JPH05175397A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05175397A JPH05175397A JP3344302A JP34430291A JPH05175397A JP H05175397 A JPH05175397 A JP H05175397A JP 3344302 A JP3344302 A JP 3344302A JP 34430291 A JP34430291 A JP 34430291A JP H05175397 A JPH05175397 A JP H05175397A
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- JP
- Japan
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- package
- semiconductor device
- stage
- water vapor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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-
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- H01L2924/181—Encapsulation
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は半導体素子を樹脂封止する構造の半導
体装置に関し、パッケージ割れの発生を防止することを
目的とする。 【構成】半導体素子１３を搭載する長方形状のステージ
１５と、このステージ１５を支持するサポートバー１６
ａ〜１６ｄとにより構成されるステージ部材１４を、パ
ッケージ１１内に樹脂モールドしてなる半導体装置にお
いて、サポートバー１６ａ，１６ｂを、上記長方形状の
ステージ１５の長辺側部位を含む位置に配設した。
体装置に関し、パッケージ割れの発生を防止することを
目的とする。 【構成】半導体素子１３を搭載する長方形状のステージ
１５と、このステージ１５を支持するサポートバー１６
ａ〜１６ｄとにより構成されるステージ部材１４を、パ
ッケージ１１内に樹脂モールドしてなる半導体装置にお
いて、サポートバー１６ａ，１６ｂを、上記長方形状の
ステージ１５の長辺側部位を含む位置に配設した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係り、特に
半導体素子を樹脂封止する構造の半導体装置に関する。
半導体素子を樹脂封止する構造の半導体装置に関する。
【０００２】近年の半導体装置は小型化，薄型化が図ら
れており、これに伴い樹脂性パッケージの肉圧は薄くな
る傾向にある。これに伴い、パッケージの機械的強度は
低下し、実装時において熱印加時に発生する水蒸気によ
りパッケージに割れが発生するおそれがある。
れており、これに伴い樹脂性パッケージの肉圧は薄くな
る傾向にある。これに伴い、パッケージの機械的強度は
低下し、実装時において熱印加時に発生する水蒸気によ
りパッケージに割れが発生するおそれがある。
【０００３】そこで、熱ストレスに強く、熱印加時にお
いてもパッケージ割れが発生しないない半導体装置が望
まれている。
いてもパッケージ割れが発生しないない半導体装置が望
まれている。
【０００４】
【従来の技術】図５は一般な樹脂封止タイプの半導体装
置１を示している。この半導体装置１は、半導体素子２
をサポートバー７により支持されたステージ３上にダイ
付けし、半導体素子２のパッドとリード４とをワイヤボ
ンディングした後、樹脂モールドすることによりパッケ
ージ５を形成した構造とされている。
置１を示している。この半導体装置１は、半導体素子２
をサポートバー７により支持されたステージ３上にダイ
付けし、半導体素子２のパッドとリード４とをワイヤボ
ンディングした後、樹脂モールドすることによりパッケ
ージ５を形成した構造とされている。
【０００５】この樹脂製パッケージ５を有する半導体装
置１では、室温に放置しているとパッケージ５自体が水
を吸収し、この水は図６に示すように、半導体装置１の
実装時に行われる加熱処理により水蒸気６となる。この
水蒸気６は非常に大きな圧力を有しており、水蒸気圧が
直接パッケージ５に印加されると、パッケージ５に割れ
が発生してしまう。このパッケージ５内で発生した水蒸
気６は、リード４やサポートバー７を伝わって外部に逃
げてゆく。
置１では、室温に放置しているとパッケージ５自体が水
を吸収し、この水は図６に示すように、半導体装置１の
実装時に行われる加熱処理により水蒸気６となる。この
水蒸気６は非常に大きな圧力を有しており、水蒸気圧が
直接パッケージ５に印加されると、パッケージ５に割れ
が発生してしまう。このパッケージ５内で発生した水蒸
気６は、リード４やサポートバー７を伝わって外部に逃
