JPH0521813A - 半導体圧力センサ用ハーメチツクシール構造およびその製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサ用ハーメチツクシール構造およびその製造方法Info
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- JPH0521813A JPH0521813A JP3200084A JP20008491A JPH0521813A JP H0521813 A JPH0521813 A JP H0521813A JP 3200084 A JP3200084 A JP 3200084A JP 20008491 A JP20008491 A JP 20008491A JP H0521813 A JPH0521813 A JP H0521813A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 接合部分の強度向上および製造工程の簡略化
である。 【構成】 半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造
であって、金属製ボディー２と、この金属製ボディー２
に配設されるアルミナ製ステム１との間およびこのアル
ミナ製ステム１とアルミナ製ステム１に設けた挿通孔５
に挿通する半導体端子３との間をＴｉを含有した活性金
属ろう材４で接合する。
である。 【構成】 半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造
であって、金属製ボディー２と、この金属製ボディー２
に配設されるアルミナ製ステム１との間およびこのアル
ミナ製ステム１とアルミナ製ステム１に設けた挿通孔５
に挿通する半導体端子３との間をＴｉを含有した活性金
属ろう材４で接合する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体圧力センサ用
ハーメチックシール構造およびその製造方法に関し、特
に、接合部分の強度が向上し、製造工程が簡略化した半
導体圧力センサ用ハーメチックシール構造およびその製
造方法に関するものである。
ハーメチックシール構造およびその製造方法に関し、特
に、接合部分の強度が向上し、製造工程が簡略化した半
導体圧力センサ用ハーメチックシール構造およびその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術および解決しようとする課題】従来の半導体
圧力センサ用ハーメチックシール構造では、アルミナ製
ステムの表面をＭｏ−Ｍｎ法などによりメタライズす
る。その後、半導体端子をアルミナ製ステムに設けた挿
通孔に挿通し、高融点のＳｎ−Ａｇろう等によりアルミ
ナ製ステムのメタライズ面と接合する。
圧力センサ用ハーメチックシール構造では、アルミナ製
ステムの表面をＭｏ−Ｍｎ法などによりメタライズす
る。その後、半導体端子をアルミナ製ステムに設けた挿
通孔に挿通し、高融点のＳｎ−Ａｇろう等によりアルミ
ナ製ステムのメタライズ面と接合する。
【０００３】そして、このアルミナ製ステムを圧力セン
サの金属製ボディーに挿入し、前記Ｓｎ−Ａｇろうが溶
融しない低融点の半田等でアルミナ製ステムのメタライ
ズ面と金属製ボディーとを接合する。
サの金属製ボディーに挿入し、前記Ｓｎ−Ａｇろうが溶
融しない低融点の半田等でアルミナ製ステムのメタライ
ズ面と金属製ボディーとを接合する。
【０００４】しかしながら、上記のように構成された従
来の半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造および
その製造方法において、半導体圧力センサ用ハーメチッ
クシール構造を製造するために非常に多工程を要してい
た。また、一定以上の圧力が半導体圧力センサ用ハーメ
チックシール構造に負荷されると、アルミナ製ステムと
金属製ボディーと間の半田等による接合部分にクラック
が発生し、圧力の測定が出来なくなってしまう。これ
は、半田等の強度が低いのと、接合部分に半田等が完全
