JP3163693B2 - 集積回路の製造方法 - Google Patents
集積回路の製造方法Info
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- JP3163693B2 JP3163693B2 JP31586391A JP31586391A JP3163693B2 JP 3163693 B2 JP3163693 B2 JP 3163693B2 JP 31586391 A JP31586391 A JP 31586391A JP 31586391 A JP31586391 A JP 31586391A JP 3163693 B2 JP3163693 B2 JP 3163693B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関する
ものであり、とくに液晶ディスプレイ、イメージセンサ
等に応用可能な薄膜トランジスタを用いた半導体集積回
路の製造方法に関する。
ものであり、とくに液晶ディスプレイ、イメージセンサ
等に応用可能な薄膜トランジスタを用いた半導体集積回
路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイ（ＣＬＤ）用周辺駆動
回路などの高速動作を必用とする薄膜集積回路への応用
を目的として、多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタの開発が進
められている。なかでもＸｅＣｌエキシマレーザなどの
紫外パルスレーザによるレーザアニール工程を経て形成
された薄膜トランジスタは、ソーダライムガラスなどの
低融点基板上に作製できる方法の一つである。数十ｎｓ
ｅｃ程度の超短パルスレーザであるため、薄膜表面のみ
の溶融再結晶化を可能とし、基板への熱的な影響を小さ
く抑えることができるからである。
回路などの高速動作を必用とする薄膜集積回路への応用
を目的として、多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタの開発が進
められている。なかでもＸｅＣｌエキシマレーザなどの
紫外パルスレーザによるレーザアニール工程を経て形成
された薄膜トランジスタは、ソーダライムガラスなどの
低融点基板上に作製できる方法の一つである。数十ｎｓ
ｅｃ程度の超短パルスレーザであるため、薄膜表面のみ
の溶融再結晶化を可能とし、基板への熱的な影響を小さ
く抑えることができるからである。
【０００３】ところで、ＬＣＤ用周辺駆動回路などの長
尺デバイスを形成するためには、ＬＳＩ等に比べ広範囲
における均一性が要求される。したがって、レーザヒー
ムは一般に強度分布のないものが用いられ、広範囲にわ
たって均一な薄膜を得るためにはビームの走査が行われ
ている。例えば、図２に示すように各パルスビームが重
畳するように矢印（２０４）の方向に走査されている。
尺デバイスを形成するためには、ＬＳＩ等に比べ広範囲
における均一性が要求される。したがって、レーザヒー
ムは一般に強度分布のないものが用いられ、広範囲にわ
たって均一な薄膜を得るためにはビームの走査が行われ
ている。例えば、図２に示すように各パルスビームが重
畳するように矢印（２０４）の方向に走査されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】とこれが、上述のよう
なレーザアニール法においては、被照射部（２０３）の
周辺部（２０２）において、内部（２０１）に比較して
均一性が低下するという問題が生じている。被照射内部
に比べ、周辺部においては非被照射部との境界を形成す
るため照射時の熱の放射が異なり、形成される半導体薄
膜の微細構造が不均一になるためである。したがって、
パルスレーザを重畳しながら走査し、長尺、もしくは大
面積の集積回路を形成する場合、被照射周辺部における
素子の特性が著しく劣化し、集積回路全体の特性を低下
させるという問題があった。
なレーザアニール法においては、被照射部（２０３）の
周辺部（２０２）において、内部（２０１）に比較して
均一性が低下するという問題が生じている。被照射内部
に比べ、周辺部においては非被照射部との境界を形成す
るため照射時の熱の放射が異なり、形成される半導体薄
膜の微細構造が不均一になるためである。したがって、
パルスレーザを重畳しながら走査し、長尺、もしくは大
面積の集積回路を形成する場合、被照射周辺部における
素子の特性が著しく劣化し、集積回路全体の特性を低下
させるという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】パルスレーザの照射工程
を経て形成される半導体素子からなる集積回路の製造方
法において、パルス照射範囲周辺部に半導体素子が存在
しないようにパルスレーザの１照射範囲内に素子集積群
を入れ、且つ、１照射範囲内を複数回パルス照射するこ
とを特徴とする集積回路の製造方法。
を経て形成される半導体素子からなる集積回路の製造方
法において、パルス照射範囲周辺部に半導体素子が存在
しないようにパルスレーザの１照射範囲内に素子集積群
を入れ、且つ、１照射範囲内を複数回パルス照射するこ
とを特徴とする集積回路の製造方法。
【０００６】
【作用】本発明によれば、形成されるべき半導体集積回
路が、１レーザパルス照射範囲に比べ長尺または大面積
にわたって回路を有する場合においても、被照射周辺部
にあたる位置に前記集積回路を構成すべき半導体素子が
存在しないため、回路内の部分的な素子の劣化を防ぐこ
とが可能となる。
路が、１レーザパルス照射範囲に比べ長尺または大面積
にわたって回路を有する場合においても、被照射周辺部
にあたる位置に前記集積回路を構成すべき半導体素子が
存在しないため、回路内の部分的な素子の劣化を防ぐこ
とが可能となる。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例について以下に記す。図１は
４００ビットシフトルジスタの配置概略図である。走査
回路１ビットセル（１０１）が５０ビットずつ素子集積
群（３．７×３．７ｍｍ）を形成し、上記素子集積群が
８組直列に並ぶことによって４００ビットのシフトレジ
スタが構成されている。この時各素子集積郡は１．０ｍ
ｍの間隔を保って配置されている。レーザ照射にはＸｅ
Ｃｌエキシマレーザを用いており、照射ビームサイズ５
×５ｍｍ、エネルギー密度３００ｍｊ／ｃｍ2 、照射回
数１０ｓｈｏｔ／ｐｌａｃｅである。この条件で、素子
となる薄膜トランジスタの活性層を構成するｐｏｌｙ−
Ｓｉ層のエキサマレーザアニールを行った。このｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ層は、被照射部（１０４）の周辺部（１０３）
が約０．３ｍｍの幅を持って内部（１０２）に比較して
不均一になる。しかし、本実施例においては均一な特性
が得られる領域のみに半導体素子配置しているため、得
られる各薄膜トランジスタの特性が一定となり、部分的
な素子欠陥を形成することなくシフトレジスタの形成が
行われた。
４００ビットシフトルジスタの配置概略図である。走査
回路１ビットセル（１０１）が５０ビットずつ素子集積
群（３．７×３．７ｍｍ）を形成し、上記素子集積群が
８組直列に並ぶことによって４００ビットのシフトレジ
スタが構成されている。この時各素子集積郡は１．０ｍ
ｍの間隔を保って配置されている。レーザ照射にはＸｅ
Ｃｌエキシマレーザを用いており、照射ビームサイズ５
×５ｍｍ、エネルギー密度３００ｍｊ／ｃｍ2 、照射回
数１０ｓｈｏｔ／ｐｌａｃｅである。この条件で、素子
となる薄膜トランジスタの活性層を構成するｐｏｌｙ−
Ｓｉ層のエキサマレーザアニールを行った。このｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ層は、被照射部（１０４）の周辺部（１０３）
が約０．３ｍｍの幅を持って内部（１０２）に比較して
不均一になる。しかし、本実施例においては均一な特性
が得られる領域のみに半導体素子配置しているため、得
られる各薄膜トランジスタの特性が一定となり、部分的
な素子欠陥を形成することなくシフトレジスタの形成が
行われた。
【０００８】本実施例においては上述のようなレーザビ
ームを用いたため、被照射周辺部に広範囲にわたって不
均一部を形成しているが、レーザの特性を選択すること
によって付近一部の割合を削減し、素子の配置に余裕度
をもたせることも可能である。また、もちろん形成され
るべき集積回路に比べ大きな１照射範囲を有するレーザ
を用いれば、１素子集積群が１集積回路に相当すること
はいうまでもない。
ームを用いたため、被照射周辺部に広範囲にわたって不
均一部を形成しているが、レーザの特性を選択すること
によって付近一部の割合を削減し、素子の配置に余裕度
をもたせることも可能である。また、もちろん形成され
るべき集積回路に比べ大きな１照射範囲を有するレーザ
を用いれば、１素子集積群が１集積回路に相当すること
はいうまでもない。
【０００９】
【発明の効果】本発明により、集積回路を形成する各半
導体素子を均一に形成することが可能になり、形成され
る集積回路の動作性能の均一化、スループットの向上、
信頼性の向上が実現されるという効果を有する。
導体素子を均一に形成することが可能になり、形成され
る集積回路の動作性能の均一化、スループットの向上、
信頼性の向上が実現されるという効果を有する。
【図１】本発明の実施例の集積回路の配置図。
【図２】従来のレーザ照射方法。
１０１ 走査回路１ビットセル １０２ レーザ照射によって均一なｐｏｌｙ−Ｓｉが
形成される部分（内部） １０３ 内部に比較して不均一なｐｏｌｙ−Ｓｉが形
成される部分（周辺部） １０４ レーザの照射範囲 ２０１ レーザ照射によって均一なｐｏｌｙ−Ｓｉが
形成される部分（内部） ２０２ 内部に比較して不均一なｐｏｌｙ−Ｓｉが形
成される部分（周辺部） ２０３ レーザの照射範囲 ２０４ レーザ走査方向
形成される部分（内部） １０３ 内部に比較して不均一なｐｏｌｙ−Ｓｉが形
成される部分（周辺部） １０４ レーザの照射範囲 ２０１ レーザ照射によって均一なｐｏｌｙ−Ｓｉが
形成される部分（内部） ２０２ 内部に比較して不均一なｐｏｌｙ−Ｓｉが形
