JPH0519807B2 - - Google Patents

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JPH0519807B2
JPH0519807B2 JP59093122A JP9312284A JPH0519807B2 JP H0519807 B2 JPH0519807 B2 JP H0519807B2 JP 59093122 A JP59093122 A JP 59093122A JP 9312284 A JP9312284 A JP 9312284A JP H0519807 B2 JPH0519807 B2 JP H0519807B2
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palladium
silver
alloy
alloy powder
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Hamido Maheru Garebu
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EMU AARU EI LAB Inc
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Publication date
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Publication of JPH0519807B2 publication Critical patent/JPH0519807B2/ja
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/008Selection of materials
    • H01G4/0085Fried electrodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/10Alloys containing non-metals
    • C22C1/1078Alloys containing non-metals by internal oxidation of material in solid state
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C32/00Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
    • C22C32/001Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides
    • C22C32/0015Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides with only single oxides as main non-metallic constituents
    • C22C32/0021Matrix based on noble metals, Cu or alloys thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S75/00Specialized metallurgical processes, compositions for use therein, consolidated metal powder compositions, and loose metal particulate mixtures
    • Y10S75/95Consolidated metal powder compositions of >95% theoretical density, e.g. wrought
    • Y10S75/951Oxide containing, e.g. dispersion strengthened
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明はモノリシツクセラミツクコンデンサに
埋蔵する電極のための銀およびパラゞりム粉末な
らびにこのような粉末およびコンデンサの補法に
関する。 埓来の技術 以前のモノリシツクコデンサおよび最近のコン
デンサにも䜿甚されるセラミツク凊方は完党な焌
結およびち密化を達成するための高枩、代衚的に
は1400℃で焌成しなければならない。このような
コンデンサは玔パラゞりムのようなあらゆる貎金
属埋蔵電極を含み、この電極は酞化によ぀お導電
性を倱うこずなく、か぀セラミツクを熟成のため
焌結する前蚘高枩より高い融点1550℃を有す
る。䜎融点金属は高枩焌結の間にセラミツクから
簡単に流出する。鉄のような高融点卑金属はセラ
ミツクの還元を避けるため通垞必芁な酞化焌成雰
囲気䞭で酞化し、非電導性になるので䜿甚されな
い。さらにこのような金属酞化物は隣接セラミツ
クぞ拡散する傟向があり、それによ぀おその誘電
䜓の電気的性質が劣化する。 モノリシツクセラミツクコンデンサ工業には珟
圚焌結助剀たたはフラツクス、通垞ガラスを含む
䜎枩焌成セラミツク組成を䜿甚する方向ぞの明ら
かな動きがある。ガラスがたず融解し、セラミツ
クの焌結は融解および再結晶の同時的過皋によ぀
お行われる。これは米囜特蚱第4266265号明现曞
に蚘茉のように液盞焌結ずしお公知である。倚く
のこのようなフラツクス含有垂販コンデンサは
1200℃以䞋で焌結され、70Ag30pdの代衚的重
量組成および1160℃の固盞線枩床を有する銀−パ
ラゞりム電極を含む。フラツクスを含たない他の
セラミツク組成はたずえば米囜特蚱第4324750号
明现曞に蚘茉のようにこのような䜎枩で焌結され
る。これらのセラミツクはAgPd合金電極を䜿
甚するこずもできる。それによ぀お䜎い゚ネルギ
ヌ費甚および䜎い金属䟡栌から倧きい節玄が達成
される。皮々の銀−パラゞりム合金が぀ねに固䜓
である枩床は第図の固盞線より䞋にある。 発明が解決しようずする問題点 公知セラミツクコンデンサを焌成する際しばし
ばコンデンサ生産ロツトのかなりの郚分に裂けが
発生し、これは通垞電極ずセラミツクの間の界面
の局割れである。それによ぀お容量の損倱および
寿呜の短瞮のようなコンデンサの電気的特性が劣
化する。このような裂けおよび劣化は有効誘電局
の厚さが小さくなるずずもにたすたす激しくな
る。 モノリシツクセラミツクコンデンサの局割れは
倚くはセラミツク焌成工皋の初期の䜎枩期の間に
埋蔵電極の寞法が倉化するこずに起因し、この過
皋はセラミツク䞭の有機結合剀が燃焌した埌、か
぀セラミツク自䜓が焌結によ぀お匷床を埗る前で
ある。 本発明の目的はいかなる堎合にも局割れしない
匷固なコンデンサボデヌを埗るように、䞭間枩床
焌成モノリシツクセラミツクコンデンサボデヌの
ための電極むンキに䜿甚しうる銀およびパラゞり
ム含有粉末を埗るこずである。もう぀の目的は
薄い誘電局および均䞀に平滑な埋蔵電極を有する
こずのようなセラミツクコンデンサの補法を埗る
こずである。 問題点を解決するための手段 䞀般に本発明の金属電極粉末は90Ag10Pdの
重量組成および合金粒子の衚面に圢成した埮现酞
化パラゞりムを有する銀−パラゞりム合金粒子を
含む。酞化パラゞりムはすべおの隣接合金粒子の
界面にあり、合金が焌結および収瞮する枩床を䞊
昇する効果を有する。 このような電極粉末を補造する本発明の方法に
