JPH052141B2 - - Google Patents
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- JPH052141B2 JPH052141B2 JP60152306A JP15230685A JPH052141B2 JP H052141 B2 JPH052141 B2 JP H052141B2 JP 60152306 A JP60152306 A JP 60152306A JP 15230685 A JP15230685 A JP 15230685A JP H052141 B2 JPH052141 B2 JP H052141B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路などの製造に際して
有用な放射線感応性レジスト材料およびそれを用
いる微細加工方法に関するものである。
有用な放射線感応性レジスト材料およびそれを用
いる微細加工方法に関するものである。
半導体集積回路、磁気バブルメモリー素子など
の製造における蝕刻工程には、従来可視光線、紫
外線に感応する感光性樹脂(フオトレジスト)を
利用してパターンを形成する方法が広く実用化さ
れている。近年、集積回路の高性能化および信頼
性向上を図るため、素子の高密度化の要請が高ま
り、回路パターンの超微細化技術確立をめざして
精力的な研究が進められている。この中で、従来
の光線に代わつて波長の短い遠紫外線、X線、電
子線などの高エネルギー放射線を用いて高精度の
回路パターンの形成する方法が実用化されつつあ
る。これに伴つてえ、これら放射線に感応する高
性能レジスト材料の開発が必要となつてきた。
の製造における蝕刻工程には、従来可視光線、紫
外線に感応する感光性樹脂(フオトレジスト)を
利用してパターンを形成する方法が広く実用化さ
れている。近年、集積回路の高性能化および信頼
性向上を図るため、素子の高密度化の要請が高ま
り、回路パターンの超微細化技術確立をめざして
精力的な研究が進められている。この中で、従来
の光線に代わつて波長の短い遠紫外線、X線、電
子線などの高エネルギー放射線を用いて高精度の
回路パターンの形成する方法が実用化されつつあ
る。これに伴つてえ、これら放射線に感応する高
性能レジスト材料の開発が必要となつてきた。
集積回路製造に際しては、基板上にレジスト材
料を塗布し薄膜を形成して、放射線を照射露光し
現像することによつてパターンを形成した後、そ
のパターンをエツチングマスクとして、基板をエ
ツチングする方法が採用されている。かかる集積
回路製造工程において、レジストに要求される性
能として、高感度および高解像性が重要である。
感度については、例えば、電子線に対しては
10-6C/cm2台またX線に対しては10mJ/cm2台の
高感度が要求される。また、解像性については、
1ミクロンあるいはそれ以下のサプミクロンの微
細加工に対応できるレジストが強く要望されてい
る。さらに、エツチング工程においては、従来化
学薬品を用いるウエツトエツチングの手法がとら
れているが、サイドエツチング現像があり適当で
なく、サブミクロンの微細加工にはガスプラズ
マ、反応性スパツタなどによるドライエツチング
に移行している。従つて、レジストとしてドライ
エツチングに対して優れた耐性を有する材料が要
求される。
料を塗布し薄膜を形成して、放射線を照射露光し
現像することによつてパターンを形成した後、そ
のパターンをエツチングマスクとして、基板をエ
ツチングする方法が採用されている。かかる集積
回路製造工程において、レジストに要求される性
能として、高感度および高解像性が重要である。
感度については、例えば、電子線に対しては
10-6C/cm2台またX線に対しては10mJ/cm2台の
高感度が要求される。また、解像性については、
1ミクロンあるいはそれ以下のサプミクロンの微
細加工に対応できるレジストが強く要望されてい
る。さらに、エツチング工程においては、従来化
学薬品を用いるウエツトエツチングの手法がとら
れているが、サイドエツチング現像があり適当で
なく、サブミクロンの微細加工にはガスプラズ
マ、反応性スパツタなどによるドライエツチング
に移行している。従つて、レジストとしてドライ
エツチングに対して優れた耐性を有する材料が要
求される。
現在までに、微細加工用の放射線感応性レジス
トがいくつか開発されているが、上記要求性能を
すべて満足するものは極めて少ない。ネガ型レジ
ストとし開発されたクロロメチル化ポリスチレン
(CMS)は解像度およびドライエツチング耐性に
