JPH0521531U - スナバ回路 - Google Patents

スナバ回路

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JPH0521531U
JPH0521531U JP7562791U JP7562791U JPH0521531U JP H0521531 U JPH0521531 U JP H0521531U JP 7562791 U JP7562791 U JP 7562791U JP 7562791 U JP7562791 U JP 7562791U JP H0521531 U JPH0521531 U JP H0521531U
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JP
Japan
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snubber
voltage
resistor
diode
circuit
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Pending
Application number
JP7562791U
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English (en)
Inventor
正弘 中村
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Toyo Electric Manufacturing Ltd
Original Assignee
Toyo Electric Manufacturing Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】電力用半導体素子のスナバ回路のトランジスタ
のターンオフ時におけるVCE電圧の制動係数を過制動に
移行することによりVCEP 電圧を低減することにある。 【構成】スナバコンデンサとスナバダイオードと並列に
スナバ抵抗を接続するスナバ回路において、スナバダイ
オードに直列に抵抗を接続し、前記スナバ抵抗と並列接
続したもの。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は電力用半導体素子のスナバ回路に関するものである。
【従来の技術】
図3は従来のパワトランジスタのスナバ回路を示す。図3において、スナバ回 路はスナバコンデンサ6とスナバダイオード7が直列接続され、スナバダイオー ド7と並列にスナバ抵抗8が接続されている。 また図4はパワトランジスタのターンオフ時におけるコレクタ−エミッタ間電 圧の波形図を示し、(a)図はスナバコンデンサの充電電圧、(b)図はトラン ジスタ電流、(c)図は負荷電流を示す。 負荷電流IL は、パワトランジスタ3(以下TRと称す)が通流時に直流電源 1より給電される。TR3のターンオフ時、トランジスタ電流IT は時刻t0 か ら減少を開始し時刻t1 で減衰する。このとき、スナバコンデンサ6の充電は時 刻t0 から開始し時刻t1 を経て時刻t2 でピーク電圧VCEP まで充電される。 TRのターンオフ時において、負荷抵抗4とインダクタンス5,スナバコンデ ンサ6,スナバダイオード7は直列回路を形成し、スナバコンデンサ6は充電さ れる。このときコレクタ−エミッタ間電圧VCEの制動係数は、負荷抵抗4とイン ダクタンス5の値に影響し、制動係数が不足制動になるとピーク電圧VCEP は高 電圧となる。 なお2はフィルタコンデンサである。
【0002】
【考案が解決しようとする課題】
かようなスナバ回路において、負荷抵抗4とインダクタンス5の値によりピー ク電圧VCEP 電圧が高電圧となるので、トランジスタの耐圧を上げるか、あるい はスナバコンデンサの容量を大きくし、過電圧とならないようVCEP 電圧を低減 する必要があった。またTRの耐圧を上げたりスナバコンデンサを大きくするこ とは、寸法的問題、コスト的問題があった。
【課題を解決するための手段】 本考案は負荷抵抗、インダクタンスとスナバコンデンサの制動係数を抑制し、 VCEP 電圧を低減することにある。 具体的にはスナバダイオードと直列に適切な制動抵抗を挿入することによりV CEP 電圧を低減するものである。
【作用】
負荷側抵抗4,インダクタンス5とスナバコンデンサ6,スナバダイオード7 およびスナバダイオードと直列接続した抵抗で直列回路を形成している。この抵 抗を挿入したことにより過制動に移行し、負荷側の使用条件内において電圧VCE P が過電圧とならないよう低減することができる。
【0003】
【実施例】
図1は本考案の一実施例を示すスナバ回路図、図2はその電圧波形図を示し、 図2における(a),(b),(c)図は図4と同符号を示す。図1において、 スナバコンデンサ6,スナバダイオード7,スナバ抵抗8および本考案の挿入し た抵抗9より構成される。このスナバ回路において、図2から、TRの電流IT の減少開始時刻t0 から減衰までのt1 までの期間において、抵抗9の影響によ るVCE電圧は早く立上り、時間t1 からt2 では抵抗9による制動抑制の効果に より電圧VCEP を低減することができる。 ここで、挿入した抵抗9を大きく選びすぎると、時刻t0 からt1 の間にVCE P 電圧が上昇しすぎて好ましくなく、VCEP 電圧が最小になる抵抗値が最適であ る。
【0004】
【考案の効果】
以上説明したように本考案によれば、TRのターンオフ時におけるVCE電圧の 制動係数を過制動に移行することにより、VCEP 電圧を低減するスナバ回路が提 供できる。 尚、本考案は説明の都合上TR回路で説明したが、他の半導体保護用にも有効 である。
【0005】
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本考案による一実施例のスナバ回路図で
ある。
【図2】図2はそのパワトランジスタのターンオフ時の
動作波形図である。
【図3】図3は従来例のスナバ回路図である。
【図4】図4はそのパワトランジスタのターンオフ時の
動作波形図である。
【0006】
【符号の説明】
1 直流電源 2 フィルタコンデンサ 3 パワトランジスタ 4 負荷抵抗 5 インダクタンス 6 スナバコンデンサ 7 スナバダイオード 8 スナバ抵抗 9 抵抗

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スナバコンデンサとスナバダイオードの
    直列回路に、このスナバダイオードと並列にスナバ抵抗
    を接続して構成したスナバ回路において、前記スナバダ
    イオードに直列に抵抗を接続し、前記スナバ抵抗と並列
    接続して構成したことを特徴とするスナバ回路。
JP7562791U 1991-08-27 1991-08-27 スナバ回路 Pending JPH0521531U (ja)

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JPH0521531U true JPH0521531U (ja) 1993-03-19

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5925844B2 (ja) * 1975-03-03 1984-06-21 ユナイテツド.テクノロジ−ズ.コ−ポレイシヨン ガスタ−ビンエンジン用閉鎖チャネル型ディスク
JPH02261016A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Toshiba Lighting & Technol Corp スイッチング電源装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5925844B2 (ja) * 1975-03-03 1984-06-21 ユナイテツド.テクノロジ−ズ.コ−ポレイシヨン ガスタ−ビンエンジン用閉鎖チャネル型ディスク
JPH02261016A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Toshiba Lighting & Technol Corp スイッチング電源装置

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