JPH05206107A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05206107A JPH05206107A JP3055872A JP5587291A JPH05206107A JP H05206107 A JPH05206107 A JP H05206107A JP 3055872 A JP3055872 A JP 3055872A JP 5587291 A JP5587291 A JP 5587291A JP H05206107 A JPH05206107 A JP H05206107A
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- Japan
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- thermal oxide
- substrate
- ozone
- oxide film
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 有機シリコン系化合物とオゾンとの反応によ
り絶縁膜を形成する場合も下地依存性が小さく良質で安
定な平坦化絶縁膜を形成できる半導体装置の製造方法を
提供する。 【構成】 段差２を有する基体１上の熱酸化膜３を窒素
系ガスでプラズマ処理することにより、あるいは、熱酸
化膜３上に不純物含有絶縁膜を形成し、有機シリコン系
化合物とオゾンとの反応により平坦化絶縁膜４を得る。
り絶縁膜を形成する場合も下地依存性が小さく良質で安
定な平坦化絶縁膜を形成できる半導体装置の製造方法を
提供する。 【構成】 段差２を有する基体１上の熱酸化膜３を窒素
系ガスでプラズマ処理することにより、あるいは、熱酸
化膜３上に不純物含有絶縁膜を形成し、有機シリコン系
化合物とオゾンとの反応により平坦化絶縁膜４を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関する。本発明は、例えば、高度に微細化・高集積化
したメモリ素子等の集積半導体回路装置などの製造の際
に利用することができる。
に関する。本発明は、例えば、高度に微細化・高集積化
したメモリ素子等の集積半導体回路装置などの製造の際
に利用することができる。
【０００２】
【従来の技術及その問題点】半導体装置はますますその
微細化が進行し、高密度化している。このように高密度
化が進むにつれて、層間絶縁膜の平坦化技術は一層重要
になっている。高密度にすると、下地の凹凸も微細化し
て平坦化が困難になるとともに、層間絶縁膜上に更に各
種の微細な構造も形成する必要上からも、極めて良好な
平坦化が要せられるからである。
微細化が進行し、高密度化している。このように高密度
化が進むにつれて、層間絶縁膜の平坦化技術は一層重要
になっている。高密度にすると、下地の凹凸も微細化し
て平坦化が困難になるとともに、層間絶縁膜上に更に各
種の微細な構造も形成する必要上からも、極めて良好な
平坦化が要せられるからである。
【０００３】絶縁膜の平坦化技術に要求される特性とし
ては、 微細な配線間隔を空洞なく埋める能力が十分であるこ
と 良好な平坦性が得られること がある。この能力は、いわゆるステップカバレッジ（被
覆性）に依存する。
ては、 微細な配線間隔を空洞なく埋める能力が十分であるこ
と 良好な平坦性が得られること がある。この能力は、いわゆるステップカバレッジ（被
覆性）に依存する。
【０００４】このステップカバレッジが良好で、よって
上記の要求を満たし、かつ膜質良好な平坦化絶縁膜
が得られる技術として、近年、常圧及び中圧Ｏ3 ・ＴＥ
ＯＳ技術、即ち常圧または中圧下でオゾンとテトラエト
キシシランとを反応させる技術が注目されている。この
種の技術については、例えば、Ｊｕｎｅ１２−１３，１
９９０ＶＭＩＣ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＥＥＥ）の
１８７〜１９２頁に記載がある。
上記の要求を満たし、かつ膜質良好な平坦化絶縁膜
が得られる技術として、近年、常圧及び中圧Ｏ3 ・ＴＥ
ＯＳ技術、即ち常圧または中圧下でオゾンとテトラエト
キシシランとを反応させる技術が注目されている。この
種の技術については、例えば、Ｊｕｎｅ１２−１３，１
