JPH05201969A - タキソール側鎖の不斉合成 - Google Patents

タキソール側鎖の不斉合成

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JPH05201969A
JPH05201969A JP4234026A JP23402692A JPH05201969A JP H05201969 A JPH05201969 A JP H05201969A JP 4234026 A JP4234026 A JP 4234026A JP 23402692 A JP23402692 A JP 23402692A JP H05201969 A JPH05201969 A JP H05201969A
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phenyl
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JP4234026A
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Vittorio Farina
ファーリナ ビットリオ
Sheila I Hauck
アイ ホーク シェイラ
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Bristol Myers Squibb Co
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Bristol Myers Squibb Co
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 バッカチンIIIからタキソールを合成する
際の有用な中間体を提供する。 【構成】 バッカチンIIIからタキソールの合成にお
ける有用な中間体である、(3R,4S)−3−ヒドロ
キシ−4−フェニル−2−アゼチジノン誘導体(II
I)は、スレオニン誘導体とアセチルハライド誘導体を
反応させて製造できる。 〔式中、Arはフェニルであり、Rは水素、カルボン
酸のアシルラジカル又は炭酸エステルラジカルであり、
は水素又はカルボキシ保護基であり、R水素又は
ヒドロキシ保護基である。〕

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はタキソール側鎖のための
新規キラル中間体、及びこれら中間体の新規製造方法に
関する。
【0002】
【従来技術及び課題】タキソール(I)は、インビトロ
及びインビボ両方で優れた抗腫瘍活性を示すことが証明
された天然物であり、最近の研究で、チューブリンの異
常な重合や有糸分裂の破壊といった、そのユニークな作
用様式が明らかになった。最近合衆国やフランスで臨床
試験が行われ、最も将来有望な化学療法剤とする予備結
果が出ている。
【0003】タキソールの臨床的成功は、その供給を重
要問題とした。タキソールは低成長のイチイの樹皮か
ら、困難で低収率の単離方法により抽出され、多数のイ
チイを刈り取らねばならないことも又エコロジーの問題
となる。関連物質10−デアセチル バッカチンIII
(II)がタキスス バッカタ(Taxus bacc
ata)の葉に多量に存在することに注目して、10−
デアセチル バッカチンIIIから出発してタキソール
をつくる半合成ルートを考案する、いくつかの研究チー
ムがある。
【化10】
【0004】Denis他は米国特許4,924,01
1で、7−トリエチルシリル−バッカチンIIIと(2
R,3S)−N−ベンゾイル−O−(1−エトキシエチ
ル)−3−フェニルイソセリンとを反応させ、続いて保
護基を除去することによる、タキソールの製造を示して
いる。キラル3−フェニルイソセリン化合物の合成は、
Denis et al,J.Org.Chem.,1
990,55:1957−1959に報じられている。
【0005】Holtonは1990年12月5日公開
の欧州出願400,971で、保護バッカチンIIIの
アシル化で、タキソールのC−13側鎖として、ヒドロ
キシ保護1−ベンゾイル−3−ヒドロキシ−4−フェニ
ル−2−アゼチジノンの利用を示している。アゼチジノ
ンはアシルオキシアセチルクロリドとN−ベンジリデン
−p−メトキシ−アニリンとの縮合によりつくられる
が、そうしてつくられた生成物はラセミ混合物であっ
て、望むエナンチオマーを得るために分割を必要とす
る。上述の方法によるアゼチジノンの合成は、Palo
mo他によりTet.Lett.,1990,30:6
529−6432にも報じられている。
【0006】Ojima他はJ.Org.Chem.,
