JPH05191106A - 温度補償された誘電体フィルタ - Google Patents
温度補償された誘電体フィルタInfo
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- JPH05191106A JPH05191106A JP4160469A JP16046992A JPH05191106A JP H05191106 A JPH05191106 A JP H05191106A JP 4160469 A JP4160469 A JP 4160469A JP 16046992 A JP16046992 A JP 16046992A JP H05191106 A JPH05191106 A JP H05191106A
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- JP
- Japan
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- dielectric
- capacitor
- dielectric filter
- filter according
- resonator
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/30—Auxiliary devices for compensation of, or protection against, temperature or moisture effects ; for improving power handling capability
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体フィルタの周波数温度補償を容易に達
成することを目的とする。 【構成】 少なくとも１つの伝送線共振器を内部に形成
して有する誘電体材料ブロック（１）を有する温度補償
された誘電体フィルタが、１つの側面を除いてすべての
面が、導電層（１１）で実質的に被覆されており、温度
補償するために、ストリップ線（７）を通して導電層
（１１）に接続したコンデンサ（６）が、誘電体ブロッ
ク（１）の被覆されていない側面に伝熱的に取付けられ
ており、このコンデンサ（６）が、誘電体本体とは反対
方向の周波数温度依存性を有する主共振器を同調させ
て、主共振器の周波数温度依存性を補償するように構成
する。
成することを目的とする。 【構成】 少なくとも１つの伝送線共振器を内部に形成
して有する誘電体材料ブロック（１）を有する温度補償
された誘電体フィルタが、１つの側面を除いてすべての
面が、導電層（１１）で実質的に被覆されており、温度
補償するために、ストリップ線（７）を通して導電層
（１１）に接続したコンデンサ（６）が、誘電体ブロッ
ク（１）の被覆されていない側面に伝熱的に取付けられ
ており、このコンデンサ（６）が、誘電体本体とは反対
方向の周波数温度依存性を有する主共振器を同調させ
て、主共振器の周波数温度依存性を補償するように構成
する。
Description
【０００１】本発明は、少なくとも１つの伝送線共振器
を内部に形成して有する誘電体材料の本体を含む温度補
償されたフィルタに関する、
を内部に形成して有する誘電体材料の本体を含む温度補
償されたフィルタに関する、
【０００２】誘電体フィルタは、欧州特許出願ＥＰ−Ａ
−０，４０１，８３９および対応米国特許５，１０３，
１９７に開示されており、誘電体材料の本体を含み、こ
れは頂面、底面、両側面、両端面、頂面から底面に向け
て延在する少なくとも１つの孔を有し、この少なくとも
１つの孔の表面、両端面、１つの側面および底面の大部
分を被覆して少なくとも１つの伝送線共振器を形成する
導電層を有する。
−０，４０１，８３９および対応米国特許５，１０３，
１９７に開示されており、誘電体材料の本体を含み、こ
れは頂面、底面、両側面、両端面、頂面から底面に向け
て延在する少なくとも１つの孔を有し、この少なくとも
１つの孔の表面、両端面、１つの側面および底面の大部
分を被覆して少なくとも１つの伝送線共振器を形成する
導電層を有する。
【０００３】誘電体材料に要求される性質は、比誘電率
εr が高く、消散率が小さいことである。これに伴う困
難は、比誘電率が約８〜１００と十分に高く、かつ温度
依存性が低い材料を市場で入手できるとしても、比較的
高価であり、購入し難いことである。比誘電率εr が比
較的良好で、かつ周波数温度依存性が低い材料は、たと
えばセラミック化合物であるが、これらの化合物は一般
に消散率が大きい。
εr が高く、消散率が小さいことである。これに伴う困
難は、比誘電率が約８〜１００と十分に高く、かつ温度
依存性が低い材料を市場で入手できるとしても、比較的
高価であり、購入し難いことである。比誘電率εr が比
較的良好で、かつ周波数温度依存性が低い材料は、たと
えばセラミック化合物であるが、これらの化合物は一般
に消散率が大きい。
【０００４】本発明の目的は、比較的簡単な手段を使用
して、消散率が良好で、かつ価格の点で比較的自由に誘
電体材料を選ぶことができる誘電体フィルタの周波数温
度補償を達成することである。
して、消散率が良好で、かつ価格の点で比較的自由に誘
電体材料を選ぶことができる誘電体フィルタの周波数温
度補償を達成することである。
【０００５】本発明によれば、上述の性質を有する誘電
体フィルタは、誘電体本体とは反対方向の周波数温度係
数を有するフィルタ同調用の伝送線共振器に接続された
コンデンサを有することを特徴とする。
体フィルタは、誘電体本体とは反対方向の周波数温度係
数を有するフィルタ同調用の伝送線共振器に接続された