に充填されず、ボイド（巣）が生じ、このボイドを起点
としてクラックが容易に発生するためである。このよう
に、従来の半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造
は耐圧性に劣るという問題点を有していた。
来の半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造および
その製造方法において、半導体圧力センサ用ハーメチッ
クシール構造を製造するために非常に多工程を要してい
た。また、一定以上の圧力が半導体圧力センサ用ハーメ
チックシール構造に負荷されると、アルミナ製ステムと
金属製ボディーと間の半田等による接合部分にクラック
が発生し、圧力の測定が出来なくなってしまう。これ
は、半田等の強度が低いのと、接合部分に半田等が完全
に充填されず、ボイド（巣）が生じ、このボイドを起点
としてクラックが容易に発生するためである。このよう
に、従来の半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造
は耐圧性に劣るという問題点を有していた。
【０００５】この発明は、上記のような従来のもののも
つ問題点を解決したものであって、半導体圧力センサ用
ハーメチックシール構造の製造工程の簡略化と、接合部
分の強度を向上させることを目的とするものである。
つ問題点を解決したものであって、半導体圧力センサ用
ハーメチックシール構造の製造工程の簡略化と、接合部
分の強度を向上させることを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明は金属製ボディーと、この金属製ボディ
ーに配設されるアルミナ製ステムとの間およびこのアル
ミナ製ステムとアルミナ製ステムに設けた挿通孔に挿通
する半導体端子との間を活性金属ろう材で接合したとい
う手段を採用したものである。また、前記活性金属ろう
材がＳｎ−Ａｇろうであり、また、前記活性金属ろう材
が銀ろうであり、また、前記活性金属ろう材がＰｂ−Ｉ
ｎろうであり、また、前記活性金属ろう材にはＴｉが含
有している。また、金属製ボディーにアルミナ製ステム
を配設し、半導体端子を前記アルミナ製ステムに設けた
挿通孔に挿通し、金属製ボディーとアルミナ製ステムと
の間および半導体端子とアルミナ製ステムとの間に活性
金属ろう材を充填し、その後、所定の時間、所定の温度
に保持して熱処理を行い、金属製ボディーとアルミナ製
ステムとの間およびアルミナ製ステムと半導体端子との
間を活性金属ろう材で接合したという手段を採用したも
のである。また、前記活性金属ろう材がＳｎ−Ａｇろう
であり、また、前記活性金属ろう材が銀ろうであり、ま
た、前記活性金属ろう材がＰｂ−Ｉｎろうであり、ま
た、前記活性金属ろう材にはＴｉが含有しているという
手段を採用したものである。
めに、この発明は金属製ボディーと、この金属製ボディ
ーに配設されるアルミナ製ステムとの間およびこのアル
ミナ製ステムとアルミナ製ステムに設けた挿通孔に挿通
する半導体端子との間を活性金属ろう材で接合したとい
う手段を採用したものである。また、前記活性金属ろう
材がＳｎ−Ａｇろうであり、また、前記活性金属ろう材
が銀ろうであり、また、前記活性金属ろう材がＰｂ−Ｉ
ｎろうであり、また、前記活性金属ろう材にはＴｉが含
有している。また、金属製ボディーにアルミナ製ステム
を配設し、半導体端子を前記アルミナ製ステムに設けた
挿通孔に挿通し、金属製ボディーとアルミナ製ステムと
の間および半導体端子とアルミナ製ステムとの間に活性
金属ろう材を充填し、その後、所定の時間、所定の温度
に保持して熱処理を行い、金属製ボディーとアルミナ製
ステムとの間およびアルミナ製ステムと半導体端子との
間を活性金属ろう材で接合したという手段を採用したも
のである。また、前記活性金属ろう材がＳｎ−Ａｇろう
であり、また、前記活性金属ろう材が銀ろうであり、ま
た、前記活性金属ろう材がＰｂ−Ｉｎろうであり、ま
た、前記活性金属ろう材にはＴｉが含有しているという
手段を採用したものである。
【０００７】
【作用】この発明は上記の手段を採用したことにより、