1991,56:1681−1683で、キラル補助と
なる(シリルオキシ)アセテートとN−(トリメチルシ
リル)イミンとを縮合させて、3−ヒドロキシ−4−ア
リル−2−アゼチジノンを高いエナンチオマー純度で得
ることを報じている。しかしキラル(シリルオキシ)ア
セテートは市販されていないし、酵素分割を必要とし安
価に製造できない。
【0007】2−アゼチジノンのキラル合成は、薬化学
の他の領域、特にβ−ラクタム抗生物質の領域でも重要
である。Bose他はJ.Org.Chem.,198
2,47:4075−4081で、アジドアセチルクロ
リドとN−(フェニルプロペニリデン)−D−スレオニ
ンエステルとを縮合させて、相応して置換したシス−2
−アゼチジノンを1:1ジアステレオマー混合物として
製造することを報じている。TennesonとBel
leauはCan.J.Chem.,1980,58:
1605−1607で、N−(フェニルプロペニリデ
ン)−D−スレオニンエステルのヒドロキシ基をt−ブ
チルジメチルシリル基で保護すると、生成物シス−2−
アゼチジノンが9:1ジアステレオマー比で得られるこ
とを報じている。Wagle他はJ.Org.Che
m.,1988,53:4227−4236で、同じ反
応でヒドロキシ保護基としてトリフェニルシリルを用い
ると95:5ジアステレオマー混合物が得られることを
述べている。
【0008】ヒドロキシ保護D−スレオニンから誘導さ
れたイミンとアジドアセチルクロリドを利用する、報じ
られた縮合環化反応は、高いジアステレオ選択性となる
が、この種の反応は両反応パートナー中の置換基の種類
に敏感であることが知られているので、そのような好都
合の結果が他の置換をもつ反応物に推測できない。例え
ばWharton他はJ.Chem.Soc.Perk
in Trans.I,1984,29−39で、N−
ベンジリデン−L−Ala−L−Pro t−ブチルエ
ステルと特にフェノキシアセチルクロリド又はベンジル
オキシアセチルクロリドとの縮合環化を報じているが、
生成物収率は非常に低く、事実上ジアステレオ選択性は
ない。
【0009】我々自身の経験では、ベンジルオキシアセ
チルクロリドとN−ベンジリデン−O−(ジフェニル−
t−ブチルシリル)−(L)−スレオニン p−ニトロ
ベンジルエステルとの反応は、アゼチジノンの2:1ジ
アステレオマー混合物となり、t−ブチルジフェニルシ
リルオキシアセチルクロリドを用いると、アゼチジノン
は単離されないことがわかった。それ故縮合環化でアシ
ルオキシアセチルクロリドの使用が望むジアステレオマ
ーに偏ったアゼチジノンの10:1以上のジアステレオ
マー混合物となるのは予期できないことである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は式(III)
【化11】 〔式中、Arはフェニルであり、Rは水素、カルボン
酸のアシルラジカル又は炭酸エステルラジカルであり、
は水素又はカルボキシ保護基であり、Rは水素又
はヒドロキシ保護基である。〕を有する(3R,4S)
−2−アゼチジノン誘導体を提供する。
【0011】本発明の他の局面は、式(IIIa)の化
合物の製造方法を提供し、
【化12】 (a)式(IV)の(L)−スレオニンのイミン誘導体
【化13】 〔式中、Arはフェニルであり、R2aはカルボキシ保
護基であり、R3aはヒドロキシ保護基である。〕、式
(V)のハロゲン化アセチルと
【化14】 〔式中、R1aはカルボン酸のアシルラジカル又は炭酸
エステルラジカルであり、Xはハロゲンである。〕、不
活性有機溶媒中、塩基の存在で反応させ、(b)望むジ
アステレオマーを分離する工程から成る。好ましくは、
イミンはその場でヒドロキシ保護(L)−スレオニンを
ベンズアルデヒドと反応させて発生させる。
【0012】本発明の他の局面は、式(VI)を有する
(3R,4S)−2−アゼチジノン誘導体の製造方法を
提供し、
【化15】 〔式中、Arはフェニルであり、R1aはカルボン酸の
アシルラジカル又は炭酸エステルラジカルである。〕、
(a)式(IV)の(L)−スレオニンのイミン誘導体
を式(V)のハロゲン化アセチルと、不活性有機溶媒
中、塩基の存在で反応させ、(b)望むジアステレオマ
ーを分離し、(c)(L)−スレオニンキラルテンプレ
ートを除去する工程から成る。好ましくは、イミンはそ
の場でヒドロキシ保護(L)−スレオニンをベンズアル
デヒドと反応させて発生させる。
【0013】本発明の中間体及び方法は、バッカチンI
IIからタキソール又はその誘導体の合成において、キ
ー化合物、すなわち(3R,4S)−3−ヒドロキシ−
4−フェニル−2−アゼチジノン及びそのヒドロキシ保
