JPH05181155A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05181155A JPH05181155A JP36053791A JP36053791A JPH05181155A JP H05181155 A JPH05181155 A JP H05181155A JP 36053791 A JP36053791 A JP 36053791A JP 36053791 A JP36053791 A JP 36053791A JP H05181155 A JPH05181155 A JP H05181155A
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- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップの電極パッドを基板の電極パッ
ドに半田を介して確実に接続する。 【構成】 半導体チップ２１のチップ本体２２は液晶表
示パネル１１の下側のガラス基板１３上にスペーサ兼接
着剤層１６を介して接着されている。この状態では、半
導体チップ２１の電極パッド２３、２４と下側のガラス
基板１３の電極パッド１４、１５とはある間隔をおいて
対向している。この状態で、電極パッド２３、２４、１
４、１５の部分を、溶融した半田３２を備えた溶融半田
槽３１中に浸漬すると、半導体チップ２１の電極パッド
２３、２４と下側のガラス基板１３の電極パッド１４、
１５との間に半田３２が確実にかつ十分に入り込み、こ
の入り込んだ半田３２を介して半導体チップ２１の電極
パッド２３、２４が下側のガラス基板１３の電極パッド
１４、１５に確実に接続される。
ドに半田を介して確実に接続する。 【構成】 半導体チップ２１のチップ本体２２は液晶表
示パネル１１の下側のガラス基板１３上にスペーサ兼接
着剤層１６を介して接着されている。この状態では、半
導体チップ２１の電極パッド２３、２４と下側のガラス
基板１３の電極パッド１４、１５とはある間隔をおいて
対向している。この状態で、電極パッド２３、２４、１
４、１５の部分を、溶融した半田３２を備えた溶融半田
槽３１中に浸漬すると、半導体チップ２１の電極パッド
２３、２４と下側のガラス基板１３の電極パッド１４、
１５との間に半田３２が確実にかつ十分に入り込み、こ
の入り込んだ半田３２を介して半導体チップ２１の電極
パッド２３、２４が下側のガラス基板１３の電極パッド
１４、１５に確実に接続される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】フリップチップボンディング等と呼ばれ
る半導体チップの実装技術では、例えば図５に示すよう
に、半導体チップ１の電極パッド２にめっき等の方法に
より形成された半田バンプ３を基板４の電極パッド５上
に位置合わせして載置し、次いで熱圧着により半導体チ
ップ１の電極パッド２に形成された半田バンプ３を溶融
し、この後この溶融した半田バンプ３が固化して基板４
の電極パッド５に固着することにより、図６に示すよう
に、半導体チップ１の電極パッド２を基板４の電極パッ
ド５に半田３を介して接続し、かくして半導体チップ１
を基板４上に搭載している。
る半導体チップの実装技術では、例えば図５に示すよう
に、半導体チップ１の電極パッド２にめっき等の方法に
より形成された半田バンプ３を基板４の電極パッド５上
に位置合わせして載置し、次いで熱圧着により半導体チ
ップ１の電極パッド２に形成された半田バンプ３を溶融
し、この後この溶融した半田バンプ３が固化して基板４
の電極パッド５に固着することにより、図６に示すよう
に、半導体チップ１の電極パッド２を基板４の電極パッ
ド５に半田３を介して接続し、かくして半導体チップ１
を基板４上に搭載している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のこの
ような半導体装置の製造方法では、半導体チップ１が複
数の電極パッド２を有しているので、この複数の電極パ
ッド２のすべてにめっき等の方法により半田バンプ３を
形成することとなるが、均一に形成しがたく、このため
半田バンプ３の高さにバラツキが生じることが多い。こ
の場合、半田バンプ３の高さのバラツキが許容範囲内で
あれば、別に問題はない。しかしながら、例えば図７に
示すように、ある１つの電極パッド２ａに形成された半
田バンプ３ａの高さが他の残りの電極パッド２ｂに形成
された半田バンプ３ｂの高さに比べて極端に低い場合に
は、図８に示すように、高さの高い半田バンプ３ｂを相
対向する基板４の電極パッド５ｂに固着させた際に、高