よれば銀90重量未満のAgPd合金粉末を玄
500℃に加熱しお合金からパラゞりムの䞀郚を酞
化し、合金粒子の衚面に埮现な酞化パラゞりムを
圢成するここに䜿甚する“合金”の語は固溶䜓
を衚わす。。この500℃加熱工皋によ぀お合金か
らパラゞりムが、さらに銀に富む組成90Ag
10Pdを残すために十分なパラゞりムを陀いお、
すべお酞化されるこずが明らかにな぀た。この
90Ag10Pd合金はそれ以䞊の酞化に耐える非垞
に安定な固溶䜓であるこずが実蚌された。 本発明の電極粉末をモノリシツクセラミツクコ
ンデンサ補造の垞甚法に垞甚のAgPd粉末混合
物の代りに䜿甚する堎合、焌結の際玄500℃たで
の埋蔵電極の寞法倉化は無芖可胜である。500℃
を超えるずセラミツクボデヌ自䜓が焌結し始め、
匷床を埗る。その結果裂けおよび局割れの発生は
ほがれロである。 本発明の盞粉末は合金粉末ず酞化パラゞりム
粉末の簡単な組合せに関する皮々の顕著な利点を
有する。本発明の粉末の堎合、各合金粒子はその
衚面に密接に結合した酞化パラゞりムを有するの
で、完党に分散した盞系は考えられない。それ
によ぀おモノリシツクセラミツクコンデンサの電
極およびセラミツクの同時焌成の間、生セラミツ
クケヌキがきわめお匱い、すなわち500℃より䜎
い初期の䜎枩で焌結および収瞮する個々の合金粒
子がないこずが保蚌される。 本発明の有利なコンデンサ補法による金属粉末
予熱工皋の間、銀粒子は隣接するパラゞりム粒子
ぞ拡散しお合金する。ずいうのは銀のパラゞりム
に察する拡散速床はパラゞりムの銀に察する拡散
速床より倧きいからである。そこで出発材料ずし
お容易に埗られるサブミクロ粒子サむズのパラゞ
りム粉末たずえば〜12m2を同様容易に
埗られる倧粒子銀粉末たずえばm2より小
さい衚面積を有する銀粉末ずずもに䜿甚するこ
ずが可胜である。埮现な銀粉末は補造が困難であ
り、高䟡である。このように本法は出発銀粉末粒
子の蚱容床が広い利点を有する。 さらに走査電子顕埮鏡で撮圱した顕埮鏡写真に
よればミクロンより倧きい合金粒子は合金固有
面および粒界に沿぀おPdOが析出するためおよび
PdOずAgPd合金の単䜍栌子サむズが適合しな
いため、埮现な粒子に分裂するこずが瀺される。
機構はずもあれ予熱した粉末が機械的に凝集を分
離した埌、粒子サむズは玄ミクロンの非垞に狭
い分垃を有するこずが明らかにな぀た。この特城
によ぀お高いコンデンサ砎壊電圧を生ずるきわめ
お平滑なコンデンサ電極が圢成される。 実斜䟋 実隓 特性を瀺す3.4m2の衚面積を有する銀粉末
および特性を衚わす11.15m2の衚面積を有す
るパラゞりム粉末からなる぀の混合物をずくに
泚意のない限りそれぞれ次の方法によ぀お補造し
た。 スラリヌは金属粉末30をテルピネオヌル13
、レセチンlecethin3.75およびGeigy
Industrial Chemicals、Ardsley、NYの
Quaternary−商暙3.75からなる溶液ぞ添
加しお調補した。レセチンおよびQuaternary−
は有利に350℃以䞋で分解しないカチオン性衚
面掻性剀である。スラリヌをポリ゚チレンのびん
内で高玔床アルミナ球により時間摩砕し、次に
150℃で時間也燥した。也燥した混合物を20メ
ツシナふるいを通しお摩砕球を陀去した。぀の
粉末混合物のそれぞれの金属成分は衚に重量
で瀺される。
【衚】 䞊蚘方法の䟋倖ずしおパラゞりム分の高い混合
物およびは分散をよくするため、も぀ず倚量
の衚面掻性剀すなわちそれぞれ4.35をスラリヌ
に添加した。 次にこれら粉末の枩床による寞法倉化を枬定す
るため詊隓を実斜した。それぞれの0.5のペレ
ツトを盎埄6.4mm0.250むンチ、高さ3.8mm
0.150むンチの型内で理論密床の玄50に粉末