コンデンサを有することを特徴とする。
【０００６】コンデンサ自身が共振回路の一部を形成
し、この回路は周波数がフィルタの周波数変化とは反対
方向に温度によって変化する。コンデンサは「主」伝送
線共振器に接続されているので、フィルタに温度補償効
果を与える。フィルタの構造は、適宜、前記欧州特許出
願および対応米国特許に開示され特許請求された構造に
よることができる。
し、この回路は周波数がフィルタの周波数変化とは反対
方向に温度によって変化する。コンデンサは「主」伝送
線共振器に接続されているので、フィルタに温度補償効
果を与える。フィルタの構造は、適宜、前記欧州特許出
願および対応米国特許に開示され特許請求された構造に
よることができる。
【０００７】コンデンサは、いわゆるチップ・コンデン
サとすることができる。これは誘電体の孔に隣接して、
導電層を有しない側面に取付けることが好ましい。好ま
しい態様として、コンデンサは１つの端子を導電層に電
気的接続し、誘電体の導電層を有しない側面上に設けた
導電ストリップによって接続することが好ましい。コン
デンサの他の端子は、同一側面上の他の導電ストリップ
に接続する。
サとすることができる。これは誘電体の孔に隣接して、
導電層を有しない側面に取付けることが好ましい。好ま
しい態様として、コンデンサは１つの端子を導電層に電
気的接続し、誘電体の導電層を有しない側面上に設けた
導電ストリップによって接続することが好ましい。コン
デンサの他の端子は、同一側面上の他の導電ストリップ
に接続する。
【０００８】次に、例示の目的で本発明の実施態様を添
付図面を参照して説明する。図１および２に示すよう
に、フィルタはセラミック・ブロック１を有し、これは
１つの側面を除いて導電層１１で実質的に被覆されてい
る。プレスされた金属層よりなる蓋２がブロック１の被
覆されていない面にある。孔３がブロック１を通して延
在し、これらの孔は導電層１１で被覆され、それぞれ伝
送線共振器を形成する。ブロック１の頂面における孔３
の周りの領域４は、導電層１１から離れている。前記欧
州特許出願および対応米国特許が詳細に開示するよう
に、誘電体ブロック１の被覆されていない側面に電極パ
ターン５を設け、この共振器を隣接する共振器に接続す
る。ここで注意すべきことは、これらの共振器の接続
は、一般にセラミック・ブロック１の下部において誘導
性結合し、かつ一般に上部において容量性結合する。金
属被覆２を通して延在する接続ピン５は、側面上の電極
パターンを介してフィルタに接続することができる。
付図面を参照して説明する。図１および２に示すよう
に、フィルタはセラミック・ブロック１を有し、これは
１つの側面を除いて導電層１１で実質的に被覆されてい
る。プレスされた金属層よりなる蓋２がブロック１の被
覆されていない面にある。孔３がブロック１を通して延
在し、これらの孔は導電層１１で被覆され、それぞれ伝
送線共振器を形成する。ブロック１の頂面における孔３
の周りの領域４は、導電層１１から離れている。前記欧
州特許出願および対応米国特許が詳細に開示するよう
に、誘電体ブロック１の被覆されていない側面に電極パ
ターン５を設け、この共振器を隣接する共振器に接続す
る。ここで注意すべきことは、これらの共振器の接続
は、一般にセラミック・ブロック１の下部において誘導
性結合し、かつ一般に上部において容量性結合する。金
属被覆２を通して延在する接続ピン５は、側面上の電極
パターンを介してフィルタに接続することができる。
【０００９】本発明によって、誘電体ブロック１に伝熱
的に接続されたコンデンサ６は、フィルタの被覆されて
いない側面、すなわち電極パターンが位置する側面上に
位置して、ベース・ブロックの誘電体材料の周波数温度
依存性を補償する。コンデンサの下方の導電面６ａは、
図２および３に示すように、ブロックの側面上にあるス
トリップ線８の離れた端に接続している。他方、上方の
導電面６ｂはストリップ線７を通してベース・ブロック
の導電被覆層１１に接続している。チップ・コンデンサ
の誘電層６ｃの材料は、主共振器を同調させる。このコ
ンデンサは主共振器に対して反対方向の周波数温度依存
性を有するように選ぶ。
的に接続されたコンデンサ６は、フィルタの被覆されて
いない側面、すなわち電極パターンが位置する側面上に
位置して、ベース・ブロックの誘電体材料の周波数温度
依存性を補償する。コンデンサの下方の導電面６ａは、
図２および３に示すように、ブロックの側面上にあるス
トリップ線８の離れた端に接続している。他方、上方の
導電面６ｂはストリップ線７を通してベース・ブロック
の導電被覆層１１に接続している。チップ・コンデンサ
の誘電層６ｃの材料は、主共振器を同調させる。このコ
ンデンサは主共振器に対して反対方向の周波数温度依存
性を有するように選ぶ。
【００１０】フィルタの結合は、前述のように主とし
て、下部では誘導性結合であり、上部では容量性結合で
あるから、コンデンサは上部に配置する。こうしてキャ
パシタンスと、ストリップ線７で形成されるインダクタ
ンスとの並列結合が形成されて、キャパシタンスの温度
依存性はベース・ブロック材料に対して反対方向に変化
することが理解できる。
て、下部では誘導性結合であり、上部では容量性結合で
あるから、コンデンサは上部に配置する。こうしてキャ
パシタンスと、ストリップ線７で形成されるインダクタ
ンスとの並列結合が形成されて、キャパシタンスの温度
依存性はベース・ブロック材料に対して反対方向に変化
することが理解できる。
【００１１】明かなように、コンデンサは、図に示すチ
ップ・コンデンサでない型であることができ、その取付
けも異なっていてよい。図３に示すように、温度補償コ
ンデンサ６の位置は、共振器ごとに異なっていてもよ
