JPH0286153A

JPH0286153A - 樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number: JPH0286153A
Application number: JP63236302A
Authority: JP
Inventors: Kazuichi Yonenaka; 米中　一市
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1988-09-22
Filing date: 1988-09-22
Publication date: 1990-03-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は樹脂封止型半導体装置に関する。

（従来の技術）従来の樹脂封止型半導体装置を第９図（ａ）　、　（ｂ
）を用いて説明する。第９図にＬ）は従来の半導体装置
の上面図を示し、第９図（ｂ）は第９図（ａ）における
Ｌ−Ｌ線に沿った切断面を、矢印方向から見た断面図を
示している。尚、第９図（ａ）は内部構造を示すために
リードから上部の樹脂を取り除いた状態であり、第９図
（ｂ）は周囲を樹脂で覆った状態である。

従来の樹脂封止型半導体装置は、吊りピンリード（２１
１）によって固定されている載置部（２０３）に、半導
体素子（２０１）が載置されている。この半導体素子（
２０１）と、載置部（２０３）の周囲に設けられたリー
ド（２０２）はボンディング・ワイヤ（２０５）によっ
て接続されており、その半導体素子（２０１）、リード
（２Ｑ２）　、及びボンディング・ワイヤ（２０５）の
周囲は樹脂（２０７）で封止されている。ここで第９図
（ａ）のリード（２０２）　、吊りビンリード（２１１
）、及び４１置部（２０３）の斜線部は、金又は銀の部
分メツキ処理が施されている部分を示している。

ところが従来の樹脂封止型半導体装置では、以下に述べ
る３つの現象により、装置内に水分が侵入する恐れがあ
る。

まず第１の現象を説明する。従来の樹脂封止型半導体装
置では、使用しているうちに樹脂（２０７）内に水分が
侵入して、それが半導体素子（２０１）にまで及ぶこと
がある。第９図（ｂ）には、このときに水分が樹１１’
Ｍ　（２０７）内に侵入する経路を矢印Ｍで示している
。矢印Ｍは、水分が樹脂（２０７）とリード（２０２）
の隙間から侵入し、ボンディング、ワイヤ（２０５）、
及び半導体素子（２０１）に及ぶという経路である。

次に第２の現象を説明する。従来の樹脂封止型半導体装
置では、半導体素子（２０１）と載置部（２０３）の熱
膨張、収縮の違いにより、半導体素子（２０１）と！！
載置部２０３）に反りが発生することがある。半導体素
子（２０１，）は、載置部（２０３）に接着剤で取付け
られ、この接着剤を乾燥させるために高温乾燥処理が施
され、その後、常温冷却される。この工程において、半
導体素子（２０１）とａ置部（２０３）では、膨脹、収
縮が起こる。この膨脹、収縮により、半導体素子（２０
１）と載置部（２０３）に反りが生じる。

以下、この現象を、第１０図（ａ）　、　（ｂ）を用い
て説明する。第１０図（ａ）は高温乾燥処理時の、半導
体素子と載置部の膨脹の違いを示す半導体装置の断面図
であり、第１０図（ｂ）は常温冷却処理時の、半導体素
子と載置部の収縮の違いを示す半導体装置の断面図であ
る。

一般に半導体装置のフレーム材料には、Ｃｕ等、熱膨張
係数の大きな材料が用いられる。このためａｉ部（２０
３）は半導体素子（２０１）材料の８１よりも熱膨張係
数が極めて大きくなり、第１０図（ａ）に示すように高
温乾燥処理時には、矢印０で示される熱膨張係数の大き
いａｌｔ部（２０３）の方が、矢印Ｎで示される熱膨張
係数の小さい半導体素子（２０１）よりも熱膨張する。

接着剤が、乾燥していなイトキハ、半導体素子（２０１
）と′ａｉｉｆ部（２０３）　ハ、個々に膨脹をする。

ここで図面の矢印は、長さで膨脹の度合いを、示してい
る。

次に接着剤が硬化して、その後、常温冷却処理される場
合には、第１０図（ｂ）に示すように矢印Ｐで示される
熱収縮係数の小さい半導体素子（２０１）と、矢印Ｑで
示される熱収縮係数の大きい載置部（２０３）は、接着
された状態で収縮するため矢印Ｒの向きに反りが発生す
る。ここで図面の矢印は長さで収縮の度合いを示してい
る。第１０図（ｂ）に示すように反りが発生すると樹１
１Ｍ（２０７）にクラック（２（１９）か発生し、半導
体装置内に水分が侵入する恐れがある。

次に第３の現象を説明する。第１１図は、内部に水蒸気
が発生した従来の半導体装置の断面図を示している。以
下、この図面を用いて樹脂（２０７）のクラック（２０
９）の発生を説明する。

樹脂封止型半導体装置は空気中放置で時間がたつうちに
樹脂（２０７）が空気中の水蒸気を、吸い込んでいく。

樹脂（２０？）内に侵入した水蒸気は、樹脂（２’０７
）と載置部（２０３）の界面に存在する微小な隙間（以
下：ふくれと称す）（２０ｇ）で毛管凝縮され水となる
。周囲の水蒸気圧が飽和点に達していなくても、水分は
液体となって溜まる。この樹脂（２０７）と載置部（２
０３）の界面に溜まった水は樹脂封止型半導体装置を実
装する時の周囲からの熱ストレスによって、水蒸気とな
り半導載置部（２０３）裏面に内部圧力が発生し、ふく
れ（２０１りが発生する。ここで矢印Ｓは樹脂（２０７
）と載置部（２０３）の界面に平行な成分の熱ストレス
による樹脂（２０７）の膨脹する応力を示している。従
来の半導体装置では、樹脂（２０７）と載置部（２０３
）の界面が平坦な面であるので、矢印Ｓの応力がすべて
合計され、極めて大きな応力が載置部（２０３）の角に
集中する。

この応力及び、ふくれ（２０ｇ）のために載置部（２０
３）の角から樹脂（２０７）の外部に向け、クラック（
２０９）が発生し、このクラック（２０９）を通り、半
導体装置内に水分が侵入する恐れがある。

以上述べた現象により半導体装置内に水分が侵入するた
め、その水分が半導体素子（２（１１）に及んで素子に
特性変動（電流リーク）を生じさせ、Ａ１パット、及び
Ａ１配線を腐食させて、半導体装置を不良化させる恐れ
がある。

（発明が解決しようとする課題）本発明の目的は、半導体素子を不良化させる水分の侵入
を防ぎ、耐湿性の向上をはかることにある。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）本発明においては、上記課題を達成するために樹脂封止
型半導体装置において、半導体素子の下方にリードを延
在させ、そのリードの端部を半導体素子の周辺から突出
させ、その端部と、半導体素子を、ボンディング・ワイ
ヤによって接続させる。ここで、リードの端部は半導体
素子の下方に存在するリードの延長部分以外に存在して
いる。

（作　用）上記の構成によれば、樹脂に埋設されたリードを従来の
半導体装置に比べて極めて長い形状にし、そのリードの
端部と半導体素子とをボンディング・ワイヤで接続して
いるため、リードと樹脂の間の隙間から侵入する水分の
経路が長くなる。

（実施例）以下、本発明の一実施例について第１図（ａ）。

（ｂ）を用いて説明する。第１図（ａ）は本発明の一実
施例である樹脂封止型半導体装置の上面図を示し、第１
図（ｂ）は第１図（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿った切断
面を矢印方向から見た断面図を示している。尚、第１図
（ａ）は内部構造を示すために、リードから上部の樹脂
を取り除いた状態であり、第１図（ｂ）は、周囲を樹脂
で覆った状態である。

第１図に示すように本実施例の樹脂封止型半導体装置は
、半導体素子（ｌＱｌ）の上方に延在するリード（以下
二上方リードと称す）　（１０２ｂ）と、半導体素子（
１０１）の下方に延在するリード（以下：下方リードと
称す）　（１０２ａ）を有している。下方リード（１０
２ａ）には載置部（１０３）が設けられており、半導体
素子（１（ｌｆ）はそこにａ置される。尚、上方リード
（１０２ｂ）と下方リード（１０２ａ）は立体的に上下
に重ねられて存在する。上方リード（１０２ｂ）、下方
リード（１０２ａ）は、半導体素子（１０１）の上方、
下方にそれぞれ延在され、半導体素子（１０１）の周辺
から突出した部分（以下：リードの端部と称す）（１０
４）が設けられ、この部分がボンディング・ワイヤ（１
０５）によって半導体素子（１０１）と接続される。

