JPH0521701A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH0521701A JPH0521701A JP3170826A JP17082691A JPH0521701A JP H0521701 A JPH0521701 A JP H0521701A JP 3170826 A JP3170826 A JP 3170826A JP 17082691 A JP17082691 A JP 17082691A JP H0521701 A JPH0521701 A JP H0521701A
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- JP
- Japan
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- flexible substrate
- openings
- integrated circuit
- opening
- circuit device
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0393—Flexible materials
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フレキ基板の反りを改善し、位置ずれのない熱
圧着を行う。 【構成】複数の開口部１のそれぞれの間を溝状開口部５
で接続し、開口部１と溝状開口部５に樹脂を充填し熱硬
化させる。
圧着を行う。 【構成】複数の開口部１のそれぞれの間を溝状開口部５
で接続し、開口部１と溝状開口部５に樹脂を充填し熱硬
化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス基板エポキシ樹脂をベース
にしたプリント配線板に半導体ＩＣチップ（以下、ＩＣ
チップと記す）をダイボンディングし、ＩＣチップの所
定電極とプリント配線板上の所定電極とをワイヤボンデ
ィング法にて電気的に接続し、ＩＣチップを含む所定領
域を樹脂にて封止するチップオンボード技術（以下、Ｃ
ＯＢ技術と記す）、または、ポリイミド樹脂をベースに
したフレキシブルプリント配線板（以下、フレキ基板と
記す）上にＩＣチップを前述と同じ方法で組立を行なう
チップオンフレキ技術（以下、ＣＯＦ技術と記す）が電
子機器の小型化，薄形化の目的で多用されてきている。
にしたプリント配線板に半導体ＩＣチップ（以下、ＩＣ
チップと記す）をダイボンディングし、ＩＣチップの所
定電極とプリント配線板上の所定電極とをワイヤボンデ
ィング法にて電気的に接続し、ＩＣチップを含む所定領
域を樹脂にて封止するチップオンボード技術（以下、Ｃ
ＯＢ技術と記す）、または、ポリイミド樹脂をベースに
したフレキシブルプリント配線板（以下、フレキ基板と
記す）上にＩＣチップを前述と同じ方法で組立を行なう
チップオンフレキ技術（以下、ＣＯＦ技術と記す）が電
子機器の小型化，薄形化の目的で多用されてきている。
【０００３】特に、ＣＯＦ技術では、５０〜８０μｍ程
度の配線幅でパターン化が可能なため、微細なパターン
が要求される分野、例えば、液晶駆動用ＩＣの出力部等
に利用されている。
度の配線幅でパターン化が可能なため、微細なパターン
が要求される分野、例えば、液晶駆動用ＩＣの出力部等
に利用されている。
【０００４】従来のポリイミド樹脂をベースにしたフレ
キ基板では、例えば、フレキ基板厚が４０〜６０μｍの
時、ＩＣチップをフレキ基板上に組立てる場合、フレキ
基板が容易に曲がったり反ったりして組立性が悪いため
に、例えば、厚さが１ｍｍ程度のガラス基板エポキシ樹
脂からなる補強板を使用していた。また、図２に示す様
に、フレキ基板３の裏面に補強板２２を配し、フレキ基
板３の表面に、ＩＣチップ４をダイボンディングし、金
線６にてＩＣチップ４の所定電極とフレキ基板３の表面
の所定電極とを金線６にてワイヤボンディングし、樹脂
７にて封止する構造のＣＯＦ技術を使用した混成集積回
路装置がある。
キ基板では、例えば、フレキ基板厚が４０〜６０μｍの
時、ＩＣチップをフレキ基板上に組立てる場合、フレキ
基板が容易に曲がったり反ったりして組立性が悪いため
に、例えば、厚さが１ｍｍ程度のガラス基板エポキシ樹
脂からなる補強板を使用していた。また、図２に示す様
に、フレキ基板３の裏面に補強板２２を配し、フレキ基
板３の表面に、ＩＣチップ４をダイボンディングし、金
線６にてＩＣチップ４の所定電極とフレキ基板３の表面
の所定電極とを金線６にてワイヤボンディングし、樹脂
７にて封止する構造のＣＯＦ技術を使用した混成集積回
路装置がある。
【０００５】さらに、薄形化する構造として、図３及び
図４に示す様に、フレキ基板３の表面に所定の開口部１
１を有する補強板３２を配し、開口部１１内のフレキ基
板３の表面にＩＣチップ４をダイボンディングし、金線
６にてＩＣチップ４の所定電極と開口部１１内のフレキ
基板３の表面の所定電極とを金線６にてワイヤボンディ
ングし、樹脂７にて開口部１１内を封止する構造があ
る。
図４に示す様に、フレキ基板３の表面に所定の開口部１
１を有する補強板３２を配し、開口部１１内のフレキ基
板３の表面にＩＣチップ４をダイボンディングし、金線
６にてＩＣチップ４の所定電極と開口部１１内のフレキ
基板３の表面の所定電極とを金線６にてワイヤボンディ
ングし、樹脂７にて開口部１１内を封止する構造があ
る。
【０００６】しかし、樹脂７を開口部１１へ液状にて流
し込み、例えば、１５０℃にて２時間のキュアを行ない
樹脂７を硬化させ、例えば、２５℃の室温程度まで温度
を下げると、主として樹脂７と補強板３２の熱膨張係数
の違いにより反りが生じ、フレキ基板３が、例えば、図
５の様に反りによるたわみが生じる。フレキ基板３の端