護類似物への、経済的で有効なルートを提供する。
【0014】本発明を更に詳しく説明する。本発明は式
(III)を有する(3R,4S)−2−アゼチジノン
誘導体を提供する。
【化16】 〔式中、Arはフェニルであり、Rは水素、カルボン
酸のアシルラジカル又は炭酸エステルラジカルであり、
は水素又はカルボキシ保護基であり、Rは水素又
はヒドロキシ保護基である。〕式(III)の化合物を
更に変形して、化合物(3R,4S)−3−ヒドロキシ
−4−フェニル−2−アゼチジノン及びそのヒドロキシ
保護類似物を提供し、バッカチンIIIからタキソール
及びその誘導体の合成の工程において有用な中間体であ
る。
【0015】この中で用いられる時、特に指定しなけれ
ば、“低級アルキル”は1〜5個の炭素原子を持つ直鎖
又は分枝の炭素鎖を表わす。“低級アルケニル”は、少
なくとも1個の炭素−炭素二重結合を持ち、2〜5個の
炭素原子を持つ直鎖又は分枝の炭素鎖を表わす。“ハロ
ゲン”はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素を含む。R、R
、R、R1a、R2a、R3aの定義から、R
水素又はR1aとして、Rは水素又はR2aとして、
は水素又はR3aとして定義されてもよいことは明
らかなので、この簡単な記号は明細書を通じて用いられ
るだろう。
【0016】“カルボン酸のアシルラジカル”は、エス
テル基R−CO−をさし、Rは(限定しないが)水
素、メチルやエチルやプロピルやイソプロピルなどのよ
うな低級アルキル、クロロメチルやジクロロメチルやト
リクロロメチルやトリフルオロメチルのようなハロ置換
低級アルキル、メトキシメチルやトリフェニルメトキシ
メチルやフェノキシメチルやp−クロロフェノキシメチ
ルのような置換メチル、2,4,6−トリメチルフェニ
ルやo−メトキシカルボニルフェニルのようなフェニル
及び置換フェニル、フェネチル、プロペニルであってよ
い。“炭酸エステルラジカル”はカーボネートR−O
−CO−をさし、Rは(限定しないが)メチルやエチ
ルやプロピルやイソブチルのような低級アルキル、2,
2,2−トリハロエチル例えば2,2,2−トリクロロ
エチルや2−(トリメチルシリル)エチルや2−(フェ
ニルスルホニル)エチルのような置換エチル、ビニルや
アリルのような低級アルケニル、シンナミル、p−ニト
ロフェニル、3,4−ジメトキシベンジルやp−メトキ
シベンジルやo−ニトロベンジルやp−ニトロベンジル
のようなベンジル及び置換ベンジルであってよい。
【0017】“ヒドロキシ保護基”はヒドロキシ基を保
護するのに慣例的に用いられるものであってよい。ヒド
ロキシ保護基の例は、カーボネートR−O−CO−を
含み、Rは(限定しないが)メチルやエチルやプロピ
ルやイソブチルのような低級アルキル、2,2,2−ト
リハロエチル例えば2,2,2−トリクロロエチルや2
−(トリメチルシリル)エチルや2−(フェニルスルホ
ニル)エチルのような置換エチル、ビニルやアリルのよ
うな低級アルケニル、シンナミル、p−ニトロフェニ
ル、3,4−ジメトキシベンジルやp−メトキシベンジ
ルやo−ニトロベンジルやp−ニトロベンジルのような
ベンジル及び置換ベンジルであってよく、又エステルR
−CO−を含み、Rは(限定しないが)水素、メチ
ルやエチルやプロピルなどのような低級アルキル、クロ
ロメチルやジクロロメチルやトリクロロメチルやトリフ
ルオロメチルのようなハロ置換低級アルキル、メトキシ
メチルやトリフェニルメトキシメチルやフェノキシメチ
ルやp−クロロフェノキシメチルのような置換メチル、
2,4,6−トリメチルフェニルやo−メトキシカルボ
ニルフェニルのようなフェニル及び置換フェニル、フェ
ネチル、プロペニルであってよく、又エーテルRをも
含み、Rは(限定しないが)メトキシメチル、テトラ
ヒドロピラニル、テトラヒドロフラニル、ベンジルオキ
シメチル、t−ブトキシメチル、2−メトキシエトキシ
メチル、2,2,2−トリクロロエトキシメチル、エト
キシエチル、2,2,2−トリクロロエチル、t−ブチ
ル、アリル、p−クロロフェニル、ベンジル、p−メト
キシベンジル、o−ニトロベンジル、p−ニトロベンジ
ル、p−クロロベンジル、p−シアノベンジル、ジフェ
ニルメチル、トリフェニルメチル又は三有機シリル基、
例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、イソプロ
ピルジメチルシリル、t−ブチルジメチルシリル、(ト
リフェニルメチル)ジメチルシリル、t−ブチルジフェ
ニルシリル、メチルジイソプロピルシリル、t−ブトキ
シジフェニルシリル、トリフェニルシリルであってよ
い。
【0018】“カルボキシ保護基”は(限定しない