げてゆく。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置で
は、実装時に発生する水蒸気の逃げ道が少なかったた
め、パッケージ割れが発生しやすくなっていた。また、
近年のように半導体装置の高度化が進みそのパッケージ
形状が大型化してくると、発生する水蒸気の量も多くな
り、リード４やステージ３の短辺側両側部に一対配設さ
れたサポートバー７のみでは十分に水蒸気６をパッケー
ジ５から逃がしてやることができず、水蒸気６がパッケ
ージ５内に残存してしまう。
は、実装時に発生する水蒸気の逃げ道が少なかったた
め、パッケージ割れが発生しやすくなっていた。また、
近年のように半導体装置の高度化が進みそのパッケージ
形状が大型化してくると、発生する水蒸気の量も多くな
り、リード４やステージ３の短辺側両側部に一対配設さ
れたサポートバー７のみでは十分に水蒸気６をパッケー
ジ５から逃がしてやることができず、水蒸気６がパッケ
ージ５内に残存してしまう。
【０００７】この水蒸気圧は全てパッケージ５に印加さ
れることになり、その際の水蒸気圧は、例えば実装時温
度が２６０℃の場合では４６気圧と非常に大きな値とな
る。よって単にリード４やステージ３の短辺側に一対配
設されたサポートバー７からの水蒸気逃げでは十分でな
く、図７に示すようにパッケージ割れが多発してしまう
（パッケージ割れの発生部位を矢印Ｘで示す）。
れることになり、その際の水蒸気圧は、例えば実装時温
度が２６０℃の場合では４６気圧と非常に大きな値とな
る。よって単にリード４やステージ３の短辺側に一対配
設されたサポートバー７からの水蒸気逃げでは十分でな
く、図７に示すようにパッケージ割れが多発してしまう
（パッケージ割れの発生部位を矢印Ｘで示す）。
【０００８】また、各図に示される長方形状のパッケー
ジ５の場合には、短辺側に比べて長辺側においてパッケ
ージ割れが多発する。これは、図７（Ｂ）に示されるよ
うに、水蒸気６はステージ３の下部に発生し易く、サポ
ートバー７がステージ３の短辺側両側部に配設されてい
ることによる。
ジ５の場合には、短辺側に比べて長辺側においてパッケ
ージ割れが多発する。これは、図７（Ｂ）に示されるよ
うに、水蒸気６はステージ３の下部に発生し易く、サポ
ートバー７がステージ３の短辺側両側部に配設されてい
ることによる。
【０００９】即ち、リード４はステージ３と接続されて
いないため、ステージ３の下部に発生した水蒸気６は専
らサポートバー７から外部に逃がされることになる。し
かるに、ステージ３の下部中央に発生した水蒸気６は、
サポートバー７までの距離が長く、よって図７に示すよ
うに近い位置であるパッケージ５の長辺側部位を破壊し
て外部に逃げようとする。
いないため、ステージ３の下部に発生した水蒸気６は専
らサポートバー７から外部に逃がされることになる。し
かるに、ステージ３の下部中央に発生した水蒸気６は、
サポートバー７までの距離が長く、よって図７に示すよ
うに近い位置であるパッケージ５の長辺側部位を破壊し
て外部に逃げようとする。
【００１０】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、パッケージ割れの発生を防止しうる半導体装置を
提供することを目的とする。
あり、パッケージ割れの発生を防止しうる半導体装置を
提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、半導体素子を搭載するし、少なくとも
４つの辺を有するステージと、このステージを支持する
サポートバーとにより構成されるステージ部材を、パッ
ケージ内に樹脂モールドしてなる半導体装置において、
上記サポートバーを、少なくとも上記ステージの各辺に
配設したことを特徴とするものである。
に、本発明では、半導体素子を搭載するし、少なくとも
４つの辺を有するステージと、このステージを支持する
サポートバーとにより構成されるステージ部材を、パッ
ケージ内に樹脂モールドしてなる半導体装置において、
上記サポートバーを、少なくとも上記ステージの各辺に
配設したことを特徴とするものである。
【００１２】
【作用】半導体装置を上記構成とすることにより、従来
パッケージ割れが多発したパッケージの長辺側に水蒸気
の逃げ道が形成されるため、パッケージに印加される水
蒸気圧を低減することができ、パッケージ割れの発生を
防止することができる。
パッケージ割れが多発したパッケージの長辺側に水蒸気
の逃げ道が形成されるため、パッケージに印加される水
蒸気圧を低減することができ、パッケージ割れの発生を
防止することができる。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。図１は本発明の一実施例である半導体装置１０を
示しており、（Ａ）は半導体装置１０の横断面図を、
（Ｂ）は縦断面図である。
する。図１は本発明の一実施例である半導体装置１０を
