JPH05191473A - Ramを用いたセル分解装置 - Google Patents

Ramを用いたセル分解装置

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JPH05191473A
JPH05191473A JP167692A JP167692A JPH05191473A JP H05191473 A JPH05191473 A JP H05191473A JP 167692 A JP167692 A JP 167692A JP 167692 A JP167692 A JP 167692A JP H05191473 A JPH05191473 A JP H05191473A
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JP
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cell
data
read
ram
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JP167692A
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Sunao Motoiwa
直 本岩
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ATM回線から受信したセルを分解して受信
装置に読み込むセル分解装置に関し、RAMを使用する
ことにより、コストを低価格におさえ、実装面での効果
を上げる事を目的とする。 【構成】 セル分解装置において、回線から受信したセ
ルデータを格納するRAM101と、回線から受信した
セルデータをRAM101に書込む書込み手段102
と、セルデータをRAM101から読出す読出し手段1
03と、セルの組立て情報を読出した後、有効データを
読出すよう読出し手段103を制御する読出し制御手段
104と、有効データをHDLCフレームに変換する変
換手段105と、を備えて構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ハイレベルデータリン
クコントロール(以下、HDLCと略す)手順に基づく
データを、ATM(非同期転送モード)方式で伝送する
場合に、ATM回線から受信したセルを分解して受信装
置に読み込むセル分解装置に関し、主として、ATMセ
ルをHDLCデータフレームに変換する場合に用いられ
る。
【0002】
【従来の技術】図6にHDLC手順に基づくデータをA
TM方式で伝送する場合の一般的な送受信システムの構
成を示す。この図に示すように、この送受信システムに
おいては、まず、端末A301側では、端末A301で
入力されたデータを、HDLC手順に基づき、HDLC
データとしてATM伝送装置302に送り(図中)、
ATMセルの組立てを行い(図中)、ATMネットワ
ークに送信する。次に、端末B303側では、ATM伝
送装置304で受信したセルを分解し(図中)、HD
LCデータとして端末B303に送る(図中)。
【0003】この送受信システムにおいては、 (1)HDLC系のデータは、図7に示す様なHDLC
データフォーマットを使用して伝送される。
【0004】(2)端末から送出されるHDLCデータ
の内、図7の斜線で示される有効データ部を図8に示す
様にセルに組立て、回線へ送出する。
【0005】このとき、HDLCデータの情報部は可変
長の為、図9に示すような単一セルに収まる場合と、図
10に示すような複数セル(先頭セル、中間セル、最終
セル)に分けられる場合が生じる。そのため、セルを組
み立てる際には、セルの組立状態(以下、STと略称す
る)及びセルの有効情報長(以下、LIと略称する)を
示すビットが付加される。
【0006】回線から受信したATMセルをHDLCデ
ータフレームに変換する際の、従来のセル分解装置を図
11により説明する。図11において、201は受信し
たセルの有効データを記憶する有効データ部用FIFO
(ファーストイン・ファーストアウト)メモリ、202
は受信したセルの組立状態(ST)と有効情報長(L
I)を記憶するST,LI用FIFOメモリ、203は
FIFOメモリ201,202に記憶されているセルの
数を示す受信セル数カウンタ、204は有効データ部用
FIFOメモリ201からのデータの読出しを制御する
Read CONT部(読取り制御部)、205は有効
データをHDLCデータフレームに変換するHDLC処
理部である。
【0007】一般に、回線側から入力されるATMセル
データを端末側の速度に合せてHDLCデータフォーマ
ットに変換する際は、端末側の読み込み速度に対し、A
TMセルの入力される速度はかなり速い速度となる。例
えば、装置の構成にもよるが、端末の読み込み速度2.
4kbps〜256kbpsに対し、ATMセル入力は
数メガbpsである。したがって、HDLCデータフォ
ーマットへ変換中に次のセルが入力される場合があり、
このため、従来のセル分解装置には、セルを一旦記憶す
るメモリが必要であり、そのためにFIFOメモリ20
1,202を用いている。
【0008】以下、この従来のセル分解装置の動作を説
明する。まず、ATM回線網からATMセルデータ(D
ATA)、セルの先頭を示す信号(SYNC)、クロッ
ク(回線側CLK)が入力されると、有効データ部用F
IFOメモリ201は、ATMセルの内、有効情報部4
4オクテットのみを記憶し、ST,LI用FIFOメモ
リ202は、STとLIのみを記憶する。
【0009】この時、受信セル数カウンタ203は、入
力されるSYNCの信号でカウントアップし、FIFO
メモリ201,202からセルを1個読出すごとに(e
ndの信号で)、カウントダウンする。その結果、受信
セル数カウンタ203は、FIFOメモリ201,20
2に記憶されているセルが1個以上存在する時、“ce
ll有”の情報をFIFO Read CONT部20
4に伝える。
【0010】FIFO Read CONT部204
は、受信セル数カウンタ203から、FIFOメモリ2
01,202に読出すべきセルが存在(cell有)す
ることが伝えられた場合、まず初めに、ST,LI用F
IFOメモリ202からセルのST,LIを読出して
(Readクロック1で)検出し、有効データ部用FI
FOメモリ201に対して、検出したLI長分のRea
dクロック2を出力(端末側のCLKに合せて)し、有
効データを読出す。その後、HDLC処理部205は、
有効データ部用FIFOメモリ201から読出されたデ
ータをパラレル/シリアル変換し、検出したSTの情報
を加え、端末側CLKに同期したHDLCデータに変換
して出力する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】この従来のセル分解装
置のように、セルの記憶にFIFOメモリを使用した場
合には、FIFOメモリをコントロールする制御は容易
となるが、セルの組立情報を記憶するFIFOメモリ2
02と有効データを記憶するFIFOメモリ201を必
要とする。このように、高価なFIFOメモリを2つも
使用するため、コストが高くなり、実装面においてもデ
メリットが生じる。