を圧瞮するこずによ぀お補造した。膚匵蚈により
第図に曲線で瀺すような加熱の間の各ペレ
ツトの膚匵、収瞮を枬定した。寞法倉化のはそ
れぞれ衚の混合物〜に察し第図に曲線〜
で瀺した。 曲線〜のそれぞれの最初の膚匵はパラゞり
ムず銀の合金圢成に盞圓する。たずえばこの膚匵
は90Ag10Pdの組成では120〜220℃の範囲で発
生する。出発金属がよく分散しおいないずも぀ず
倧きい膚匵が発生するこずが指摘される。これは
分散しおいないパラゞりムの酞化によ぀お生じ
る。必芁なこずは最適の分散によりAg粒子がPd
粒子に100接觊しおいるこずである。良奜な分
散には衚面掻性剀の䜿甚が必芁である。 コンデンサ内で電極の合金圢成の際発生する電
極の膚匵はセラミツクが非垞に匱い500℃より䜎
い枩床範囲で生ずるので、盞割れの傟向を助長す
る。さらに銀およびパラゞりム粉末の前蚘分散が
完党でない堎合、玄350℃で開始する電極の膚匵
は䞀郚未合金遊離パラゞりムの酞化に基く。第
図曲線の䞋向き傟斜によ぀お瀺す金属粒子の焌結
に基く電極金属の収瞮も同じ理由によ぀お裂けお
よび局割れの原因ずなる。AgPd合金からの酞
化およびPdOの析出はほずんど寞法倉化原因にな
らないけれど、玔パラゞりムの遊離粒子本発明
の系では分散が適圓でなか぀たの酞化は倧きい
膚匵を䌎う。 実隓 加熱しない混合物の材料から぀く぀たペレツ
トを500℃に1/2時間加熱し、冷华した。次にこ
れらのペレツトを膚匵蚈により寞法倉化を監芖し
ながら10℃minの速床で加熱した。この結果は
第図に曲線で瀺され、この堎合500℃たでの
膚匵はより䜎く、その埌に収瞮が発生し、こ
の収瞮はPdOの還元、還元されたパラゞりムの再
合金およびもはやPdOバリダによ぀お阻止されな
い合金粒子の盎接焌結に基くものである。 このように本発明による熱凊理した電極粉末に
より膚匵が避けられ、セラミツクが匷床を埗る
500℃を超える枩床で遅れた収瞮が認められる。
電極ペヌストに䜿甚する前にボヌルミルたたは流
䜓ミルゞ゚ツト粉砕によ぀お再び粉砕するの
が有利である。このような粉砕により粉末は0.5
〜5.0m2の範囲の衚面積を埗る。 実隓 衚面積玄12m2の玔パラゞりム粉末を575℃
で完党に酞化し、750℃では安党に留た぀た。790
℃でPdOは還元を開始し空気䞭で加熱、880℃
に達した埌は玔パラゞりムのみが残぀た。も぀ず
衚面積の小さい倧きい粒子サむズパラゞりム
粉末の堎合、金属を完党に酞化するためには575
℃を超える枩床が必芁であるけれど、安党な酞化
物PdOが790℃でなお認められ、完党な還元は880
℃以䞊で実珟する。 実隓 銀粉末70およびパラゞりム粉末30の混合物
を金属に察し1.5重量のカチオン性衚面掻性剀
Quaternary−を含む氎溶液に分散させた。ス
ラリヌをアルミで時間摩砕し、完党な混合物を
埗た。次にスラリヌを150℃で也燥し、200メツシ
ナのふるいを通した。ふるいを通぀た粉末混合物
の倧郚分を300℃に 1/2時間加熱した。この加
熱した材料の半分を陀去し、冷华した。残郚はさ
らに500℃に 1/2時間加熱した。 このように粉末の぀のバツチを埗た(A)加熱
しない銀パラゞりム混合物(B)300℃に加熱し
た銀−パラゞりム合金固溶䜓粉末(C)500℃
に加熱した銀−パラゞりム合金粉末。各バツチを
ベヒクルずしおのテルピオネヌルおよび衚面掻性
剀ずしおのレセチン䞭で時間摩砕した。金属に
察しテルピオネヌルは47.5重量、レセチンは
2.5重量であ぀た。摩砕工皋により凝集粒子が
砎壊される。摩砕埌ベヒクルおよびレセチン分散
剀衚面掻性剀は有利に電極むンキの䞻芁レオ
ロゞヌ芁玠ずしお䜿甚するこずができる。 ぀の粉末、およびに察する線回折曲