従来の半田等による接合と比較してすぐれた充填性を示
し、ボイド等が生じないため接合部分の強度が向上し、
耐圧性が向上する。また、活性金属ろう材にＴｉが含有
しているため、アルミナ製ステムに対する濡れ性が向上
する。
従来の半田等による接合と比較してすぐれた充填性を示
し、ボイド等が生じないため接合部分の強度が向上し、
耐圧性が向上する。また、活性金属ろう材にＴｉが含有
しているため、アルミナ製ステムに対する濡れ性が向上
する。
【０００８】
【実施例】以下、図面に示すこの発明の実施例について
説明する。図１にはこの発明による半導体圧力センサ用
ハーメチックシール構造の第１の実施例が示されてい
て、この半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造
は、金属製ボディー２と、この金属製ボディー２に配設
されるアルミナ製ステム１との間およびこのアルミナ製
ステム１とアルミナ製ステム１に設けた挿通孔５に挿通
する半導体端子３との間をＴｉを含有したＳｎ−Ａｇろ
うで接合したものである。
説明する。図１にはこの発明による半導体圧力センサ用
ハーメチックシール構造の第１の実施例が示されてい
て、この半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造
は、金属製ボディー２と、この金属製ボディー２に配設
されるアルミナ製ステム１との間およびこのアルミナ製
ステム１とアルミナ製ステム１に設けた挿通孔５に挿通
する半導体端子３との間をＴｉを含有したＳｎ−Ａｇろ
うで接合したものである。
【０００９】そして、前記Ｓｎ−Ａｇろう４には、重量
パーセントで１〜３％のＴｉが含有されている。なお、
各接合部分の厚さは１００μｍ程度である。
パーセントで１〜３％のＴｉが含有されている。なお、
各接合部分の厚さは１００μｍ程度である。
【００１０】つぎに、半導体圧力センサ用ハーメチック
シール構造の製造方法は、まず、金属製ボディー２にア
ルミナ製ステム１を配設し、半導体端子３を前記アルミ
ナ製ステム１に設けた挿通孔５に挿通する。そして、前
記金属製ボディー２とアルミナ製ステム１との間および
半導体端子３とアルミナ製ステム１との間にＴｉを含有
したＳｎ−Ａｇろう４を充填する。
シール構造の製造方法は、まず、金属製ボディー２にア
ルミナ製ステム１を配設し、半導体端子３を前記アルミ
ナ製ステム１に設けた挿通孔５に挿通する。そして、前
記金属製ボディー２とアルミナ製ステム１との間および
半導体端子３とアルミナ製ステム１との間にＴｉを含有
したＳｎ−Ａｇろう４を充填する。
【００１１】その後、真空中（１０- 5 Ｔｏｒｒ以下）
で４分間８８０℃に保持して熱処理を行い、金属製ボデ
ィー２とアルミナ製ステム１との間およびアルミナ製ス
テム１と半導体端子３との間をＴｉを含有したＳｎ−Ａ
ｇろう４で接合する。
で４分間８８０℃に保持して熱処理を行い、金属製ボデ
ィー２とアルミナ製ステム１との間およびアルミナ製ス
テム１と半導体端子３との間をＴｉを含有したＳｎ−Ａ
ｇろう４で接合する。
【００１２】このようにして製造された半導体圧力セン
サ用ハーメチックシール構造は、以下に示す圧力インパ
ルステストの結果より明らかなように、従来の半田等に
よる接合と比較してすぐれた充填性を示し、ボイド等が
生じないため接合部分の強度向上を図ることができ、す
ぐれた耐圧性を示す結果、従来と比較して１０倍程度強
度が向上する。
サ用ハーメチックシール構造は、以下に示す圧力インパ
ルステストの結果より明らかなように、従来の半田等に
よる接合と比較してすぐれた充填性を示し、ボイド等が
生じないため接合部分の強度向上を図ることができ、す
ぐれた耐圧性を示す結果、従来と比較して１０倍程度強
度が向上する。
【００１３】また、前記Ｓｎ−Ａｇろう４には重量パー
セントで１〜３％のＴｉが含有されていることにより、
アルミナ製ステム１に対する濡れ性を向上させることが
できる。また、一度の熱処理だけでハーメチックシール
が得られるため、製造工程の簡略化が可能である。
セントで１〜３％のＴｉが含有されていることにより、
アルミナ製ステム１に対する濡れ性を向上させることが