９９０ＶＭＩＣ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＥＥＥ）の
１８７〜１９２頁に記載がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】しかし常圧及び中圧
Ｏ3 −ＴＥＯＳ技術は表面反応を利用しているため、下
地との親和性が異なると、生成する膜質や、成長速度が
異なることが知られている。特にノンドープ、即ち不純
物を含有させないＯ3 −ＴＥＯＳ膜を熱酸化膜上に形成
する場合に、下地依存性が大きい。下地の溝を埋め込ん
で平坦化を行なうときには、オートドーピングを低減す
るために、ノンドープの二酸化シリコン膜を形成するこ
とが望ましいのであるが、Ｏ3 −ＴＥＯＳ技術によりか
かるノンドープの二酸化シリコン膜を得る場合に、上記
の下地依存性の問題が大きいのである。
Ｏ3 −ＴＥＯＳ技術は表面反応を利用しているため、下
地との親和性が異なると、生成する膜質や、成長速度が
異なることが知られている。特にノンドープ、即ち不純
物を含有させないＯ3 −ＴＥＯＳ膜を熱酸化膜上に形成
する場合に、下地依存性が大きい。下地の溝を埋め込ん
で平坦化を行なうときには、オートドーピングを低減す
るために、ノンドープの二酸化シリコン膜を形成するこ
とが望ましいのであるが、Ｏ3 −ＴＥＯＳ技術によりか
かるノンドープの二酸化シリコン膜を得る場合に、上記
の下地依存性の問題が大きいのである。
【０００６】ＴＥＯＳに限らず、その他の有機シリコン
系化合物とオゾンとにより絶縁膜を形成する場合、同様
な問題が生じる。
系化合物とオゾンとにより絶縁膜を形成する場合、同様
な問題が生じる。
【０００７】
【発明の目的】本発明は上記問題点に鑑みてなされたも
ので、本発明の目的は、有機シリコン系化合物とオゾン
との反応により絶縁膜を形成する場合も下地依存性が小
さく、良質で安定な平坦化絶縁膜の成膜を実現できる半
導体装置の製造方法を提供することにある。
ので、本発明の目的は、有機シリコン系化合物とオゾン
との反応により絶縁膜を形成する場合も下地依存性が小
さく、良質で安定な平坦化絶縁膜の成膜を実現できる半
導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】本出願の請求項１の発
明は、段差を有する基体上に熱酸化膜を形成する熱酸化
膜形成工程と、熱酸化膜の表面を窒素系ガスでプラズマ
処理するプラズマ処理工程と、有機シリコン系化合物と
オゾンとの反応により基体上に平坦化絶縁膜を形成する
平坦化絶縁膜形成工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法であって、この構成により上記目的を達
成したものである。
明は、段差を有する基体上に熱酸化膜を形成する熱酸化
膜形成工程と、熱酸化膜の表面を窒素系ガスでプラズマ
処理するプラズマ処理工程と、有機シリコン系化合物と
オゾンとの反応により基体上に平坦化絶縁膜を形成する
平坦化絶縁膜形成工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法であって、この構成により上記目的を達
成したものである。
【０００９】本出願の請求項２の発明は、段差を有する
基体上に熱酸酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、有
機シリコン系化合物と不純物付与ガスとオゾンとの反応
により基体上に厚く不純物含有絶縁膜を形成する不純物
含有絶縁膜形成工程と、有機シリコン系化合物とオゾン
との反応により基体上に平坦化絶縁膜を形成する平坦化
絶縁膜形成工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法であって、この構成により上記目的を達成した
ものである。
基体上に熱酸酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、有
機シリコン系化合物と不純物付与ガスとオゾンとの反応
により基体上に厚く不純物含有絶縁膜を形成する不純物
含有絶縁膜形成工程と、有機シリコン系化合物とオゾン
との反応により基体上に平坦化絶縁膜を形成する平坦化
絶縁膜形成工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法であって、この構成により上記目的を達成した
ものである。
