JPH05189326A - 電子機器装置 - Google Patents

電子機器装置

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JPH05189326A
JPH05189326A JP4024376A JP2437692A JPH05189326A JP H05189326 A JPH05189326 A JP H05189326A JP 4024376 A JP4024376 A JP 4024376A JP 2437692 A JP2437692 A JP 2437692A JP H05189326 A JPH05189326 A JP H05189326A
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JP
Japan
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data
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sram
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JP4024376A
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Yoshio Matsumoto
吉生 松本
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 テープレコーダのシステム制御回路25の内
部のバッファRAM25cの内容を、一定周期あるいは
データ変更毎にスタティックメモリ(SRAM)37に
書き込み、電源オフ時に不揮発性メモリ(NVRAM)
36に書き込む。SRAM37はバックアップ用電池4
5でバックアップされている。電源オン時には、SRA
M37からのデータを優先して用い、SRAM37のデ
ータにエラーがあるときには、NVRAM36からのデ
ータを用いる。 【効果】 SRAM37とNVRAM36とを用いるこ
とにより、NVRAM36へのデータ書き込み中に電源
を落とされた場合や、バックアップ用電池45が切れた
場合にも、有効なデータを引き出すことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器装置に関し、
特に、例えば電源オフ時に不揮発性メモリに情報を保存
するような電子機器装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器の状態(ステータス)情報等の
一部データを電源オフ時も保持させるために、いわゆる
不揮発性メモリ(NVRAM)が用いられることがあ
る。この不揮発性メモリは、電源バックアップが不要で
あるため、電池切れによるデータ消失の虞れがないとい
う利点を有している。しかしながら、読み書き可能な回
数が例えば一万〜十万回程度と制限があり、また書き込
み所要時間が通常のRAM(ランダムアクセスメモリ)
等に比べて比較的長く(速度が遅く)、書き込み電流も
比較的大きいため、上記保持しようとするデータが変化
する毎に書き込みを行うのでは、メモリ自体の寿命、応
答速度、消費電力等の点で不利であることから、電子機
器の電源オフ時に書き込むようにしている。
【0003】例えば電子機器として小型回転ヘッド型デ
ィジタルテープレコーダ(DAT)を想定する場合、操
作性向上や小型化等の観点から、電子式のテープカウン
タや電子ボリューム等が用いられることが多く、電源オ
フ時にもこれらのテープカウンタ値や電子ボリューム値
を保持しておくことが必要とされる。これらのデータの
保持用に上記不揮発性メモリが用いられるわけである。
このようなDATにおいては、電源オフ操作に応じて、
所要のデータを不揮発性メモリに書き込んだ後に回路電
源等を実際にオフ制御するようにしている。
【0004】これに対して、スタティックメモリ(SR
AM)は、バックアップ電源がデータ保持のために必要
とされるが、書き込み速度が例えば数μsec 程度と速
く、また書き込み回数の制限が無いという利点を有して
いる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記不揮発
性メモリの書き込み動作中に電源を落とされたような場
合、例えば電源となる電池が抜かれたり電池の接触不良