さの低い半田バンプ３ａを相対向する基板４の電極パッ
ド５ａに固着させることができず、接続不良が発生して
しまうことがあるという問題があった。この発明の目的
は、半導体チップの電極パッドを基板の電極パッドに半
田を介して確実に接続することのできる半導体装置の製
造方法を提供することにある。
ような半導体装置の製造方法では、半導体チップ１が複
数の電極パッド２を有しているので、この複数の電極パ
ッド２のすべてにめっき等の方法により半田バンプ３を
形成することとなるが、均一に形成しがたく、このため
半田バンプ３の高さにバラツキが生じることが多い。こ
の場合、半田バンプ３の高さのバラツキが許容範囲内で
あれば、別に問題はない。しかしながら、例えば図７に
示すように、ある１つの電極パッド２ａに形成された半
田バンプ３ａの高さが他の残りの電極パッド２ｂに形成
された半田バンプ３ｂの高さに比べて極端に低い場合に
は、図８に示すように、高さの高い半田バンプ３ｂを相
対向する基板４の電極パッド５ｂに固着させた際に、高
さの低い半田バンプ３ａを相対向する基板４の電極パッ
ド５ａに固着させることができず、接続不良が発生して
しまうことがあるという問題があった。この発明の目的
は、半導体チップの電極パッドを基板の電極パッドに半
田を介して確実に接続することのできる半導体装置の製
造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板の電極
パッドと該基板上に搭載される半導体チップの電極パッ
ドとをある間隔をおいて対向させた状態で溶融半田槽中
に浸漬することにより、前記基板の電極パッドと前記半
導体チップの電極パッドとの間に半田を入り込ませ、こ
の入り込んだ半田を介して前記基板の電極パッドと前記
半導体チップの電極パッドとを接続するようにしたもの
である。
パッドと該基板上に搭載される半導体チップの電極パッ
ドとをある間隔をおいて対向させた状態で溶融半田槽中
に浸漬することにより、前記基板の電極パッドと前記半
導体チップの電極パッドとの間に半田を入り込ませ、こ
の入り込んだ半田を介して前記基板の電極パッドと前記
半導体チップの電極パッドとを接続するようにしたもの
である。
【０００５】
【作用】この発明によれば、基板の電極パッドと半導体
チップの電極パッドとをある間隔をおいて対向させた状
態で溶融半田槽中に浸漬することにより、基板の電極パ
ッドと半導体チップの電極パッドとの間に半田を入り込
ませているので、相対向する電極パッドが複数であって
も、相対向するすべての電極パッド間に半田を確実にか
つ十分に入り込ませることができ、したがって半導体チ
ップの電極パッドを基板の電極パッドに半田を介して確
実に接続することができる。
チップの電極パッドとをある間隔をおいて対向させた状
態で溶融半田槽中に浸漬することにより、基板の電極パ
ッドと半導体チップの電極パッドとの間に半田を入り込
ませているので、相対向する電極パッドが複数であって
も、相対向するすべての電極パッド間に半田を確実にか
つ十分に入り込ませることができ、したがって半導体チ
ップの電極パッドを基板の電極パッドに半田を介して確
実に接続することができる。
【０００６】
【実施例】図１〜図４はそれぞれこの発明の一実施例に
おける半導体装置の各製造工程を示したものである。そ
こで、これらの図を順に参照しながら、半導体装置の製
造方法について説明する。
おける半導体装置の各製造工程を示したものである。そ
こで、これらの図を順に参照しながら、半導体装置の製
造方法について説明する。
【０００７】まず、図１に示すように、液晶表示パネル
１１と、この液晶表示パネル１１を駆動するための半導
体チップ２１とを用意する。このうち液晶表示パネル１
１は、上下のガラス基板１２、１３の間に液晶（図示せ
ず）が封入され、下側のガラス基板１３の一端部が上側
のガラス基板１２の外側に突出され、この突出された下
側のガラス基板１３の一端部の上面の内側に内部側の電
極パッド１４が外側に外部側の電極パッド１５がそれぞ
れ設けられた構造となっている。この場合、電極パッド
１４、１５は、上下のガラス基板１２、１３の相対向す
る面に設けられた透明電極（図示せず）と同一の素材
（ＩＴＯ等）からなる電極１４ａ、１５ａの上面に、半
田濡れ性を良くするために、金や銅等からなるめっき層
１４ｂ、１５ｂが設けられた構造となっている。また、
内部側の電極パッド１４と外部側の電極パッド１５との
間における下側のガラス基板１３の上面の所定の個所に
はエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなる所定の厚さの