が)、メチルやエチルやプロピルやt−ブチルのような
低級アルキル、9−フルオレニルメチルやメトキシメチ
ルやメトキシエトキシメチルやベンジルオキシメチルや
フェナシルやp−ブロモフェナシルやα−メチルフェナ
シルや2,2,2−トリクロロエチルや2−ハロエチル
や2−(トリメチルシリル)エチルのような置換低級ア
ルキル、アリル、フェニル、ベンジル、トリフェニルメ
チルやジフェニルメチルや2,4,6−トリメチルベン
ジルやp−ブロモベンジルやo−ニトロベンジルやp−
ニトロベンジルやp−メトキシベンジルや2,6−ジメ
トキシベンジルのような置換ベンジル、トリメチルシリ
ルやトリエチルシリルやt−ブチルジメチルシリルやイ
ソプロピルジメチルシリルやフェニルジメチルシリルや
ジ−t−ブチルメチルシリルのような三有機シリルを含
む。
【0019】その他の保護基の例も、保護基の導入や除
去の方法も、Green andWutz,Prote
ctive Groups in Organic S
ynthesis(有機合成における保護基)、第二
版、John Wiley& Sons,Inc.,1
991のような標準的テキストに見られる。
【0020】一好例では、Rはカルボン酸のアシルラ
ジカル、好ましくは低級アルカノイル基であり、最も好
ましいRはアセチル基である。他の好例では、R
かさ高な三有機シリル基、好ましくはt−ブチルジメチ
ルシリル、t−ブチルジフェニルシリル又はt−ブトキ
シジフェニルシリルであり、最も好ましいRはt−ブ
チルジフェニルシリル又はt−ブトキシジフェニルシリ
ル基である。他の好例では、Rはメチル、エチル、ア
リル及びp−ニトロベンジルから選ばれ、最も好ましい
はp−ニトロベンジル又はメチルである。特に良い
例は、Rがアセチル、Rがメチル又はp−ニトロベ
ンジル、Rがt−ブチルジフェニルシリル又はt−ブ
トキシジフェニルシリルである式(III)の化合物で
ある。
【0021】RがR1a、RがR2a、RがR
3aである式(III)の化合物(IIIa)は、式
(IV)のヒドロキシ及びカルボキシ保護N−ベンジリ
デン−(L)−スレオニンを、式(V)のハロゲン化ア
セチルと、工程式Iに示されるように反応させて製造さ
れる。
【化17】
【0022】工程式Iにおいて、Ar、R1a
2a、R3aはすでに定義した通りでありXは塩素、
臭素、ヨウ素のようなハロゲンである。縮合環化反応
は、塩化メチレン、クロロホルム、テトラヒドロフラン
などのような不活性有機溶媒中で、塩基好ましくはトリ
エチルアミン、トリメチルアミン、ジイソプロピルエチ
ルアミンなどのような三級アミン塩基の存在で、0℃以
下例えば約−5°〜−40℃の温度で行われる。その結
果得られる生成物は、望む(3R,4S)−アゼチジノ
ン(IIIa)に偏った、少なくとも10:1の比のジ
アステレオマー混合物である。そのジアステレオマー混
合物は、再結晶又はクロマトグラフィーのような慣例の
方法により分離してよいが、より好都合には単なる再結
晶により望むジアステレオマーが大規模に分離されると
よい。ジアステレオマーの分離は、アゼチジン環の形成
直後でも、一又はそれ以上の保護基の除去後でもよい。
【0023】上の反応の出発物質は、容易に利用できる
試薬から製造される。式(IV)のイミンは(L)−ス
レオニン及びベンズアルデヒドから既知の方法により製
造され、式(V)の化合物はグリコール酸から適当なア
シル化剤を用いて製造される。
【0024】好ましくは、イミンはその場でヒドロキシ
及びカルボキシ保護(L)−スレオニンをベンズアルデ
ヒドと、塩化メチレン、クロロホルム、テトラヒドロフ
ランなどのような不活性有機溶媒中で反応させて発生さ
せる。その反応は好ましくは、分子ふるいのような水捕
捉剤の存在で、イミン形成を導く温度例えば外界温度で
行われる。こうしてつくられた生成物、すなわち式(I
V)の化合物は単離せずに上述の縮合環化反応に用いら
れる。
【0025】式(IIIa)の化合物は、R、R
の少なくとも1つが水素である式(III)の化合
物に変えてもよい。式(IIIa)の化合物のR1a
2a、R3aの少なくとも1つを、普通の脱保護方法
を用いて水素で置換し、用いる方法の選択は保護基によ
るだろう。与えられた保護基の適当な脱保護方法の選択
は、従来技術に精通した人の能力の範囲内である。例え
ば塩基加水分解をしてカルボキシル保護基R2aを除
き、アルカノイル基であるR1aを除ける。R1a
2,2,2−トリクロロエトキシ−カルボニルである時
には、例えば亜鉛/酢酸により除去でき、Rがt−ブ
チルジフェニルシリルである時には、フッ化水素/ピリ
ジンで除去でき、Rがt−ブトキシジフェニルシリル
である時には、テトラブチルアンモニウムフルオリド/
