JPH05183053A - 溝アライメントによる切削方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 第１のカット工程と第２のカット工程の二工
程にわけて半導体ウェーハを研削する場合に、第２のカ
ット工程のアライメント時に第１のカット工程の溝から
位置ずれしないようにする。 【構成】 ダイオード等の半導体ウェーハに第１の溝を
形成する第１のカット工程と、この第１のカット工程後
にエッチング等を行う非溝形成工程と、この非溝形成工
程の後に第１の溝に重ねて第２の溝を形成する第２のカ
ット工程からなる切削方法において、第２の溝を形成す
るに当たり、既に形成されている第１の溝を基準にして
アライメントを遂行する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表面に所定の回路パタ
ーンが設けられた半導体ウェーハをダイシング装置でチ
ップに切削する場合の、溝アライメントによる切削方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体ウェーハの表面には所定
の回路パターンが設けられ、この回路パターンはストリ
ートと称する格子状の直線によって区画されており、こ
のストリートに沿ってダイシング装置の回転ブレードで
切削することにより、半導体ウェーハからチップを形成
するようにしている。このように半導体ウェーハをダイ
シング装置で切削する際には、前記ストリートに回転ブ
レードを精密に位置決めする必要があり、この位置決め
方法としては例えば特開昭６０−２４４８０３号公報に
開示されているように、光学的手段により回路パターン
を撮像し、その画像処理にて行うパターンマッチング方
式によっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ダイオ
ード等の品種によっては、半導体ウェーハをいきなりチ
ップに切削しないで先ず所定の箇所にハーフカット（第
１のカット工程）を行い、その後エッチングや所定のテ
スト等（非溝形成工程）を行ってから前記のハーフカッ
トの部分を完全にフルカット（第２のカット工程）して
チップに分離すると言った変則的な切削方法をとるもの
がある。その際、第２のカット工程において前記パター
ンマッチング方式により位置合わせすると、第１のカッ
ト工程、非溝形成工程を経ることによりコンタミ等の付
着、エッチング等によるウェーハ表面の変化に起因して
パターンマッチングが円滑に遂行されない場合があり、
それ故フルカットする第２の溝が、最初にハーフカット
された第１の溝の位置からずれてその第１の溝のセンタ
ーを切削できないことがある。又、第１の溝を形成する
ダイシング装置と、第２の溝を形成するダイシング装置
とが異なる場合も、ダイシング装置固有の癖に起因して
同様の問題が生じる。更に、エッチング工程において、
第１の溝が偏ってエッチングされた場合には、その溝の
中心に第２の溝を形成する回転ブレードを位置付けるこ
とができない。

【０００４】本発明は、このような従来の問題点を解決
するためになされ、第１のカット工程とその後の第２の
カット工程の二工程に分けて半導体ウェーハからチップ
を切削する場合に、第２のカット工程において第１の溝
からの位置ずれを防止できるようにした、溝アライメン
トによる切削方法を提供することを課題としたものであ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、ダイオード等の半導
体ウェーハに第１の溝を形成する第１のカット工程と、
この第１のカット工程後にエッチング等を行う非溝形成
工程と、この非溝形成工程の後に前記第１の溝に重ねて
第２の溝を形成する第２のカット工程からなる切削方法
において、前記第２の溝を形成するに当たり、既に形成
されている第１の溝を基準にしてアライメントが遂行さ
れることを要旨とするものである。

【０００６】

【作 用】第１のカット工程も第２のカット工程もパタ
ーンマッチング方式によりアライメントすると前述した
問題が生じるので、第２のカット工程はパターンマッチ
ングに基づかずに、先の第１のカット工程により形成さ
れた第１の溝に基づいてアライメントする方法であるか
ら、必ずその第１の溝のセンターに回転ブレードを精密
に位置付けすることが可能となり、第１の溝からの位置
ずれを完全に防止することができる。

【０００７】

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳説すると、図１は本発明方法を工程順に示すもので、
(イ) は第１のアライメント工程であり、軸回転可能なウ
ェーハ保持テーブル１の上に被研削物である半導体ウェ
ーハ２を載置固定し、ＣＣＤカメラ等の画像認識手段３
で、半導体ウェーハ２の所定の回路パターンを撮像し、
その画像処理と予めＣＰＵ（図示せず）に記憶させてあ
るパターンとの比較を行ってパターンマッチングにより
精密にアライメントできるようにしてある。

【０００８】図１(ロ) は前記第１のアライメント工程後
に行う、第１の溝を形成する第１のカット工程であり、
これはダイシング装置の回転ブレード４により同図(ハ)
に示すように半導体ウェーハ２のストリートに沿って第
１の溝５をハーフカットにより形成する。半導体ウェー
ハ２は、その後非溝形成工程においてエッチング等の処
理が施され、再び保持テーブル１に戻される。

【０００９】図１(ニ) は第２のアライメント工程であ
り、前記画像認識手段３を介して行うが、この場合の画
像認識は後で詳しく説明するように回路パターンによる
のではなく、第１のカット工程(ロ) により既に形成され
ている第１の溝５に基づいてなされる。

【００１０】図１(ホ) は第２のアライメント工程終了後
に行われる、第２の溝を形成する第２のカット工程であ
り、これはダイシング装置の回転ブレード４により前記
第１のカット工程の第１の溝５に重ねて第２の溝６をフ
ルカットにより形成する。この第２のカット工程により
完全に切削され、半導体ウェーハ２は同図(ヘ) に示すよ
うに各チップ７に分割される。

