JPH0521531U - スナバ回路 - Google Patents
スナバ回路Info
- Publication number
- JPH0521531U JPH0521531U JP7562791U JP7562791U JPH0521531U JP H0521531 U JPH0521531 U JP H0521531U JP 7562791 U JP7562791 U JP 7562791U JP 7562791 U JP7562791 U JP 7562791U JP H0521531 U JPH0521531 U JP H0521531U
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- Japan
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- snubber
- voltage
- resistor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電力用半導体素子のスナバ回路のトランジスタ
のターンオフ時におけるVCE電圧の制動係数を過制動に
移行することによりVCEP 電圧を低減することにある。 【構成】スナバコンデンサとスナバダイオードと並列に
スナバ抵抗を接続するスナバ回路において、スナバダイ
オードに直列に抵抗を接続し、前記スナバ抵抗と並列接
続したもの。
のターンオフ時におけるVCE電圧の制動係数を過制動に
移行することによりVCEP 電圧を低減することにある。 【構成】スナバコンデンサとスナバダイオードと並列に
スナバ抵抗を接続するスナバ回路において、スナバダイ
オードに直列に抵抗を接続し、前記スナバ抵抗と並列接
続したもの。
Description
【0001】
本考案は電力用半導体素子のスナバ回路に関するものである。
図3は従来のパワトランジスタのスナバ回路を示す。図3において、スナバ回 路はスナバコンデンサ6とスナバダイオード7が直列接続され、スナバダイオー ド7と並列にスナバ抵抗8が接続されている。 また図4はパワトランジスタのターンオフ時におけるコレクタ−エミッタ間電 圧の波形図を示し、(a)図はスナバコンデンサの充電電圧、(b)図はトラン ジスタ電流、(c)図は負荷電流を示す。 負荷電流IL は、パワトランジスタ3(以下TRと称す)が通流時に直流電源 1より給電される。TR3のターンオフ時、トランジスタ電流IT は時刻t0 か ら減少を開始し時刻t1 で減衰する。このとき、スナバコンデンサ6の充電は時 刻t0 から開始し時刻t1 を経て時刻t2 でピーク電圧VCEP まで充電される。 TRのターンオフ時において、負荷抵抗4とインダクタンス5,スナバコンデ ンサ6,スナバダイオード7は直列回路を形成し、スナバコンデンサ6は充電さ れる。このときコレクタ−エミッタ間電圧VCEの制動係数は、負荷抵抗4とイン ダクタンス5の値に影響し、制動係数が不足制動になるとピーク電圧VCEP は高 電圧となる。 なお2はフィルタコンデンサである。
【0002】
かようなスナバ回路において、負荷抵抗4とインダクタンス5の値によりピー ク電圧VCEP 電圧が高電圧となるので、トランジスタの耐圧を上げるか、あるい はスナバコンデンサの容量を大きくし、過電圧とならないようVCEP 電圧を低減 する必要があった。またTRの耐圧を上げたりスナバコンデンサを大きくするこ とは、寸法的問題、コスト的問題があった。
【課題を解決するための手段】 本考案は負荷抵抗、インダクタンスとスナバコンデンサの制動係数を抑制し、 VCEP 電圧を低減することにある。 具体的にはスナバダイオードと直列に適切な制動抵抗を挿入することによりV CEP 電圧を低減するものである。
負荷側抵抗4,インダクタンス5とスナバコンデンサ6,スナバダイオード7 およびスナバダイオードと直列接続した抵抗で直列回路を形成している。この抵 抗を挿入したことにより過制動に移行し、負荷側の使用条件内において電圧VCE P が過電圧とならないよう低減することができる。
【0003】
図1は本考案の一実施例を示すスナバ回路図、図2はその電圧波形図を示し、 図2における(a),(b),(c)図は図4と同符号を示す。図1において、 スナバコンデンサ6,スナバダイオード7,スナバ抵抗8および本考案の挿入し た抵抗9より構成される。このスナバ回路において、図2から、TRの電流IT の減少開始時刻t0 から減衰までのt1 までの期間において、抵抗9の影響によ るVCE電圧は早く立上り、時間t1 からt2 では抵抗9による制動抑制の効果に より電圧VCEP を低減することができる。 ここで、挿入した抵抗9を大きく選びすぎると、時刻t0 からt1 の間にVCE P 電圧が上昇しすぎて好ましくなく、VCEP 電圧が最小になる抵抗値が最適であ る。
【0004】
以上説明したように本考案によれば、TRのターンオフ時におけるVCE電圧の 制動係数を過制動に移行することにより、VCEP 電圧を低減するスナバ回路が提 供できる。 尚、本考案は説明の都合上TR回路で説明したが、他の半導体保護用にも有効 である。
【0005】
【図1】図1は本考案による一実施例のスナバ回路図で
ある。
ある。
【図2】図2はそのパワトランジスタのターンオフ時の
動作波形図である。
動作波形図である。
【図3】図3は従来例のスナバ回路図である。
【図4】図4はそのパワトランジスタのターンオフ時の
動作波形図である。
動作波形図である。
【0006】
1 直流電源 2 フィルタコンデンサ 3 パワトランジスタ 4 負荷抵抗 5 インダクタンス 6 スナバコンデンサ 7 スナバダイオード 8 スナバ抵抗 9 抵抗
Claims (1)
- 【請求項1】 スナバコンデンサとスナバダイオードの
直列回路に、このスナバダイオードと並列にスナバ抵抗
を接続して構成したスナバ回路において、前記スナバダ
イオードに直列に抵抗を接続し、前記スナバ抵抗と並列
接続して構成したことを特徴とするスナバ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7562791U JPH0521531U (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | スナバ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7562791U JPH0521531U (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | スナバ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0521531U true JPH0521531U (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=13581664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7562791U Pending JPH0521531U (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | スナバ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0521531U (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5925844B2 (ja) * | 1975-03-03 | 1984-06-21 | ユナイテツド.テクノロジ−ズ.コ−ポレイシヨン | ガスタ−ビンエンジン用閉鎖チャネル型ディスク |
JPH02261016A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Toshiba Lighting & Technol Corp | スイッチング電源装置 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP7562791U patent/JPH0521531U/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5925844B2 (ja) * | 1975-03-03 | 1984-06-21 | ユナイテツド.テクノロジ−ズ.コ−ポレイシヨン | ガスタ−ビンエンジン用閉鎖チャネル型ディスク |
JPH02261016A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Toshiba Lighting & Technol Corp | スイッチング電源装置 |
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