優れたレジストであり、微細回路パターン形成用
として実用に供されているものの、感度の点にお
いて未だ充分とは言い難いというのは、電子線に
対しては10-6C/cm2台と実用感度に到達している
のに比べて、X線に対しては100mJ/cm2前後で
あるため、実用性に乏しいからである。そのた
め、CMSよりさらに高感度なレジストの開発が
望まれていた。
トがいくつか開発されているが、上記要求性能を
すべて満足するものは極めて少ない。ネガ型レジ
ストとし開発されたクロロメチル化ポリスチレン
(CMS)は解像度およびドライエツチング耐性に
優れたレジストであり、微細回路パターン形成用
として実用に供されているものの、感度の点にお
いて未だ充分とは言い難いというのは、電子線に
対しては10-6C/cm2台と実用感度に到達している
のに比べて、X線に対しては100mJ/cm2前後で
あるため、実用性に乏しいからである。そのた
め、CMSよりさらに高感度なレジストの開発が
望まれていた。
本発明の目的は、上記した、従来のレジストに
みられる問題点を解決して、高エネルギー放射線
特に電子線、X線に対して高い感度を有し、解像
性の良好な、そしてドライエツチング耐性の優れ
たネガ型放射線感応性レジスト材料およびそれを
用いる微細加工方法を提供することにある。
みられる問題点を解決して、高エネルギー放射線
特に電子線、X線に対して高い感度を有し、解像
性の良好な、そしてドライエツチング耐性の優れ
たネガ型放射線感応性レジスト材料およびそれを
用いる微細加工方法を提供することにある。
すなわち、本発明の放射線感応性レジスト材料
は、下記一般式〔〕: (式中、Rは水素原子又は炭素数1〜3のアルキ
ル基を示し、X1、X2およびX3は水素原子又はハ
ロゲン原子を示す)で表わされる繰り返し単位を
含む重合体であることを特徴とする。また、本発
明の微細加工方法は、基板上に放射線感応性材料
の薄膜を形成した後、放射線を照射し、現像およ
びエツチングを行なうことからなる微細加工方法
において、該放射線感応性材料として、上記一般
式〔〕で表わされる繰り返し単位を含む重合体
である放射感応性レジスト材料を用いることを特
徴とするものである。
は、下記一般式〔〕: (式中、Rは水素原子又は炭素数1〜3のアルキ
ル基を示し、X1、X2およびX3は水素原子又はハ
ロゲン原子を示す)で表わされる繰り返し単位を
含む重合体であることを特徴とする。また、本発
明の微細加工方法は、基板上に放射線感応性材料
の薄膜を形成した後、放射線を照射し、現像およ
びエツチングを行なうことからなる微細加工方法
において、該放射線感応性材料として、上記一般
式〔〕で表わされる繰り返し単位を含む重合体
である放射感応性レジスト材料を用いることを特
徴とするものである。
本発明の意図するところは、重合体の繰り返し
単位構造中に芳香族環を含有させることによつて
良好なドライエツチング耐性を付与すると同時
に、放射線に対して反応性の高いレジスト材料を
得ようとするものであり、鋭意研究の結果、上記
一般式〔〕で示される構造、すなわち芳香族環
にカルボニル化合物、好ましくはハロゲンを含有
するカルボニル化合物が置換された構造が、放射
線、特に電子線、X線に対して高い感応性を有す
ることを見出したものである。
単位構造中に芳香族環を含有させることによつて
良好なドライエツチング耐性を付与すると同時
に、放射線に対して反応性の高いレジスト材料を
得ようとするものであり、鋭意研究の結果、上記
一般式〔〕で示される構造、すなわち芳香族環
にカルボニル化合物、好ましくはハロゲンを含有
するカルボニル化合物が置換された構造が、放射
線、特に電子線、X線に対して高い感応性を有す
ることを見出したものである。
一般式〔〕で表わされる化合物を具体的に例
示するとアセチルスチレン、クロロアセチルスチ
レン、ブロモアセチルスチレン、ジクロロアセチ
ルスチレン、トリクロロアセチルスチレン、アセ
チルα−メチルスチレン、クロロアセチルα−メ
チルスチレン、ブロモアセチルα−メチルスチレ
ン、トリクロロアセチルα−メチルスチレンなど
の単独重合体およびこれらを一成分繰り返し単位
として含む共重合体を挙げることができる。共重
合体成分としては特に限定されるものではない
が、例えばビニルピリジンなどの複素環化合物、
スチレン、α−メチルスチレン、ビニルナフタレ
ンなどの芳香族ビニル化合物、メタクリンル酸グ
リシジル、メタクリル酸メチルなどのメタクリル
酸エステル、アクリル酸エチルなどのアクリル酸
エステルなどを挙げることができる。これら共重
合体中、一般式〔〕で表わされる繰り返し単位