できる。また、一度の熱処理だけでハーメチックシール
が得られるため、製造工程の簡略化が可能である。
【００１４】
〔圧力インパルステストの結果〕
（試験条件）
Ｓｎ−Ａｇろうには、重量パーセントで２％のＴｉが含
有され、金属製ボディーの材質はＳＵＳ３０４である。 ピーク圧力 ＰP ：５１ＭＰa ベース圧力 ＰB ：３９ＭＰa 加圧サイクル Ｔ1 ：６０Ｃ．Ｐ．Ｍ． 加圧時間 Ｔ2 ：１サイクルの１／２ 圧力上昇時間 Ｔ3 ：０．０５ｓｅｃ （試験結果） 従来品（Ｍｏ−Ｍｎ法による） ２．２×１０6 サイクルで破損 本発明品（Ｓｎ−Ａｇろう接合品） ２．７×１０7 サイクルで破損
有され、金属製ボディーの材質はＳＵＳ３０４である。 ピーク圧力 ＰP ：５１ＭＰa ベース圧力 ＰB ：３９ＭＰa 加圧サイクル Ｔ1 ：６０Ｃ．Ｐ．Ｍ． 加圧時間 Ｔ2 ：１サイクルの１／２ 圧力上昇時間 Ｔ3 ：０．０５ｓｅｃ （試験結果） 従来品（Ｍｏ−Ｍｎ法による） ２．２×１０6 サイクルで破損 本発明品（Ｓｎ−Ａｇろう接合品） ２．７×１０7 サイクルで破損
【００１５】図２にはこの発明による半導体圧力センサ
用ハーメチックシール構造の第２の実施例が示されてい
て、この半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造
は、金属製ボディー２２と、この金属製ボディー２２に
配設されるアルミナ製ステム２１との間およびこのアル
ミナ製ステム２１とアルミナ製ステム２１に設けた挿通
孔２５に挿通する半導体端子２３との間をＴｉを含有し
た銀ろう２４で接合したものである。
用ハーメチックシール構造の第２の実施例が示されてい
て、この半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造
は、金属製ボディー２２と、この金属製ボディー２２に
配設されるアルミナ製ステム２１との間およびこのアル
ミナ製ステム２１とアルミナ製ステム２１に設けた挿通
孔２５に挿通する半導体端子２３との間をＴｉを含有し
た銀ろう２４で接合したものである。
【００１６】そして、前記銀ろう２４には、重量パーセ
ントで１〜３％のＴｉが含有されている。なお、各接合
部分の厚さは１００μｍ程度である。
ントで１〜３％のＴｉが含有されている。なお、各接合
部分の厚さは１００μｍ程度である。
【００１７】つぎに、半導体圧力センサ用ハーメチック
シール構造の製造方法は、まず、金属製ボディー２２に
アルミナ製ステム２１を配設し、半導体端子２３を前記
アルミナ製ステム２１に設けた挿通孔２５に挿通する。
そして、前記金属製ボディー２２とアルミナ製ステム２
１との間および半導体端子２３とアルミナ製ステム２１
との間にＴｉを含有した銀ろう２４を充填する。
シール構造の製造方法は、まず、金属製ボディー２２に
アルミナ製ステム２１を配設し、半導体端子２３を前記
アルミナ製ステム２１に設けた挿通孔２５に挿通する。
そして、前記金属製ボディー２２とアルミナ製ステム２
１との間および半導体端子２３とアルミナ製ステム２１
との間にＴｉを含有した銀ろう２４を充填する。
【００１８】その後、真空中（１０- 5 Ｔｏｒｒ以下）
で４分間８８０℃に保持して熱処理を行い、金属製ボデ
ィー２２とアルミナ製ステム２１との間およびアルミナ
製ステム２１と半導体端子２３との間をＴｉを含有した
銀ろう２４で接合する。
で４分間８８０℃に保持して熱処理を行い、金属製ボデ
ィー２２とアルミナ製ステム２１との間およびアルミナ
製ステム２１と半導体端子２３との間をＴｉを含有した
銀ろう２４で接合する。
【００１９】このようにして製造された半導体圧力セン
サ用ハーメチックシール構造は、以下に示す圧力インパ
ルステストの結果より明らかなように、従来の半田等に
よる接合と比較してすぐれた充填性を示し、ボイド等が
生じないため接合部分の強度向上を図ることができ、す
ぐれた耐圧性を示す結果、従来と比較して１６倍程度強
度が向上する。
サ用ハーメチックシール構造は、以下に示す圧力インパ
ルステストの結果より明らかなように、従来の半田等に
