JPS63115303A - 電気抵抗素子の製造方法 - Google Patents
電気抵抗素子の製造方法Info
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- JPS63115303A JPS63115303A JP26070186A JP26070186A JPS63115303A JP S63115303 A JPS63115303 A JP S63115303A JP 26070186 A JP26070186 A JP 26070186A JP 26070186 A JP26070186 A JP 26070186A JP S63115303 A JPS63115303 A JP S63115303A
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は電気抵抗素子の製造方法に関する。
（従来の技術）
基板上の固定電気抵抗はコンデンサ等と共に電気回路中
に多用され、特に炭素系又は金属系被膜からなる抵抗素
子が数多く製造され、プリント回路においてリード線を
介して電気的に接続され実装されている。
に多用され、特に炭素系又は金属系被膜からなる抵抗素
子が数多く製造され、プリント回路においてリード線を
介して電気的に接続され実装されている。
近年、かかる電気抵抗素子等に対して高密度実装に関す
る要求が高まって居り、部品のより小型化及びチップ部
品化の傾向が著しい。
る要求が高まって居り、部品のより小型化及びチップ部
品化の傾向が著しい。
上記高密度化への一手法として、セラミック基板に形成
される厚膜抵抗又は薄膜抵抗があるが、これらはハイブ
リッドＩＣなどに主として利用される。例えばＲｈＯ２
，カーボンなどを所望量混入してなる抵抗ペーストを基
板上に印刷し、これをレーザー光を用いたトリミング手
段により所定の抵抗値に調整するものである。
される厚膜抵抗又は薄膜抵抗があるが、これらはハイブ
リッドＩＣなどに主として利用される。例えばＲｈＯ２
，カーボンなどを所望量混入してなる抵抗ペーストを基
板上に印刷し、これをレーザー光を用いたトリミング手
段により所定の抵抗値に調整するものである。
抵抗値の調整が事実上困難な上記固定抵抗部品に対して
は、かかる手法は電気回路の特性向上に適用し得る。
は、かかる手法は電気回路の特性向上に適用し得る。
しかしガラスエポキシ基板等のレジン基板、又はレジン
を主体とする厚膜回路では、上記レーザー光による処理
がこれらの基板及び厚膜の焼損に到る恐れがある等重大
な欠点を有し上記方法の適用は困難である。
を主体とする厚膜回路では、上記レーザー光による処理
がこれらの基板及び厚膜の焼損に到る恐れがある等重大
な欠点を有し上記方法の適用は困難である。
（発明が解決しようとする問題点）
このように上記高密度実装に伴う微細化の必要性、及び
部品の多様化傾向が著しいことから現在電気抵抗素子に
関して次のような問題点が指摘されている。
部品の多様化傾向が著しいことから現在電気抵抗素子に
関して次のような問題点が指摘されている。
即ちセラミック基板あるいはレジン基板等基板材質によ
る制約を受けず、しかも長期に安定した抵抗値を具備し
、かつコスト上の不利益もなく量産性に優れた膜抵抗素
子の適切な製造方法が未だ見出し難い。
る制約を受けず、しかも長期に安定した抵抗値を具備し
、かつコスト上の不利益もなく量産性に優れた膜抵抗素
子の適切な製造方法が未だ見出し難い。
例えば上記に対処するための所謂スパッタリングによる
薄膜法は生産性に若干の問題が残り、又ｐｈｏ２を用い
るＷ膜法ばそのコストが高い難点がある。
薄膜法は生産性に若干の問題が残り、又ｐｈｏ２を用い
るＷ膜法ばそのコストが高い難点がある。
（問題点を解決するための手段）
ここに発明者等はかかる問題を解決すべく鋭意検討を重
ねた結果この発明を完成したのである。
ねた結果この発明を完成したのである。
即ち本発明は、基板上に、Ｐを３％以上２０％未満含有
するＮｉ合金による所望パターンの被膜を形成し、該パ
ターンの少なくとも一部を高エネルギービームにて加熱
処理し電気抵抗値を調整することを特徴とする電気抵抗
素子の製造方法である。
するＮｉ合金による所望パターンの被膜を形成し、該パ
ターンの少なくとも一部を高エネルギービームにて加熱
処理し電気抵抗値を調整することを特徴とする電気抵抗
素子の製造方法である。
この発明においてニッケル合金としては、Ｎｉ−Ｐ。
Ｎｉ−Ｃｏ −Ｐ 、 Ｎｉ−Ｆｅ −Ｐ 、 Ｎ
ｉ −Ｃｕ −Ｐ 、 Ｎｉ −Ｗ−Ｐ 。
ｉ −Ｃｕ −Ｐ 、 Ｎｉ −Ｗ−Ｐ 。
Ｎ ｉ −Ｐ−Ｂ 、 Ｎ ｉ −Ｃｏ−Ｗ−Ｐなどが
あり、これらは主として化学メッキによりパターン化さ