い。あるいは、コンデンサ６は、すべての共振器で、ま
たは幾つかの共振器で同一位置に設けることができる。
ップ・コンデンサでない型であることができ、その取付
けも異なっていてよい。図３に示すように、温度補償コ
ンデンサ６の位置は、共振器ごとに異なっていてもよ
い。あるいは、コンデンサ６は、すべての共振器で、ま
たは幾つかの共振器で同一位置に設けることができる。
【００１２】主共振器３の周波数温度依存性を補償する
量は、コンデンサ６とストリップ線７，８との組合せで
ある副共振器回路と、主共振器３との間の結合強さに依
存すると同様に、補償コンデンサ６の温度係数に依存す
る。結合強さは主共振器３と副共振器回路との間の距離
に依存して、この距離が短かい程、主共振器３と副共振
器回路との間の結合が強い。副共振器回路は、温度補償
の他に、主共振器３の共振周波数に影響する。副共振器
回路はＱ値が小さい程、損失が主共振器３より大きくな
る。従って、副共振器回路の共振周波数の選択は、主共
振器の特性を劣化させないように選ぶ必要がある。従っ
て、主共振器と副共振器回路との共振周波数は、十分に
異ならせて妨害を回避する必要がある。主共振器の共振
周波数が、たとえば約９００MHz であるときは、副共振
器回路は少なくとも１GHz を超して、たとえば１３００
MHz とすることが必要である。温度補償コンデンサの位
置は、主共振器に影響し、主共振器の容量端に近い程、
主共振器の温度補償および周波数に強く影響する。
量は、コンデンサ６とストリップ線７，８との組合せで
ある副共振器回路と、主共振器３との間の結合強さに依
存すると同様に、補償コンデンサ６の温度係数に依存す
る。結合強さは主共振器３と副共振器回路との間の距離
に依存して、この距離が短かい程、主共振器３と副共振
器回路との間の結合が強い。副共振器回路は、温度補償
の他に、主共振器３の共振周波数に影響する。副共振器
回路はＱ値が小さい程、損失が主共振器３より大きくな
る。従って、副共振器回路の共振周波数の選択は、主共
振器の特性を劣化させないように選ぶ必要がある。従っ
て、主共振器と副共振器回路との共振周波数は、十分に
異ならせて妨害を回避する必要がある。主共振器の共振
周波数が、たとえば約９００MHz であるときは、副共振
器回路は少なくとも１GHz を超して、たとえば１３００
MHz とすることが必要である。温度補償コンデンサの位
置は、主共振器に影響し、主共振器の容量端に近い程、
主共振器の温度補償および周波数に強く影響する。
【図１】本発明の誘電体フィルタの斜視図である。
【図２】図１のフィルタの断面図である。
【図３】図１のフィルタの導電被覆層を除いた側面図で
ある。
ある。
１…セラミック・ブロック ２…蓋 ３…孔 ４…孔の周りの領域 ５…接続ピン ６…コンデンサ ６ａ，６ｂ…導電面 ６ｃ…誘電層 ７，８…ストリップ線 １１…導電被覆層
Claims (10)
- 【請求項１】 少なくとも１つの伝送線共振器を内部に
形成して有する誘電体材料の本体と、この誘電体材料の
本体とは反対方向の周波数温度係数を有するフィルタ同
調用の伝送線共振器に接続されたコンデンサと、を有す
る、温度補償された誘電体フィルタ。 - 【請求項２】 誘電体材料の本体が、頂面と、底面と、
両側面と、両端面と、頂面から底面に向けて延在する少
なくとも１つの孔とを有し、この少なくとも１つの孔の
表面、両端面、１つの側面および底面の大部分を被覆し
て少なくとも１つの伝送線共振器を形成する導電層を有
する請求項１に記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 コンデンサが、前記孔に隣接する誘電体
の他の側面に設けられている請求項２に記載の誘電体フ
ィルタ。 - 【請求項４】 コンデンサが、導電層に電気的に接続さ
れた１つの端子を有する請求項２または３に記載の誘電
体フィルタ。 - 【請求項５】 コンデンサの１つの端子が、誘電体ブロ
ックの他の側面に設けた導電ストリップを通して導電層
に接続されている請求項４に記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項６】 コンデンサの他の端子が、誘電体ブロッ
クの前記他の側面に設けた他の導電ストリップに電気的
に接続されている請求項４または５に記載の誘電体フィ
ルタ。 - 【請求項７】 コンデンサが、底面よりも頂面に近い位
置において、誘電体ブロックの前記他の側面に設けられ
ている請求項３〜６のいずれかに記載の誘電体フィル
タ。 - 【請求項８】 コンデンサが、誘電体ブロックの前記他
の側面に取付けられているチップ・コンデンサである請
求項２〜７のいずれかに記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項９】 誘電体本体が、頂面から底面に向けて延
在する少なくとも２つの孔を有し、この少なくとも２つ
の孔の表面を導電層で被覆して少なくとも２つの共振器
を形成し、かつ各コンデンサが、誘電体本体とは反対方
向の温度係数を有し、前記少なくとも２つの孔に隣接す
る誘電体本体の前記他の側面に設けられている請求項２
〜８のいずれかに記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項１０】 各コンデンサが、孔の長手方向におい
て異なる位置に設けられている請求項９に記載の誘電体
フィルタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI913087A FI88441C (fi) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | Temperaturkompenserat dielektriskt filter |