よる接合と比較してすぐれた充填性を示し、ボイド等が
生じないため接合部分の強度向上を図ることができ、す
ぐれた耐圧性を示す結果、従来と比較して１６倍程度強
度が向上する。
【００２０】また、前記銀ろう２４に重量パーセントで
１〜３％のＴｉを含有させることにより、アルミナ製ス
テム２１に対する濡れ性を向上させることができる。ま
た、一度の熱処理だけでハーメチックシールが得られる
ため、製造工程の簡略化が可能である。
１〜３％のＴｉを含有させることにより、アルミナ製ス
テム２１に対する濡れ性を向上させることができる。ま
た、一度の熱処理だけでハーメチックシールが得られる
ため、製造工程の簡略化が可能である。
【００２１】
〔圧力インパルステストの結果〕
（試験条件）
銀ろうには、重量パーセントで２％のＴｉが含有され、
金属製ボディーの材質はＳＵＳ３０４である。 ピーク圧力 ＰP ：５１ＭＰa ベース圧力 ＰB ：３９ＭＰa 加圧サイクル Ｔ1 ：６０Ｃ．Ｐ．Ｍ． 加圧時間 Ｔ2 ：１サイクルの１／２ 圧力上昇時間 Ｔ3 ：０．０５ｓｅｃ （試験結果） 従来品（Ｍｏ−Ｍｎ法による） ２．２×１０6 サイクルで破損 本発明品（銀ろう接合品） ３．５×１０7 サイクルで破損
金属製ボディーの材質はＳＵＳ３０４である。 ピーク圧力 ＰP ：５１ＭＰa ベース圧力 ＰB ：３９ＭＰa 加圧サイクル Ｔ1 ：６０Ｃ．Ｐ．Ｍ． 加圧時間 Ｔ2 ：１サイクルの１／２ 圧力上昇時間 Ｔ3 ：０．０５ｓｅｃ （試験結果） 従来品（Ｍｏ−Ｍｎ法による） ２．２×１０6 サイクルで破損 本発明品（銀ろう接合品） ３．５×１０7 サイクルで破損
【００２２】図３にはこの発明による半導体圧力センサ
用ハーメチックシール構造の第３の実施例が示されてい
て、この半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造
は、金属製ボディー４２と、この金属製ボディー４２に
配設されるアルミナ製ステム４１との間およびこのアル
ミナ製ステム４１とアルミナ製ステム４１に設けた挿通
孔４５に挿通する半導体端子４３との間をＴｉを含有し
たＰｂ−Ｉｎろう４４で接合したものである。
用ハーメチックシール構造の第３の実施例が示されてい
て、この半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造
は、金属製ボディー４２と、この金属製ボディー４２に
配設されるアルミナ製ステム４１との間およびこのアル
ミナ製ステム４１とアルミナ製ステム４１に設けた挿通
孔４５に挿通する半導体端子４３との間をＴｉを含有し
たＰｂ−Ｉｎろう４４で接合したものである。
【００２３】そして、前記Ｐｂ−Ｉｎろう４４には、重
量パーセントで１〜３％のＴｉが含有されている。な
お、各接合部分の厚さは１００μｍ程度である。
量パーセントで１〜３％のＴｉが含有されている。な
お、各接合部分の厚さは１００μｍ程度である。
【００２４】つぎに、半導体圧力センサ用ハーメチック
シール構造の製造方法は、まず、金属製ボディー４２に
アルミナ製ステム４１を配設し、半導体端子４３を前記
アルミナ製ステム４１に設けた挿通孔４５に挿通する。
そして、前記金属製ボディー４２とアルミナ製ステム４
１との間および半導体端子４３とアルミナ製ステム４１
との間にＴｉを含有したＰｂ−Ｉｎろう４４を充填す
る。
シール構造の製造方法は、まず、金属製ボディー４２に
アルミナ製ステム４１を配設し、半導体端子４３を前記
アルミナ製ステム４１に設けた挿通孔４５に挿通する。
そして、前記金属製ボディー４２とアルミナ製ステム４
１との間および半導体端子４３とアルミナ製ステム４１
との間にＴｉを含有したＰｂ−Ｉｎろう４４を充填す
る。
【００２５】その後、真空中（１０- 5 Ｔｏｒｒ以下）
で４分間８８０℃に保持して熱処理を行い、金属製ボデ
ィー４２とアルミナ製ステム４１との間およびアルミナ
製ステム４１と半導体端子４３との間をＴｉを含有した
Ｐｂ−Ｉｎろう４４で接合する。
で４分間８８０℃に保持して熱処理を行い、金属製ボデ
ィー４２とアルミナ製ステム４１との間およびアルミナ
製ステム４１と半導体端子４３との間をＴｉを含有した