スペーサ兼接着剤層１６が設けられている。
１１と、この液晶表示パネル１１を駆動するための半導
体チップ２１とを用意する。このうち液晶表示パネル１
１は、上下のガラス基板１２、１３の間に液晶（図示せ
ず）が封入され、下側のガラス基板１３の一端部が上側
のガラス基板１２の外側に突出され、この突出された下
側のガラス基板１３の一端部の上面の内側に内部側の電
極パッド１４が外側に外部側の電極パッド１５がそれぞ
れ設けられた構造となっている。この場合、電極パッド
１４、１５は、上下のガラス基板１２、１３の相対向す
る面に設けられた透明電極（図示せず）と同一の素材
（ＩＴＯ等）からなる電極１４ａ、１５ａの上面に、半
田濡れ性を良くするために、金や銅等からなるめっき層
１４ｂ、１５ｂが設けられた構造となっている。また、
内部側の電極パッド１４と外部側の電極パッド１５との
間における下側のガラス基板１３の上面の所定の個所に
はエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなる所定の厚さの
スペーサ兼接着剤層１６が設けられている。
【０００８】半導体チップ２１は、チップ本体２２の下
面の左側に出力側の電極パッド２３が右側に入力側の電
極パッド２４がそれぞれ設けられた構造となっている。
この場合、電極パッド２３、２４は、アルミニウムから
なる電極２３ａ、２４ａの下面にアンダーバンプメタル
２３ｂ、２４ｂが設けられ、アンダーバンプメタル２３
ｂ、２４ｂの下面に半田濡れ性を良くするために金や銅
等からなるめっき層２３ｃ、２４ｃが設けられた構造と
なっている。
面の左側に出力側の電極パッド２３が右側に入力側の電
極パッド２４がそれぞれ設けられた構造となっている。
この場合、電極パッド２３、２４は、アルミニウムから
なる電極２３ａ、２４ａの下面にアンダーバンプメタル
２３ｂ、２４ｂが設けられ、アンダーバンプメタル２３
ｂ、２４ｂの下面に半田濡れ性を良くするために金や銅
等からなるめっき層２３ｃ、２４ｃが設けられた構造と
なっている。
【０００９】次に、図２に示すように、吸着機能を有す
るヒータチップ（図示せず）を用いて半導体チップ２１
のチップ本体２２を吸着すると共にスペーサ兼接着剤層
１６上に位置合わせして載置し、さらに加熱してスペー
サ兼接着剤層１６を硬化させ、この硬化したスペーサ兼
接着剤層１６を介して半導体チップ２１のチップ本体２
２を下側のガラス基板１３上に接着し、その後ヒータチ
ップによる吸着を解除する。この状態では、スペーサ兼
接着剤層１６の存在により、半導体チップ２１の電極パ
ッド２３、２４と下側のガラス基板１３の電極パッド１
４、１５とはある間隔をおいて対向している。なお、ス
ペーサ兼接着剤層１６として光硬化性樹脂を用い、下側
のガラス基板１３の下面側から光を照射して硬化させる
ようにしてもよい。
るヒータチップ（図示せず）を用いて半導体チップ２１
のチップ本体２２を吸着すると共にスペーサ兼接着剤層
１６上に位置合わせして載置し、さらに加熱してスペー
サ兼接着剤層１６を硬化させ、この硬化したスペーサ兼
接着剤層１６を介して半導体チップ２１のチップ本体２
２を下側のガラス基板１３上に接着し、その後ヒータチ
ップによる吸着を解除する。この状態では、スペーサ兼
接着剤層１６の存在により、半導体チップ２１の電極パ
ッド２３、２４と下側のガラス基板１３の電極パッド１
４、１５とはある間隔をおいて対向している。なお、ス
ペーサ兼接着剤層１６として光硬化性樹脂を用い、下側
のガラス基板１３の下面側から光を照射して硬化させる
ようにしてもよい。
【００１０】次に、図３に示すように、半導体チップ２
１の電極パッド２３、２４および下側のガラス基板１３
の電極パッド１４、１５の部分を、溶融した半田３２を
備えた溶融半田槽３１中に浸漬すると、半導体チップ２
１の電極パッド２３、２４と下側のガラス基板１３の電
極パッド１４、１５との間に半田３２が入り込む。この
場合、半田３２として１１０〜１３０℃程度の低融点の
ものを用いると、半導体チップ２１および下側のガラス
基板１３への熱ダメージを抑えることができる。この
後、半導体チップ２１の電極パッド２３、２４および下
側のガラス基板１３の電極パッド１４、１５の部分を溶
融半田槽３１から引き上げ、相対向する電極パッド間に
入り込んだ半田３２が固化すると、図４に示すように、
この固化した半田３２を介して半導体チップ２１の電極
パッド２３、２４と下側のガラス基板１３の電極パッド
１４、１５とが接続される。かくして、半導体チップ２
１が下側のガラス基板１３上に搭載される。なお、溶融