等の事故が生じた場合等には、上記不揮発性メモリに最
新データが書き込まれないまま、あるいは書き込みの途
中で、電源が落ちてしまうことになる。特に、書き込み
の途中で電源が落ちた場合には、書き込まれたデータの
一部がエラーとなってしまう可能性もあり、次に電源オ
ンしたときの動作に対して悪影響を及ぼす虞れがある。
【0006】ここで、不揮発性メモリにデータ書き込ん
でいる途中で電源が落ちる場合としては、停止(ストッ
プ)操作を行った直後に電池を取り出した場合等が考え
られる。これは、停止操作した時点から、マイコン等の
制御部が所定時間(例えば5秒程度)経過後に不揮発性
メモリに所要データを書き込んで電源をオフするような
一連の制御を行うが、上述したように不揮発性メモリへ
のデータ書き込み速度が遅いことから、全データの書き
込み動作中に電池を抜いてしまうことがあるからであ
る。特に、小型DAT等においては、小型化や低価格化
の要求から8ピン程度の小型メモリチップを用いること
が多く、データ転送がシリアルで行われるため、1ワー
ド当たり10〜20msec ものデータ書き込み時間を要
し、全データを書き込むのに例えば0.5秒から1秒程
度、あるいはさらにそれ以上の時間がかかることがあ
り、電池を抜き取るタイミングがこの全データの書き込
み動作に一致する確率が高くなる。
【0007】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たものであり、不揮発性メモリの書き込み動作中の電源
ダウンによる悪影響を防止し得るような電子機器装置の
提供を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係る電子機器装
置は、電源オフ時に所要データを書き込んで保持する不
揮発性メモリ(NVRAM)と、上記所要データの一部
が上記電源オフ時以外にも書き込まれるスタティックメ
モリ(SRAM)と、このスタティックメモリをバック
アップするバックアップ電源とを有することにより、上
述の課題を解決する。
【0009】また、本発明に係る電子機器装置は、上記
スタティックメモリに書き込まれたデータにエラーが検
出されたときには上記不揮発性メモリの対応するデータ
を使用することにより、上述の課題を解決する。
【0010】ここで、上記スタティックメモリには、動
作中に定期的あるいはデータ変化時に必要データを書き
込むようにし、電源が不用意に落とされて不揮発性メモ
リにデータ書き込みが行われなくとも、スタティックメ
モリからデータを読み出して使用することにより、有効
なデータに基づく動作を行わせることができる。なお上
記スタティックメモリにはエラー検出ワード等を書き込
むようにし、上記バックアップ電源の電池切れ等により
スタティックメモリのデータにエラーが検出されたとき
は、上記不揮発性メモリのデータを用いることができ
る。
【0011】
【作用】電源オフの際の不揮発性メモリへのデータ書き
込みが有効に行えない場合でもスタティックメモリに保
持されているデータを用いることができ、次に電源投入
されたとき、正常なデータを用いて正常な動作を行わせ
ることができる。また、スタティックメモリにエラーが
検出されたときには、不揮発性メモリのデータを用いる
ことにより、正常な動作を行わせることができる。
【0012】
【実施例】以下、本発明の好ましい実施例について、図
面を参照しながら説明する。図1は、本発明に係る電子
機器装置の一実施例として、本件出願人が先に特願平0
3−50518号の明細書及び図面において提案してい
る小型回転ヘッド型のディジタルオーディオテープレコ
ーダ(DAT)に本発明を適用した概略的なブロック回
路構成を示している。
【0013】この図1において、上記DATの録音再生
系として、アナログオーディオ信号入力端子11からの
信号がアンプ12で増幅され、ボリューム13でレベル
調整されてA/D(アナログ/ディジタル)変換器14
に送られ、ディジタル出力信号がDSP(ディジタル信
号プロセッサ)15に送られる。DSP16にはメモリ
(RAM)16、変復調器17が接続されている。DS
P16で処理された信号は、変復調器17で変調され、
記録再生アンプ回路18で増幅されて記録再生ヘッド1
9に送られ、記録媒体(テープ)に記録される。またテ
ープに記録された信号は、記録再生ヘッド19で再生さ
れ、記録再生アンプ回路18で増幅されて変復調器17