Ｐｂ−Ｉｎろう４４で接合する。
【００２６】このようにして製造された半導体圧力セン
サ用ハーメチックシール構造は、以下に示す圧力インパ
ルステストの結果より明らかなように、従来の半田等に
よる接合と比較してすぐれた充填性を示し、ボイド等が
生じないため接合部分の強度向上を図ることができ、す
ぐれた耐圧性を示す結果、従来と比較して５倍程度強度
が向上する。
サ用ハーメチックシール構造は、以下に示す圧力インパ
ルステストの結果より明らかなように、従来の半田等に
よる接合と比較してすぐれた充填性を示し、ボイド等が
生じないため接合部分の強度向上を図ることができ、す
ぐれた耐圧性を示す結果、従来と比較して５倍程度強度
が向上する。
【００２７】また、前記Ｐｂ−Ｉｎろう４４に重量パー
セントで１〜３％のＴｉを含有させることにより、アル
ミナ製ステム４１に対する濡れ性を向上させることがで
きる。また、一度の熱処理だけでハーメチックシールが
得られるため、製造工程の簡略化が可能である。
セントで１〜３％のＴｉを含有させることにより、アル
ミナ製ステム４１に対する濡れ性を向上させることがで
きる。また、一度の熱処理だけでハーメチックシールが
得られるため、製造工程の簡略化が可能である。
【００２８】
〔圧力インパルステストの結果〕
（試験条件）
Ｐｂ−Ｉｎろうには、重量パーセントで２％のＴｉが含
有され、金属製ボディーの材質はＳＵＳ３０４である。 ピーク圧力 ＰP ：５１ＭＰa ベース圧力 ＰB ：３９ＭＰa 加圧サイクル Ｔ1 ：６０Ｃ．Ｐ．Ｍ． 加圧時間 Ｔ2 ：１サイクルの１／２ 圧力上昇時間 Ｔ3 ：０．０５ｓｅｃ （試験結果） 従来品（Ｍｏ−Ｍｎ法による） ２．２×１０6 サイクルで破損 本発明品（Ｐｂ−Ｉｎろう接合品） １．２×１０7 サイクルで破損
有され、金属製ボディーの材質はＳＵＳ３０４である。 ピーク圧力 ＰP ：５１ＭＰa ベース圧力 ＰB ：３９ＭＰa 加圧サイクル Ｔ1 ：６０Ｃ．Ｐ．Ｍ． 加圧時間 Ｔ2 ：１サイクルの１／２ 圧力上昇時間 Ｔ3 ：０．０５ｓｅｃ （試験結果） 従来品（Ｍｏ−Ｍｎ法による） ２．２×１０6 サイクルで破損 本発明品（Ｐｂ−Ｉｎろう接合品） １．２×１０7 サイクルで破損
【００２９】なお、金属製ボディーの材質はＳＵＳ３０
４、コバールおよび４２Ｎｉ−Ｆｅ合金等である。
４、コバールおよび４２Ｎｉ−Ｆｅ合金等である。
【００３０】
【発明の効果】この発明は前記のように構成したことに
より、従来の半田等による接合と比較してすぐれた充填
性を示し、ボイド等が生じないため接合部分の強度向上
を図ることができ、すぐれた耐圧性を示す。また、活性
金属ろう材にＴｉを含有させることにより、アルミナ製
ステムに対する濡れ性を向上させることができる。ま
た、一度の熱処理だけでハーメチックシールが得られる
ため、製造工程の簡略化が可能であるというすぐれた効
果を有するものである。
より、従来の半田等による接合と比較してすぐれた充填
性を示し、ボイド等が生じないため接合部分の強度向上
を図ることができ、すぐれた耐圧性を示す。また、活性
金属ろう材にＴｉを含有させることにより、アルミナ製
ステムに対する濡れ性を向上させることができる。ま
た、一度の熱処理だけでハーメチックシールが得られる
ため、製造工程の簡略化が可能であるというすぐれた効
果を有するものである。
【図１】この発明による半導体圧力センサ用ハーメチッ
クシール構造の第１の実施例を示す概略断面図である。
クシール構造の第１の実施例を示す概略断面図である。
【図２】この発明による半導体圧力センサ用ハーメチッ
クシール構造の第２の実施例を示す概略断面図である。
クシール構造の第２の実施例を示す概略断面図である。
【図３】この発明による半導体圧力センサ用ハーメチッ
クシール構造の第３の実施例を示す概略断面図である。
クシール構造の第３の実施例を示す概略断面図である。
１、２１、４１……アルミナ製ステム
２、２２、４２……金属製ボディー
３、２３、４３……半導体端子
４……Ｓｎ−Ａｇろう
５、２５、４５……挿通孔
２４……銀ろう
４４……Ｐｂ−Ｉｎろう
Claims (10)