示しており、（Ａ）は半導体装置１０の横断面図を、
（Ｂ）は縦断面図である。
【００１４】各図に示す半導体装置１０は、例えばエポ
キシ樹脂よりなるパッケージ１１と、その側部より外部
へ延出する複数のリード１２と、パッケージ１１に埋設
された半導体素子１３と、この半導体素子１３を搭載す
るステージ部材１４とにより構成されている。また、ス
テージ部材１４は、半導体素子１３が直接ダイ付けされ
るステージ１５と、サポートバー１６ａ〜１６ｄとによ
り構成されている。
キシ樹脂よりなるパッケージ１１と、その側部より外部
へ延出する複数のリード１２と、パッケージ１１に埋設
された半導体素子１３と、この半導体素子１３を搭載す
るステージ部材１４とにより構成されている。また、ス
テージ部材１４は、半導体素子１３が直接ダイ付けされ
るステージ１５と、サポートバー１６ａ〜１６ｄとによ
り構成されている。
【００１５】サポートバー１６ａ〜１６ｄの内、サポー
トバー１６ｃ，１６ｄは従来と同一の構成とされてお
り、ステージ１５の短辺側の部位に配設されている。一
方、サポートバー１６ａ，１６ｂは、本発明の特徴とな
るものであり、ステージ１５の長辺側の中央部位に配設
されている。
トバー１６ｃ，１６ｄは従来と同一の構成とされてお
り、ステージ１５の短辺側の部位に配設されている。一
方、サポートバー１６ａ，１６ｂは、本発明の特徴とな
るものであり、ステージ１５の長辺側の中央部位に配設
されている。
【００１６】サポートバー１６ａ，１６ｂは、上記のよ
うにステージ１５の長辺側の部位に配設されるが、この
ステージ１５の長辺側の部位はリード１２の配設位置で
もある。しかるに、サポートバー１６ａ，１６ｂの配設
位置は、一対のリード１２間位置に選定されており、か
つリード１２と干渉しない大きさとされているため、サ
ポートバー１６ａ，１６ｂをステージ１５の長辺側部位
に設けても不都合は生じない。
うにステージ１５の長辺側の部位に配設されるが、この
ステージ１５の長辺側の部位はリード１２の配設位置で
もある。しかるに、サポートバー１６ａ，１６ｂの配設
位置は、一対のリード１２間位置に選定されており、か
つリード１２と干渉しない大きさとされているため、サ
ポートバー１６ａ，１６ｂをステージ１５の長辺側部位
に設けても不都合は生じない。
【００１７】また、各サポートバー１６ａ〜１６ｄは、
その上下面に密着性低下材１７（同図（Ｂ）中、ハッチ
ングで示す）が配設されている。この密着性低下材１７
は、ステージ部材１５とパッケージ１１を構成するモー
ルド樹脂（本実施例ではエポキシ樹脂）との密着性を低
下させる部材であり、具体的には離型剤，銀（Ａｇ）の
薄膜，ワックス等である。
その上下面に密着性低下材１７（同図（Ｂ）中、ハッチ
ングで示す）が配設されている。この密着性低下材１７
は、ステージ部材１５とパッケージ１１を構成するモー
ルド樹脂（本実施例ではエポキシ樹脂）との密着性を低
下させる部材であり、具体的には離型剤，銀（Ａｇ）の
薄膜，ワックス等である。
【００１８】上記密着性低下材１７は、ステージ部材１
５と、パッケージ１１を構成するモールド樹脂との密着
性を低下させる機能を有しているため、半導体装置１０
が製造された状態において、サポートバー１６ａ〜１６
ｄとパッケージ１１との間には微細な間隙が形成され
る。この間隙は、実装処理時（加熱時）において発生す
る水蒸気をパッケージ１１の外部に排出する排出路とし
て機能する。
５と、パッケージ１１を構成するモールド樹脂との密着
性を低下させる機能を有しているため、半導体装置１０
が製造された状態において、サポートバー１６ａ〜１６
ｄとパッケージ１１との間には微細な間隙が形成され
る。この間隙は、実装処理時（加熱時）において発生す
る水蒸気をパッケージ１１の外部に排出する排出路とし
て機能する。
【００１９】次に、上記のようにして製造された半導体
装置１０が回路基板等に実装される際、パッケージ１１
内で生じる現象について図１に加えて図２及び図３を用
いて説明する。また、以下の説明では、モールドされる
樹脂に水が侵入していた場合を想定して説明する。
装置１０が回路基板等に実装される際、パッケージ１１
内で生じる現象について図１に加えて図２及び図３を用
いて説明する。また、以下の説明では、モールドされる
樹脂に水が侵入していた場合を想定して説明する。
【００２０】図１に示すように、実装前の状態（加熱前
の状態）では、パッケージ１１が水を吸収していても、
その体積は小さいため、特に問題は生じない。しかる
に、この水分を含んだパッケージ１１を有する半導体装
置１０を回路基板等に実装するため、加熱処理（例え
ば、半田リフロー処理等）を実施すると、図２に示すよ
うに、パッケージ１１内に水蒸気１８が発生する。
の状態）では、パッケージ１１が水を吸収していても、
その体積は小さいため、特に問題は生じない。しかる
に、この水分を含んだパッケージ１１を有する半導体装
置１０を回路基板等に実装するため、加熱処理（例え