で復調され、DSP15に送られる。DSP15で処理
された信号は、D/A(ディジタル/アナログ)変換器
20でアナログ信号に変換され、ボリューム21でレベ
ル調整されてアンプ22で増幅され、アナログ信号出力
端子23から取り出される。
【0014】これらのボリューム13、21、A/D変
換器14、DSP15、変復調器17、記録再生アンプ
18及びD/A変換器20は、いわゆるマイクロプロセ
ッサ等を用いて成るシステム制御回路25により制御さ
れている。このシステム制御回路25は、モータドライ
ブ(駆動)回路26を制御してモータ27を駆動制御
し、表示ドライバ28を制御してLCD(液晶表示装
置)等の表示部29を表示駆動制御する。また、スイッ
チ検出回路30からのスイッチ検出信号がシステム制御
回路25に送られている。スイッチ検出回路30には、
例えば上記DATの動作モードを切換制御するためのモ
ード切換スイッチとして、フォワード送りスイッチ3
1、録音スイッチ32、早送りスイッチ、巻戻しスイッ
チ34及び一時停止(ポーズ)スイッチ35等が接続さ
れている。
【0015】システム制御回路25は、いわゆるマイク
ロプロセッサ等のCPU25a、プログラムやデータ等
が書き込まれたROM25b、及びバッファRAM25
cを有して成っている。このシステム制御回路25に
は、不揮発性メモリ(NVRAM)36が接続され、電
源オフ時にも保持を必要とされるデータが双方向に転送
されるようになっていると共に、スタティックメモリ
(SRAM)37が接続され、データ転送が行われるよ
うになっている。また、クロック発生器38からのクロ
ック信号がシステム制御回路25に供給されている。
【0016】乾電池や充電式電池等のメインバッテリ4
0からの電源は、いわゆるDC−DCコンバータ等より
成る電源回路41に送られて電源VDDとして各回路部等
に供給されると共に、その一部が逆流防止用ダイオード
43を介してSRAM37及びクロック発生器38に供
給されている。また、SRAM37及びクロック発生器
38には、例えばリチウム電池のようなバックアップ用
電池45からの電源が逆流防止用ダイオード46を介し
て供給されるようになっている。
【0017】ここで、NVRAM36には、例えばボリ
ューム値やテープカウント値等のような電源オフ時にも
保持しておく必要のあるデータが、例えばDATの電源
スイッチがオフ操作された際に、あるいは動作モードが
停止状態に切り換えられた後に所定時間経過して自動的
に電源オフ(いわゆるオートオフ)される際に、システ
ム制御回路25内のバッファRAM25cから転送され
て書き込まれる。またSRAM37には、上記NVRA
M36に書き込まれるデータの内の最小限必要なデータ
が、DAT動作中の一定周期で、あるいはデータが変更
される毎に書き込まれる。そして、この最小限必要とさ
れるデータについては、電源オン時にSRAM37から
優先して読み出して使用するようにしている。
【0018】ここで、上記SRAM37、NVRAM3
6、及び上記バッファRAM25cのそれぞれメモリマ
ップの一例を図2に示す。SRAM37は、例えば6ワ
ード分の記憶容量を有し、テープカウント値、再生ボリ
ューム値、録音ボリューム値の3ワードと、3ワードの
エラーフラグ(エラー訂正ワード)EFa、EFb、E
Fcとを記憶するようになっている。NVRAM36
は、具体例として、所定ワード数毎(例えば8ワード
毎)にブロック化されており、各ブロック毎にパリティ
ワードが付加されている。例えば、16(ビット)×6
4(ワード)、すなわちいわゆる1K(1024)ビッ
トのメモリ容量のものを使用し、8ワード毎に8つのブ
ロックBLa〜BLhに分けている。また、図示しない
が、メモリ容量をさらに増やして、各ブロック毎のデー
タがそれぞれ多重書き(例えば2重書き)されるように
してもよい。例えば、16(ビット)×128(ワー
ド)、すなわちいわゆる2K(2048)ビットのメモ
リ容量のものを使用し、2Kビットの内の1Kずつを表
と裏(あるいは第1、第2ページ)のエリアとし、各エ
リアの中をそれぞれ8ブロックに分けるようにして、こ
れらのエリアに同じデータを2重書きするようにしても
よい。
【0019】このような8つのブロックに書き込まれる
各データの具体例としては、a.書換えデータ、b.製
造時定数第1データ、c.製造時定数第2データ、d.