【００１０】本出願の請求項１の発明は、例えば、常圧
及び中圧Ｏ3 −ＴＥＯＳ成長技術等の有機シリコン系化
合物とオゾンとの反応により絶縁膜を得る平坦化絶縁膜
の形成において、成膜前にＮ2 またはＮＨ3 等の窒素系
ガスにより基体の熱酸化膜表面のプラズマ処理を行う構
成で実施することができる。
及び中圧Ｏ3 −ＴＥＯＳ成長技術等の有機シリコン系化
合物とオゾンとの反応により絶縁膜を得る平坦化絶縁膜
の形成において、成膜前にＮ2 またはＮＨ3 等の窒素系
ガスにより基体の熱酸化膜表面のプラズマ処理を行う構
成で実施することができる。
【００１１】本出願の請求項２の発明は、例えば、常圧
及び中圧Ｏ3 −ＴＥＯＳ成長技術等の有機シリコン系化
合物とオゾンとの反応により絶縁膜を得る平坦化絶縁膜
の形成において、成膜前に例えばＰＳＧ，ＢＰＳＧ等の
ドープトＯ3 −ＴＥＯＳを形成する構成で実施すること
ができる。
及び中圧Ｏ3 −ＴＥＯＳ成長技術等の有機シリコン系化
合物とオゾンとの反応により絶縁膜を得る平坦化絶縁膜
の形成において、成膜前に例えばＰＳＧ，ＢＰＳＧ等の
ドープトＯ3 −ＴＥＯＳを形成する構成で実施すること
ができる。
【００１２】
【作用】本出願の請求項１の発明は、基体の熱酸化膜の
表面を窒素系ガスでプラズマ処理するので、表面が改質
され、成膜の下地依存性が低減される。
表面を窒素系ガスでプラズマ処理するので、表面が改質
され、成膜の下地依存性が低減される。
【００１３】本出願の請求項２の発明は、下地依存性の
無い（あるいは小さい）不純物含有絶縁膜を形成して、
その後目的とする平坦化絶縁膜を形成するので、該絶縁
膜の成膜の下地依存性が低減される。
無い（あるいは小さい）不純物含有絶縁膜を形成して、
その後目的とする平坦化絶縁膜を形成するので、該絶縁
膜の成膜の下地依存性が低減される。
【００１４】本出願の各発明により、下地依存性のない
良質なかつ安定な平坦化絶縁膜の成膜が可能となる。
良質なかつ安定な平坦化絶縁膜の成膜が可能となる。
【００１５】
【実施例】以下、本出願に係る各発明の実施例につい
て、図面を参照して説明する。但し当然のことではある
が、各発明は以下述べる実施例により限定されるもので
はない。
て、図面を参照して説明する。但し当然のことではある
が、各発明は以下述べる実施例により限定されるもので
はない。
【００１６】実施例−１ この実施例は、半導体集積回路製造の際に、段差を有す
る基体であるシリコン半導体ウェハ上に平坦化絶縁膜を
形成して、半導体装置を得る場合に、請求項１の発明を
適用したものである。
る基体であるシリコン半導体ウェハ上に平坦化絶縁膜を
形成して、半導体装置を得る場合に、請求項１の発明を
適用したものである。
【００１７】本実施例においては、溝（トレンチ）２１
が形成されていることにより段差２を有する下地となっ
ている基体１（ここではシリコン基板）上に熱酸化膜３
を形成して図１（ａ）の構造とし（熱酸化膜形成工
程）、次いで図１の構造の状態で熱酸化膜３の表面を窒
素系ガスでプラズマ処理し（プラズマ処理工程）、次い
で有機シリコン系化合物（ここではＴＥＯＳを使用）と
オゾンとの反応により基体１上に平坦化絶縁膜４を形成
して図１（ｂ）の構造にする（平坦化絶縁膜形成工
程）。この実施例では、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜は基体１の全
面（絶縁膜を要する部分付近の全面）に形成した。かつ
本実施例は溝２１の埋め込みにこの発明を適用したの
で、絶縁膜４の溝２１以外の余分な部分を除去して、図
１（ｃ）に示す埋め込み平坦化構造を得た。
が形成されていることにより段差２を有する下地となっ
ている基体１（ここではシリコン基板）上に熱酸化膜３
を形成して図１（ａ）の構造とし（熱酸化膜形成工
程）、次いで図１の構造の状態で熱酸化膜３の表面を窒
素系ガスでプラズマ処理し（プラズマ処理工程）、次い
で有機シリコン系化合物（ここではＴＥＯＳを使用）と
オゾンとの反応により基体１上に平坦化絶縁膜４を形成
して図１（ｂ）の構造にする（平坦化絶縁膜形成工
程）。この実施例では、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜は基体１の全
面（絶縁膜を要する部分付近の全面）に形成した。かつ
本実施例は溝２１の埋め込みにこの発明を適用したの