れる。
あり、これらは主として化学メッキによりパターン化さ
れる。
勿論所望の厚さとした後にレジストエツチング等により
パターン形状を調整しても良い。更に基板全面にメッキ
析出させ常法のエツチング手段にてパターン化すること
も可能である。
パターン形状を調整しても良い。更に基板全面にメッキ
析出させ常法のエツチング手段にてパターン化すること
も可能である。
上記化学メッキにおいて、析出促進のためにパターン形
状１ζ応じてＰｄを吸着又はペースト印刷するのが望ま
しい。
状１ζ応じてＰｄを吸着又はペースト印刷するのが望ま
しい。
上記ニッケル合金においてＰの含有量は３〜２゜特に好
ましくは５〜１５％であり、この範囲に限定する理由は
次の通りである。
ましくは５〜１５％であり、この範囲に限定する理由は
次の通りである。
３％未満では抵抗値が小さく、かつ加熱処理によって抵
抗値の変化が少ないので実用的でない。
抗値の変化が少ないので実用的でない。
他方、２０％を超えると、より大きな抵抗値が得がたく
、かつ被膜がもろくなり易く好ましくない。
、かつ被膜がもろくなり易く好ましくない。
次に高エネルギービームとしては、レーザー及び電子ビ
ーム等が用いられるが、特にレーザーは大気中での高速
加熱処理Ｃ？−優れ上記生産性の点で好ましい。
ーム等が用いられるが、特にレーザーは大気中での高速
加熱処理Ｃ？−優れ上記生産性の点で好ましい。
かかる高エネルギービームによる処理部分は所望の抵抗
値により随時決定して行う。
値により随時決定して行う。
（作 用）
一般に比較的多量のＰを含有するニッケル合金は非晶質
でありその電気抵抗は大きい。
でありその電気抵抗は大きい。
該Ｐが３％以上２０％未満、特に上記好適範囲５〜１５
％の合金は２００℃以上（特に３００℃以上）の熱処理
によって再結晶し容易に電気抵抗が低下する。
％の合金は２００℃以上（特に３００℃以上）の熱処理
によって再結晶し容易に電気抵抗が低下する。
本発明においては、上述の再結晶温度が上記の合金組成
により適切に設定し得ること、したがって所望の電気抵
抗値をこれにより得られる乙とを利用したものである。
により適切に設定し得ること、したがって所望の電気抵
抗値をこれにより得られる乙とを利用したものである。
そして更に上記高エネルギービームによる抵抗パターン
の少なくとも一部の熱処理又はそれらの処理面積の増減
にて上記適切な電気抵抗値を好適に幅広く選択し得るの
である。
の少なくとも一部の熱処理又はそれらの処理面積の増減
にて上記適切な電気抵抗値を好適に幅広く選択し得るの
である。
抵抗値を実測しながらビーム処理を行うことにより所望
の抵抗値に正確かつ能率的に調整できる。
の抵抗値に正確かつ能率的に調整できる。
ここでＮｉ−ＰよりもＮ ｉ −Ｗ−Ｐ 、 Ｎ ｉ
−Ｗ−Ｐなどの合金の方が、結晶化温度が高く高温度を
要する場合が多いが、ビームエネルギーや時間を調整す
ることにより処理できる。
−Ｗ−Ｐなどの合金の方が、結晶化温度が高く高温度を
要する場合が多いが、ビームエネルギーや時間を調整す
ることにより処理できる。
（実 施 例）
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例Ｉ
Ａ、１２０３基板をＮａＯＨ及びＨＦ−ＨＮＯ３にて表
面処理した後、２．５％ＰｄＣｌ２溶液によるＰｄ付着
処理を行った。
面処理した後、２．５％ＰｄＣｌ２溶液によるＰｄ付着
処理を行った。
次にＮｉ−Ｐメッキ液として商品名トップニコロンＤ−
１３０（奥野製薬社製）を用いてメッキ処理により全面
に３μｍ厚のＮｉ−Ｐ（１１，１％）合金被膜を形成し
た。
１３０（奥野製薬社製）を用いてメッキ処理により全面
に３μｍ厚のＮｉ−Ｐ（１１，１％）合金被膜を形成し
た。
得られたメッキ品を常法によりレジスト処理し、ＦｅＣ
ｌ３にてエツチング処理して０．５Ｘ３ｍｍの抵抗アレ
ーパターンを得た。
ｌ３にてエツチング処理して０．５Ｘ３ｍｍの抵抗アレ
ーパターンを得た。
次にレジスト処理等を経てＣｕメッキによりリードを設
け＠路を形成した。
け＠路を形成した。
上記抵抗アレーの一部（Ｎｉ−Ｐメッキ部の約９０％面
積部）に対してＹＡＧレーザー光を断続的に照射処理し
抵抗値３．０Ωの抵抗を得た（初期値４．５〜３．８Ω
）。
積部）に対してＹＡＧレーザー光を断続的に照射処理し
抵抗値３．０Ωの抵抗を得た（初期値４．５〜３．８Ω
）。
実施例２
Ｐｄ触媒を適量含有させたニトリル系ゴム接着層を設け
たガラスエポキシ基板を用い、通常のアディティブ法に
よりＣｕ回路部を形成した。
たガラスエポキシ基板を用い、通常のアディティブ法に
よりＣｕ回路部を形成した。
次に常法のレジスト処理にて抵抗部０．５Ｘ１．５肝を
残し、メッキ液として商品名工ムゲンＤＸ溶を用い２μ