ば、半田リフロー処理等）を実施すると、図２に示すよ
うに、パッケージ１１内に水蒸気１８が発生する。
【００２１】この水蒸気１８は、ステージ１５，サポー
トバー１６ａ〜１６ｄ，半導体素子１３と樹脂との接合
部分に発生し、特にステージ１５の下部に多く発生す
る。発生する水蒸気１８の圧力は、４０気圧以上と高い
圧力であるため、水蒸気１８の逃げ道が無いと、この蒸
気圧は直接パッケージ１１に印加されてしまいパッケー
ジ割れを生じてしまうことは前記した通りである。
トバー１６ａ〜１６ｄ，半導体素子１３と樹脂との接合
部分に発生し、特にステージ１５の下部に多く発生す
る。発生する水蒸気１８の圧力は、４０気圧以上と高い
圧力であるため、水蒸気１８の逃げ道が無いと、この蒸
気圧は直接パッケージ１１に印加されてしまいパッケー
ジ割れを生じてしまうことは前記した通りである。
【００２２】しかるに、本発明に係る半導体装置１０で
は、サポートバー１６ａ，１６ｂが最も水蒸気１８が発
生し易く、かつ逃げ難いステージ１５の長辺側の部位に
配設されているため、水蒸気１８をこのサポートバー１
６ａ，１６ｂを介して外部に逃がすことができる。これ
により、水蒸気１８を効率的に逃がすことが可能とな
り、ステージ１５の長辺側の部位におけるパッケージ割
れの発生を確実に防止することができ、半導体装置１０
の信頼性を向上させることができる。尚、サポートバー
１６ｃ，１６ｄ及びリード１２からも従来と同様に水蒸
気１８が外部に逃げるのは勿論である。
は、サポートバー１６ａ，１６ｂが最も水蒸気１８が発
生し易く、かつ逃げ難いステージ１５の長辺側の部位に
配設されているため、水蒸気１８をこのサポートバー１
６ａ，１６ｂを介して外部に逃がすことができる。これ
により、水蒸気１８を効率的に逃がすことが可能とな
り、ステージ１５の長辺側の部位におけるパッケージ割
れの発生を確実に防止することができ、半導体装置１０
の信頼性を向上させることができる。尚、サポートバー
１６ｃ，１６ｄ及びリード１２からも従来と同様に水蒸
気１８が外部に逃げるのは勿論である。
【００２３】また、前記したようにサポートバー１６ａ
〜１６ｄには密着性低下材１７が配設されており、サポ
ートバー１６ａ〜１６ｄとパッケージ１１との間には微
細な間隙が形成されている。この微細な間隙は水蒸気２
０を外部に逃がす排気路として機能するため、より効率
的に水蒸気１８を外部に逃がすことができる。
〜１６ｄには密着性低下材１７が配設されており、サポ
ートバー１６ａ〜１６ｄとパッケージ１１との間には微
細な間隙が形成されている。この微細な間隙は水蒸気２
０を外部に逃がす排気路として機能するため、より効率
的に水蒸気１８を外部に逃がすことができる。
【００２４】図４は、本発明の効果を実証するため、本
発明者が行った実験結果を示している。同図に示す実験
は、従来構成の半導体装置と、本発明に係る半導体装置
１０とを比較した実験であり、その実験内容は次の通り
である。
発明者が行った実験結果を示している。同図に示す実験
は、従来構成の半導体装置と、本発明に係る半導体装置
１０とを比較した実験であり、その実験内容は次の通り
である。
【００２５】評価パッケージとしてはＴＳＯＰ（Tin Sm
all Outline Package)を用い、先ず従来装置及び本発明
装置共に乾燥処理を行った後、温度８５℃，湿度８５％
の環境で吸水処理を行い、この各半導体装置に対して２
６０℃の加熱処理を行った。その後、３０℃，湿度８５
％の雰囲気中に放置した。
all Outline Package)を用い、先ず従来装置及び本発明
装置共に乾燥処理を行った後、温度８５℃，湿度８５％
の環境で吸水処理を行い、この各半導体装置に対して２
６０℃の加熱処理を行った。その後、３０℃，湿度８５
％の雰囲気中に放置した。
【００２６】その結果、同図に示すように、従来構成の
半導体装置では１０日目で全部の半導体装置にパッケー
ジ割れが発生したのに対して、本発明に係る半導体装置
１０では、６０日経過後においてもパッケージ割れは全
く発生しなかった。この実験結果より、本発明に係る半
導体装置１０によれば、実装時等の加熱処理時において
パッケージ割れは発生せず、半導体装置１０の信頼性を
向上できることが実証された。
半導体装置では１０日目で全部の半導体装置にパッケー
ジ割れが発生したのに対して、本発明に係る半導体装置
１０では、６０日経過後においてもパッケージ割れは全
く発生しなかった。この実験結果より、本発明に係る半
導体装置１０によれば、実装時等の加熱処理時において
パッケージ割れは発生せず、半導体装置１０の信頼性を
向上できることが実証された。
【００２７】尚、上記した実施例では、本発明の特徴と
なるサポートバー１６ａ，１６ｂをステージ１５の長辺
側の中央部位に配設した構成を示したが、サポートバー
の配設位置はステージ１５の長辺側であれば他の位置に
配設しても従来に比べて効果を奏することができる。ま
た、サポートバーの数も２本に限定されるものではな