【0012】本発明は、このような事情を考慮してなさ
れたもので、FIFOメモリを使用せず、RAMを使用
することにより、コストを低価格におさえ、実装面での
効果を上げる事を目的としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】図1はこの発明の構成を
示すブロック図であり、図に示すように、この発明は、
ATM方式のデータ伝送により、セルに組立てられたデ
ータを回線から受信し、受信したセルを分解して受信装
置に読み込むようにしたセル分解装置において、回線か
ら受信したセルデータを格納するRAM101と、書込
みアドレスを生成するとともに、回線側の伝送速度に応
じて書込みアドレスを変化させて、回線から受信したセ
ルデータをRAM101に書込む書込み手段102と、
読出しアドレスを生成するとともに、受信装置の伝送速
度に応じて読出しアドレスを変化させて、セルデータを
RAM101から読出す読出し手段103と、RAM1
01からセルデータを読出すとき、まず、セルの組立て
情報を読出し、次に、そのセルの組立て情報に基づいて
有効データを読出すよう読出し手段103を制御する読
出し制御手段104と、読出し手段103によって読出
された有効データをHDLCフレームに変換する変換手
段105と、を備えてなるRAMを用いたセル分解装置
である。
【0014】
【作用】この発明によれば、FIFOメモリのかわりに
安価であるRAM101を用い、それに伴い、RAM1
01のアドレスを生成する書込み手段102と読出し手
段103を付加し、RAM101の書込みアドレスを回
線側の伝達速度に応じて変化させるとともに、読出しア
ドレスを受信装置の伝送速度に応じて変化させて、速度
変換を行うようにしている。
【0015】したがって、セルを記憶するメモリにRA
Mを用いるので、従来のFIFOメモリを用いたものよ
りコストを低く抑えることが可能となり、実装面におい
て実装密度を向上させることができる。
【0016】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明
を詳述する。なお、これによってこの発明が限定される
ものではない。
【0017】図2は本発明のセル分解装置の一実施例の
回路ブロック図である。本発明のセル分解装置の概要
は、回線側から入力されるATMセルデータをSRAM
7へ書き込み、SRAM7からセルの組立情報であるS
T,LIを先に読出し、その情報を基に端末側の速度に
合わせて、有効データを読出し、HDLCデータフレー
ムに変換して端末側へ送出するようになっている。
【0018】図2において、1はWTG(Write Timing
Generator:書込みタイミング生成部)であり、受信し
たATMセルの回線側CLK及びセルの先頭を示すSY
NCから、データ書込みのタイミングであるタイミング
XWE(ライトイネーブル)とカウンタのクロック及び
ロードタイミングを生成する。
【0019】2はSRAM7に記憶されているセルの数
を示す受信セル数カウンタであり、入力されるSYNC
から作られるWENDの信号(セル単位)でカウントア
ップし、SRAM7からセルを1個読出すごとに(RE
NDの信号で)、カウントダウンする。その結果、受信
セル数カウンタ2はSRAM7のセルの有/無を示す。
【0020】3,4,5及び6はSRAM7のアドレス
を生成するアドレスカウンタであり、3はW−CAC
(ライト−セルアドレスカウンタ)、4はW−BAC
(ライト−バイトアドレスカウンタ)、5はR−CAC
(リード−セルアドレスカウンタ)、6はR−BAC
(リード−バイトアドレスカウンタ)である。
【0021】SRAM7のアドレスマップは図3に示す
とおりであり、容量は例えば8.192×8bitであ
る(SRAM7の容量は記憶されるセル数によるもの
で、システム設計者にゆだねられる)。
【0022】アドレスカウンタ3は、SRAM7へデー
タを書き込む際のwrite側の上位アドレス(受信す
るセル単位に変化)であり、アドレスカウンタ4は、S
RAM7へデータを書込む際のwrite側の下位アド
レス(セルの情報部48オクテット分:図8参照)であ
り、上位、下位合わせてwriteアドレスとなる。
【0023】アドレスカウンタ5は、SRAM7からデ
ータを読出す際のRead側の上位アドレス(セル単
位)であり、アドレスカウンタ6は、SRAM7からデ
ータを読出す際のRead側の下位アドレス(セルの情
報部48オクテット分)であり、上位、下位合わせてR
eadアドレスとなる。カウンタ6は、データをRea
dする際、ST,LI部を先にデコードし、次に有効デ
ータ部のアドレスをデコードする。
【0024】このようにして、writeアドレス、R
eadアドレスを交互に出力する(write動作、R
ead動作を交互に行う)。SRAM7のIFタイミン
グは図4に示すようになっている。
【0025】8はRead CONT部(読取り制御
部)であり、受信セル数カウンタ2から、SRAM7に
読出すべきセルが存在(cell有)することが伝えら
れた場合、まず、セルの組立情報であるST,LIをR
eadし、その情報によりReadするべき有効データ
分のアドレス生成用クロックRCLK,ロードタイミン
グXRLOAD等を出力する。
【0026】9はHDLC処理部であり、SRAM7か
ら読出した有効データをパラレル/シリアル変換し、S
Tの情報からHDLCデータフレームに変換する。10
はマルチプレクサである。HDLC処理部9のタイムチ
ャートは図5に示す通りである。
【0027】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、セ
ルを記憶するメモリにFIFOメモリを用いず、RAM
を用いて、ATMセルからHDLCデータフレームへの
変換を行うようにしたので、コスト面での大幅な削減が
実現出来る。また、実装面においても実装密度が向上す
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の構成を示すブロック図である。
【図2】本発明のセル分解装置の一実施例の回路ブロッ
ク図である。
【図3】本発明のセル分解装置に用いるSRAMのアド
レスマップである。
【図4】SRAMのIFタイミングを示すタイミングチ
ャートである。
【図5】本発明のセル分解装置に用いるHDLC処理部
の動作を示すタイムチャートである。
【図6】ATM伝送方式の概要を示す説明図である。
【図7】HDLCデータフォーマットを示す説明図であ
る。
【図8】ATMセルのセル構造を示す説明図である。
【図9】単一セルの場合のセル構造を示す説明図であ
る。
【図10】複数セルの場合のセル構造を示す説明図であ
る。
【図11】従来のセル分解装置の構成を示す回路ブロッ
ク図である。
【符号の説明】
1 WTG(Write Timing Generator) 2 受信セル数カウンタ 3,4,5,6 SRAMのアドレスを生成するアドレ
スカウンタ 7 SRAM 8 Read CONT部 9 HDLC処理部 10 マルチプレクサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H04L 13/18 8020−5K 8529−5K H04L 11/20 102 F

