるのが解るだろう）る主要反応装置１を含む二
重反応領域をもつ反応装置が図解されている。ハロゲン
化水素がライン９を源とする一方で、ジアリールカーボ
ネート生成物はライン７経由で二つの循環装置のうちの
いずれか一つ１１か１２に除去される。反応装置１１の
内部には、酸素を吸収するばかりでなくハロゲン化カル
ボニル化合物の形成を触媒する能力を持つ例えば活性炭
等を含む層１３と酸化金属層１５がある。ハロゲン化水
素は反応する事無しに層１３を通過し金属酸化物を反応
して金属ハロゲン化物を形成し水を解放する。またその
水はライン１７を経由して解放される。その時循環装置
１２は再生モードで作動される。酸化体はライン１９経
由でハロゲン化金属２１に供給されハロゲン化金属酸化
し対応する金属としハロゲンを放出する。ハロゲンは層
１３に入り、そこでライン２３経由で供給される一酸化
炭素と反応してハロゲン化カルボニル化合物を生成し、
そのハロゲン化カルボニル化合物はライン１３を通って
解放される。もう一つの具象では一酸化炭素は酸化体の
供給と同時にハロゲン化金属と接触する事ができる。ハ
ロゲン化金属と吸収層の境界面の少し前方に配置される
酸素センサ２５は起こり得る酸素通過を検知し、その事
から装置内流の方向の反転の要求を表示する。層１３は
層内に例えどんなわずかな酸素通過が生じても酸素を吸
収する能力がある。

【００２９】装置内流反転後、二双の循環反応装置の操
作は変化する。その前にハロゲン化水素をハロゲン化金
属に変換した反応系装置は、ハロゲン化カルボニル化合
物の生成し主要反応系装置に供給する事で復活する。も
う一方の反応系装置はハロゲン化水素を金属ハロゲン化
物に変換するのに使われる。

【００３０】本発明では分割型循環反応装置の代わりに
多数床単領域反応装置で分割型循環反応装置と同じ利益
を得ている。この反応装置は図２の図解のように反応装
置３０を含み、その反応装置３０は、その両端に吸収体
／触媒床３６と３８の手段により中央反応装置４０から
それぞれが独立する金属酸化物床３２とハロゲン金属床
３４を持っている。酸化体はバルブ４６の手段によりラ
イン４２か又はライン４４のいずれかを通過して反応装
置中に導入される。同様に一酸化炭素はバルブ５２の位
置に依存しながらライン４８と５０を通り吸収体／触媒
層の近くの反応装置内に導入される。芳香族水酸化化合
物はバルブ５８の手段によりライン５４又はライン５６
を経由して吸収体／触媒床の下流の反応装置内に導入さ
れる。芳香族カーボネート生成物は、バルブ６４の位置
に依存しながらライン６０又はライン６２により反応装
置から除去される。水はバルブ７０の位置に依存しなが
らライン６６又はライン６８経由で除去される。酸素セ
ンサ７２と７４は起こり得る吸収体／触媒床内への酸素
通過を検知し反応体と生成物の流れを反転させる。

【００３１】更に本発明の具体操作の良例は、酸素セン
サ７４が起こり得る酸素通過を検知するまで、ライン４
２を通る酸化体流、ライン４８を通る一酸化炭素流また
ライン５４を通る芳香族水酸化物流が持続する事に見る
ことができる。このモードでの操作期間中、芳香族カー
ボネート生成物はライン６２を経由して除去され、又副
産物である水はライン６８を経由して除去される。酸素
センサの作動はバルブ４６，５２，５８，６４と７０の
状態を変え、その結果酸化体流はライン４４を経由で、
一酸化炭素はライン５０経由で、芳香族水酸化化合物流
はライン５６経由でそれぞれ反応装置内に入るようにな
る。芳香族炭素生成物はライン６０を経由で除去され、
副産物である水はライン６６経由で除去される。酸素セ
ンサ７２の作動時に操作サイクルは再び繰り返される。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明で使用される反応器の概略図。

【図２】 多数床単領域反応装置の概略図。

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【手続補正書】

【提出日】平成４年８月１４日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１３

【補正方法】変更

【補正内容】

フロントページの続き (72)発明者 クレイグ・ビー・マーチソン アメリカ合衆国ミシガン州48640，ミドラ ンド，ウエスト・メドゥブルック 606 (72)発明者 ホセ・プガ アメリカ合衆国ミシガン州48640，ミドラ ンド，ワイルド・パイン・コート 4502

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ハロゲン化金属／遊離ハロゲン系の手段
   によりハロゲン化水素の自家循環でもって芳香族水酸化
   化合物又は芳香族水酸化化合物とそのアリールハロホー
   メイト誘導体との混合物、一酸化炭素と酸化剤からジア
   リールカーボネートを製造する方法において、その方法
   は、 ａ） ハロゲン化カルボニル化合物生成反応条件下、第
   一反応域において一酸化炭素と塩素、臭素またはそれら
   の混合物から成る族から選択されたハロゲンを接触さ
   せ、 ｂ） その第一反応域と操作連絡下にある第二反応域に
   おいて、工程ａ）からのハロゲン化カルボニル化合物の
   少なくとも一部分と芳香族水酸化化合物又はそれの混合
   物を接触させ、ハロゲン化水素及びジアリールカーボネ
   ートを生成しそしてそのジアリールカーボネートの少な
   くとも一部分を回収し、 ｃ） その第二反応域と操作連絡下にある第三反応域に
   おいて段階ｂ）で生成されたハロゲン化水素の少なくと
   も幾分かと金属酸化物を接触させ、水及び対応する金属
   ハロゲン化物を生成し、 ｄ） その第三反応域でのその金属酸化物の排出時と排
   出前に、酸化体をその第三反応域に導入し金属酸化物を
   再生しそしてハロゲンを解放し、そして ｅ） その解放されたハロゲンを段階ａ）に循環する事
   を含む方法。
2. 【請求項２】 第三反応域がそれぞれが金属ハロゲン化
   物か金属酸化物試薬を含む二双床の一つを交互させて使
   用し、その二双床が先ず最初に金属ハロゲン化物の金属
   酸化物試薬露出時に水と金属ハロゲン化物を再生し、次
   いで再生時金属ハロゲン化物を酸化体に露出した時にハ
   ロゲンを形成する操作を行う事ができる請求項１の方
   法。
3. 【請求項３】 操作期間中、二双床の一つが酸化体を受
   け入れハロゲンを生成する一方で、もう一方がハロゲン
   化水素を受け入れ水を形成する請求項２の連続的方法。
4. 【請求項４】 一つの床内のその金属酸化物の枯渇間際
   時に、ハロゲン化水素流と酸化剤流が反対床に転じて二
   双床の操作が反転する請求項３の絶え間ない連続的方
   法。
5. 【請求項５】 酸化体が酸素含有気体を含む請求項１〜
   ４のいずれかの方法。
6. 【請求項６】 酸化体が空気である請求項５の方法。
7. 【請求項７】 酸化体が５０℃から５００℃でハロゲン
   化金属との接触する請求項１〜６のいずれかの方法。
8. 【請求項８】 金属酸化物が酸化第二銅である請求項１
   〜７のいずれかの方法。
9. 【請求項９】 芳香族水素化合物がフェノール、ビスフ
   ェノールＡもしくはビスフェノールＦ、ハロゲン化カル
   ボニル化合物がホスゲンである請求項１〜８のいずれか
   の方法。
10. 【請求項１０】 ハロゲン化水素が１００℃から５００
    ℃で金属酸化物と接触する請求項１〜９のいずれかの方
    法。
11. 【請求項１１】 ハロゲンが２５０℃から４５０℃で一
    酸化炭素と接触する請求項１〜１０のいずれかの方法。
12. 【請求項１２】 ハロゲンが活性炭触媒存在下で一酸化
    炭素と接触する請求項１１の方法。
13. 【請求項１３】 ジアリールカーボネートの生成に適す
    る請求項１１の方法の反応装置において、その装置は １） ハロゲン化カルボニル化合物の形成反応条件下、
    一酸化炭素と塩素、臭素またはその混合物から成る群か
    ら選択されたハロゲンとの接触に適する第一反応域。 ２） そのジアリールカーボネート第一反応域で生成さ
    れたハロゲン化カルボニルの少なくとも一部分と芳香族
    水酸化化合物又は芳香族水酸化化合物とそのアリールハ
    ロホーメイト誘導体の混合物との接触させてハロゲン化
    水素及びジアリールカーボネートを生成するのに適し、
    そしてそのジアリールカーボネートの少なくとも一部分
    に適し、第一反応域と操作連絡下にある第二反応域。そ
    して ３）第二反応域で生成されたハロゲン化水素の少なくと
    も一部分と金属酸化物の接触させて、水及びその対応す
    る金属ハロゲン化物を生成するのに適し、第二反応域の
    操作連絡下にある第三反応域。 を含む。
14. 【請求項１４】 多数床単反応領域反応装置である請求
    項１３の反応装置。
15. 【請求項１５】 二重反応領域反応装置である請求項１
    ３の反応装置。
16. 【請求項１６】１） ハロゲン化カルボニル化合物形成
    反応条件下、一酸化炭素と塩素、臭素またはそれらの混
    合物から成る群から選択されたハロゲンとの接触に適す
    る第一反応域。 ２） 第一反応域で生成されたハロゲン化カルボニル化
    合物の少なくとも一部分と芳香族水酸化化合物又は芳香
    族水酸化とそのアリールハロホーメイト誘導体との接触
    させてハロゲン化水素とジアリールカーボネートを生成
    するのに適し、そしてそのジアリールカーボネートの少
    なくとも一部を除去するのに適し、第一反応域の操作連
    絡下にある第二反応域。そして ３） 第二反応域で生成されるハロゲン化水素の少なく
    とも一部分と金属酸化物とを接触させて水及びその対応
    する金属ハロゲン化物を生成するのに適し、第二反応域
    と操作連絡下にある第三反応域。 を含むジアリールカーボネート製造用の反応装置の使
    用。