JPS60172302A - トラツプおよびその方法 - Google Patents
トラツプおよびその方法Info
- Publication number
- JPS60172302A JPS60172302A JP59133476A JP13347684A JPS60172302A JP S60172302 A JPS60172302 A JP S60172302A JP 59133476 A JP59133476 A JP 59133476A JP 13347684 A JP13347684 A JP 13347684A JP S60172302 A JPS60172302 A JP S60172302A
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- JP
- Japan
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- trap
- pnictide
- vacuum
- sleeve
- cracking
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B25/00—Phosphorus; Compounds thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D8/00—Cold traps; Cold baffles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は真空装置用プニクチドトラップおよびプニクチ
ドクラッカ−(cracker )に係る〇従来の技術 燐その他のプニクチド(周期律表第■族の元素)は真空
装置のフメアd9ン7′1′(fore pump )
を通過するとき有害な作用がある。これらは真空装置の
壁および機構に付着し、真空機イ1“4を周期的に分解
して清浄化しなければならない。同様に、プニクチドの
再蒸発は(プニクチド)4種の背景圧力を増加し、これ
は特定の処理では不所望である。そこで、有効なトラッ
プ装置が必要である。
ドクラッカ−(cracker )に係る〇従来の技術 燐その他のプニクチド(周期律表第■族の元素)は真空
装置のフメアd9ン7′1′(fore pump )
を通過するとき有害な作用がある。これらは真空装置の
壁および機構に付着し、真空機イ1“4を周期的に分解
して清浄化しなければならない。同様に、プニクチドの
再蒸発は(プニクチド)4種の背景圧力を増加し、これ
は特定の処理では不所望である。そこで、有効なトラッ
プ装置が必要である。
発明の開示
本発明によるプニクチドトラツノ38は冷却した円筒状
スリーブ20(第2図)とスリーブ2゜内の中央に配置
した加熱フィラメント22またはプラズマ(例えばグロ
ー放電でつくり出す)からなる。24種は開口24を通
ってスリーブ2oに入る。P4は好ましくは約1ooo
℃に加熱されリープ20の内壁26上で燐膜に変わる。
スリーブ20(第2図)とスリーブ2゜内の中央に配置
した加熱フィラメント22またはプラズマ(例えばグロ
ー放電でつくり出す)からなる。24種は開口24を通
ってスリーブ2oに入る。P4は好ましくは約1ooo
℃に加熱されリープ20の内壁26上で燐膜に変わる。
スリーブ20はクラン7D29を外すことによって装置
から取外すことができる。最初に蓋板28およびフィラ
メント22を、次にスリーブを取シ外す。それを清浄化
するか新しい清浄なスリーブで交換することができる。
から取外すことができる。最初に蓋板28およびフィラ
メント22を、次にスリーブを取シ外す。それを清浄化
するか新しい清浄なスリーブで交換することができる。
第1図ではプニクチドトラップ38は真空のライン中に
ある。同様に、もう1つのトラフf60を真空室32内
に配置してそこでの異常なプニクチドの堆積を低減する
ことができる。
ある。同様に、もう1つのトラフf60を真空室32内
に配置してそこでの異常なプニクチドの堆積を低減する
ことができる。
以下余白
発明の目的
従って、本発明の目的は真空装置用トラップを提供する
ことである。
ことである。
本発明のもう1つの目的はプニクチドのそうしたトラッ
プを提供することである。
プを提供することである。
本発明のその他の目的は、その一部分は自明であシ、ま
た一部外は以下の記載から明らかであろうO 従って、本発明はいくつかの工程としまたはそれ以上の
そうした工程の他の工程との相互関係、ならびにそうし
た工程の実施に適合する構成、部拐の選択、および部品
の配置を特徴として具有する装置を含X7で成り、具体
的には以下の実施例において説明する。発明の範囲は特
許請求の範囲に記載する。
