JPH05211167A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
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- JPH05211167A JPH05211167A JP31586391A JP31586391A JPH05211167A JP H05211167 A JPH05211167 A JP H05211167A JP 31586391 A JP31586391 A JP 31586391A JP 31586391 A JP31586391 A JP 31586391A JP H05211167 A JPH05211167 A JP H05211167A
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Abstract
均一化を防ぎ、大面積なデバイスにおける構成素子の均
一性の向上、デバイス動作を安定化をはかる。 【構成】パルスレーザの照射工程を経て形成される集積
回路を、1照射範囲よりも小さなブロックに分けて配置
することで、レーザ照射周辺部に素子が配置されないよ
うにする。
Description
ものであり、とくに液晶ディスプレイ、イメージセンサ
等に応用可能な薄膜トランジスタを用いた半導体集積回
路に関する。
回路などの高速動作を必用とする薄膜集積回路への応用
を目的として、多結晶Si薄膜トランジスタの開発が進
められている。なかでもXeClエキシマレーザなどの
紫外パルスレーザによるレーザアニール工程を経て形成
された薄膜トランジスタは、ソーダライムガラスなどの
低融点基板上に作製できる方法の一つである。数十ns
ec程度の超短パルスレーザであるため、薄膜表面のみ
の溶融再結晶化を可能とし、基板への熱的な影響を小さ
く抑えることができるからである。
尺デバイスを形成するためには、LSI等に比べ広範囲
における均一性が要求される。したがって、レーザヒー
ムは一般に強度分布のないものが用いられ、広範囲にわ
たって均一な薄膜を得るためにはビームの走査が行われ
ている。例えば、図2に示すように各パルスビームが重
畳するように矢印(204)の方向に走査されている。
なレーザアニール法においては、被照射部(203)の
周辺部(202)において、内部(201)に比較して
均一性が低下するという問題が生じている。被照射内部
に比べ、周辺部においては非被照射部との境界を形成す
るため照射時の熱の放射が異なり、形成される半導体薄
膜の微細構造が不均一になるためである。したがって、
パルスレーザを重畳しながら走査し、長尺、もしくは大
面積の集積回路を形成する場合、被照射周辺部における
素子の特性が著しく劣化し、集積回路全体の特性を低下
させるという問題があった。
を経て形成される半導体素子からなる集積回路におい
て、前記パルスレーザの1パルス照射範囲よりも小さい
素子集積群から構成されることを特徴とする集積回路。
路が、1レーザパルス照射範囲に比べ長尺または大面積
にわたって回路を有する場合においても、被照射周辺部
にあたる位置に前記集積回路を構成すべき半導体素子が
存在しないため、回路内の部分的な素子の劣化を防ぐこ
とが可能となる。
400ビットシフトルジスタの配置概略図である。走査
回路1ビットセル(101)が50ビットずつ素子集積
群(3.7×3.7mm)を形成し、上記素子集積群が
8組直列に並ぶことによって400ビットのシフトレジ
スタが構成されている。この時各素子集積郡は1.0m
mの間隔を保って配置されている。レーザ照射にはXe
Clエキシマレーザを用いており、照射ビームサイズ5
×5mm、エネルギー密度300mj/cm2 、照射回
数10shot/placeである。この条件で、素子
となる薄膜トランジスタの活性層を構成するpoly−
Si層のエキサマレーザアニールを行った。このpol
y−Si層は、被照射部(104)の周辺部(103)
が約0.3mmの幅を持って内部(102)に比較して
不均一になる。しかし、本実施例においては均一な特性
が得られる領域のみに半導体素子配置しているため、得
られる各薄膜トランジスタの特性が一定となり、部分的
な素子欠陥を形成することなくシフトレジスタの形成が
行われた。
ームを用いたため、被照射周辺部に広範囲にわたって不
均一部を形成しているが、レーザの特性を選択すること
によって付近一部の割合を削減し、素子の配置に余裕度
をもたせることも可能である。また、もちろん形成され
るべき集積回路に比べ大きな1照射範囲を有するレーザ
を用いれば、1素子集積群が1集積回路に相当すること
はいうまでもない。
導体素子を均一に形成することが可能になり、形成され
る集積回路の動作性能の均一化、スループットの向上、
信頼性の向上が実現されるという効果を有する。
形成される部分(内部) 103 内部に比較して不均一なpoly−Siが形
成される部分(周辺部) 104 レーザの照射範囲 201 レーザ照射によって均一なpoly−Siが
形成される部分(内部) 202 内部に比較して不均一なpoly−Siが形
成される部分(周辺部) 203 レーザの照射範囲 204 レーザ走査方向
Claims (1)
- 【請求項1】 パルスレーザの照射工程を経て形成され
る半導体素子からなる集積回路において、前記パルスレ
ーザの1パルス照射範囲よりも小さい素子集積群から構
成されることを特徴とする集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31586391A JP3163693B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31586391A JP3163693B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 集積回路の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05211167A true JPH05211167A (ja) | 1993-08-20 |
JP3163693B2 JP3163693B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=18070502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31586391A Expired - Lifetime JP3163693B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3163693B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001358087A (ja) * | 2001-04-16 | 2001-12-26 | Nec Corp | パルスレーザ光照射装置及び照射方法 |
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US6723590B1 (en) | 1994-03-09 | 2004-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for laser-processing semiconductor device |
US6861614B1 (en) | 1999-07-08 | 2005-03-01 | Nec Corporation | S system for the formation of a silicon thin film and a semiconductor-insulating film interface |
US6872607B2 (en) | 2000-03-21 | 2005-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
US7078649B2 (en) | 2002-07-18 | 2006-07-18 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Method of forming semiconductor thin-film and laser apparatus used therefore |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101994100B (zh) * | 2009-08-20 | 2012-08-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学气相沉积设备的安装方法及化学气相沉积设备 |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP31586391A patent/JP3163693B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7504288B1 (en) | 1994-03-09 | 2009-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for laser-processing semiconductor device |
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US6861614B1 (en) | 1999-07-08 | 2005-03-01 | Nec Corporation | S system for the formation of a silicon thin film and a semiconductor-insulating film interface |
US7312418B2 (en) | 1999-07-08 | 2007-12-25 | Nec Corporation | Semiconductor thin film forming system |
US6872607B2 (en) | 2000-03-21 | 2005-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
US7229864B2 (en) | 2000-03-21 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
US7384832B2 (en) | 2000-03-21 | 2008-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP2001358087A (ja) * | 2001-04-16 | 2001-12-26 | Nec Corp | パルスレーザ光照射装置及び照射方法 |
US7078649B2 (en) | 2002-07-18 | 2006-07-18 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Method of forming semiconductor thin-film and laser apparatus used therefore |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3163693B2 (ja) | 2001-05-08 |
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