サービス用データ、e.設計定数第1データ、f.設計
定数第2データ、g.設計定数第3データ、h.設計定
数第4データ、のようなものが挙げられる。上記a.書
換えデータは、例えば図2に示すように、テープカウン
ト値、再生ボリューム値、録音ボリューム値、調整デー
タ等が7ワードと、8ワード目にこのブロック内データ
のパリティ、例えば奇数(オッド)パリティから成る。
【0020】このようなNVRAM16の内部構成(メ
モリマップ)に対して、バッファRAM25cのメモリ
マップも、NVRAM36と同様な8ブロック分の記憶
エリアを有している。すなわち、アドレス0〜63まで
の64ワードの記憶エリアは8ワード(1ブロック)毎
に8つのブロックBLa〜BLhに分けられている。な
お、上記ブロック化やパリティ付加をしないで、64ワ
ード全体に自由にデータを書き込むようにしてもよい。
【0021】次に、DATの電源のオン、オフ動作に伴
うNVRAM36、SRAM37へのデータ書き込み動
作について図3のタイムチャートを参照しながら説明す
る。この図3において、Aは上記メインバッテリ40及
び電源回路41による電源供給の状態を、Bはバックア
ップ用電池45による電源供給の状態を、CはNVRA
M36に対する書き込み(W)及び読み出し(R)動作
を、またDはSRAM37に対する書き込み(上向きの
矢印)及び読み出し(R)動作を、それぞれ示してい
る。
【0022】この図3において、時刻t1 までのパワー
オン動作中は、一定周期であるいはデータが更新される
毎にSRAM37に最新データを書き込んでいる。DA
Tが例えば停止(ストップ)操作されていわゆるオート
オフにより電源をオフする際に、時刻t1 の直前で、上
記バッファRAM25cからNVRAM36にデータを
転送して書き込みを行う。次にモード切換スイッチの操
作等により電源がオンされる際に、時刻t2 の直後でN
VRAM36からデータを読み出し、必要に応じてエラ
ーチェック等をした後バッファRAM25cに書き込ま
れ、次にSRAM37からデータを読み出してエラーチ
ェックによりエラー無しとされたとき、バッファRAM
25cに書き込む。従って、NVRAM36からのデー
タの内のSRAM36からのデータと重複する部分につ
いては、SRAM37からのデータがバッファRAM2
5cに上書きされることになる。DATの動作中はバッ
ファRAM25cのデータが用いられるから、上記SR
AM37からのデータが優先的に使用されることにな
る。
【0023】ここで、時刻t3 で電源オフされてから時
刻t5 で電源オンされるまでの間の時刻t4 で、上記バ
ックアップ用電池45が電池寿命や電池抜取り等により
電源ダウン状態になると、SRAM37のデータは保持
されなくなるが、NVRAM36のデータは保持され
る。従って、時刻t5 で電源オンされた後のSRAM3
7から読み出されたデータにエラーが生じると、このデ
ータはバッファRAM25cには書き込まれず、時刻t
5 の直後で読み出されたNVRAM36からのデータが
使用されることになる。
【0024】また、時刻t6 で、上述した電源オフの操
作(オートオフも含む)を行うことなく電池を抜き取っ
た場合や、オフ操作を行っても書き込み動作が行われる
前や途中で電池を抜き取った場合には、NVRAM36
にデータが有効に書き込まれないが、SRAM37には
時刻t6 の直前までのデータが書き込まれている。従っ
て、次に時刻t7 で電源をオンしたとき、NVRAM3
6が読み出された後にSRAM37が読み出され、エラ
ーが無ければこのSRAM37からのデータがバッファ
RAM25cに書き込まれるから、有効なデータを使用
できる。
【0025】次に、図4を参照しながら電源起動(オ
ン)時の動作を説明する。図4のAのフローチャートの
ステップS1において、システム制御回路25内のバッ
ファRAM25cを初期化(例えばオールクリア)す
る。次のステップS2で、NVRAM36からデータを
読み出し、必要に応じてエラーチェック等を施し、バッ
ファRAM25cに転送して書き込む。次のステップS
3で、SRAM37からデータを読み出してバッファR
AM内の上記ブロックデータ書き込み領域とは別のテン
ポラリバッファエリアに書き込む。このデータを次のス
テップS4でエラーチェックし、OK(エラー無し)の
ときはステップS5に進んで、上記テンポラリバッファ
エリアに書き込まれたデータを上記ブロックデータ書き
込み領域の対応するアドレスに書き込んだ後、ステップ
S6のメイン処理に移行する。ステップS4でNG(エ
ラー有り)と判別されたときは、ステップS5を通らず
にステップS6のメイン処理に移行する。なお、メイン
処理動作中には、図4のBに示すように、一定時間周期
で、あるいはデータ変更がある毎に割込が入り、バッフ
ァRAM25cからSRAM37へのデータ転送及び書
き込みがなされて、最新のデータに更新される。
【0026】次に、図5は、電源オフ時の動作の一例を
示している。この図5のステップS11において、バッ
ファRAM25cからSRAM37へのデータ転送及び
書き込みが行われ、次のステップS12でバッファRA
M25cからNVRAM36へのデータ転送及び書き込
みが行われる。次に、必要に応じてステップS13でポ