化合物の含有量は5%以上好ましくは10%以上で
ある。これら、単独重合体あるいは共重合体は、
通常のラジカル重合法で製造することができる。
示するとアセチルスチレン、クロロアセチルスチ
レン、ブロモアセチルスチレン、ジクロロアセチ
ルスチレン、トリクロロアセチルスチレン、アセ
チルα−メチルスチレン、クロロアセチルα−メ
チルスチレン、ブロモアセチルα−メチルスチレ
ン、トリクロロアセチルα−メチルスチレンなど
の単独重合体およびこれらを一成分繰り返し単位
として含む共重合体を挙げることができる。共重
合体成分としては特に限定されるものではない
が、例えばビニルピリジンなどの複素環化合物、
スチレン、α−メチルスチレン、ビニルナフタレ
ンなどの芳香族ビニル化合物、メタクリンル酸グ
リシジル、メタクリル酸メチルなどのメタクリル
酸エステル、アクリル酸エチルなどのアクリル酸
エステルなどを挙げることができる。これら共重
合体中、一般式〔〕で表わされる繰り返し単位
化合物の含有量は5%以上好ましくは10%以上で
ある。これら、単独重合体あるいは共重合体は、
通常のラジカル重合法で製造することができる。
また、以下に述べる方法でも、本発明の重合体
を容易に製造することができる。即ち、一般式が (式中、Rは水素原子又は炭素数1〜3のアルキ
ル基を示す)で表わされる繰り返し単位を含む重
合体を得た後に、化学反応にて芳香族環に置換基
を導入することによつて、一般式〔〕で表わさ
れる繰り返し単位を含む重合体を得ることができ
る。この方法で得られる重合体を例示すると、ア
セチルポリスチレン、クロロアセチルポリスチレ
ン、ブロモアセチルポリスチレン、ジクロロアセ
チルポリスチレン、トリクロロアセチルポリスチ
レン、アセチルポリα−メチルスチレン、クロロ
アセチルポリα−メチルスチレン、プロモアセチ
ルポリα−メチルスチレン、トリクロロアセチル
ポリα−メチルスチレンなどを挙げることができ
る。芳香族環に対する置換基の導入率は5%以上
好ましくは10%以上であることが望ましい。〔〕
式で示される繰り返し単位を含む重合体はラジカ
ル重合、カチオン重合法、アニオン重合法のいず
れの方法でも製造可能であるが、レジストの解像
性が分子量分布に依存することを考慮すると、ア
ニオン重合法で分子量分布の狭い重合体を得るの
が好ましい。
を容易に製造することができる。即ち、一般式が (式中、Rは水素原子又は炭素数1〜3のアルキ
ル基を示す)で表わされる繰り返し単位を含む重
合体を得た後に、化学反応にて芳香族環に置換基
を導入することによつて、一般式〔〕で表わさ
れる繰り返し単位を含む重合体を得ることができ
る。この方法で得られる重合体を例示すると、ア
セチルポリスチレン、クロロアセチルポリスチレ
ン、ブロモアセチルポリスチレン、ジクロロアセ
チルポリスチレン、トリクロロアセチルポリスチ
レン、アセチルポリα−メチルスチレン、クロロ
アセチルポリα−メチルスチレン、プロモアセチ
ルポリα−メチルスチレン、トリクロロアセチル
ポリα−メチルスチレンなどを挙げることができ
る。芳香族環に対する置換基の導入率は5%以上
好ましくは10%以上であることが望ましい。〔〕
式で示される繰り返し単位を含む重合体はラジカ
ル重合、カチオン重合法、アニオン重合法のいず
れの方法でも製造可能であるが、レジストの解像
性が分子量分布に依存することを考慮すると、ア
ニオン重合法で分子量分布の狭い重合体を得るの
が好ましい。
本発明の重合体の分子量に特に制限を加える必
要はないが、該重合体より成るレジストの感度が
分子量に依存することを考慮すると、その分子量
は10000以上好ましくは20000以上が望ましい。
要はないが、該重合体より成るレジストの感度が
分子量に依存することを考慮すると、その分子量
は10000以上好ましくは20000以上が望ましい。
本発明では、かくして得られた重合体を、例え
ばトルエン、キシレン、クロルベンゼン、エチル
セロソルブアセテートなどの溶媒に溶解した後、
ミクロフイルターで過してレジスト溶液を調製
し、微細加工プロセスに供する。即ち、該レジス
ト溶液を回転塗布法によつて、基板上に塗布し
て、均一なレジスト薄膜を形成し、電子線あるい
はX線などの放射線露光した後、現像してレジス
ト像を得る。しかる後に該レジスト像をマスクと
して基板をエツチング好ましくはドライエツチン
グして微細加工を施すことができる。ここでX線
源として、パラジウム、シリコン、ロジウム、モ
リブデンなどをターゲツトとして電子線で励起す
るX線源が実用に供されているが、本発明の微細
加工方法で使われる線源を特に限定する必要はな
い。
ばトルエン、キシレン、クロルベンゼン、エチル
セロソルブアセテートなどの溶媒に溶解した後、
ミクロフイルターで過してレジスト溶液を調製
し、微細加工プロセスに供する。即ち、該レジス
ト溶液を回転塗布法によつて、基板上に塗布し
て、均一なレジスト薄膜を形成し、電子線あるい
はX線などの放射線露光した後、現像してレジス
ト像を得る。しかる後に該レジスト像をマスクと
して基板をエツチング好ましくはドライエツチン
グして微細加工を施すことができる。ここでX線
源として、パラジウム、シリコン、ロジウム、モ
リブデンなどをターゲツトとして電子線で励起す
るX線源が実用に供されているが、本発明の微細
加工方法で使われる線源を特に限定する必要はな
い。
以下に本発明のレジスト材料およびその製造法
ならびにこれを用いた微細加工法について、その
実施例によつて更に詳細に説明する。
ならびにこれを用いた微細加工法について、その
実施例によつて更に詳細に説明する。
実施例 1
アニオン重合で得られた分子量分布の狭いポリ
スチレン(分子量1.1×105)20gを二硫化炭素
1000mlに溶解し、塩化アルミニウム3gおよびモ
ノクロル酢酸クロリド60gを加え、温度0℃にて
撹拌しながら24時間反応させた。反応混合物を酸
化防止剤BHTを含むメタノール中に沈澱させて
反応生成物であるクロロアセチルポリスチレンを
回収した。生成物の塩素含量からクロロアセチル
化率は60%と計算された。また、GPC測定の結
果から、生成物の分子量分散度(Mw/Mn)の
値は1.1以下であり、原料として用いたポリスチ
レンの値とほぼ同じであつた。該反応生成物をキ
シレンに溶解し濃度10%の溶液とし、孔径0.22μ
のミクロフイルターで過してレジスト溶液を調
製した。スピナーによつてシリコンウエハに
2000μpmで回転塗布して厚さ0.65μの均一なレジ
スト薄膜を形成した。これを、大気中100℃で25
分間熱処理した後、電子線描画装置を用いて加速
電圧20KVでパターン描画を行なつた。描画後酢
酸イソアミルとエチルセロソルブとの混合溶媒
(容量比1対1)に1分間浸漬して現像し、イソ
プロパノールでリンス後乾燥した。形成されたパ
ターンの膜厚測定から、感度すなわちゲル化点に
対応する照射量Dgiは3×10-7C/cm2であつた。
又、サイズの異なるライン/スペースパターンの
解像性を調べた結果0.5μの解像度が得られた。
スチレン(分子量1.1×105)20gを二硫化炭素
1000mlに溶解し、塩化アルミニウム3gおよびモ
ノクロル酢酸クロリド60gを加え、温度0℃にて
撹拌しながら24時間反応させた。反応混合物を酸
化防止剤BHTを含むメタノール中に沈澱させて
反応生成物であるクロロアセチルポリスチレンを
回収した。生成物の塩素含量からクロロアセチル
化率は60%と計算された。また、GPC測定の結
果から、生成物の分子量分散度(Mw/Mn)の
値は1.1以下であり、原料として用いたポリスチ
レンの値とほぼ同じであつた。該反応生成物をキ
シレンに溶解し濃度10%の溶液とし、孔径0.22μ
のミクロフイルターで過してレジスト溶液を調
製した。スピナーによつてシリコンウエハに
2000μpmで回転塗布して厚さ0.65μの均一なレジ
スト薄膜を形成した。これを、大気中100℃で25
分間熱処理した後、電子線描画装置を用いて加速
電圧20KVでパターン描画を行なつた。描画後酢
酸イソアミルとエチルセロソルブとの混合溶媒
(容量比1対1)に1分間浸漬して現像し、イソ
プロパノールでリンス後乾燥した。形成されたパ
ターンの膜厚測定から、感度すなわちゲル化点に
対応する照射量Dgiは3×10-7C/cm2であつた。
又、サイズの異なるライン/スペースパターンの
解像性を調べた結果0.5μの解像度が得られた。
実施例 2
実施例1のレジスト材のX線照射特性を調べ
た。実施例1と同じ方法で得られた、シリコンウ
エハ塗布レジストに、ロジウムをターゲツトとす
る電子線励起特性X線(波長4.6Å)を照射し、
実施例1と同じ現像方法でパターンを形成し感度
を評価した。その結果Dgiは20mJ/cm2であつた。
た。実施例1と同じ方法で得られた、シリコンウ
エハ塗布レジストに、ロジウムをターゲツトとす
る電子線励起特性X線(波長4.6Å)を照射し、
実施例1と同じ現像方法でパターンを形成し感度
を評価した。その結果Dgiは20mJ/cm2であつた。
比較例
分子量1.3×105、クロロメチル化率45%のクロ
ロメチルポリスチレン(東洋曹達製CMS−EX
(S))をシリコンウエハ上に厚さ0.65μに塗布し、