成される部分（周辺部） ２０３ レーザの照射範囲 ２０４ レーザ走査方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 29/786 G02F 1/1368 H01L 21/20 H01L 21/336
Claims (1)
- 【請求項１】 パルスレーザの照射工程を経て形成され
る半導体素子からなる集積回路の製造方法において、パ
ルス照射範囲周辺部に半導体素子が存在しないように前
記パルスレーザの１照射範囲内に素子集積群を入れ、且
つ、前記１照射範囲内を複数回パルス照射することを特
徴とする集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31586391A JP3163693B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31586391A JP3163693B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 集積回路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05211167A JPH05211167A (ja) | 1993-08-20 |
| JP3163693B2 true JP3163693B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=18070502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31586391A Expired - Lifetime JP3163693B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3163693B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004055771A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Nec Lcd Technologies Ltd | 半導体薄膜の製造方法及びレーザ照射装置 |
| CN101994100B (zh) * | 2009-08-20 | 2012-08-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学气相沉积设备的安装方法及化学气相沉积设备 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100321541B1 (ko) | 1994-03-09 | 2002-06-20 | 야마자끼 순페이 | 능동 매트릭스 디스플레이 장치의 작동 방법 |
| US6723590B1 (en) | 1994-03-09 | 2004-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for laser-processing semiconductor device |
| JPH09320961A (ja) | 1996-05-31 | 1997-12-12 | Nec Corp | 半導体製造装置及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2001023918A (ja) | 1999-07-08 | 2001-01-26 | Nec Corp | 半導体薄膜形成装置 |
| US6872607B2 (en) | 2000-03-21 | 2005-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2001358087A (ja) * | 2001-04-16 | 2001-12-26 | Nec Corp | パルスレーザ光照射装置及び照射方法 |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP31586391A patent/JP3163693B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004055771A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Nec Lcd Technologies Ltd | 半導体薄膜の製造方法及びレーザ照射装置 |
| CN101994100B (zh) * | 2009-08-20 | 2012-08-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学气相沉积设备的安装方法及化学气相沉积设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05211167A (ja) | 1993-08-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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