JPH05179425A - ボロンを添加したニッケル金属皮膜 - Google Patents
ボロンを添加したニッケル金属皮膜Info
- Publication number
- JPH05179425A JPH05179425A JP3361451A JP36145191A JPH05179425A JP H05179425 A JPH05179425 A JP H05179425A JP 3361451 A JP3361451 A JP 3361451A JP 36145191 A JP36145191 A JP 36145191A JP H05179425 A JPH05179425 A JP H05179425A
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- JP
- Japan
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- nickel
- coating film
- metal coating
- film
- boron
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ニッケル金属皮膜の耐熱性及び耐候性の向上
を図る。 【構成】 従来、純ニッケル或はニッケルリンを電子部
品に適用しても耐熱及び耐候性が劣るため、表面酸化や
腐食の対策が必要であった。本発明はニッケルにボロン
を０．３〜１０ｗｔ％添加することで上記問題点が改善
される金属皮膜を提供するものである。
を図る。 【構成】 従来、純ニッケル或はニッケルリンを電子部
品に適用しても耐熱及び耐候性が劣るため、表面酸化や
腐食の対策が必要であった。本発明はニッケルにボロン
を０．３〜１０ｗｔ％添加することで上記問題点が改善
される金属皮膜を提供するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品に活用される
金属皮膜に関するものである。
金属皮膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、純ニッケル及びニッケルリンの金
属皮膜を用いた電子部品は耐熱性に劣り、製造工程に伴
う熱処理等による表面酸化の対策として表面に貴金属皮
膜により保護層を形成するか或は、真空中叉は不活性ガ
ス雰囲気中で実施する必要があった。
属皮膜を用いた電子部品は耐熱性に劣り、製造工程に伴
う熱処理等による表面酸化の対策として表面に貴金属皮
膜により保護層を形成するか或は、真空中叉は不活性ガ
ス雰囲気中で実施する必要があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】純ニッケルは強磁性体
であるため、金属皮膜を得るのにマグネトロンスパッタ
法は効率的ではなく、叉真空蒸着或は湿式めっきにより
得た純ニッケル或はニッケルリンの金属皮膜は電子部品
に適用したとしても耐熱性、耐候性の対策を必要とする
ことが、活用の障害となっていた。
であるため、金属皮膜を得るのにマグネトロンスパッタ
法は効率的ではなく、叉真空蒸着或は湿式めっきにより
得た純ニッケル或はニッケルリンの金属皮膜は電子部品
に適用したとしても耐熱性、耐候性の対策を必要とする
ことが、活用の障害となっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】ニッケルにボロン０．３
〜１０ｗｔ％を添加することにより、弱磁性体となるた
め、効率的なマグネトロンスパッタが可能となり、叉金
属皮膜の耐熱性、耐候性が向上する。
〜１０ｗｔ％を添加することにより、弱磁性体となるた
め、効率的なマグネトロンスパッタが可能となり、叉金
属皮膜の耐熱性、耐候性が向上する。
【０００５】
【実施例１】この実施例に於ては、電気的絶縁基板とし
て５０ｍｍ×６０ｍｍ、厚みが０．４ｍｍのセラミック
基板を用いた。該基板表面にマグネトロンスパッタ法に
よりニッケルクロム系の抵抗皮膜及び一次電極皮膜とし
てボロンを４ｗｔ％添加したニッケル金属皮膜を着膜し
た後、該皮膜をホトエッテング法で図１（２）及び
（３）の如くパタンを形成した。次いで該パタン形成済
み基板に２５０〜４００℃で１時間以上の熱処理を施し
た後、レーザ光で抵抗値調整を行ない、該抵抗皮膜表面
に図２（４）の如く絶縁保護膜を形成した。次いで基板
を短冊状にダイサーで切断した後、マグネトロンスパッ
タ法で一次電極と同じ金属皮膜により図２（５）の如く
３面電極を形成した。次いで印刷により外装を図２
（６）の如く施した後、チップ形に切断し図２（７）の
如くはんだめっきを施して完成した。尚、第一電極膜に
本発明の金属皮膜を適用した場合、ホトエッチングの際
電極皮膜と抵抗皮膜が同系色であり判別が困難であるた
め、外観色の異なる金属皮膜を図３（８）の如く表面に
施した製造も可能なことは言うまでもない。又３面電極
の金属皮膜の形成は湿式めっき法でも可能である。
て５０ｍｍ×６０ｍｍ、厚みが０．４ｍｍのセラミック
基板を用いた。該基板表面にマグネトロンスパッタ法に
よりニッケルクロム系の抵抗皮膜及び一次電極皮膜とし
てボロンを４ｗｔ％添加したニッケル金属皮膜を着膜し
た後、該皮膜をホトエッテング法で図１（２）及び
（３）の如くパタンを形成した。次いで該パタン形成済
み基板に２５０〜４００℃で１時間以上の熱処理を施し
た後、レーザ光で抵抗値調整を行ない、該抵抗皮膜表面
に図２（４）の如く絶縁保護膜を形成した。次いで基板
を短冊状にダイサーで切断した後、マグネトロンスパッ
タ法で一次電極と同じ金属皮膜により図２（５）の如く
３面電極を形成した。次いで印刷により外装を図２
（６）の如く施した後、チップ形に切断し図２（７）の
如くはんだめっきを施して完成した。尚、第一電極膜に
本発明の金属皮膜を適用した場合、ホトエッチングの際
電極皮膜と抵抗皮膜が同系色であり判別が困難であるた
め、外観色の異なる金属皮膜を図３（８）の如く表面に
施した製造も可能なことは言うまでもない。又３面電極
の金属皮膜の形成は湿式めっき法でも可能である。
【０００６】
【実施例２】この実施例は、「実施例１」の抵抗皮膜
（２）及び電極皮膜（３）のパタンをＳＩＰ形抵抗ネッ
トワークに応用したものであり、熱処理及び抵抗値調整