半田槽３１に超音波を印加するようにすると、電極パッ
ド１４、１５、２３、２４のめっき層１４ｂ、１５ｂ、
２３ｃ、２４ｃの表面の不要な付着物が除去され、より
一層確実な半田接続が得られる。
１の電極パッド２３、２４および下側のガラス基板１３
の電極パッド１４、１５の部分を、溶融した半田３２を
備えた溶融半田槽３１中に浸漬すると、半導体チップ２
１の電極パッド２３、２４と下側のガラス基板１３の電
極パッド１４、１５との間に半田３２が入り込む。この
場合、半田３２として１１０〜１３０℃程度の低融点の
ものを用いると、半導体チップ２１および下側のガラス
基板１３への熱ダメージを抑えることができる。この
後、半導体チップ２１の電極パッド２３、２４および下
側のガラス基板１３の電極パッド１４、１５の部分を溶
融半田槽３１から引き上げ、相対向する電極パッド間に
入り込んだ半田３２が固化すると、図４に示すように、
この固化した半田３２を介して半導体チップ２１の電極
パッド２３、２４と下側のガラス基板１３の電極パッド
１４、１５とが接続される。かくして、半導体チップ２
１が下側のガラス基板１３上に搭載される。なお、溶融
半田槽３１に超音波を印加するようにすると、電極パッ
ド１４、１５、２３、２４のめっき層１４ｂ、１５ｂ、
２３ｃ、２４ｃの表面の不要な付着物が除去され、より
一層確実な半田接続が得られる。
【００１１】このように、この半導体装置の製造方法で
は、下側のガラス基板１３の電極パッド１４、１５と半
導体チップ２１の電極パッド２３、２４とをある間隔を
おいて対向させた状態で溶融半田槽３１中に浸漬するこ
とにより、下側のガラス基板１３の電極パッド１４、１
５と半導体チップ２１の電極パッド２３、２４との間に
半田３２を入り込ませているので、相対向する電極パッ
ドが複数であっても、相対向するすべての電極パッド間
に半田３２を確実にかつ十分に入り込ませることがで
き、したがって半導体チップ２１の電極パッド２３、２
４を下側のガラス基板１３の電極パッド１４、１５に半
田３２を介して確実に接続することができる。なお、下
側のガラス基板１３上に半導体チップ２１を複数搭載す
る場合には、一回の半田浸漬工程ですべての半導体チッ
プ２１を下側のガラス基板１３上に搭載することもでき
る。また、液晶表示パネルのガラス基板ではなく、ガラ
ス、セラミック、樹脂フィルム等からなる回路基板にも
この発明を適用することができることはもちろんであ
る。
は、下側のガラス基板１３の電極パッド１４、１５と半
導体チップ２１の電極パッド２３、２４とをある間隔を
おいて対向させた状態で溶融半田槽３１中に浸漬するこ
とにより、下側のガラス基板１３の電極パッド１４、１
５と半導体チップ２１の電極パッド２３、２４との間に
半田３２を入り込ませているので、相対向する電極パッ
ドが複数であっても、相対向するすべての電極パッド間
に半田３２を確実にかつ十分に入り込ませることがで
き、したがって半導体チップ２１の電極パッド２３、２
４を下側のガラス基板１３の電極パッド１４、１５に半
田３２を介して確実に接続することができる。なお、下
側のガラス基板１３上に半導体チップ２１を複数搭載す
る場合には、一回の半田浸漬工程ですべての半導体チッ
プ２１を下側のガラス基板１３上に搭載することもでき
る。また、液晶表示パネルのガラス基板ではなく、ガラ
ス、セラミック、樹脂フィルム等からなる回路基板にも
この発明を適用することができることはもちろんであ
る。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、基板の電極パッドと半導体チップの電極パッドとを
ある間隔をおいて対向させた状態で溶融半田槽中に浸漬
することにより、基板の電極パッドと半導体チップの電
極パッドとの間に半田を入り込ませているので、相対向
する電極パッドが複数であっても、相対向するすべての
電極パッド間に半田を確実にかつ十分に入り込ませるこ
とができ、したがって半導体チップの電極パッドを基板
の電極パッドに半田を介して確実に接続することができ
る。
ば、基板の電極パッドと半導体チップの電極パッドとを
ある間隔をおいて対向させた状態で溶融半田槽中に浸漬
することにより、基板の電極パッドと半導体チップの電
極パッドとの間に半田を入り込ませているので、相対向
する電極パッドが複数であっても、相対向するすべての
電極パッド間に半田を確実にかつ十分に入り込ませるこ
とができ、したがって半導体チップの電極パッドを基板
の電極パッドに半田を介して確実に接続することができ
る。
【図１】この発明の一実施例における半導体装置の製造