120℃、25分間熱処理した後、電子描画およびX
線照射に供した。電子線描画装置およびX線照射
装置はおのおの実施例1および2で用いたものと
同じである。電子線あるいはX線照射後、酢酸イ
ソアミルとエチルセロソルブとの混合溶媒(容量
比35対65)に1分間浸漬して現像し、イソプロパ
ノールでリンス後乾燥した。膜厚測定の結果から
感度Dgiは、電子線に対して1.0×10-6C/cm2およ
びX線に対して90mJ/cm2であつた。
ロメチルポリスチレン(東洋曹達製CMS−EX
(S))をシリコンウエハ上に厚さ0.65μに塗布し、
120℃、25分間熱処理した後、電子描画およびX
線照射に供した。電子線描画装置およびX線照射
装置はおのおの実施例1および2で用いたものと
同じである。電子線あるいはX線照射後、酢酸イ
ソアミルとエチルセロソルブとの混合溶媒(容量
比35対65)に1分間浸漬して現像し、イソプロパ
ノールでリンス後乾燥した。膜厚測定の結果から
感度Dgiは、電子線に対して1.0×10-6C/cm2およ
びX線に対して90mJ/cm2であつた。
これらの結果は、本発明の実施例1で得たクロ
ロアセチルポリスチレンが、CMSと比較して高
感度であることを実証するものである。
ロアセチルポリスチレンが、CMSと比較して高
感度であることを実証するものである。
実施例 3
反応の出発原料である分子量分布の狭いポリス
チレンの分子量が3.5×105である以外は実施例1
と同じ方法で、クロロアセチルポリスチレンを得
た。置換率(クロロアセチル化率)は52%、分散
度Mw/Mnと値は1.2であつた。該反応生成物を
キシレンに溶解し7%溶液として、実施例2と同
じ方法でX線に対する感度を評価した。その結
果、Dgiの値が6mJ/cm2であり、実用上充分な
高感度レジストであることを確認した。
チレンの分子量が3.5×105である以外は実施例1
と同じ方法で、クロロアセチルポリスチレンを得
た。置換率(クロロアセチル化率)は52%、分散
度Mw/Mnと値は1.2であつた。該反応生成物を
キシレンに溶解し7%溶液として、実施例2と同
じ方法でX線に対する感度を評価した。その結
果、Dgiの値が6mJ/cm2であり、実用上充分な
高感度レジストであることを確認した。
実施例 4
モノ酢酸クロリドがトリ酢酸クロリドであるこ
と、および反応温度が−15℃である以外は、実施
例1の合成方法とほぼ同様の条件で反応を行な
い、トリクロロアセチルポリスチレンを得た。置
換率は14%であり、分散度Mw/Mnの値は1.1以
下であつた。実施例1と同様10%キシレン溶液と
して、実施例2の装置を用いてX線照射における
感度を評価した結果、Dgiは40mJ/cm2であり、
同程度の分子量および置換率のCMS(東洋曹達製
CMS−DU)に比較して約4倍高感度であつた。
と、および反応温度が−15℃である以外は、実施
例1の合成方法とほぼ同様の条件で反応を行な
い、トリクロロアセチルポリスチレンを得た。置
換率は14%であり、分散度Mw/Mnの値は1.1以
下であつた。実施例1と同様10%キシレン溶液と
して、実施例2の装置を用いてX線照射における
感度を評価した結果、Dgiは40mJ/cm2であり、
同程度の分子量および置換率のCMS(東洋曹達製
CMS−DU)に比較して約4倍高感度であつた。
実施例 5
トリクロロアセチルスチレンとスチレンをベン
ゼン溶媒中でアゾビスイソブチロニトリルを触媒
としてラジカル重合を行ない共重合体を得た。該
共重合体の分子量は1.8×105であり、共重合体中
トリクロロアセチルスチレンユニツトのモル分率
は40%であつた。実施例1と同様の方法で電子線
描画特性を調べた結果、解像度は0.8μと実施例1
より若干劣るものの感度はDgiの値として2.5×
10-7C/cm2であり、実施例1同様高感度レジスト
であることを確認した。
ゼン溶媒中でアゾビスイソブチロニトリルを触媒
としてラジカル重合を行ない共重合体を得た。該
共重合体の分子量は1.8×105であり、共重合体中
トリクロロアセチルスチレンユニツトのモル分率
は40%であつた。実施例1と同様の方法で電子線
描画特性を調べた結果、解像度は0.8μと実施例1
より若干劣るものの感度はDgiの値として2.5×
10-7C/cm2であり、実施例1同様高感度レジスト
であることを確認した。
実施例 6
実施例1のクロロアセチルスチレンについて、
平行平板型ドライエツチング装置を用いて、エツ
チング耐性を調べた。高周波出力350Wで四フツ
化炭素による反応性スパツタリングに対するエツ
チング速度を測定した。酸化シリコンのエツチン
グ速度が1400Å/minであるのに対して本レジス
ト材は600Å/minと1/2以下のエツチング速度で
あり、極めて高いドライエツチング耐性を有する
ことが明らかである。
平行平板型ドライエツチング装置を用いて、エツ
チング耐性を調べた。高周波出力350Wで四フツ
化炭素による反応性スパツタリングに対するエツ
チング速度を測定した。酸化シリコンのエツチン
グ速度が1400Å/minであるのに対して本レジス
ト材は600Å/minと1/2以下のエツチング速度で
あり、極めて高いドライエツチング耐性を有する
ことが明らかである。
以上説明したように、本発明のレジスト材料
は、感度、解像度、ドライエツチング耐性に優
れ、特に電子線およびX線に対して従来のネガ型
レジストより極めて高い感度を有することから、
これら放射線を線源とするリソグラフイー技術に
基づいた集積回路などの製造に大きな効果がみら
れるものである。即ち、1ミクロン以下の高解像
度レジストパターンを電子線、あるいはX線など
の放射線を用いて、短時間に形成でき、更にドラ
イエツチングによる基板加工が可能である点顕著
な効果が発揮される。
は、感度、解像度、ドライエツチング耐性に優
れ、特に電子線およびX線に対して従来のネガ型
レジストより極めて高い感度を有することから、
これら放射線を線源とするリソグラフイー技術に
基づいた集積回路などの製造に大きな効果がみら
れるものである。即ち、1ミクロン以下の高解像
度レジストパターンを電子線、あるいはX線など
の放射線を用いて、短時間に形成でき、更にドラ
イエツチングによる基板加工が可能である点顕著
な効果が発揮される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記一般式〔〕: (式中、Rは水素原子又は炭素数1〜3のアルキ
ル基を示し、X1、X2およびX3は水素原子又はハ
ロゲン原子を示す。)で表わされる繰り返し単位
を含む重合体であることを特徴とする放射線感応
性レジスト材料。 2 基板上に放射線感応性材料の薄膜を形成した
後、放射線を照射し、現像およびエツチング処理
を行なうことからなる微細加工方法において、該
放射線感応性材料として、一般式〔〕で表わさ
れる繰り返し単位を含む重合体である放射線感応
性レジスト材料を用いることを特徴とする微細加
工方法。 3 前記放射線が電子線またはX線である特許請
求の範囲第2項の微細加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60152306A JPS6214146A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 放射線感応性レジスト材料およびそれを用いる微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60152306A JPS6214146A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 放射線感応性レジスト材料およびそれを用いる微細加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6214146A JPS6214146A (ja) | 1987-01-22 |
JPH052141B2 true JPH052141B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=15537641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60152306A Granted JPS6214146A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 放射線感応性レジスト材料およびそれを用いる微細加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6214146A (ja) |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP60152306A patent/JPS6214146A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6214146A (ja) | 1987-01-22 |
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