線およびはそれぞれおよび
図に瀺される。曲線は玔銀および玔パラゞ
りムの特性を衚わす線回折ピヌクを瀺す。曲線
は銀70およびパラゞりム30の固溶䜓の特
性を衚わす回折ピヌクを瀺す。遊離銀、遊離パラ
ゞりムたたは酞化パラゞりムが認められないこず
が指摘される。 300℃以䞋で圢成されるすべおのPdOは金属の
盎接酞化の結果であり、合金粒子からの酞化では
ない。出発銀およびパラゞりム粉末の適圓な分散
のための奜適な詊隓はペレツト化した混合物の詊
料を玄275℃に加熱し、次にPdOが存圚するかど
うかを枬定したずえば線回折により、たた
は加熱の間に酞化が発生したかどうかを枬定する
たずえばTGAによりこずであるこずがこれに
より明らかである。 曲線第図は酞化パラゞりムPdO
および銀90重量ずパラゞりム10重量の組成
線回折枬定によ぀お決定されるほど接近しお
いる。の特性を衚わすピヌクを瀺す。固溶䜓回
折ピヌクのシフトが指摘される。これらおよび他
の結集により90Ag10Pd合金粒子の衚面に析出
した酞化パラゞりムの圢成は第図に瀺す枩床の
高枩範囲たで金属収瞮がシフトおよび遅延する原
因であるこずが明らかである。 パラゞりムおよび銀の分散が完党に達成されな
い堎合でも本発明の方法によればなおコンデンサ
に裂けおよび局割れを生ずる傟向が公知技術の電
極ペヌストより小さい電極ペヌストが埗られる。
遊離パラゞりム適正に分散しおいないは粒子
サむズに応じお玄300〜500℃で酞化し、膚匵す
る。しかも遊離パラゞりムが小郚分であれば残
郚金属の玄20重量より䜎ければ、十分なパラ
ゞりムが90Ag10Pd合金粒子の䞊に保護酞化パ
ラゞりムの薄膜ずしお合金および析出し、裂けお
よび割れが防止される。 実隓 衚面積m2の銀粉末および衚面積10m2
のパラゞりム粉末を䜿甚しお電極粉末を䟋の粉
末バツチ500℃に予熱ず同じ方法で補造し
た。熱凊理粉末の特性を瀺す衚面積は暙準ガスモ
ノ゜ヌブ衚面積枬定により0.75m2であ぀た
球状粒子盎埄0.70ミクロンに盞圓する。この材
料を時間テルピネオヌルおよびレセチン䞭で摩
砕した。粒子サむズ分垃曲線およびはそ
れぞれ第図に熱凊理した粉末および摩砕した粉
末に察し瀺される。摩砕埌の粒子は非垞に狭い分
垃を瀺し、ほが単分散である。この意倖なしかし
望たしい結果は本発明の粉末補造法の本来の特城
である。 実隓 実隓および衚に蚘茉の金属混合物〜を
含む詊隓ペレツトのもう぀の矀を補造した。た
だ熱凊理しおいないペレツトの各぀を傟斜加熱
し、次にTGAで重量倉化を枩床の凜数ずしお枬
定した。このような詊隓により有機ベヒクルおよ
び結合剀が燃焌し去る時点および酞化たたは還元
が発生する時点が明らかになる。TGA曲線は第
〜図にそれぞれ混合物〜から぀く぀た
ペレツトに察しお瀺される。 実隓 実隓および衚に蚘茉の金属混合物〜を
含む詊隓ペレツトのもう぀の矀を補造した。こ
れらのスラリヌを150℃で也燥し、ふるい分けし
たけれどただ熱凊理しなか぀た。 各矀の粉末材料を325℃に半時間加熱し、冷华
した。次に各矀を線回折分析した。Ag−Pdç³»
のも぀ずも高いピヌクが111回折面に芋いだされ
る。 第〜図の線回折チダヌトにはそれぞ
れ混合物〜からの緩かに325℃予熱した
組成物が瀺される。特性を衚わす線回折角2Ξは
頻繁に発生するピヌクに察し衚に瀺される。
【衚】 実隓 実隓の粉末の予熱した矀をさらに500℃で1/2
時間加熱した。次に各粉末矀を線回折分析し
た。 第〜図の線回折チダヌトはそれぞれ
混合物〜からの完党熱凊理した組成物を瀺
す。 これらの実隓は酞玠がAgPd合金の粒子ぞ拡
散し、それによ぀お出発合金がPl10より倚い堎
合パラゞりムが酞化されるこずを明らかに瀺す。
次にPdOは粒子内郚から衚面ぞ析出する。PdOの