に際し、半導体チップを液晶表示パネルの下側のガラス
基板上に搭載する前の状態の断面図。
に際し、半導体チップを液晶表示パネルの下側のガラス
基板上に搭載する前の状態の断面図。
【図２】同半導体装置の製造に際し、半導体チップを下
側のガラス基板上にスペーサ兼接着剤層を介して接着し
た状態の断面図。
側のガラス基板上にスペーサ兼接着剤層を介して接着し
た状態の断面図。
【図３】同半導体装置の製造に際し、半導体チップおよ
び下側のガラス基板の電極パッドの部分を溶融半田槽中
に浸漬した状態の断面図。
び下側のガラス基板の電極パッドの部分を溶融半田槽中
に浸漬した状態の断面図。
【図４】同半導体装置の製造に際し、半導体チップを下
側のガラス基板上に搭載した断面図。
側のガラス基板上に搭載した断面図。
【図５】従来の半導体装置の製造に際し、半導体チップ
を基板上に搭載する前の状態の断面図。
を基板上に搭載する前の状態の断面図。
【図６】従来の半導体装置の製造に際し、半導体チップ
を基板上に搭載した状態の断面図。
を基板上に搭載した状態の断面図。
【図７】従来の半導体装置の製造方法において、その問
題点を説明するために示す図５同様の状態の断面図。
題点を説明するために示す図５同様の状態の断面図。
【図８】従来の半導体装置の製造方法において、その問
題点を説明するために示す図６同様の状態の断面図。
題点を説明するために示す図６同様の状態の断面図。
１１ 液晶表示パネル １２、１３ ガラス基板 １４、１５ 電極パッド １６ スペーサ兼接着剤層 ２１ 半導体チップ ２３、２４ 電極パッド ３１ 溶融半田槽 ３２ 半田
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の電極パッドと該基板上に搭載され
る半導体チップの電極パッドとをある間隔をおいて対向
させた状態で溶融半田槽中に浸漬することにより、前記
基板の電極パッドと前記半導体チップの電極パッドとの
間に半田を入り込ませ、この入り込んだ半田を介して前
記基板の電極パッドと前記半導体チップの電極パッドと
を接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記基板と前記半導体チップとはその間
に介在された所定の厚さのスペーサ兼接着剤層により接
着されていることにより、前記基板の電極パッドと前記
半導体チップの電極パッドとがある間隔をおいて対向し
ていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36053791A JPH05181155A (ja) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36053791A JPH05181155A (ja) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05181155A true JPH05181155A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18469827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36053791A Pending JPH05181155A (ja) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05181155A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7927997B2 (en) * | 2005-03-15 | 2011-04-19 | Panasonic Corporation | Flip-chip mounting method and bump formation method |
| US8283246B2 (en) | 2005-04-06 | 2012-10-09 | Panasonic Corporation | Flip chip mounting method and bump forming method |
| WO2023000563A1 (zh) * | 2021-07-17 | 2023-01-26 | 北京梦之墨科技有限公司 | 一种led玻璃屏及其制作方法 |
-
1991
- 1991-12-30 JP JP36053791A patent/JPH05181155A/ja active Pending
Cited By (4)
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