後に図４の如くダイサーで切断した。次いで電極パット
にリードフレームを挿入した後、はんだ付けと外装を施
して図５の如く完成した。
（２）及び電極皮膜（３）のパタンをＳＩＰ形抵抗ネッ
トワークに応用したものであり、熱処理及び抵抗値調整
後に図４の如くダイサーで切断した。次いで電極パット
にリードフレームを挿入した後、はんだ付けと外装を施
して図５の如く完成した。
【０００７】
【実施例３】この実施例ではＥＭＩ対策を目的として、
プラスチック製のコネクタ及びケーブルに本発明の金属
皮膜によりシールドを施す方法について述べる。まずコ
ネクタのビン及びケーブルの端子部へのマスキングを施
した後、脱ガス処理を行いマグネトロンスパッタ法でボ
ロンを４ｗｔ％添加したニッケルの金属皮膜をコネクタ
及びケーブルの樹脂表面に直接３μｍの厚みに形成しシ
ールドを完了した。図６に本実施例でシールドを施した
完成図を示す。尚、以上の実施例に基ずく説明は、本発
明について何等限定的な意味を持つものではなく、多数
の変形が可能である。
プラスチック製のコネクタ及びケーブルに本発明の金属
皮膜によりシールドを施す方法について述べる。まずコ
ネクタのビン及びケーブルの端子部へのマスキングを施
した後、脱ガス処理を行いマグネトロンスパッタ法でボ
ロンを４ｗｔ％添加したニッケルの金属皮膜をコネクタ
及びケーブルの樹脂表面に直接３μｍの厚みに形成しシ
ールドを完了した。図６に本実施例でシールドを施した
完成図を示す。尚、以上の実施例に基ずく説明は、本発
明について何等限定的な意味を持つものではなく、多数
の変形が可能である。
【０００８】
【発明の効果】本発明により耐熱性、耐候性の良好な金
属皮膜を容易に得ることができる。
属皮膜を容易に得ることができる。
【０００９】
【図１】セラミック基板表面の機能性パタンを示した断
面図である。
面図である。
【図２】実施例１の完成品を示した断面図である。
【図３】実施例１の第一電極表面に金の皮膜を着膜して
製造した完成品を示した断面図である。
製造した完成品を示した断面図である。
【図４】ＳＩＰ形ネットワーク抵抗器を示したの正面図
である。
である。
【図５】ＳＩＰ形ネットワーク抵抗器の構成を示した立
体図である。
体図である。
【図６】実施例３に用いたコネクタ及びケーブルを示し
た図である。
た図である。
１ セラミック基板 ２ ニッケルクロム系抵抗膜 ３ ボロンを４ｗｔ％添加したニッケル金属皮膜を用い
た電極皮膜 ４ 抵抗体保護膜 ５ ボロンを４ｗｔ％添加したニッケル金属皮膜を用い
た３面電極 ６ 外装 ７ はんだメッキ外部電極 ８ 金の皮膜 ９ リード端子 １０ はんだ １１ コネクタ １２ ケーブル １３ マスキング治具 １４ ボロンを４ｗｔ％添加したニッケル金属皮膜（斜
線部）
た電極皮膜 ４ 抵抗体保護膜 ５ ボロンを４ｗｔ％添加したニッケル金属皮膜を用い
た３面電極 ６ 外装 ７ はんだメッキ外部電極 ８ 金の皮膜 ９ リード端子 １０ はんだ １１ コネクタ １２ ケーブル １３ マスキング治具 １４ ボロンを４ｗｔ％添加したニッケル金属皮膜（斜
線部）
Claims (3)
- 【請求項１】ニッケルにボロンを０．３〜１０ｗｔ％添
加することを特徴とした金属皮膜。 - 【請求項２】「請求項１」の金属皮膜を電子部品の電極
皮膜として用いた電子部品。 - 【請求項３】「請求項１」の金属皮膜をＥＭＩ対策とし
て用いた電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3361451A JPH05179425A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | ボロンを添加したニッケル金属皮膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3361451A JPH05179425A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | ボロンを添加したニッケル金属皮膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05179425A true JPH05179425A (ja) | 1993-07-20 |
Family
ID=18473642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3361451A Pending JPH05179425A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | ボロンを添加したニッケル金属皮膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05179425A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104775100A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-07-15 | 哈尔滨固泰电子有限责任公司 | 磁控溅射三元催化器陶瓷真空镀贵重金属膜的生产方法 |
| US11562905B2 (en) | 2017-09-28 | 2023-01-24 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP3361451A patent/JPH05179425A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104775100A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-07-15 | 哈尔滨固泰电子有限责任公司 | 磁控溅射三元催化器陶瓷真空镀贵重金属膜的生产方法 |
| US11562905B2 (en) | 2017-09-28 | 2023-01-24 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
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