く、多数本配設しても良いことは勿論である。
なるサポートバー１６ａ，１６ｂをステージ１５の長辺
側の中央部位に配設した構成を示したが、サポートバー
の配設位置はステージ１５の長辺側であれば他の位置に
配設しても従来に比べて効果を奏することができる。ま
た、サポートバーの数も２本に限定されるものではな
く、多数本配設しても良いことは勿論である。
【００２８】また、本発明では排出路の形成位置に水蒸
気が逃げる間隙が形成されることになるが、この間隙は
水蒸気が逃げ得るだけの微細なものであるため、これに
よりパッケージ１１の封止性が低下するものではない。
気が逃げる間隙が形成されることになるが、この間隙は
水蒸気が逃げ得るだけの微細なものであるため、これに
よりパッケージ１１の封止性が低下するものではない。
【００２９】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、パッケージ
内に水が侵入した状態で加熱処理が行われたとしても、
発生した水蒸気の内、特にパッケージ割れが生じやすい
ステージ下部中央に発生する水蒸気はステージの長辺側
に配設されたサポートバーを介して外部に逃がされるた
め、パッケージに印加される水蒸気圧を低減することが
でき、パッケージ割れの発生を防止することができる等
の特長を有する。
内に水が侵入した状態で加熱処理が行われたとしても、
発生した水蒸気の内、特にパッケージ割れが生じやすい
ステージ下部中央に発生する水蒸気はステージの長辺側
に配設されたサポートバーを介して外部に逃がされるた
め、パッケージに印加される水蒸気圧を低減することが
でき、パッケージ割れの発生を防止することができる等
の特長を有する。
【図１】本発明の一実施例である半導体装置を説明する
ための図である。
ための図である。
【図２】半導体装置実装される際、パッケージ内で生じ
る現象を説明する図である。
る現象を説明する図である。
【図３】半導体装置実装される際、パッケージ内で生じ
る現象を説明する図である。
る現象を説明する図である。
【図４】本発明の効果を実証するための図である。
【図５】従来の半導体装置の一例を説明するための図で
ある。
ある。
【図６】従来の半導体装置で生じた問題点を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図７】従来の半導体装置で生じた問題点を説明するた
めの図である。
めの図である。
１０ 半導体装置 １１ パッケージ １２ リード １３ 半導体素子 １４ ステージ部材 １５ ステージ １６ａ〜１６ｂ サポートバー １７ 密着性低下材 １８ 水蒸気
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 光孝 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子（１３）を搭載し少なくとも
４つの辺を有するステージ（１５）と、該ステージ（１
５）を支持するサポートバー（１６ａ〜１６ｄ）とによ
り構成されるステージ部材（１４）を、パッケージ（１
１）内に樹脂モールドしてなる半導体装置において、 該サポートバー（１６ａ，１６ｂ）を、少なくとも上記
ステージ（１５）の各辺に配設したことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】 該サポートバー（１６ａ〜１６ｄ）に、
該樹脂との密着性を低下させる密着性低下材（１７）を
配設したことを特徴とする請求項１の半導体装置。 - 【請求項３】 該密着性低下材（１７）は、ワックス、
又は離型剤、又は銀（Ａｇ）であることを特徴とする請
求項２の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3344302A JPH05175397A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3344302A JPH05175397A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175397A true JPH05175397A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18368192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3344302A Withdrawn JPH05175397A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175397A (ja) |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP3344302A patent/JPH05175397A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |