JP2000021775A - ビームアニール法 - Google Patents
ビームアニール法Info
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- JP2000021775A JP2000021775A JP10190030A JP19003098A JP2000021775A JP 2000021775 A JP2000021775 A JP 2000021775A JP 10190030 A JP10190030 A JP 10190030A JP 19003098 A JP19003098 A JP 19003098A JP 2000021775 A JP2000021775 A JP 2000021775A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- heat
- glass substrate
- hot bath
- interface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｓｉ薄膜の表面からのビームアニール照射で
は均一でかつ冷却速度がゆっくりした熱処理が実現でき
ず良質のｐ−Ｓｉを作製することは原理的に困難であっ
た。 【解決手段】 透明物質を密着させた面を透明物質層を
通してビーム照射することにより、薄膜の熱的な緩和時
間を透明物質層のそれに従属せしめて一様でゆっくりし
た徐冷を可能とし、良質のｐ−Ｓｉの作製に応用した。
は均一でかつ冷却速度がゆっくりした熱処理が実現でき
ず良質のｐ−Ｓｉを作製することは原理的に困難であっ
た。 【解決手段】 透明物質を密着させた面を透明物質層を
通してビーム照射することにより、薄膜の熱的な緩和時
間を透明物質層のそれに従属せしめて一様でゆっくりし
た徐冷を可能とし、良質のｐ−Ｓｉの作製に応用した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱的性質の異なる
２つの層を接触させ、一方の温度変化を他方のそれに従
属させることを利用して、熱処理を行なうビームアニー
ル方法に関する。
２つの層を接触させ、一方の温度変化を他方のそれに従
属させることを利用して、熱処理を行なうビームアニー
ル方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高精細のパネルディスプレイの市
場が急速に拡大してきた。なかでもＬＣＤは、高品質の
画面やパネルの薄さ、低消費電力から、大きな可能性が
あると考えられている。液晶ディスプレイでは、何百万
個の画素に別個に駆動電圧を印加して、液晶の配向を制
御しなければならない。
場が急速に拡大してきた。なかでもＬＣＤは、高品質の
画面やパネルの薄さ、低消費電力から、大きな可能性が
あると考えられている。液晶ディスプレイでは、何百万
個の画素に別個に駆動電圧を印加して、液晶の配向を制
御しなければならない。
【０００３】この駆動方法として、普通、パッシブマト
リックス方式とアクティブマトリックス方式がある。パ
ッシブマトリックス方式では単純に平面格子状に駆動ラ
インが配列されているが、アクティブマトリックス方式
では、画素１つ１つに駆動用の能動素子が付く。
リックス方式とアクティブマトリックス方式がある。パ
ッシブマトリックス方式では単純に平面格子状に駆動ラ
インが配列されているが、アクティブマトリックス方式
では、画素１つ１つに駆動用の能動素子が付く。
【０００４】最近では、画素の駆動速度が速いことや高
コントラストが得られることを理由に、アクティブマト
リックス方式が主流となっている。この駆動用の能動素
子として、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を素材と
した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられていたが、
最近は、よりキャリアの移動度が大きい多結晶シリコン
（ｐ−Ｓｉ）を素材としたＴＦＴが用いられ始めてい
る。
コントラストが得られることを理由に、アクティブマト
リックス方式が主流となっている。この駆動用の能動素
子として、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を素材と
した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられていたが、
最近は、よりキャリアの移動度が大きい多結晶シリコン
（ｐ−Ｓｉ）を素材としたＴＦＴが用いられ始めてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ここで、液晶デバイス
では、その性質上すべての駆動素子を透明なガラス基板
上に作製しなければならないという要請があるので、長
時間の高温熱処理は都合が悪い。そこで、ガラス基板上
に作製したａ−Ｓｉ薄膜の表面をレーザーアニールでパ
ルス的に熱処理してｐ−Ｓｉに変える方法が用いられて
いる。
では、その性質上すべての駆動素子を透明なガラス基板
上に作製しなければならないという要請があるので、長
時間の高温熱処理は都合が悪い。そこで、ガラス基板上
に作製したａ−Ｓｉ薄膜の表面をレーザーアニールでパ
ルス的に熱処理してｐ−Ｓｉに変える方法が用いられて
いる。
【０００６】しかしこの方法では、数十ナノ秒（１ナノ
秒＝１０-9 秒）のパルス幅を持つパルスレーザーを表
面から照射するために、Ｓｉの溶融状態から固化するま
での急冷速度が速すぎて固化したＳｉの材質が不均一と
なったり粒界が多すぎたりして、高い値の移動度を持つ
ｐ−Ｓｉを作製することは困難であった。
秒＝１０-9 秒）のパルス幅を持つパルスレーザーを表
面から照射するために、Ｓｉの溶融状態から固化するま
での急冷速度が速すぎて固化したＳｉの材質が不均一と
なったり粒界が多すぎたりして、高い値の移動度を持つ
ｐ−Ｓｉを作製することは困難であった。
【０００７】このアニール方法の物理的本質を考える
と、熱容量の小さい薄膜に外側からエネルギーを与える
ことにより、本来はより熱容量の大きいガラス基板と熱
平衡であるべき薄膜系を高温状態にして、非平衡状態を
出現させている。
と、熱容量の小さい薄膜に外側からエネルギーを与える
ことにより、本来はより熱容量の大きいガラス基板と熱
平衡であるべき薄膜系を高温状態にして、非平衡状態を
出現させている。
【０００８】それゆえ、外からのエネルギー供給が途絶
えると、瞬時に熱平衡状態に復帰してしまう。数十ナノ
秒単位のパルスレーザービームによるアニールでは、溶
融状態からの冷却速度が速すぎて良質のｐ−Ｓｉ結晶が
できにくかった理由はこれであろうと推定される。
えると、瞬時に熱平衡状態に復帰してしまう。数十ナノ
秒単位のパルスレーザービームによるアニールでは、溶
融状態からの冷却速度が速すぎて良質のｐ−Ｓｉ結晶が
できにくかった理由はこれであろうと推定される。
【０００９】
【課題を解決するための手段】透明基板を通して薄膜の
ガラスとの接触面にビームを照射すると、薄膜の境界面
でビームの吸収が起こり、熱が発生する。この境界面
は、薄膜の裸の表面と異なり、ガラス基板という圧倒的
に大きな熱浴と接しているために、薄膜境界面の熱的な
挙動は、これに密着した熱浴表面の非平衡的な熱挙動に
従属せざるをえない。
ガラスとの接触面にビームを照射すると、薄膜の境界面
でビームの吸収が起こり、熱が発生する。この境界面
は、薄膜の裸の表面と異なり、ガラス基板という圧倒的
に大きな熱浴と接しているために、薄膜境界面の熱的な
挙動は、これに密着した熱浴表面の非平衡的な熱挙動に
従属せざるをえない。
【００１０】そこで、薄膜と熱的な性質が異なった透明
な層を薄膜に重ね合わせ、ビームで薄膜境界面を熱する
ことにより熱浴表面を高温に励起し熱浴自体の緩和時間
で徐冷させるようにする。これに密着した薄膜は、単体
では非常に短い時間内で急冷されるのであるが、境界面
に熱浴が密着しているためにその冷却時間は熱浴のそれ
に従い、より長くなる。
な層を薄膜に重ね合わせ、ビームで薄膜境界面を熱する
ことにより熱浴表面を高温に励起し熱浴自体の緩和時間
で徐冷させるようにする。これに密着した薄膜は、単体
では非常に短い時間内で急冷されるのであるが、境界面
に熱浴が密着しているためにその冷却時間は熱浴のそれ
に従い、より長くなる。
【００１１】このようにして、薄膜の冷却スピードを制
御し、かつ薄膜全体で均一な冷却速度が実現されるよう
にして、良質のｐ−Ｓｉを製造する。
御し、かつ薄膜全体で均一な冷却速度が実現されるよう
にして、良質のｐ−Ｓｉを製造する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
【００１３】図５に本発明で取り扱う薄膜と透明基板の
断面図を示す。通常の液晶デバイスでは、透明基板上に
厚さ５０−１００nm のａ−Ｓｉ層を積む。このアモル
ファスシリコン層を熱処理することにより、多結晶シリ
コン層を作製していた。
断面図を示す。通常の液晶デバイスでは、透明基板上に
厚さ５０−１００nm のａ−Ｓｉ層を積む。このアモル
ファスシリコン層を熱処理することにより、多結晶シリ
コン層を作製していた。
【００１４】この際、１０００度以上の高温で長時間ア
ニールすると、基板のガラスが熱で破壊されてしまうの
で、表面からパルス幅数十ナノ秒のレーザービームを照
射して、短時間のうちにガラス基板を傷めることなく熱
処理を完了させ、ｐ−Ｓｉを作製していた。
ニールすると、基板のガラスが熱で破壊されてしまうの
で、表面からパルス幅数十ナノ秒のレーザービームを照
射して、短時間のうちにガラス基板を傷めることなく熱
処理を完了させ、ｐ−Ｓｉを作製していた。
【００１５】ところが、こうして作製されたｐ−Ｓｉ
は、表面付近に依然としてアモルファス部分が残ってい
たり、結晶粒のサイズが極端に小さくなって格子欠陥の
密度が多くなり、実用的にはｐ−Ｓｉでも移動度がおお
むね１００cm2／Ｖsec程度にしかあがらず、高速の駆動
用ＴＦＴを作製することが困難であった。
は、表面付近に依然としてアモルファス部分が残ってい
たり、結晶粒のサイズが極端に小さくなって格子欠陥の
密度が多くなり、実用的にはｐ−Ｓｉでも移動度がおお
むね１００cm2／Ｖsec程度にしかあがらず、高速の駆動
用ＴＦＴを作製することが困難であった。
【００１６】そこで、このような結果が、いかなる熱処
理によってもたらされるのであるかを熱解析により計算
することを試みた。レーザービームのビーム幅はＳｉ薄
膜の厚さに比べて十分に大きいので、１次元の熱拡散方
程式
理によってもたらされるのであるかを熱解析により計算
することを試みた。レーザービームのビーム幅はＳｉ薄
膜の厚さに比べて十分に大きいので、１次元の熱拡散方
程式
【００１７】
【数１】
【００１８】を適当な境界条件のもとに解いてT(x,t)
を計算する。ここにT(x,t) は場所ｘでの時刻ｔにおけ
る温度であり、κは物質の熱伝導率、ｃはｇあたりの比
熱、
を計算する。ここにT(x,t) は場所ｘでの時刻ｔにおけ
る温度であり、κは物質の熱伝導率、ｃはｇあたりの比
熱、
【００１９】
【数２】
【００２０】である。この方程式は数学的には、１次元
の放物線型の偏微分方程式である。これをうまく解くた
めに、ｘの２次微分項を含む偏微分方程式を１次微分項
のみを含む２つの連立方程式に変換する。
の放物線型の偏微分方程式である。これをうまく解くた
めに、ｘの２次微分項を含む偏微分方程式を１次微分項
のみを含む２つの連立方程式に変換する。
【００２１】
【数３】
【００２２】ここに、ｊは、熱流速密度に比例する流れ
である。この方程式を、有限要素法の考え方を用いて差
分化する。すなわち全区間をｎｐ等分すると
である。この方程式を、有限要素法の考え方を用いて差
分化する。すなわち全区間をｎｐ等分すると
【００２３】
【数４】
【００２４】となる。ここで次のような電気回路類推を
行う。
行う。
【００２５】
【数５】
【００２６】すなわち、（数４）を等価回路に変換した
場合、未知数Ｔは、第ｉ番目の節点での電位Ｖｉとみな
される。（数４）での上式はコンデンサーＣｉに流れ込
む電荷の時間変化を表わす。（数４）での下の式は、第
ｉ＋１番目と第ｉ番目の節点間に設定された抵抗Ｒｉに
流れる電流Ｉｉを示している。
場合、未知数Ｔは、第ｉ番目の節点での電位Ｖｉとみな
される。（数４）での上式はコンデンサーＣｉに流れ込
む電荷の時間変化を表わす。（数４）での下の式は、第
ｉ＋１番目と第ｉ番目の節点間に設定された抵抗Ｒｉに
流れる電流Ｉｉを示している。
【００２７】図２のように、これをＣＲのはしご型の等
価回路で表わす。第１段目のパルス電流源はレーザービ
ームによる表面からの熱の湧き出しをあらわす。次のｎ
ｐ段のＣＲはＳｉ薄膜の
価回路で表わす。第１段目のパルス電流源はレーザービ
ームによる表面からの熱の湧き出しをあらわす。次のｎ
ｐ段のＣＲはＳｉ薄膜の
【００２８】
【数６】
【００２９】によって決定される。ここで薄膜の厚さを
Ｌ０とすると
Ｌ０とすると
【００３０】
【数７】
【００３１】である。更に、中のｎｐ段のＣＲは、ガラ
ス基板の１０×１０-6ｍまでの表面部を表し、ＣＲの回
路定数はガラスの
ス基板の１０×１０-6ｍまでの表面部を表し、ＣＲの回
路定数はガラスの
【００３２】
【数８】
【００３３】によって決定される。ここでガラスの表面
部分の厚さをＬ１とすると
部分の厚さをＬ１とすると
【００３４】
【数９】
【００３５】である。最後のｎｐ段のＣＲは、ガラス基
板の１０×１０-6ｍの深さから０．５ｍｍまでの部分を
表し、ＣＲの回路定数は、ガラスの
板の１０×１０-6ｍの深さから０．５ｍｍまでの部分を
表し、ＣＲの回路定数は、ガラスの
【００３６】
【数１０】
【００３７】によって決定される。ここでガラスの厚さ
をＬ２とすると
をＬ２とすると
【００３８】
【数１１】
【００３９】である。この回路について適当な初期条件
を与え、パルス電流をＣＲ回路に流し込み、各節点の電
位を求める。この計算はすべて回路シミュレーターを用
いた過渡解析として実行される。
を与え、パルス電流をＣＲ回路に流し込み、各節点の電
位を求める。この計算はすべて回路シミュレーターを用
いた過渡解析として実行される。
【００４０】ここで、Ｓｉ表面から１０15 erg/(cm2
秒）程度の割合で約２５ナノ秒の間、熱の湧き出しがあ
ると仮定する。初期条件として、すべてのコンデンサー
の電位が室温であったとすると、Ｓｉ薄膜の各部と、ガ
ラス基板の各部の温度変化は等価回路の過渡解析を行っ
て、図３に示される。
秒）程度の割合で約２５ナノ秒の間、熱の湧き出しがあ
ると仮定する。初期条件として、すべてのコンデンサー
の電位が室温であったとすると、Ｓｉ薄膜の各部と、ガ
ラス基板の各部の温度変化は等価回路の過渡解析を行っ
て、図３に示される。
【００４１】これによるとＳｉ薄膜の各部分温度変化
は、不均一に、パルス幅の２５ナノ秒以内に急上昇した
後、急降下し最後に一定の徐冷曲線に収束してゆく。
は、不均一に、パルス幅の２５ナノ秒以内に急上昇した
後、急降下し最後に一定の徐冷曲線に収束してゆく。
【００４２】これは、パルス的なエネルギーの薄膜への
注入によって、過渡的に非平衡状態が実現して高温とな
るが、エネルギーの注入がうち切られると、瞬時にして
ガラス表面の温度変化に従属していくことを示してい
る。ガラス表面では、温度が薄膜ほどには上昇せず、冷
却速度もゆっくりしている。
注入によって、過渡的に非平衡状態が実現して高温とな
るが、エネルギーの注入がうち切られると、瞬時にして
ガラス表面の温度変化に従属していくことを示してい
る。ガラス表面では、温度が薄膜ほどには上昇せず、冷
却速度もゆっくりしている。
【００４３】この結果を見ると、Ｓｉ薄膜の表面近くで
は大きな急冷速度（１０11Ｋ/s ）で冷却してゆくが、
薄膜の最深部ではそれほど温度が上がらず、全体として
不均一な温度変化となる。このようにして作製された、
あまり結晶質のよくないｐ−Ｓｉ薄膜の断面ＴＥＭ像を
観察すると、表面付近にはアモルファス層が、深部には
多結晶シリコン層が観察される。それゆえこのような熱
処理方法では作製されるｐ−Ｓｉの結晶質には限界があ
る。
は大きな急冷速度（１０11Ｋ/s ）で冷却してゆくが、
薄膜の最深部ではそれほど温度が上がらず、全体として
不均一な温度変化となる。このようにして作製された、
あまり結晶質のよくないｐ−Ｓｉ薄膜の断面ＴＥＭ像を
観察すると、表面付近にはアモルファス層が、深部には
多結晶シリコン層が観察される。それゆえこのような熱
処理方法では作製されるｐ−Ｓｉの結晶質には限界があ
る。
【００４４】そこで、ｐ−Ｓｉ薄膜の各部で均一でしか
も、冷却速度がずっとゆっくりした冷却方法を提示する
ことが本発明の主題である。
も、冷却速度がずっとゆっくりした冷却方法を提示する
ことが本発明の主題である。
【００４５】今、波長３０８ｎｍの光に対するガラスの
エネルギー吸収率を約１０％とした時、上に述べたパル
スを厚さ０．５ｍｍのガラスに照射しても温度の上昇は
約１Ｋ程度であると見積もられる。つまり、単発のビー
ム照射では、エネルギー吸収と熱の湧き出しはほとんど
シリコン薄膜表面で起こるとみなしてよい。
エネルギー吸収率を約１０％とした時、上に述べたパル
スを厚さ０．５ｍｍのガラスに照射しても温度の上昇は
約１Ｋ程度であると見積もられる。つまり、単発のビー
ム照射では、エネルギー吸収と熱の湧き出しはほとんど
シリコン薄膜表面で起こるとみなしてよい。
【００４６】要請されるような条件を満たす熱処理方法
を実現するために、ガラス基板を通して薄膜の裏側から
レーザービームを照射した時、比較的質のよいｐ−Ｓｉ
が得られた。この原因を究明するために、図４のような
等価回路を用いて解析を行った。この場合は、熱の湧き
出しがＳｉ薄膜とガラスとの境界面にあると考えられる
のでパルス電流源は、Ｓｉ薄膜とガラスのＣＲ回路の境
界に設定される。
を実現するために、ガラス基板を通して薄膜の裏側から
レーザービームを照射した時、比較的質のよいｐ−Ｓｉ
が得られた。この原因を究明するために、図４のような
等価回路を用いて解析を行った。この場合は、熱の湧き
出しがＳｉ薄膜とガラスとの境界面にあると考えられる
のでパルス電流源は、Ｓｉ薄膜とガラスのＣＲ回路の境
界に設定される。
【００４７】この回路で回路解析を行い、得られたＳｉ
薄膜の各部の温度変化を模式的に図１に示す。この結果
では、Ｓｉ薄膜の各部の温度変化はほぼ均一となり、か
つ冷却速度も１０8/s と約１０００倍遅くなり、Ｓｉ薄
膜の表面からレーザーを照射した場合と質的にまったく
異なる結果が得られた。
薄膜の各部の温度変化を模式的に図１に示す。この結果
では、Ｓｉ薄膜の各部の温度変化はほぼ均一となり、か
つ冷却速度も１０8/s と約１０００倍遅くなり、Ｓｉ薄
膜の表面からレーザーを照射した場合と質的にまったく
異なる結果が得られた。
【００４８】この場合の物理的意味を吟味してみると、
基板に密着した薄膜の表面へ透明基板を通してビームを
照射すると、薄膜の境界面でビームの吸収が起こり、熱
が発生する。
基板に密着した薄膜の表面へ透明基板を通してビームを
照射すると、薄膜の境界面でビームの吸収が起こり、熱
が発生する。
【００４９】この境界面は、薄膜の裸の表面と異なり、
ガラス基板という圧倒的に大きな熱浴と接しているため
に、薄膜境界面の熱的な挙動はこれに密着した熱浴表面
の非平衡的な熱挙動に従属せざるをえない。そこで、薄
膜と熱的な性質が異なった透明な層を薄膜に重ね合わ
せ、ビームで薄膜境界面を熱することにより熱浴表面を
高温に励起し熱浴自体の緩和時間で徐冷させるようにす
る。
ガラス基板という圧倒的に大きな熱浴と接しているため
に、薄膜境界面の熱的な挙動はこれに密着した熱浴表面
の非平衡的な熱挙動に従属せざるをえない。そこで、薄
膜と熱的な性質が異なった透明な層を薄膜に重ね合わ
せ、ビームで薄膜境界面を熱することにより熱浴表面を
高温に励起し熱浴自体の緩和時間で徐冷させるようにす
る。
【００５０】これに密着した薄膜は、単体では非常に短
い時間内で急冷されるのであるが、境界面に熱浴が密着
しているためにその冷却時間は熱浴のそれに従い、より
長くなり、かつ温度変化も一様となると推察される。こ
の計算結果は調節パラメーターを適当に選ぶことにより
実験結果によく合わせることができる。
い時間内で急冷されるのであるが、境界面に熱浴が密着
しているためにその冷却時間は熱浴のそれに従い、より
長くなり、かつ温度変化も一様となると推察される。こ
の計算結果は調節パラメーターを適当に選ぶことにより
実験結果によく合わせることができる。
【００５１】この効果は透明基板を通したビームアニー
ルだけでなく、Ｓｉ薄膜の上に透明物質層を積層して、
上側からビームを照射した場合も同様の効果が認められ
た。また、この効果は、透明物質層の熱的性質として熱
容量をＣ，熱伝導率をκとした時、薄膜に比べて透明物
質層のＣ／κの値が１０倍以上である時、効果が大きか
った。
ルだけでなく、Ｓｉ薄膜の上に透明物質層を積層して、
上側からビームを照射した場合も同様の効果が認められ
た。また、この効果は、透明物質層の熱的性質として熱
容量をＣ，熱伝導率をκとした時、薄膜に比べて透明物
質層のＣ／κの値が１０倍以上である時、効果が大きか
った。
【００５２】なお、透明物質としては、各種のガラス、
石英、ＳｎＯ2，ＭｇＯ，ＬiＦ，ＣａＦ2、ＢａＦ2，Ｎ
ａＣｌ，ＡｇＣｌであっても効果が認められた。
石英、ＳｎＯ2，ＭｇＯ，ＬiＦ，ＣａＦ2、ＢａＦ2，Ｎ
ａＣｌ，ＡｇＣｌであっても効果が認められた。
【００５３】また、熱処理するためのビームとしては、
レーザービームのほかに、Ｘ線、電子線、赤外線でも効
果が認められた。さらに、熱処理を受ける薄膜として
は、一般に半導体や金属であれば効果があった。
レーザービームのほかに、Ｘ線、電子線、赤外線でも効
果が認められた。さらに、熱処理を受ける薄膜として
は、一般に半導体や金属であれば効果があった。
【００５４】以上の効果はパルス的なビームを使用して
得られたものであるが、この効果はたとえば連続発振す
るようなビームの照射時間をうまくコントロールするこ
とによっても得ることができる。
得られたものであるが、この効果はたとえば連続発振す
るようなビームの照射時間をうまくコントロールするこ
とによっても得ることができる。
【００５５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、透明物質
を密着させた薄膜表面を照射することにより、均一で、
かつ冷却速度がゆっくりした熱処理条件を実現すること
ができた。良質のｐ−Ｓｉを作製する場合にこの効果は
大きいと考えられる。
を密着させた薄膜表面を照射することにより、均一で、
かつ冷却速度がゆっくりした熱処理条件を実現すること
ができた。良質のｐ−Ｓｉを作製する場合にこの効果は
大きいと考えられる。
【図１】本発明における透明物質層とＳｉ薄膜境界への
ビーム照射の場合のＳｉ薄膜の各部とガラス表面の温度
変化の計算結果を示す図
ビーム照射の場合のＳｉ薄膜の各部とガラス表面の温度
変化の計算結果を示す図
【図２】表面へのビーム照射の場合の等価回路図
【図３】表面へのビーム照射の場合の、Ｓｉ薄膜の各部
とガラス表面の温度変化の計算結果を示す図
とガラス表面の温度変化の計算結果を示す図
【図４】透明物質層とＳｉ薄膜境界へのビーム照射の場
合の等価回路図
合の等価回路図
【図５】Ｓｉ薄膜と基板の断面およびレーザーアニール
を示す図
を示す図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森田 幸弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F052 AA02 AA03 AA06 CA07 DA02 EA02 GB14
Claims (5)
- 【請求項１】透明物質層と境界をなす薄膜をビームによ
り熱処理する場合、前記透明物質層を透過するビーム
で、前記透明物質との境界面側の薄膜を照射して熱処理
すること特徴としたビームアニール法。 - 【請求項２】前記薄膜と前記透明物質層の熱容量をそれ
ぞれＣ１，Ｃ２、熱伝導率をκ１、κ２とした時、Ｃ１
／κ１に比べてＣ２／κ２の大きさが１０倍以上である
ことを特徴とした請求項１記載のビームアニール法。 - 【請求項３】前記透明物質層をガラス、石英、Ｓｎ
Ｏ2 、ＭｇＯ、ＬｉＦ、ＣａＦ2 、ＢａＦ2 、ＮａＣ
ｌ、ＡｇＣｌとすることを特徴とする請求項１記載のビ
ームアニール法。 - 【請求項４】前記薄膜の材質が半導体、金属であること
を特徴とする請求項１記載のビームアニール法。 - 【請求項５】前記ビームとして、レーザービーム、Ｘ
線、電子線、赤外線を使用することを特徴とする請求項
１記載のビームアニール法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190030A JP2000021775A (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | ビームアニール法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190030A JP2000021775A (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | ビームアニール法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021775A true JP2000021775A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16251207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10190030A Pending JP2000021775A (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | ビームアニール法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000021775A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031498A (ja) * | 2001-05-10 | 2003-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
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1998
- 1998-07-06 JP JP10190030A patent/JP2000021775A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031498A (ja) * | 2001-05-10 | 2003-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
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