部８を、例えば、図示していない液晶表示装置等のガラ
ス基板上の透明電極に、異方性導電シートにて熱圧接す
る場合、中央部が盛り上がったたわみがあると、端部８
上の電極と透明電極とを位置合わせし、熱圧接する時に
位置ずれが生じるという不具合が発生する。
し込み、例えば、１５０℃にて２時間のキュアを行ない
樹脂７を硬化させ、例えば、２５℃の室温程度まで温度
を下げると、主として樹脂７と補強板３２の熱膨張係数
の違いにより反りが生じ、フレキ基板３が、例えば、図
５の様に反りによるたわみが生じる。フレキ基板３の端
部８を、例えば、図示していない液晶表示装置等のガラ
ス基板上の透明電極に、異方性導電シートにて熱圧接す
る場合、中央部が盛り上がったたわみがあると、端部８
上の電極と透明電極とを位置合わせし、熱圧接する時に
位置ずれが生じるという不具合が発生する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来の混成集積回
路装置は、フレキ基板の端部をガラス基板上の透明電極
に異方性導電シートにて熱圧接する場合、中央部が盛り
上がったたわみがあると、端部上の電極と透明電極とを
位置合わせし、熱圧接する時に位置ずれが生ずるという
問題点があった。
路装置は、フレキ基板の端部をガラス基板上の透明電極
に異方性導電シートにて熱圧接する場合、中央部が盛り
上がったたわみがあると、端部上の電極と透明電極とを
位置合わせし、熱圧接する時に位置ずれが生ずるという
問題点があった。
【０００８】本発明の目的は、フレキ基板のたわみの発
生を防止し、端部上の電極と透明電極との位置ずれがな
く熱圧接できる混成集積回路装置を提供することにあ
る。
生を防止し、端部上の電極と透明電極との位置ずれがな
く熱圧接できる混成集積回路装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、プリント配線
板と、該プリント配線板上に配置された複数の開口部を
有する補強板と、前記複数の開口部内のそれぞれの前記
プリント配線板上に搭載されたＩＣチップとを備えた混
成集積回路装置において、前記複数の開口部のそれぞれ
を溝状開口部で接続したことを特徴とする。
板と、該プリント配線板上に配置された複数の開口部を
有する補強板と、前記複数の開口部内のそれぞれの前記
プリント配線板上に搭載されたＩＣチップとを備えた混
成集積回路装置において、前記複数の開口部のそれぞれ
を溝状開口部で接続したことを特徴とする。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例の構成図で、（ａ）は斜視図，（ｂ）はそのＡ−Ａ′
線断面図である。
例の構成図で、（ａ）は斜視図，（ｂ）はそのＡ−Ａ′
線断面図である。
【００１２】第１の実施例は、図１（ａ），（ｂ）に示
す様に、例えば、厚み１８μｍの銅箔上に厚み２５μｍ
のポリイミド樹脂層を形成し、この銅箔をパターニング
して銅箔上の所定領域にカバー層のポリイミド樹脂層を
形成する。パターニングされた所定部分の銅箔には、厚
み１０μｍのニッケルめっき，厚み０．５μｍの金めっ
きを施したフレキ基板３上に、複数の開口部１とそれぞ
れの開口部１を接続する溝状開口部５を有する補強板２
を載置し、それぞれの開口部１内にＩＣチップ４をタイ
ボンディングし、ＩＣチップ４の所定電極と、フレキ基
板３上の開口部４の所定電極と、フレキ基板３上の開口
部１内の所定電極とを金線にてワイヤボンディングし、
図示していないが樹脂をそれぞれの開口部１内に充填
し、例えば、１５０℃で２時間のキュアを行ない樹脂を
硬化させることによって第１の実施例の混成集積回路装
置が得られる。
す様に、例えば、厚み１８μｍの銅箔上に厚み２５μｍ
のポリイミド樹脂層を形成し、この銅箔をパターニング
して銅箔上の所定領域にカバー層のポリイミド樹脂層を
形成する。パターニングされた所定部分の銅箔には、厚
み１０μｍのニッケルめっき，厚み０．５μｍの金めっ
きを施したフレキ基板３上に、複数の開口部１とそれぞ
れの開口部１を接続する溝状開口部５を有する補強板２
を載置し、それぞれの開口部１内にＩＣチップ４をタイ
ボンディングし、ＩＣチップ４の所定電極と、フレキ基
板３上の開口部４の所定電極と、フレキ基板３上の開口
部１内の所定電極とを金線にてワイヤボンディングし、
図示していないが樹脂をそれぞれの開口部１内に充填
し、例えば、１５０℃で２時間のキュアを行ない樹脂を
硬化させることによって第１の実施例の混成集積回路装
置が得られる。
【００１３】第２の実施例は、基板を例えば、１００μ
ｍ厚のガラス基材エポキシ樹脂ベースにしたプリント配
線板に、溝状溝口部５を有する補強板２を載置し、第１
の実施例と同様に組立てることにより、第２の実施例の
混成集積回路装置が得られる。
ｍ厚のガラス基材エポキシ樹脂ベースにしたプリント配
線板に、溝状溝口部５を有する補強板２を載置し、第１
の実施例と同様に組立てることにより、第２の実施例の
混成集積回路装置が得られる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、開口部４
のそれぞれを溝状開口部５で接続することにより、従
来、図５に示す様にフレキ基板のたわみが３００μｍ程
度あったものが、１００μｍ程度まで改善され、端部上
の電極と透明電極との位置ずれがなく熱圧着できる効果
がある。
のそれぞれを溝状開口部５で接続することにより、従
来、図５に示す様にフレキ基板のたわみが３００μｍ程
度あったものが、１００μｍ程度まで改善され、端部上
の電極と透明電極との位置ずれがなく熱圧着できる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の構成図である。
【図２】従来の混成集積回路装置の一例の断面図であ
る。
る。
【図３】従来の混成集積回路装置の他の例の樹脂注入前