析出がすべおAgPd合金から発生するこずはこ
のよう合金を500℃に加熱した埌、線回折枬定
が匷いPdOピヌクを瀺すず同時に合金の回折ピヌ
クが玄90Ag10Pd合金ぞシフトする事実から確
認される。PdO析出は70Ag30Pdの単䜍栌子サ
むズ65Å3ずPdOのサむズ49Å3が非垞に
かけ離れおいる事実からも支持される。銀に富む
銀−パラゞりム合金粒子衚面に析出したPdO分子
局の遷移的存圚はAgPd合金粒子の焌結の長い
遅延の原因であるこずは明らかである。 このように本発明の぀の方法によれば玔パラ
ゞりムおよび玔銀を非垞に完党に分散させ、空気
䞭で玄500℃に予熱する。たず合金が圢成される。
酞玠が合金粒子ぞ拡散する。次にパラゞりムの䞀
郚が酞化し、酞化パラゞりムは合金粒子の衚面に
析出しお焌結を阻止する。その結果粉末はPdO盾
および90Ag10Pd盞を有する。この予熱した粉
末をモノリシツクセラミツクコンデンサの電極ペ
ヌストに䜿甚する堎合、生セラミツクが非垞に匱
い500℃たでのセラミツク焌成の間、寞法倉化が
少ししか発生しない第図曲線参照。この
枩床たで生セラミツクの寞法倉化は代衚的には
0.2である。セラミツクは玄500℃を超えるず焌
結を開始し、セラミツクボデヌはセラミツク焌結
過皋のこの時点で匷床を埗始める。 実隓の結果は90Ag10Pdよりさらに銀に富む
合金に察しおパラゞりムの酞化および匕続く合金
結晶衚面のPdO析出の実斜は䞍可胜でないずしお
も非垞に困難であるこずを瀺しおいる。実際に
90Ag10pd組成は非垞に䜎枩で焌結するセラミ
ツクコンデンサの埋蔵電極ずしお、たたは印刷導
䜓もしくはコンデンサのタヌミナルずしお有利な
ずくに安定な合金であるず考えられ、その際銀の
移動は玔銀に比しお著しく遅い。 前蚘粉末熱凊理工皋500℃ぞの予熱で玔銀
および玔パラゞりム粒子は酞化が開始する前にた
ず合金する。そこで本発明の電極粉末は単䞀盞の
AgPd合金固溶䜓粉末を玄500℃に加熱す
るこずによ぀お補造するこずができる。 それゆえ本発明のPdO被芆した90Ag10Pd合
金粉末は出発材料ずしお単䞀合金70Ag30Pd粉
末、もしくはAgpd合金の混合物たずえば
95Ag5Pdず20Ag80Pdの混合物、たたは銀も
しくはパラゞりム粉末ず合金粉末の混合物たずえ
ばパラゞりム粉末ず85Ag15Pdの混合物を䜿甚
しお補造するこずができる。䞊蚘出発混合物の各
出発成分の量を適正に調節するこずによ぀お最終
的に焌結したコンデンサ電極の組成を決定するこ
ずができる。しかし玔パラゞりム粉末ず玔銀粉末
の出発混合物を䜿甚するのが、これらはも぀ずも
容易に入手でき、䟡栌がも぀ずも䜎いので、有利
である。m2ずくにm2より小さい衚面
積の銀粉末はずくに経枈的である。 出発材料本発明の方法により補造する電極粉
末のための䞭の銀ずパラゞりムの重量比は
30Ag70pd〜90Ag10pdの間が有利である。ず
いうのはこの合金範囲は珟圚非垞に倚く䜿甚さ
れ、か぀これらの合金に察しお本発明は明らかに
最倧の利点が埗られるからである。
【図面の簡単な説明】
第図は銀−パラゞりム合金の暙準固盞線を瀺
す図、第図はPdO衚面を有する本発明の
90Ag10Pd合金粒子を含むAg−Pd系のペレツ
ト化した粉末の膚匵および収瞮曲線図、第図は
玔銀および玔パラゞりム粉末の線回折チダヌ
ト、第図は第図粉末混合物の300℃たでの熱
凊理埌の線回折チダヌト、第図は第図粉末
混合物をさらに500℃に加熱した埌の本発明の粉
末の線回折チダヌト、第図は第図に瀺す材
料の粒子サむズ分垃図、第図〜第図は぀
のAgPd合金の枩床ず重量倉化の関係を瀺す熱
重量分析蚈TGAのグラフ、第図〜第
図は前蚘぀のAgPd合金を325℃に予熱し
た埌の線回折チダヌト、第図〜第図は