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ATM方式のデータ伝送により、セルに
    組立てられたデータを回線から受信し、受信したセルを
    分解して受信装置に読み込むようにしたセル分解装置に
    おいて、 回線から受信したセルデータを格納するRAM(10
    1)と、 書込みアドレスを生成するとともに、回線側の伝送速度
    に応じて書込みアドレスを変化させて、回線から受信し
    たセルデータをRAM(101)に書込む書込み手段
    (102)と、 読出しアドレスを生成するとともに、受信装置の伝送速
    度に応じて読出しアドレスを変化させて、セルデータを
    RAM(101)から読出す読出し手段(103)と、 RAM(101)からセルデータを読出すとき、まず、
    セルの組立て情報を読出し、次に、そのセルの組立て情
    報に基づいて有効データを読出すよう読出し手段(10
    3)を制御する読出し制御手段(104)と、 読出し手段(103)によって読出された有効データを
    HDLCフレームに変換する変換手段(105)と、を
    備えてなるRAMを用いたセル分解装置。
JP167692A 1992-01-08 1992-01-08 Ramを用いたセル分解装置 Withdrawn JPH05191473A (ja)

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JP167692A JPH05191473A (ja) 1992-01-08 1992-01-08 Ramを用いたセル分解装置

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ID=11508118

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030022489A (ko) * 2001-09-10 2003-03-17 한빛전자통신 주식회사 에이티엠 기반 시스템에서의 에이에이엘5/에치디엘씨 변환장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030022489A (ko) * 2001-09-10 2003-03-17 한빛전자통신 주식회사 에이티엠 기반 시스템에서의 에이에이엘5/에치디엘씨 변환장치

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Effective date: 19990408