の斜視図である。
の斜視図である。
【図４】図３の樹脂注入後の断面図である。
【図５】図３の樹脂封止後のＢ−Ｂ′線断面図である。
１，１１ 開口部
２，２２，３２ 補強板
３ フレキ基板
４ ＩＣチップ
５ 溝状開口部
６ 金線
７ 樹脂
８ 端部
Claims (3)
- 【請求項１】 プリント配線板と、該プリント配線板上
に配置された複数の開口部を有する補強板と、前記複数
の開口部内のそれぞれの前記プリント配線板上に搭載さ
れたＩＣチップとを備えた混成集積回路装置において、
前記複数の開口部のそれぞれを溝状開口部で接続したこ
とを特徴とする混成集積回路装置。 - 【請求項２】 前記プリント配線板がポリイミド樹脂を
ベースにしたフレキシブルプリント配線板であることを
特徴とする請求項１記載の混成集積回路装置。 - 【請求項３】 前記プリント配線板がガラス基板エポキ
シ樹脂をベースにしたプリント配線板であることを特徴
とする請求項１記載の混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3170826A JPH0521701A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3170826A JPH0521701A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521701A true JPH0521701A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15912050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3170826A Pending JPH0521701A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521701A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08213516A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-20 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR100505391B1 (ko) * | 1997-12-16 | 2005-11-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체패키지및그제조방법 |
| WO2008010261A1 (fr) * | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Panasonic Corporation | Structure de substrat et terminal mobile |
| JP2012109386A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
| JP2014236113A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
| US8964403B2 (en) | 2010-11-17 | 2015-02-24 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wiring board having a reinforcing member with capacitors incorporated therein |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP3170826A patent/JPH0521701A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08213516A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-20 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR100505391B1 (ko) * | 1997-12-16 | 2005-11-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체패키지및그제조방법 |
| WO2008010261A1 (fr) * | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Panasonic Corporation | Structure de substrat et terminal mobile |
| JPWO2008010261A1 (ja) * | 2006-07-18 | 2009-12-10 | パナソニック株式会社 | 基板構造および携帯端末 |
| JP2012109386A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
| US8964403B2 (en) | 2010-11-17 | 2015-02-24 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wiring board having a reinforcing member with capacitors incorporated therein |
| JP2014236113A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
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