で、絶縁膜４の溝２１以外の余分な部分を除去して、図
１（ｃ）に示す埋め込み平坦化構造を得た。
【００１８】更に詳しくは、本実施例は次のように具体
的に実施した。
的に実施した。
【００１９】まず基体１に、溝２１を形成する。これは
常用の加工手段、代表的にはレジストプロセス等のフォ
トリソグラフィー技術を採用できる。これによりシリコ
ントレンチパターンを形成する。
常用の加工手段、代表的にはレジストプロセス等のフォ
トリソグラフィー技術を採用できる。これによりシリコ
ントレンチパターンを形成する。
【００２０】次いで、内壁を酸化して、熱酸化膜３を有
する図１（ａ）の構造を得る。これが熱酸化膜形成工程
である。
する図１（ａ）の構造を得る。これが熱酸化膜形成工程
である。
【００２１】次に、本例ではアンモニアガスＮＨ3 （及
び窒素ガスＮ2 ）を用いて、プラズマ処理を行った。こ
のときのＮＨ3 プラズマ処理条件は、下記のとおりと
し、処理時間１〜２０秒でプラズマ処理を行った。これ
がプラズマ処理工程である。これにより表面が窒化し、
親水性が落ちると考えられる。 ＮＨ3 ガス流量：７０ｓｃｃｍ Ｎ2 ガス流量：１５００ｓｃｃｍ ＲＦ電力 ：３５０Ｗ 圧力 ：５Ｔｏｒｒ 電極間距離 ：１０ｍｍ
び窒素ガスＮ2 ）を用いて、プラズマ処理を行った。こ
のときのＮＨ3 プラズマ処理条件は、下記のとおりと
し、処理時間１〜２０秒でプラズマ処理を行った。これ
がプラズマ処理工程である。これにより表面が窒化し、
親水性が落ちると考えられる。 ＮＨ3 ガス流量：７０ｓｃｃｍ Ｎ2 ガス流量：１５００ｓｃｃｍ ＲＦ電力 ：３５０Ｗ 圧力 ：５Ｔｏｒｒ 電極間距離 ：１０ｍｍ
【００２２】次に、中圧Ｏ3 −ＴＥＯＳ層を連続的に形
成し、ＳｉＯ2 を主成分とする平坦化絶縁膜４を形成し
た。形成条件は下記のとおりとした。これが平坦化絶縁
膜形成工程である。これにより図１（ｂ）の構造を得
た。 ＴＥＯＳガス流量：１０００ｓｃｃｍ（Ｈｅバブリン
グ） Ｏ3 ガス流量 ：２０００ｓｃｃｍ（８％ ｉｎ Ｏ
2 ） 圧力 ：６００Ｔｏｒｒ 温度 ：３９０℃
成し、ＳｉＯ2 を主成分とする平坦化絶縁膜４を形成し
た。形成条件は下記のとおりとした。これが平坦化絶縁
膜形成工程である。これにより図１（ｂ）の構造を得
た。 ＴＥＯＳガス流量：１０００ｓｃｃｍ（Ｈｅバブリン
グ） Ｏ3 ガス流量 ：２０００ｓｃｃｍ（８％ ｉｎ Ｏ
2 ） 圧力 ：６００Ｔｏｒｒ 温度 ：３９０℃
【００２３】次いで本実施例では、レジストプロセス等
を併用し、埋め込み平坦化を行うために、Ｏ3 −ＴＥＯ
Ｓ技術により形成された平坦化絶縁膜４の内の余分なＳ
ｉＯ2 を除去し、埋め込み部４１のみ残した図１（ｃ）
の埋め込み構造を得た。
を併用し、埋め込み平坦化を行うために、Ｏ3 −ＴＥＯ
Ｓ技術により形成された平坦化絶縁膜４の内の余分なＳ
ｉＯ2 を除去し、埋め込み部４１のみ残した図１（ｃ）
の埋め込み構造を得た。
【００２４】本実施例では、この発明をトレンチ埋め込
みプロセスに応用したが、その他例えば、下地依存性の
発生する層間平坦化にも応用できる。本実施例では、連
続プロセスで平坦化絶縁膜形成を行うことにより、その
効果を充分に発揮するものである。なおこの発明は、本
実施例条件に限ることなく、本発明の主旨に反しない限
り、適宜変更可能であることは言うまでもない。
みプロセスに応用したが、その他例えば、下地依存性の
発生する層間平坦化にも応用できる。本実施例では、連
続プロセスで平坦化絶縁膜形成を行うことにより、その
効果を充分に発揮するものである。なおこの発明は、本
実施例条件に限ることなく、本発明の主旨に反しない限
り、適宜変更可能であることは言うまでもない。
【００２５】実施例−２ 本実施例は、本出願の請求項２の発明を、実施例−１と
同様な場合に具体化して実施したものである。
同様な場合に具体化して実施したものである。
【００２６】本実施例においては、溝（トレンチ）２１
が形成されていることにより段差２を有する下地となっ
ている基体１（ここではシリコン基板）上に熱酸化膜３
を形成して図２（ａ）の構造とし（熱酸化膜形成工
程）、次いで有機シリコン系化合物（ここではＴＥＯＳ
を使用）と、不純物付与ガス（ここではトリメチルフォ
スフィンＴＭＰを使用。ドープしたい不純物に応じ、そ
の他トリメチルボロンＴＭＢなど、適宜のものを用いて
よい）と、オゾンとの反応により基体上にこの例では所