酢酸で除去できる。その他の例は、Green and
Wutz,Protective Groups i
n Organic Synthesis(有機合成に
おける保護基)、第二版、John Wiley &
Sons,Inc.,1991に見られる。
【0026】式(IIIa)の化合物上の(L)−スレ
オニンキラルテンプレートは、工程式IIに示されるよ
うに三工程法により除去される。
【化18】
【0027】まず、ヒドロキシ保護基Rが除去され
る。すでに述べたように、選ばれた保護基によって異な
った方法で脱保護がなされる。例えば、t−ブチルジフ
ェニルシリル保護基はフッ化水素/ピリジンにより除去
され、t−ブトキシジフェニルシリル保護基はテトラブ
チルアンモニウムフルオリド/酢酸で除去される。
【0028】第二工程は、アルコール(VII)を脱水
して対応するアクリル酸エステル誘導体(VIII)と
する。脱水は種々の方法、例えばヨウ素、五酸化リン、
塩化チオニル、臭化チオニル、PhP(OSOCF
での処理によりすることができる。好都合の方法
は、ヒドロキシ基をスルホン酸エステルに変える、例え
ばトルエンスルホン酸クロリド、トルエンスルホン酸無
水物、メタンスルホン酸無水物又はメタンスルホン酸ク
ロリドと低温、例えば−78℃で、トリエチルアミンの
ような塩基の存在で反応させ、反応混合物を例えば室温
に数時間置くとスルホン酸エステルが脱離してオレフィ
ン(VIII)となる。
【0029】第三工程は、オレフィン(VIII)をオ
ゾン分解してアゼチジノン(VI)とする。オゾン分解
は有機溶媒例えば塩化メチレンとメタノールの混合液
で、低温例えば約−78℃で行なわれる。こうしてでき
たオゾン化物はその目的にあった試薬で分解され、適当
な試薬の例は亜鉛/酢酸、触媒水素化、亜リン酸トリメ
チル、チオウレア、トリフェニルホスフィン、亜硫酸ジ
メチルである。好ましくは亜硫酸ジメチルが用いられ
る。反応溶液を室温まで暖めると、望むアゼチジノン
(VI)が得られる。R2aがメチルの場合、オゾン化
物の分解と加温に続き、生成した固体をテトラヒドロフ
ランのような不活性有機溶媒に溶かし、ヒドラジン水和
物により−78℃で処理してアゼチジノンを得るのがよ
いことは注目すべきことである。
【0030】式(VI)の化合物は、R1a基を除去し
て化合物(3R,4S)−3−ヒドロキシ−4−フェニ
ル−2−アゼチジノン(IX)に変えることができる。
脱保護は、従来技術でよく知られた方法によって行なう
ことができ、例えばRがアセチルである場合、塩基加
水分解によって除去できる。化合物(IX)は更にヒド
ロキシ保護(3R,4S)−1−ベンゾイル−3−ヒド
ロキシ−4−フェニル−2−アゼチジノンに変え、バッ
カチンIIIをアシル化してタキソールとするのに用い
られる。例えば欧州特許出願No.400,971に示
された方法により、化合物(IX)はエチルビニルエー
テル及び触媒量のメタンスルホン酸で処理され、(3
R,4S)−3−(1−エトキシエトキシ)−4−フェ
ニル−2−アゼチジノンとなる。後者はその後n−ブチ
ルリチウムで、続いて塩化ベンゾイルで処理され、生成
物(3R,4S)−1−ベンゾイル−3−(1−エトキ
シエトキシ)−4−フェニル−2−アゼチジノンとな
る。この生成物はその後、7−O−トリエチルシリル
バッカチンIIIと、ピリジン中ジメチルアミノピリジ
ンの存在で反応させて、トリエチルシリル保護基を除去
すると、タキソールとなる。
【0031】一方化合物(IX)は、Ojima et
al,J.Org.Chem.,1991,56:1
681−1683に書かれているように、(2R,3
S)−N−ベンゾイルフェニルイソセリンに変えること
ができ、適当にヒドロキシ保護した(2R,3S)−N
−ベンゾイルフェニルイソセリンはその後、米国特許
4,924,011に書かれた方法によって、7−O−
トリエチルシリル バッカチンIIIをアシル化するの
に用いられる。
【0032】次の実施例は、ここに開示され特許請求さ
れた本発明を更によく説明するためにあげられ、本発明
の範囲を制限するものと決して解釈すべきでなく、本発
明はこれに添えた特許請求の範囲によってだけ定義され
る。
【0033】
【実施例】
実施例1 p−ニトロベンジル 3−アセトキシ−α−
〔〔(1−t−ブチルジフェニルシリル)オキシ〕エチ
ル〕−2−オキソ−4−フェニル−1−アゼチジンアセ
テート(化合物1)の製造 (a) O−t−ブチルジフェニルシリル−(L)−ス
レニオン p−ニトロベンジルエステル(化合物2) (L)−スレオニン p−ニトロベンジルエステルトシ
レート(10.0g、0.0234mol)(Bose
A.K.et al,J,Org.Chem.,19