- 【請求項１】 金属製ボディーと、該金属製ボディーに
配設されるアルミナ製ステムとの間および該アルミナ製
ステムとアルミナ製ステムに設けた挿通孔に挿通する半
導体端子との間を活性金属ろう材で接合したことを特徴
とする半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造。 - 【請求項２】 前記活性金属ろう材がＳｎ−Ａｇろうで
ある請求項１記載の半導体圧力センサ用ハーメチックシ
ール構造。 - 【請求項３】 前記活性金属ろう材が銀ろうである請求
項１記載の半導体圧力センサ用ハーメチックシール構
造。 - 【請求項４】 前記活性金属ろう材がＰｂ−Ｉｎろうで
ある請求項１記載の半導体圧力センサ用ハーメチックシ
ール構造。 - 【請求項５】 前記活性金属ろう材にはＴｉが含有して
いる請求項１記載の半導体圧力センサ用ハーメチックシ
ール構造。 - 【請求項６】 金属製ボディーにアルミナ製ステムを配
設し、半導体端子を前記アルミナ製ステムに設けた挿通
孔に挿通し、金属製ボディーとアルミナ製ステムとの間
および半導体端子とアルミナ製ステムとの間に活性金属
ろう材を充填し、その後、所定の時間、所定の温度に保
持して熱処理を行い、金属製ボディーとアルミナ製ステ
ムとの間およびアルミナ製ステムと半導体端子との間を
活性金属ろう材で接合することを特徴とする半導体圧力
センサ用ハーメチックシール構造の製造方法。 - 【請求項７】 前記活性金属ろう材がＳｎ−Ａｇろうで
ある請求項６記載の半導体圧力センサ用ハーメチックシ
ール構造の製造方法。 - 【請求項８】 前記活性金属ろう材が銀ろうである請求
項６記載の半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造
の製造方法。 - 【請求項９】 前記活性金属ろう材がＰｂ−Ｉｎろうで
ある請求項６記載の半導体圧力センサ用ハーメチックシ
ール構造の製造方法。 - 【請求項１０】 前記活性金属ろう材にはＴｉが含有し
ている請求項６記載の半導体圧力センサ用ハーメチック
シール構造の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03200084A JP3083880B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03200084A JP3083880B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521813A true JPH0521813A (ja) | 1993-01-29 |
| JP3083880B2 JP3083880B2 (ja) | 2000-09-04 |
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| JP03200084A Expired - Fee Related JP3083880B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体圧力センサ用ハーメチックシール構造およびその製造方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3083880B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101691273B (zh) * | 2009-09-28 | 2012-07-04 | 广州普得环保设备有限公司 | 一种污水污泥浓缩脱水好氧风干一体化的方法 |
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1991
- 1991-07-15 JP JP03200084A patent/JP3083880B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3083880B2 (ja) | 2000-09-04 |
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