た一部外は以下の記載から明らかであろうO 従って、本発明はいくつかの工程としまたはそれ以上の
そうした工程の他の工程との相互関係、ならびにそうし
た工程の実施に適合する構成、部拐の選択、および部品
の配置を特徴として具有する装置を含X7で成り、具体
的には以下の実施例において説明する。発明の範囲は特
許請求の範囲に記載する。
実施例
本発明の性質および目的をより完全に理解するために図
面を参照して説明する。いくつかの図面において同じ参
照数字は同じ部材を示す。
面を参照して説明する。いくつかの図面において同じ参
照数字は同じ部材を示す。
第1図を参照すると、本発明により、真空装置30は真
空室32.高真空弁34.拡散Iンプ36、fニクチド
ト2ッf3B、および機械的フォアポンプ40を有する
。ガスは真空装置から矢印の方向に出る。
空室32.高真空弁34.拡散Iンプ36、fニクチド
ト2ッf3B、および機械的フォアポンプ40を有する
。ガスは真空装置から矢印の方向に出る。
次に、第2図を参照すると、本発明のプニクチドトラッ
プは拡散ポンプ36(第1図)からの出口・やイf42
と機械的フォアポンプ40(第1図)へ向かう供給管4
4の間に接続されている。
プは拡散ポンプ36(第1図)からの出口・やイf42
と機械的フォアポンプ40(第1図)へ向かう供給管4
4の間に接続されている。
プニクチドトラップ38は、例えば、密に接する水冷管
で冷却されているステンレス鋼製円筒体(本体)46を
有する。
で冷却されているステンレス鋼製円筒体(本体)46を
有する。
円筒体46にはその頂上5の開口を包囲する環状のカラ
ー5を設ける。取外し可能の円筒状スリーブ20はこの
開口に嵌まる。スリーブ20は本体46と伝熱的接触で
取付けられているので水冷管48によって冷却される。
ー5を設ける。取外し可能の円筒状スリーブ20はこの
開口に嵌まる。スリーブ20は本体46と伝熱的接触で
取付けられているので水冷管48によって冷却される。
スリーブ20は管42に対して開口24を有し、そこを
通って24種がトラップ38に入る。加熱フィラメント
は適当な供給管(図示せず)を用いて蓋板28に装着す
る。フィラメントは好ましくは約1000℃に加熱して
P48の有意部分をP2にクラッキングさせ、それをス
リーブ2−oり内壁26に氷膜の形で付着させる。
通って24種がトラップ38に入る。加熱フィラメント
は適当な供給管(図示せず)を用いて蓋板28に装着す
る。フィラメントは好ましくは約1000℃に加熱して
P48の有意部分をP2にクラッキングさせ、それをス
リーブ2−oり内壁26に氷膜の形で付着させる。
クラッカー22の操作に関する詳しい情報は我々が本願
と同日付で出願した特許H(2)の「プニクチド含有蒸
着フィルム、その形成方法及びその形成装肘」を参照さ
れたい。
と同日付で出願した特許H(2)の「プニクチド含有蒸
着フィルム、その形成方法及びその形成装肘」を参照さ
れたい。
第2図に見られるように、蓋板28はフランジ29を外
すことによってフィラメント22と共に取外しができる
。次いで、円筒形スリーブ20(第3図)を取外し、清
浄化した後、あるいは新しいスリーブを再び取付ける。
すことによってフィラメント22と共に取外しができる
。次いで、円筒形スリーブ20(第3図)を取外し、清
浄化した後、あるいは新しいスリーブを再び取付ける。
真空室32内のゾニクチPをトラップするために60の
ような真空室32内にスリーブ20とフィラメント22
を含むトラップを設置することができる。これによって
真空室32の内側におけるプニクチドの被膜の形成を低
減し、清浄の間の使用時間を延長し、そして必要な場合
に背景(プニクチド)4圧力を低減するであろう。
ような真空室32内にスリーブ20とフィラメント22
を含むトラップを設置することができる。これによって
真空室32の内側におけるプニクチドの被膜の形成を低
減し、清浄の間の使用時間を延長し、そして必要な場合
に背景(プニクチド)4圧力を低減するであろう。
本発明は(プニクチド)4が低い粘着係数を有しかつそ
のクラッキングされた種、例えば(プニクチド)2が高
い粘着係数を有するプニクチドに有効である。
のクラッキングされた種、例えば(プニクチド)2が高
い粘着係数を有するプニクチドに有効である。
本発明は、同様に、クラッキングされるまで低い粘着係
数を持つような真空装置内のその他のガスにも適用でき
る。
数を持つような真空装置内のその他のガスにも適用でき
る。
プニクチドはフォアポンプの操作にとって非常に有害で
あるのでプニクチドをフォアポンプに至る前にトラップ
することは特別に重要である。
あるのでプニクチドをフォアポンプに至る前にトラップ
することは特別に重要である。
グロー放電でつくり出されるグラズマのようにすべての
適当なりラッカーまたはクラッキング方法を使用できる
。入口管42は未りラッキング種をクラッカーに向かわ
せる。入口管42に垂直な出口管44を有すると、よシ
多くのクラッキングされた穏が壁に向かい、より多くの
未クラッキング11が管44を通って出る以前にクラッ
カーと出会うことを確実にする。
適当なりラッカーまたはクラッキング方法を使用できる
。入口管42は未りラッキング種をクラッカーに向かわ
せる。入口管42に垂直な出口管44を有すると、よシ
多くのクラッキングされた穏が壁に向かい、より多くの
未クラッキング11が管44を通って出る以前にクラッ
カーと出会うことを確実にする。
こうして、以上の記載で明らかにされたように前記の目
的は有効に達成されておシ、上記の方法および装置の構
成において特定の変形を行なうことができるので、上記
の説明および図面に示されたすべての事項は説明的であ
って、伺ら限定する意図によるものではないことが明ら
かであろう。
的は有効に達成されておシ、上記の方法および装置の構
成において特定の変形を行なうことができるので、上記
の説明および図面に示されたすべての事項は説明的であ
って、伺ら限定する意図によるものではないことが明ら
かであろう。
同様に、特=T−請求の範囲は、この明細書に記載した
本発明の一般的および特定の特徴の全部、ならびに特許
請求の範囲の文言に含まれる事項の全部を含むものとし
て考えられていることを理解されるべきである。
本発明の一般的および特定の特徴の全部、ならびに特許
請求の範囲の文言に含まれる事項の全部を含むものとし
て考えられていることを理解されるべきである。
第1図は本発明によるプニクチドトラップを用いる真空
装置の概略図、第2図は紀1図の真空装置のプニクチド
ドラッグの縦断面図、紀3図は第2図のプニクチドトラ
ツノの取外しおよび交換可能な部分の部分縦断面図であ
る。 30・・・真空装置、32・・・真空室、34・・・弁
、36・・・拡散ポンプ、38・・・プニクチドトラッ
プ、40・・・機械的フォアポンプ、42・・・出口管
、44・・・供給管、46・・・円筒体(本体)、48
・・・水冷管。 以下余白 FIG、 1 口G、2 FIG、 3
装置の概略図、第2図は紀1図の真空装置のプニクチド
ドラッグの縦断面図、紀3図は第2図のプニクチドトラ
ツノの取外しおよび交換可能な部分の部分縦断面図であ
る。 30・・・真空装置、32・・・真空室、34・・・弁
、36・・・拡散ポンプ、38・・・プニクチドトラッ
プ、40・・・機械的フォアポンプ、42・・・出口管
、44・・・供給管、46・・・円筒体(本体)、48
・・・水冷管。 以下余白 FIG、 1 口G、2 FIG、 3
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、A)り2ッキング手段とB)その近くの低温壁を具
備することを特徴とする真空装置用トラ。 ノ。 2、前記タップキング手段が加熱フィラメントである特
許請求の範囲第1項記載のトラップ。 3、前記低温壁が前記真空装置から取外し可能でおる特
許請求の範囲第1項記載のドラッグ。 4、A)本体部分、 B)前記本体部分と接する冷却手段、 C)前記本体部分に取付ける取外し可能なスリー1、お
よび D)前記スリーブ内のクラッキング手段、を具備する特
許請求の範囲第1項記載のトラップ。 5、前記クラッキング手段が加熱フィラメントでおる特
許請求の範囲第4項記載のトラップ。 6、真空室内に配置された特許請求の範囲第3項記載の
トラップ。 7、真空のライン内に配置された特許請求の範囲第5項
記載のトラップ。 8、E)第1の方向に向かう前記トラップの入口、およ
び F)一般的には第1の方向に対して垂直の第2の方向に
向かう前記トラップの出口、を特徴とする特許請求の範
囲第1項から第7項までに記載のトラップ。 9、前記入口が前記クラッキング手段に向けられている
特許請求の範囲第8項記載のトラップ。 10、E)前記クラッキング手段に向けられた前記トラ
ップの入口、 を特徴とする特許請求の範囲第1項から第7項までのい
ずれかに記載のトラップ。 11、有害ガスをより高い粘着係数を持つ形に分wl(
クラッキング)シ、そうしたガスを低温表面で凝縮(c
ondense )する工程を含むことを特徴とする真
空室から有害ガスを除去する方法。 12、前記有害ガスがグニクチドを含む特許請求の範囲
第11項記載の方法。 13、前記有害ガスが(プニクチド)4を含み(プニク
チド)2に分解される特許請求の範囲第11項記載の方
法。 14、前記真空室が真空のラインである特許請求の範囲
第11項から第13項までのいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US581101 | 1984-02-17 | ||