要部分付近全面に厚く不純物含有絶縁膜４を形成して図
２（ｂ）の構造とし（不純物含有絶縁膜形成工程）、次
に有機シリコン系化合物（ここではＴＥＯＳを使用）と
オゾンとの反応により基体１上にここでは所要部分付近
全面に平坦化絶縁膜４を形成して図２（ｃ）の構造を得
る（平坦化絶縁膜形成工程）。本実施例においても、平
坦化絶縁膜４の溝２１以外の部分は除去して、溝２１の
埋め込み部４１のみ残すようにした。
が形成されていることにより段差２を有する下地となっ
ている基体１（ここではシリコン基板）上に熱酸化膜３
を形成して図２（ａ）の構造とし（熱酸化膜形成工
程）、次いで有機シリコン系化合物（ここではＴＥＯＳ
を使用）と、不純物付与ガス（ここではトリメチルフォ
スフィンＴＭＰを使用。ドープしたい不純物に応じ、そ
の他トリメチルボロンＴＭＢなど、適宜のものを用いて
よい）と、オゾンとの反応により基体上にこの例では所
要部分付近全面に厚く不純物含有絶縁膜４を形成して図
２（ｂ）の構造とし（不純物含有絶縁膜形成工程）、次
に有機シリコン系化合物（ここではＴＥＯＳを使用）と
オゾンとの反応により基体１上にここでは所要部分付近
全面に平坦化絶縁膜４を形成して図２（ｃ）の構造を得
る（平坦化絶縁膜形成工程）。本実施例においても、平
坦化絶縁膜４の溝２１以外の部分は除去して、溝２１の
埋め込み部４１のみ残すようにした。
【００２７】更に詳しくは、本実施例は次のように具体
的に実施した。
的に実施した。
【００２８】まず基体１に、溝２１を形成する。これは
常用の加工手段、代表的にはレジストプロセス等のフォ
トリソグラフィー技術を採用できる。これによりシリコ
ントレンチパターンを形成する。
常用の加工手段、代表的にはレジストプロセス等のフォ
トリソグラフィー技術を採用できる。これによりシリコ
ントレンチパターンを形成する。
【００２９】次いで内壁を酸化して、熱酸化膜３を有す
る図２（ａ）の構造を得る。これが熱酸化膜形成工程で
ある。
る図２（ａ）の構造を得る。これが熱酸化膜形成工程で
ある。
【００３０】次に、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ等のドープトＯ3
−ＴＥＯＳ膜を形成する。この実施例では形成条件は次
のとおりとし、形成膜厚は５０Å〜１０００Åとした。
これにより図２（ｂ）のように不純物含有絶縁膜４０を
有する構造を得た。その他所望の不純物に応じて、ＴＭ
ＢやＴＭＡｓ（トメチルアルシン）などを使用、ないし
併用してよく、適宜の態様で実施できる。これが不純物
含有絶縁膜形成工程である。 ＴＭＰガス流量 ：３５ｓｃｃｍ（６％） ＴＥＯＳガス流量：１０００ｓｃｃｍ（Ｈｅバブリン
グ） Ｏ3 ガス流量 ：２０００ｓｃｃｍ（８％ ｉｎ Ｏ
2 ） 圧力 ：６００Ｔｏｒｒ 温度 ：３９０℃
−ＴＥＯＳ膜を形成する。この実施例では形成条件は次
のとおりとし、形成膜厚は５０Å〜１０００Åとした。
これにより図２（ｂ）のように不純物含有絶縁膜４０を
有する構造を得た。その他所望の不純物に応じて、ＴＭ
ＢやＴＭＡｓ（トメチルアルシン）などを使用、ないし
併用してよく、適宜の態様で実施できる。これが不純物
含有絶縁膜形成工程である。 ＴＭＰガス流量 ：３５ｓｃｃｍ（６％） ＴＥＯＳガス流量：１０００ｓｃｃｍ（Ｈｅバブリン
グ） Ｏ3 ガス流量 ：２０００ｓｃｃｍ（８％ ｉｎ Ｏ
2 ） 圧力 ：６００Ｔｏｒｒ 温度 ：３９０℃
【００３１】次いで、本実施例では、中圧Ｏ3 −ＴＥＯ
Ｓ絶縁膜を連続的に形成する。ここでは、上記と同様の
条件で、不純物付与ガスであるＴＭＰを流すことを止め
て、連続して成膜を行うようにした。これにより図２
（ｃ）の平坦化絶縁膜４を有する構造を得た。これが平
坦化絶縁膜形成工程である。
Ｓ絶縁膜を連続的に形成する。ここでは、上記と同様の
条件で、不純物付与ガスであるＴＭＰを流すことを止め
て、連続して成膜を行うようにした。これにより図２
（ｃ）の平坦化絶縁膜４を有する構造を得た。これが平
坦化絶縁膜形成工程である。
【００３２】本例においても、レジストプロセス等を併
用し、溝２１の埋め込み平坦化を行うために、絶縁膜４
の余分なＳｉＯ2 を除去し、埋め込み部分４１のみ残し
て、図２（ｄ）の構造とした。
用し、溝２１の埋め込み平坦化を行うために、絶縁膜４
の余分なＳｉＯ2 を除去し、埋め込み部分４１のみ残し
て、図２（ｄ）の構造とした。