ｍ厚のＮｉ−Ｐ（７，６％）を得た。
残し、メッキ液として商品名工ムゲンＤＸ溶を用い２μ
ｍ厚のＮｉ−Ｐ（７，６％）を得た。
実施例１と同様にしてレーザー処理を行い抵抗値１．０
Ωを得た（初期値１．８〜１．３Ω）。
Ωを得た（初期値１．８〜１．３Ω）。
実施例３
上記２例において、抵抗部を０，５Ｘ３．Ｏｎ＋ｎ＋と
じニムデンＤＸ浴にて代えて下記浴を用い、約３．０μ
のＮｉ−７，０Ｗ−３，５Ｐメツキを行った。同様にレ
ーザー処理して抵抗値２．０Ω（初期値２．０〜２．５
Ω）を得た。
じニムデンＤＸ浴にて代えて下記浴を用い、約３．０μ
のＮｉ−７，０Ｗ−３，５Ｐメツキを行った。同様にレ
ーザー処理して抵抗値２．０Ω（初期値２．０〜２．５
Ω）を得た。
Ｎｉ５０・５Ｈ０１０ｇ、＃
ＮａＷ０ ・２ＨＯ３０
０３Ｈ４（ＯＨ） （ＣＯＯＮａ）、 ２Ｈ，Ｏ６５Ｎ
ａ、、ＨＰＯ２−Ｎ２０ １．
２（ＮＨ４）２５０４ ２５条件
： ９０℃ ； ＰＨ： ９．２（発明の効果） 本発明は以上の説明、及び実施例の結果からも明らかな
ように、抵抗としてＰを５〜２０％含むニッケル合金に
より形成し、上述の高エネルギービーム処理にて該抵抗
の組成及びビーム処理温度及び処理面積に応じた抵抗値
を得ることができるのであす、微細抵抗の処理性が向上
するばかりでなく、作業性に優れかつコスト的不利益も
低減される等の効果を有する。
ａ、、ＨＰＯ２−Ｎ２０ １．
２（ＮＨ４）２５０４ ２５条件
： ９０℃ ； ＰＨ： ９．２（発明の効果） 本発明は以上の説明、及び実施例の結果からも明らかな
ように、抵抗としてＰを５〜２０％含むニッケル合金に
より形成し、上述の高エネルギービーム処理にて該抵抗
の組成及びビーム処理温度及び処理面積に応じた抵抗値
を得ることができるのであす、微細抵抗の処理性が向上
するばかりでなく、作業性に優れかつコスト的不利益も
低減される等の効果を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に、Ｐを３％以上２０％未満含有するＮｉ合金
による所望パターンの被膜を形成し、 該パターンの少なくとも一部を高エネルギービームにて
加熱処理し電気抵抗値を調整することを特徴とする電気
抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26070186A JPS63115303A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 電気抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26070186A JPS63115303A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 電気抵抗素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63115303A true JPS63115303A (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=17351572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26070186A Pending JPS63115303A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 電気抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63115303A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266431A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Furukawa Circuit Foil Kk | 薄膜抵抗層付き導電性基材、薄膜抵抗層付き導電性基材の製造方法及び薄膜抵抗層付き回路基板 |
-
1986
- 1986-11-04 JP JP26070186A patent/JPS63115303A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266431A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Furukawa Circuit Foil Kk | 薄膜抵抗層付き導電性基材、薄膜抵抗層付き導電性基材の製造方法及び薄膜抵抗層付き回路基板 |
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