JPH05190456A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 排気部に付着された生成物の除去を怠って
も、該生成物による被処理物への汚染を防止できる。 【構成】 排気管８を備える排気部を一端に有した円筒
形の石英管１と、この石英管の少なくとも前記排気部を
除く部分の周囲に備えられたヒータ部２とを有し、前記
石英管の排気部は他の残りの部分に対して分離およびゴ
ム材からなるＯ−リング９を介した接続ができるととも
に、前記Ｏ−リングの劣化防止用の冷却手段１０をその
周囲に備えるＣＶＤ装置において、前記石英管内にこの
石英管にほぼ同軸配置された内挿石英管１３を備え、こ
の内挿石英管は、少なくとも前記排気部との接続部に位
置付けられているとともに、前記排気管にほぼ同軸に位
置付けられる排気口１４を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶＤ装置に係り、特
に、排気管を一端に有する円筒形の石英管と、この石英
管のほぼ中央部の周囲に備えられたヒータ部とを備える
ＣＶＤ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種のＣＶＤ装置は、通常、石英管に
おいて排気管が形成されている排気部が他の残りの部分
に対して分離できるように構成されている。

【０００３】けだし、この排気部においては、ガス反応
によって生成される生成物が温度低下のため固体化され
内壁に付着してしまうから、その除去作業を容易にする
ためである。

【０００４】そして、排気部を取り付ける際には、他の
残りの部分との接続の密着性を図るためにゴム材からな
るＯ−リングを介した接続を行うようになっており、こ
れにともない、ヒータ部からの高熱によるＯ−リングの
劣化を防止するための冷却手段が該排気部の外周面に設
けられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成されたＣＶＤ装置においては、排気部の内壁に
付着した生成物を取り除くために、該排気部の取外しを
頻繁に行う必要があった。排気部の内壁に生成物が付着
されていた場合に、この生成物が内壁から剥がれ、石英
管の中央部にまで飛翔し、半導体ウェーハ等の被処理物
の付着して該被処理物を汚染してしまうからである。

【０００６】しかし、該排気部における生成物の除去を
怠った場合、該生成物による被処理物への付着で該被処
理物を汚染してしまうという問題が残されていた。

【０００７】それ故、本発明はこのような事情に基づい
てなされたものであり、その目的とするところのもの
は、排気部に付着された生成物の除去を怠っても、該生
成物による被処理物への汚染を防止したＣＶＤ装置を提
供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、基本的には、排気管を備える排気
部を一端に有した円筒形の石英管と、この石英管の少な
くとも前記排気部を除く部分の周囲に備えられたヒータ
部とを有し、前記石英管の排気部は他の残りの部分に対
して分離およびゴム材からなるＯ−リングを介した接続
ができるとともに、前記Ｏ−リングの劣化防止用の冷却
手段をその周囲に備えるＣＶＤ装置において、前記石英
管内にこの石英管にほぼ同軸配置された内挿石英管を備
え、この内挿石英管は、少なくとも前記排気部との接続
部に位置付けられているとともに、前記排気管にほぼ同
軸に位置付けられる排気口を備えていることを特徴とす
るものである。

【０００９】

【作用】このように構成したＣＶＤ装置において、供給
されたガスの大部分は内挿石英管内を通過しこの内挿石
英管の排気口および石英管の排気管を通じて排気される
ようになる。

【００１０】そして、内挿石英管は石英管の排気部の外
周に設けられた冷却手段からの影響が少なくなるため、
その中を通過するガスはほとんど温度低下されることが
なくなる。したがって、ガスは固体化されるこなく、こ
の内挿石英管の内壁には固体化された生成物がほとんど
付着するようなことはなくなる。

【００１１】そして、仮に、内挿石英管の外側、すなわ
ち石英管の排気部における内壁に前記冷却手段によって
固体化された生成物が付着するようなことがあっても前
記内挿石英管が障害となって石英管の中央部にまで飛翔
するようなことはなくなる。

【００１２】したがって、石英管の中央部に配置されて
ＣＶＤ処理がなされている半導体ウェーハ等の被処理物
を前記生成物によって汚染させるようなことはなくな
る。

【００１３】このため、排気部に付着された生成物の除
去を怠っても、該生成物による被処理物への汚染を防止
することができるようになる。

【００１４】

【実施例】図１は、本発明によるＣＶＤ装置の一実施例
を示す断面構成図である。

【００１５】同図において、円筒状からなる石英管１が
あり、この石英管１の周囲にはヒータ部２が配置されて
いる。

【００１６】前記石英管１の一端にはその開口を閉塞す
るためのフロントキャップ３が取り付けられるようにな
っている。このフロントキャップ３は石英から構成さ
れ、円形部材３Ａと円筒形部材３ＢとをＯ−リング３Ｃ
を介して蓋状に組み合わせたものからなっている。そし
て、このフロントキャップ３における円筒形部材３Ｂの
部分にはガス供給口４が設けられ、このガス供給口４を
通して石英管１内にガスを供給するようになっている。

【００１７】また、このようなフロントキャップ３は、
石英管１との充分な密閉が図られるために、Ｏ−リング
５を介して石英管１に嵌合されるようになっている。

【００１８】このため、このＯ−リング５が前記ヒータ
部２からの熱により劣化するのを防止するための冷却手
段６が前記フロントキャップ３の周囲に形成されたもの
となっている。