【００１１】前記第２のアライメント工程(ニ) について
更に詳細に説明すると、この段階では図２のように半導
体ウェーハ２は保持テープ８を介してフレーム１０に装
着されており、ウェーハ保持テーブル１上に載置固定さ
れている。半導体ウェーハ２は、第１のカット工程によ
る第１の溝５がｘ軸方向とｙ軸方向のストリートに沿っ
てそれぞれ形成されており、これらのストリートに囲ま
れた方形部分がＩＣ等のチップ７となっている。前記保
持テープ８は、第２のカット工程において分割されるチ
ップが飛散しないように保持するものである。

【００１２】この場合、第１の溝５は黒く見え、その他
の領域は白く見えるのでＣＣＤカメラ等の画像認識手段
３で画像処理するのに都合が良い。図３(イ) は、ＩＣ等
のチップ７を区画するストリートに第１のカット工程に
より既に第１の溝が形成されており、かつ半導体ウェー
ハ２がエッチング等の非切削工程を経た後にウェーハ保
持テーブル１上に載置され、画像認識手段３によりその
表面の一部が撮像された時の状態を示したものである。

【００１３】同図に表示されているアライメント基準線
Ｓは、溝を形成すべき回転ブレードの切削中心線と一致
しており、それ故に既に形成されている第１の溝５（ｘ
軸方向の溝５ｘ、ｙ軸方向の溝５ｙ）に重ねて第２の溝
６を形成するには、第１の溝５をアライメント基準線Ｓ
に整合させる必要がある。

【００１４】図３(イ) に基づいて更に説明を続けると、
アライメント基準線Ｓとｘ軸方向の溝５ｘとはαの角度
をもって不整合の状態にあるとすると、この角度αは特
開昭６０−５４４５４号公報に開示されているように、
例えば２５６×２５６画素からなるＣＣＤカメラによっ
て認識される切削領域（画素によって黒と認識される領
域）のｘ、ｙ座標における連続性（例えばｘ軸のプラス
方向へ１０画素、ｙ軸のプラス方向へ１画素のごとく）
により検出される。この検出角度αに基づいてウェーハ
保持テーブル１を時計方向に角度α回転させれば、アラ
イメント基準線Ｓとｘ軸方向の溝５ｘとは平行になる。

【００１５】更に、ｘ軸方向の溝５ｘの中心位置をｘ、
ｙ座標に基づいてアライメント基準線Ｓと一致させるよ
うウェーハ保持テーブル１を相対的に移動する。このよ
うにすると、図３(ロ) に示すようにｘ軸方向の溝５ｘと
アライメント基準線Ｓとが整合する。

【００１６】次に、ウェーハ保持テーブル１を所要角度
即ち９０°回転させて図３(ハ) 、(ニ) に示すように、ｙ
軸方向の溝５ｙとアライメント基準線Ｓとを前述と同様
に整合させる。

【００１７】前記ｘ軸方向の溝５ｘとｙ軸方向の溝５ｙ
のアライメント結果は、ダイシング装置のＣＰＵに記憶
され、この記憶に基づいて第２の溝を形成する第２のカ
ット工程が行われ、即ち図４のように第２の溝６の形成
が第１の溝５に重ねて上からフルカットにより遂行され
る。この第２のカット工程時の回転ブレード４は、第１
のカット工程時の回転ブレードと同じものか、又はやや
薄刃のものが用いられる。

【００１８】このようにして、半導体ウェーハに先に形
成されているハーフカットの第１の溝に基づいてアライ
メントを行うと、アライメントミスを未然に防止するこ
とができる。即ち、先に行う第１のカット工程と最後に
行う第２のカット工程との間には、エッチング等の非溝
成形工程が含まれるため回路パターンを含むチップの外
観が一部途中で変化する場合、又は第１の溝を形成する
ダイシング装置と、第２の溝を形成するダイシング装置
とが異なる場合、更に第１の溝が偏ってエッチングされ
た場合等において、後に行う第２のカット工程のアライ
メント時に回路パターンに基づいてパターンマッチング
すると、第１の溝の中心に第２の溝を形成する回転ブレ
ードを位置付けることができないというミスが生じる場
合があり、第１の溝に基づいてアライメントを行えば、
このようなミスは未然に防止することができる。

【００１９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体ウェーハをダイシングする場合であって先にハー
フカットによる第１の溝を施し、エッチング等の非溝形
成工程をした後にフルカットによる第２の溝を施して各
チップに分割する切削方法において、第２の溝を形成す
るに当たり、既に形成されている第１の溝を基準にして
アライメントを遂行するので、そのアライメントを精密
に行うことができ、第２のカット工程において第１の溝
からの位置ずれを未然に防止する等の優れた効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 (イ) 〜(ヘ) は本発明方法による切削の実施例
を工程順に示す説明図である。

【図２】 第２のアライメント工程を行う時の上面図で
ある。

【図３】 (イ) 〜(ニ) はその第２のアライメント工程を
行う要領を順に示す説明図である。

【図４】 第２のカット工程により第２の溝を形成する
状態を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１…ウェーハ保持テーブル ２…半導体ウェーハ
３…画像認識手段 ４…回転ブレード ５…第１の溝 ５ｘ…ｘ軸方向
の溝 ５ｙ…ｙ軸方向の溝 ６…第２の溝 ７…
チップ ８…保持テープ １０…フレーム Ｓ…アライメント基準線

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ダイオード等の半導体ウェーハに第１の
   溝を形成する第１のカット工程と、この第１のカット工
   程後にエッチング等を行う非溝形成工程と、この非溝形
   成工程の後に前記第１の溝に重ねて第２の溝を形成する
   第２のカット工程からなる切削方法において、前記第２
   の溝を形成するに当たり、既に形成されている第１の溝
   を基準にしてアライメントが遂行されることを特徴とす
   る溝アライメントによる切削方法。