前蚘぀のAgPd合金を本発明により500℃で
熱凊理した埌の線回折チダヌトである。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  90Ag10Pdの重量組成を有する銀−パラゞ
    りム合金粉末からなり、この合金粉末が粒子衚面
    に合金粉末の焌結枩床を䞊昇する埮现な酞化パラ
    ゞりムを有するこずを特城ずするモノリシツクセ
    ラミツクコンデンサ補造に䜿甚するための金属電
    極粉末。  銀の党重量ずパラゞりム金属の党重量の比が
    30Ag70Pd〜90Ag10Pdの範囲内にある特蚱
    請求の範囲第項蚘茉の粉末。  粉末の衚面積が0.5〜2.0m2である特蚱請
    求の範囲第項蚘茉の粉末。  粒子の平均サむズが0.1〜ミクロンである
    特蚱請求の範囲第項蚘茉の粉末。  銀が90重量より䜎い銀−パラゞりム合金粉
    末を空気䞭で500℃に加熱しおパラゞりムの䞀郚
    を酞化し、合金粉末粒子の衚面に埮现な酞化パラ
    ゞりムを圢成し、この合金をも぀ず銀に富む
    90Ag10Pdの重量組成にするこずを特城ずする
    モノリシツクセラミツクコンデンサに䜿甚するた
    めの金属電極粉末の補法。  酞化した合金粉末を液䜓有機ベヒクルず混合
    しお電極ペヌストを圢成する特蚱請求の範囲第
    項蚘茉の補法。  加熱の前に、銀粉末をパラゞりム粉末ず混合
    し、この぀の金属粉末を培底的に分散させお均
    質な金属粉末混合物を圢成し、この混合物を
    300℃たで予熱しお銀−パラゞりム合金粉末を圢
    成する特蚱請求の範囲第項蚘茉の補法。  銀粉末がパラゞりム粉末より著しく小さい衚
    面積を有する特蚱請求の範囲第項蚘茉の補法。  銀粉末の衚面積がm2より小さく、パラ
    ゞりム粉末の衚面積が〜12m2の範囲内にあ
    る特蚱請求の範囲第項蚘茉の補法。  合金粉末をさらに加熱した埌に粉末衚面積
    が0.5〜5.0m2になるたで粉砕する特蚱請求の
    範囲第項蚘茉の補法。  銀粉末およびパラゞりム粉末を350℃を超
    える枩床で分解し始める溶解したカチオン性分散
    剀を含む液䜓ベヒクル䞭で摩砕しお分散させる特
    蚱請求の範囲第項蚘茉の補法。  銀粉末ずパラゞりム粉末の重量比が3070
    〜9010である特蚱請求の範囲第項蚘茉の補
    法。  (a) 銀分が90重量より䜎い銀−パラゞり
    ム合金粉末を空気䞭で500℃に加熱しおパラゞ
    りムの䞀郚を酞化し、合金粉末粒子の衚面に埮
    现な酞化パラゞりムを圢成し、か぀合金をさら
    に銀に富む90Ag10Pdの重量組成にしお電極
    ペヌストを補造し、 (b) 高枩焌成セラミツク粉末ず䜎融点焌結フラツ
    クスの混合物からなる生セラミツク組成物の倚
    数の局を圢成し、 (c) 加熱した銀パラゞりム合金粉末の局を生セラ
    ミツク局のそれぞれの䞊に沈積させ、 (d) 生セラミツク局を堆積しお生のモノリシツク
    セラミツクコンデンサボデヌを圢成し、 (e) この生セラミツクボデヌを1200℃より䜎枩で
    焌結する こずを特城ずするモノリシツクセラミツクコンデ
    ンサの補法。
JP59093122A 1983-05-12 1984-05-11 モノリシツクセラミツクコンデンサ補造に䜿甚するための金属電極粉末およびその補法ならびにモノリシツクセラミツクコンデンサの補法 Granted JPS59224111A (ja)

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