ートオフ処理がなされた後、ステップS14に進んで電
源(パワー)オフ処理が行われる。
【0027】以上の説明からも明らかなように、テープ
レコーダの電源が不用意に落とされたとき、例えばテー
プレコーダの電池を動作中等に抜かれた場合でも、機器
の最小限必要なデータがSRAM37に保持されるた
め、次に電源投入されたとき、正常なデータを使用する
ことができ、機器への悪影響を防止できる。また、SR
AM37のバックアップ用電池45が切れた場合には、
NVRAM36によりデータが保持されているため、電
源投入後の動作等に悪影響を及ぼす虞れがなく、機器故
障率を低下させることができる。
【0028】なお、本発明は上記実施例のみに限定され
るものではなく、例えば、適用装置は小型回転ヘッド型
DATに限定されず、種々の電子機器装置に適用でき、
特に小型ディスク再生装置や小型テープレコーダ等のよ
うな電池駆動タイプの小型電子機器装置に適用して好ま
しいものである。
【0029】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係る電子機器装置によれば、電源オフ時に所要デー
タを書き込んで保持する不揮発性メモリ(NVRAM)
と、上記所要データの一部が上記電源オフ時以外にも書
き込まれるスタティックメモリ(SRAM)と、このス
タティックメモリをバックアップするバックアップ電源
とを有しているため、電源オフの際の不揮発性メモリへ
のデータ書き込みが有効に行えない場合でもスタティッ
クメモリに保持されているデータを用いることができ、
次に電源投入されたとき、正常なデータを用いて正常な
動作を行わせることができる。
【0030】また、本発明に係る電子機器装置によれ
ば、上記スタティックメモリに書き込まれたデータにエ
ラーが検出されたときには上記不揮発性メモリの対応す
るデータを使用することにより、正常な動作を行わせる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電子機器装置の一実施例となる小
型回転ヘッド型ディジタルオーディオテープレコーダ
(DAT)の概略構成を示すブロック図である。
【図2】上記実施例に用いられるスタティックメモリ
(SRAM)、不揮発性メモリ(NVRAM)、及びバ
ッファRAMのそれぞれのメモリマップの具体例を示す
図である。
【図3】上記実施例の電源のオン、オフ動作に伴うデー
タの読み書き動作の具体例を示すタイムチャートであ
る。
【図4】上記実施例の電源オン時の動作を説明するため
のフローチャートである。
【図5】上記実施例の電源オフ時の動作を説明するため
のフローチャートである。
【符号の説明】
25・・・・・システム制御回路 25c・・・・・バッファRAM 30・・・・・スイッチ検出回路 36・・・・・NVRAM(不揮発性メモリ) 37・・・・・SRAM(スタティックメモリ) 40・・・・・メインバッテリ 41・・・・・電源回路 45・・・・・バックアップ用電池
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年4月15日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0016
【補正方法】変更
【補正内容】
【0016】乾電池や充電式電池等のメインバッテリ4
0からの電源は、いわゆるDC−DCコンバータ等より
成る電源回路41に送られて電源VDDとして各回路部
等に供給されると共に、その一部が逆流防止用ダイオー
ド43を介してSRAM37に供給されている。また、
SRAM37には、例えばリチウム電池のようなバック
アップ用電池45からの電源が逆流防止用ダイオード4
6を介して供給されるようになっている。
【手続補正2】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電源オフ時に所要データを書き込んで保
    持する不揮発性メモリと、 上記所要データの一部が上記電源オフ時以外にも書き込
    まれるスタティックメモリと、 このスタティックメモリをバックアップするバックアッ
    プ電源とを有することを特徴とする電子機器装置。
  2. 【請求項2】 上記スタティックメモリに書き込まれた
    データにエラーが検出されたときには上記不揮発性メモ
    リの対応するデータを使用することを特徴とする請求項
    1記載の電子機器装置。
JP4024376A 1992-01-16 1992-01-16 電子機器装置 Withdrawn JPH05189326A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003259475A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Kenwood Corp 無線ヘッドセット

Cited By (1)

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Legal Events

Date Code Title Description
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Effective date: 19990408