US06/581,101 US4613485A (en) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | Pnictide trap for vacuum systems |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60172302A true JPS60172302A (ja) | 1985-09-05 |
Family
ID=24323888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59133476A Pending JPS60172302A (ja) | 1984-02-17 | 1984-06-29 | トラツプおよびその方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4613485A (ja) |
EP (1) | EP0153525A1 (ja) |
JP (1) | JPS60172302A (ja) |
KR (1) | KR850005985A (ja) |
CA (1) | CA1243472A (ja) |
DK (1) | DK317784A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7154373B2 (en) | 2002-03-25 | 2006-12-26 | Minowa Koa Inc. | Surface mounting chip network component |
JP2007127048A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Ulvac Japan Ltd | 真空排気装置 |
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US6030458A (en) * | 1997-02-14 | 2000-02-29 | Chorus Corporation | Phosphorus effusion source |
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CN108131274B (zh) * | 2017-11-15 | 2019-10-15 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种真空抽气系统 |
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-
1984
- 1984-02-17 US US06/581,101 patent/US4613485A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-06-28 DK DK317784A patent/DK317784A/da not_active Application Discontinuation
- 1984-06-28 EP EP84304407A patent/EP0153525A1/en not_active Withdrawn
- 1984-06-28 CA CA000457711A patent/CA1243472A/en not_active Expired
- 1984-06-29 JP JP59133476A patent/JPS60172302A/ja active Pending
- 1984-09-29 KR KR1019840003738A patent/KR850005985A/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
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JP4718302B2 (ja) * | 2005-11-04 | 2011-07-06 | 株式会社アルバック | 真空排気装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0153525A1 (en) | 1985-09-04 |
DK317784D0 (da) | 1984-06-28 |
CA1243472A (en) | 1988-10-25 |
US4613485A (en) | 1986-09-23 |
KR850005985A (ko) | 1985-09-28 |
DK317784A (da) | 1985-08-18 |
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