82,47:4075−4081に書かれた方法により
製造される)を無水CHCl(100ml)中で、
イミダゾール(3.130g、0.0468mol)及
びジフェニル−t−ブチルシリルクロリド(6.70m
l、0.0257mol)の存在で、16時間室温で攪
拌する。固体を濾過して除く。生成物をCHCl
水に分配し、有機相を5%炭酸水素塩水溶液及び水で洗
い、乾燥させ蒸発させて粗オイルを得る。フラッシュク
ロマトグラフィー(65%酢酸エチル/ヘキサン)で化
合物2をオイルとして得る(9.60g、83%)。
【数1】
【0034】(b) 化合物1の製造 化合物2(1.473g、2.980mmol)をベン
ズアルデヒド(0.60ml、5.97mmol)と共
に、無水CHCl(10ml)中分子ふるいの存在
で、室温で16時間攪拌する。溶液を−30℃まで冷や
し、トリエチルアミン(0.789ml、5.662m
mol)を加え、続いてアセトキシアセチルクロリド
(0.609ml、5.662mmol)のCHCl
(5ml)溶液を20分かけて加える。室温になるま
で一夜置き、CHClと水に分配する後処理をす
る。有機相を更に0.1N NCl、5%炭酸水素塩及
びブラインで洗い、硫酸マグネシウムで乾燥させる。フ
ラッシュクロマトグラフィーにより、化合物(1)のジ
アステレオマー混合物(1.710g、84%)を得
る。〔NMRにより測定し、(3R,4S):(3S,
4R)=91:9〕
【数2】
【0035】実施例2 メチル 3−アセトキシ−α−
〔〔(t−ブチルジフェニルシリル)オキシ〕エチル〕
−2−オキソ−4−フェニル−1−アゼチジンアセテー
ト(化合物3)の製造 (a) O−t−ブチルジフェニルシリル−(L)−ス
レニオンメチルエステル(化合物4) (L)−スレオニンメチルエステル塩酸塩(Sigma
ChemicalCo., 1.190g、7.02
0mmol)を無水CHCl(10ml)中で、イ
ミダゾール(955mg、14.03mol)及びジフ
ェニル−t−ブチルシリルクロリド(2.0ml、7.
720mmol)と共に16時間室温で攪拌する。実施
例1(a)と同様に後処理し、クロマトグラフィーし
て、濃いオイルの化合物4(1.740g、67%)を
得る。
【数3】
【0036】(b) 化合物3の製造 化合物4(472mg、1.270mmol)をCH
Cl(5ml)中で、ベンズアルデヒド(0.235
ml、2.310mmol)と共に室温で一夜分子ふる
いの存在で処理する。−30℃に冷やし、トリエチルア
ミン(0.336ml、2.40mmol)を加え、続
いてアセトキシアセチルクロリド(0.258ml、
2.40mmol)を10分かけて加える。室温になる
まで6時間置く。実施例1(b)と同様に後処理しクロ
マトグラフィーして、化合物3のジアステレオマー混合
物(464mg、65%)を得る。〔NMRにより測定
し、(3R,4S):(3S,4R)=95:5〕
【数4】
【0037】実施例3 中間体を単離しない化合物3の
製造 (L)−スレオニンメチルエステル塩酸塩(20.73
g、0.122mol)を乾燥CHCl(200m
l)中で、イミダゾール(16.61mg、0.244
mol)、ジフェニル−t−ブチルシリルクロリド(3
5.0ml、0.134mol)及び4−ジメチルアミ
ノピリジン(5−10mg)と共に16時間攪拌する。
固体を濾過し、濾液を5%炭酸水素塩水溶液及び水で洗
い、硫酸マグネシウムで乾燥させる。濾過後溶液をベン
ズアルデヒド(25.0ml、0.244mol)によ
り、分子ふるい(約10ml)の存在で18時間室温で
処理する。−40℃まで冷やし、トリエチルアミン(3
2ml、0.232mol)で処理し、アセトキシアセ
チルクロリド(25ml、0.232mol)のCH
Cl(25ml)溶液を40分かけて加える。0℃に
なるまで5時間置く。実施例2(b)と同様に後処理し
て粗オイルを得、エーテルで粉砕して純粋な(3R,4
S)化合物3(19.13g、3工程通算収率28%)
を得、(3S,4R)ジアステレオマーは少しもない。
母液から、より純度の低い第二産物が得られる。
【0038】実施例4 メチル 3−アセトキシ−α−
〔〔(t−ブトキシジフェニルシリル)オキシ〕エチ
ル〕−2−オキソ−4−フェニル−1−アゼチジンアセ
テート(化合物5)の製造 (a) O−t−ブトキシジフェニルシリル−(L)−
スレニオンメチルエステル(化合物6) (L)−スレオニンメチルエステル塩酸塩(1.262
5g、7.444mmol)を無水CHCl中で、
イミダゾール(1.010mg、14.89mmol)
及びt−ブトキシジフェニル−シリルクロリド(2.2
74g、7.816mmol)と共に、16時間室温で
攪拌する。実施例1(a)と同様に後処理して、濃いオ
イルの化合物6(2.881g、99%)を得る。これ
をそのまま次の工程で用いる。
【数5】
【0039】(b) 化合物5の製造 化合物6(548mg、1.414mmol)をCH
Cl(10ml)中でベンズアルデヒド(0.158
ml、1.55mmol)により、室温で一夜分子ふる
いの存在で処理する。−40℃に冷やし、トリエチルア
ミン(0.20ml、1.698mmol)を加え、続
いてアセトキシアセチルクロリド(0.182ml、
1.698mmol)を10分かけて加える。室温にな
るまで4時間置く。実施例1(b)と同様に後処理しク
ロマトグラフィーして、化合物5のジアステレオマー混
合物を得る。〔NMRにより測定して、(3R,4
S):(3S,4R)=93:7〕
【数6】
【0040】実施例5 化合物1からp−ニトロベンジ
ル(3R,4S)−3−アセトキシ−α−〔(1−ヒド
ロキシ)エチル〕−2−オキソ−4−フェニル−1−ア
ゼチジンアセテート(化合物7)の製造 実施例1のジアステレオマー混合物(155.6mg、
0.228mmol)を無水THF(1ml)中で、H
F/ピリジン(4.4M、0.52ml、2.28mm
ol HF)と共に室温で3日間攪拌する。溶液を酢酸
エチルで希釈し、5%炭酸水素ナトリウムに入れて反応
を止める。有機相を炭酸水素塩、水及びブラインで洗
う。乾燥し蒸発させて粗生成物を得、シリカ上30%酢
酸エチル/ヘキサンでクロマトグラフィーして表題化合
物(75.7mg)を得る。
【数7】
【0041】実施例6 化合物3からメチル(3R,4
S)−3−アセトキシ−α−〔(1−ヒドロキシ)エチ
ル〕−2−オキソ−4−フェニル−1−アゼチジンアセ
テート(化合物8)の製造 実施例2のジアステレオマー混合物(444mg、0.
793mmol)を無水THF(4ml)中で、HF/
ピリジン(4.4M、1.80ml、7.93mmo
l)により、室温で5日間処理する。上の実施例5と同
様に反応を止め後処理してから、クロマトグラフィー
(40%酢酸エチル/ヘキサン)により白色固体の表題
化合物(139mg、54%)を得る。
【数8】
【0042】実施例7 化合物5から化合物8の製造 実施例4のジアステレオマー混合物(245.1mg、
0.414mmol)を無水THF(2ml)中で、酢
酸(0.15ml)で続いてテトラブチルアンモニウム
フルオリド(1M THF溶液、1.20ml、3当
量)で処理する。溶液を14時間室温で攪拌し、5%炭
酸水素ナトリウム水溶液と酢酸エチルとに分配する。実
施例6と同様にクロマトグラフィーして化合物8(66
mg、50%)を得る。NMRスペクトルが実施例6で
報じたものと一致する。
【0043】実施例8 (3,4S)−3−アセトキシ
−4−フェニル−2−アゼチジノン(化合物9)の製造 (a) p−ニトロベンジル(3R,4S)−3−アセ
トキシ−α−エチリデン−4−フェニル−2−オキソ−
1−アゼチジンアセテート(化合物10) 化合物7(75mg、0.169mmol)をCH
に−78℃で溶かし、メシルクロリド(0.013
ml、0.170mmol)を加え、続いてトリエチル
アミン(0.047ml、0.338mmol)を加え
る。反応混合物を0℃になるまで置き、出発物質の消失
をモニターする(TLC)。メシルクロリド及びトリエ
チルアミンを上のようにして更に加え、室温で4時間攪
拌する。水と酢酸エチルとに分配し、有機相を希薄な炭
酸水素塩、希HCl及びブラインで洗い、乾燥させて粗
生成物を得、フラッシュクロマトグラフィー(28%酢
酸エチル/ヘキサン)により精製して、オイルの化合物
10(62.9mg、88%)を得る。
【数9】
【0044】(b) 化合物9の製造 化合物10(41mg、0.0966mmol)をCH
Cl/MeOH(3mlずつ)中、−78℃で、青
い色が存続するようになるまでオゾン流で処理する。溶
液を窒素で一掃し、オゾ化物を亜硫酸メチル(0.5m
l)で分解する。溶液を室温になるまで置き、48時間
攪拌する。生成物を蒸発とクロマトグラフィー(30%
酢酸エチル/ヘキサン)により単離して、化合物9(2
0mg、100%)を白色固体で得る。
【数10】
【0045】実施例9 化合物8から化合物9の製造 実施例8(a)に書いた方法を、化合物7の代わりに化
合物8を用いてくりかえし、メチル(3R,4S)−3
−アセトキシ−α−エチリデン−4−フェニル−2−オ
キソ−1−アゼチジンアセテート(化合物11)を得
る。生成した粗化合物11(6.2g)をジクロロメタ
ンに溶かし、−78℃でオゾン化する。亜硫酸メチル
(5ml)で反応を止め、次に室温まで暖め、蒸発させ