【００３３】本実施例では、ドープする不純物であるリ
ンの濃度は６％にしたが、下地依存性が発生しないでき
るだけ低濃度が望ましい。また、濃度を連続的に変える
ことも有効である。
ンの濃度は６％にしたが、下地依存性が発生しないでき
るだけ低濃度が望ましい。また、濃度を連続的に変える
ことも有効である。
【００３４】本実施例はその効果を高めるために、連続
プロセスにしたが、同一チェンバーでも別チェンバーで
行うのでもかまわない。
プロセスにしたが、同一チェンバーでも別チェンバーで
行うのでもかまわない。
【００３５】
【発明の効果】上述の如く本出願の各発明に係る半導体
装置の製造方法によれば、有機シリコン系化合物とオゾ
ンとの反応により絶縁膜を形成する場合も下地依存性が
小さく、良質で安定な平坦化絶縁膜の成膜を実現できる
という効果を得ることができる。
装置の製造方法によれば、有機シリコン系化合物とオゾ
ンとの反応により絶縁膜を形成する場合も下地依存性が
小さく、良質で安定な平坦化絶縁膜の成膜を実現できる
という効果を得ることができる。
【図１】実施例−１の工程を示す断面図である。
【図２】実施例−２の工程を示す断面図である。
１ 基体 ２ 段差 ３ 熱酸化膜 ４ 平坦化絶縁膜 ４０ 不純物含有絶縁膜
Claims (2)
- 【請求項１】段差を有する基体上に熱酸化膜を形成する
熱酸化膜形成工程と、 熱酸化膜の表面を窒素系ガスでプラズマ処理するプラズ
マ処理工程と、 有機シリコン系化合物とオゾンとの反応により基体上に
平坦化絶縁膜を形成する平坦化絶縁膜形成工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】段差を有する基体上に熱酸酸化膜を形成す
る熱酸化膜形成工程と、 有機シリコン系化合物と、不純物付与ガスと、オゾンと
の反応により基体上に厚く不純物含有絶縁膜を形成する
不純物含有絶縁膜形成工程と、 有機シリコン系化合物とオゾンとの反応により基体上に
平坦化絶縁膜を形成する平坦化絶縁膜形成工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05587291A JP3200858B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05587291A JP3200858B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206107A true JPH05206107A (ja) | 1993-08-13 |
| JP3200858B2 JP3200858B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=13011184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05587291A Expired - Fee Related JP3200858B2 (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3200858B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08124924A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000068261A (ja) * | 1998-08-19 | 2000-03-03 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-02-27 JP JP05587291A patent/JP3200858B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08124924A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000068261A (ja) * | 1998-08-19 | 2000-03-03 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3200858B2 (ja) | 2001-08-20 |
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