| FI913087 | 1991-06-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05191106A true JPH05191106A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=8532790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4160469A Pending JPH05191106A (ja) | 1991-06-25 | 1992-06-19 | 温度補償された誘電体フィルタ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5302924A (ja) |
| EP (1) | EP0520665B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05191106A (ja) |
| AU (1) | AU655286B2 (ja) |
| CA (1) | CA2071257A1 (ja) |
| DE (1) | DE69218674T2 (ja) |
| FI (1) | FI88441C (ja) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE4244146C2 (de) * | 1992-12-24 | 1995-04-13 | Ant Nachrichtentech | Dielektrischer Resonator |
| EP1763905A4 (en) | 2004-06-28 | 2012-08-29 | Pulse Finland Oy | ANTENNA COMPONENT |
| FI20055420A0 (fi) * | 2005-07-25 | 2005-07-25 | Lk Products Oy | Säädettävä monikaista antenni |
| FI119009B (fi) | 2005-10-03 | 2008-06-13 | Pulse Finland Oy | Monikaistainen antennijärjestelmä |
| FI118782B (fi) | 2005-10-14 | 2008-03-14 | Pulse Finland Oy | Säädettävä antenni |
| FI119577B (fi) * | 2005-11-24 | 2008-12-31 | Pulse Finland Oy | Monikaistainen antennikomponentti |
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| FI20075269A0 (fi) * | 2007-04-19 | 2007-04-19 | Pulse Finland Oy | Menetelmä ja järjestely antennin sovittamiseksi |
| FI120427B (fi) | 2007-08-30 | 2009-10-15 | Pulse Finland Oy | Säädettävä monikaista-antenni |
| FI20096134A0 (fi) | 2009-11-03 | 2009-11-03 | Pulse Finland Oy | Säädettävä antenni |
| FI20096251A0 (sv) | 2009-11-27 | 2009-11-27 | Pulse Finland Oy | MIMO-antenn |
| US8847833B2 (en) * | 2009-12-29 | 2014-09-30 | Pulse Finland Oy | Loop resonator apparatus and methods for enhanced field control |
| FI20105158A (fi) | 2010-02-18 | 2011-08-19 | Pulse Finland Oy | Kuorisäteilijällä varustettu antenni |
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| FI20115072A0 (fi) | 2011-01-25 | 2011-01-25 | Pulse Finland Oy | Moniresonanssiantenni, -antennimoduuli ja radiolaite |
| US9673507B2 (en) | 2011-02-11 | 2017-06-06 | Pulse Finland Oy | Chassis-excited antenna apparatus and methods |
| US8648752B2 (en) | 2011-02-11 | 2014-02-11 | Pulse Finland Oy | Chassis-excited antenna apparatus and methods |
| US8866689B2 (en) | 2011-07-07 | 2014-10-21 | Pulse Finland Oy | Multi-band antenna and methods for long term evolution wireless system |
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