て白色固体を得る。これをTHF(150ml)に溶か
し、−78℃に冷やす。ヒドラジン水和物(合計2.4
ml)を半分ずつ加え、2時間後−78℃で後処理す
る。酢酸エチルと水とで分配し乾燥させた後、クロマト
グラフィー(40%酢酸エチル/ヘキサン)して、化合
物9(2.13g、全収率54%)を無色固体で得る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シェイラ アイ ホーク アメリカ合衆国コネチカット州 06512 ニューハーベン レイ ストリート 37

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 式 【化1】 〔式中、Arはフェニルであり、Rは水素、カルボン
    酸のアシルラジカル、又は炭酸エステルラジカルであ
    り、Rは水素又はカルボキシ保護基であり、Rは水
    素又はヒドロキシ保護基である。〕を有する(3R,4
    S)−2−アゼチジノン誘導体。
  2. 【請求項2】 Rがアセチルであり、請求項1の化合
    物。
  3. 【請求項3】 Rがt−ブチルジフェニルシリル又は
    t−ブトキシジフェニルシリルである、請求項1の化合
    物。
  4. 【請求項4】 Rがアセチルであり、Rがt−ブチ
    ルジフェニルシリル又はt−ブトキシジフェニルシリル
    である、請求項1の化合物。
  5. 【請求項5】 Rがアセチルであり、Rがt−ブチ
    ルジフェニルシリル又はt−ブトキシジフェニルシリル
    であり、Rがメチル又はp−ニトロベンジルである、
    請求項1の化合物。
  6. 【請求項6】 (a)式 【化2】 〔式中、Arはフェニルであり、R2aはカルボキシ保
    護基であり、R3aはヒドロキシ保護基である。〕を有
    する(L)−スレオニンのイミン誘導体を、式 【化3】 〔式中、R1aはカルボン酸のアシルラジカル又は炭酸
    エステルラジカルであり、xはハロゲンである。〕を有
    するハロゲン化アセチルと、不活性有機溶媒中、塩基の
    存在で反応させ、(b)望むジアステレオマーを分離
    し、(c)所望により、R1a、R2a及びR3aの一
    又はそれ以上を水素で置換することから成る、式 【化4】 〔式中、Arはフェニルであり、Rは水素、カルボン
    酸のアシルラジカル又は炭酸エステルラジカルであり、
    は水素又はカルボキシ保護基であり、Rは水素又
    はヒドロキシ保護基である。〕を有する(3R,4S)
    −2−アゼチジノン誘導体の製造方法。
  7. 【請求項7】 (a)式 【化5】 〔式中、R2aはカルボキシ保護基であり、R3aはヒ
    ドロキシ保護基である。〕を有する(L)−スレオニン
    誘導体を、アルデヒドArC(O)H〔式中、Arはフ
    ェニルである。〕と反応させ、(b)工程(a)により
    生成したイミンを、式 【化6】 〔式中、R1aはカルボン酸のアシルラジカル又は炭酸
    エステルラジカルであり、Xはハロゲンである。〕を有
    するハロゲン化アセチルと、不活性有機溶媒中、塩基の
    存在で反応させ、(c)望むジアステレオマーを分離
    し、(d)所望により、R1a、R2a及びR3aの一
    又はそれ以上を水素で置換することから成る、式 【化7】 〔式中、Arはフェニルであり、Rは水素、カルボン
    酸のアシルラジカル又は炭酸エステルラジカルであり、
    は水素又はカルボキシ保護基であり、Rは水素又
    はヒドロキシ保護基である。〕を有する(3R,4S)
    −2−アゼチジノン誘導体の製造方法。
  8. 【請求項8】 (a)式 【化8】 〔式中、R1aはカルボン酸のアシルラジカル又は炭酸
    エステルラジカルであり、R2aはカルボキシ保護基で
    ある。〕を有する化合物の(L)−スレオニン基を除去
    し、(b)所望により、生成したアゼチジノンのR1a
    を水素で置換することから成る、式 【化9】 〔式中、Rは水素、カルボン酸のアシルラジカル又は
    炭酸エステルラジカルである。〕を有する(3R,4
    S)−2−アゼチジノン誘導体の製造方法。
  9. 【請求項9】 (a)α−水素原子及びヒドロキシ基又
    はそのスルホン酸エステル誘導体を脱離させてアクリル
    酸エステルとし、(b)工程(a)の生成物をオゾン分
    解することにより、(L)−スレオニン基の除去を行う
    請求項8の方法。
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