【００１９】一方、石英管１の他端にはその開口を閉塞
するためのエンドキャップ７が取り付けられるようにな
っていわゆる排気部を構成するようになっている。この
エンドキャップ７は石英から構成され、円形部材７Ａと
円筒形部材７ＢとをＯ−リング７Ｃを介して蓋状に組み
合わせたものからなっている。そして、このエンドキャ
ップ７における円筒形部材７Ｂの部分にはガス排気管８
が設けられ、このガス排気管８を通して石英管１内のガ
スを排気するようになっている。

【００２０】また、このようなエンドキャップ７は、石
英管１との充分な密閉が図られるために、Ｏ−リング９
を介して石英管１に嵌合されるようになっている。

【００２１】このため、このＯ−リング９が前記ヒータ
部２からの熱により劣化するのを防止するための冷却手
段１０が前記エンドキャップ７の周囲に形成されたもの
となっている。

【００２２】そして、このように構成されたＣＶＤ装置
における石英管１内には、被処理物である半導体ウェー
ハ１１が配置されているが、この半導体ウェーハ１１は
前記石英管１に同軸配置された円筒状の石英からなるイ
ンナーチューブ１２内に搭載されたものとなっている。
このインナーチューブ１２は交換可能なチューブとなっ
ており、これにより半導体ウェーハ１１の周辺における
チューブ側壁には常に生成物等の異物が付着していない
状態でＣＶＤ処理を行えるようになっている。

【００２３】さらに、本実施例では、特に、前記インナ
ーチューブ１２のエンドギャップ７側における開口端部
において、その開口端内に一部が挿入されたインナーキ
ャップ１３が配置されている。

【００２４】このインナーキャップ１３は、インナーチ
ューブ１２に挿入される側に開口を有する蓋状の形状を
なすものであり、しかも前記エンドキャップ７のガス排
気管８とほぼ同軸に位置付けられた排気口１４を具備し
たものとなっている。

【００２５】このように構成したＣＶＤ装置は、供給さ
れたガスの大部分はインナーキャップ１３内を通過しこ
のインナーキャップ１３の排気口１４および石英管１の
ガス排気管８を通じて排気されるようになる。

【００２６】そして、インナーキャップ１３はエンドキ
ャップ７の外周に設けられた冷却手段１０からの影響が
少なくなるため、その中を通過するガスはほとんど温度
低下されることがなくなる。したがって、ガスは固体化
されることなく、このインナーキャップ１３の内壁には
固体化された生成物がほとんど付着するようなことはな
くなる。

【００２７】そして、仮に、インナーキャップ１３の外
側、すなわちエンドキャップ７における内壁に前記冷却
手段１０によって固体化された生成物が付着するような
ことがあっても前記インナーキャップ１３が障害となっ
て石英管１の中央部にまで飛翔するようなことはなくな
る。

【００２８】したがって、石英管１の中央部に配置され
てＣＶＤ処理がなされている半導体ウェーハ１１等の被
処理物を前記生成物によって汚染させるようなことはな
くなる。

【００２９】このため、エンドキャップ１３に付着され
た生成物の除去を怠っても、該生成物による被処理物へ
の汚染を防止することができるようになる。

【００３０】上述した実施例では、エンドキャップ７に
取り付けられるガス排気管８はその円筒部材７Ｂ側に設
けられたものである。しかし、これに限定されることは
なく、図２に示すように、円形部材７Ａ側であってもよ
い。この場合、同図に示すように、インナーキャップ１
３の排気口１４を管状に設け、この管状の排気口１４を
エンドキャップ７のガス排気管８内に位置付けるように
してもよいことはいうまでもない。

【００３１】上述した実施例では、半導体ウェーハ１１
等からなる被処理物はインナーチューブ１２に搭載させ
た状態で、石英管１内に配置させているものである。し
かし、これに限定されることはなく、図２に示すよう
に、インナーチューブ１２をなくし半導体ウェーハ１１
等からなる被処理物を直接石英管１内に配置させるよう
にしてもよいことはもちろんである。この場合、同図に
示すように、インナーキャップ１３の径は、石英管１に
挿入できる程度の大きさに形成するようにしてもよいこ
とはいうまでもない。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によるＣＶＤ装置によれば、排気部に付着された
生成物の除去を怠っても、該生成物による被処理物への
汚染を防止することができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明によるＣＶＤ装置の一実施例を示す断
面構成図である。

【図２】 本発明によるＣＶＤ装置の他の実施例を示す
断面構成図である。

【図３】 本発明によるＣＶＤ装置の他の実施例を示す
断面構成図である。

【符号の説明】

１…石英管、２…ヒータ部、８…排気管、９…Ｏ−リン
グ、１０…冷却手段、１３…インナーキャップ、１４…
排気口。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 排気管を備える排気部を一端に有した円
   筒形の石英管と、この石英管の少なくとも前記排気部を
   除く部分の周囲に備えられたヒータ部とを有し、前記石
   英管の排気部は他の残りの部分に対して分離およびゴム
   材からなるＯ−リングを介した接続ができるとともに、
   前記Ｏ−リングの劣化防止用の冷却手段をその周囲に備
   えるＣＶＤ装置において、前記石英管内にこの石英管に
   ほぼ同軸配置された内挿石英管を備え、この内挿石英管
   は、少なくとも前記排気部との接続部に位置付けられて
   いるとともに、前記排気管にほぼ同軸に位置付けられる
   排気口を備えていることを特徴とするＣＶＤ装置。