上方リード（１０２ｂ）のインナ一部分、下方リード（
１０２ａ）のインナ一部分、ボンディング・ワイヤ（１
０５）　、及び半導体素子（１０１）の周囲は、樹脂で
封止される。一方、上方リード（１０２ｂ）のアウター
部分、下方リード（１０２ａ）のアウタ一部分は封止さ
れない。また、リード・カッティング時に半導体装置を
フレームに固定させておくために用いるダミーの吊りピ
ンリード（１１０）は封止される。本実施例の樹脂封止
型半導体装置は、上記の構成から成っている。

ところで載置部（１０３）は、複数の下方リード（１０
２ａ）により構成されている。そのため下方リード（１
０２ａ）間に隙間が生じるので、載置部（１０３）がこ
まかく分割されている。下方リード（１０２ａ）の載置
部（１０３）は下方に凸状にデイプレスされ、同一平面
上に存在する。上方リード（１０２ｂ）は半導体素子（
１０１）に接しないように、半導体素子（１０１）の上
方に設けられた部分が上方に凸状にデイプレスされてい
る。

リードの端部（１０４）は、上方リード（ＬＯ２ｂ）、
下方リード（ｌＱ２ａ）ともに半導体素子（１０１）の
上方、下方に存在するリードの延長部分以外にも存在す
る。さらに、上方リード（ＬＯ２ｂ）、及び下方リード
（ｌＱ２ａ）のリードの端部（１０４）は、半導体素子
（１０１）の上方、下方に存在するリード部分に対して
直角に曲げられている。そして、ボンディングはこの直
角に曲げられたリードの端部（１０４）に施される。

ここで本実施例の製造１捏を第２図（ａ）　、　（ｂ）
〜第６図（ａ）　、　（ｂ）を用いて説明する。

まず、リードフレームを第２図（ａ）、（ｂ）　、第３
図（ａ）　、　（ｂ）を用いて説明する。第２図（ａ）
は下方リードを有するリードフレームの上面図であり、
第２図（ｂ）は、第２図（ａ）におけるＢ−Ｂ線に沿っ
た切断面を矢印方向から見た断面図である。第３図（ａ
）は上方リードを有するリードフレームの上面図であり
、第３図（ｂ）は、第３図（ｂ）におけるＣ−Ｃ線に沿
った切断面を矢印方向から見た断面図である。

まず、−枚の細長い肉薄金属を打抜き加工、或いは、エ
ツチング加工することによって、第２図（ａ）　、　（
ｂ）に示す下方リード（１０２ａ）を有するリードフレ
ームＣ以下：下方リードフレームと称す）（１０６ａ）
が形成される。Ｊ１ｔ１部（１０３）を設けた下方リー
ド（１０２ａ）には平場な而か形成されている。リード
の端部（１０４）に設けられた、ボンディングを施され
る部分は棒状に形成される。尚、下方リード（、ｌ　Ｑ
　２　ａ　）は、リード線連絡結帯（１１２）と、下方
リード（１０８ａ）のアウタ一部分でフレーム砕につな
げられている。

一方、上方リード（１０２ｂ）を何するリードフレーム
（以下、上方リードフレーム）　＜１ＯＧｂ）も、下方
リードフレーム（ｌＯＧｉ）と同様の方法で第３図（ａ
）。

（ｂ）に示すように形成される。上方リード（１０２ｂ
）もボンディングを施される部分は棒状に形成される。

また、上方リードｔ：１０２ｂ）が半導体素子（，１０
１）の上方に存在している部分も棒状に形成される。

尚、上方リードフレーム（１０１３ｂ）には、ダミーの
吊りビンリード（１１０）が設けられている。これは、
リード・カッティングした後に、半導１４８子（１０１
）をフレームに固定させておくためのものである。

次に、半導体素子の載置工程を第４図（ａ）　、（ｂ）
を用いて説明する。第４図（ａ）は、半導体素子を載置
した下方リードフレームの上面図であり、第４図（ｂ）
は、第４図（ａ）におけるＤ−Ｄ線に沿った切断面を矢
印方向から見た断面図である。

下方リードフレーム（１０６ａ）の下方リード（１０２
ａ）には、ｊＡｉ＋￥部（１０３）が第４図（ａ＞　、
　（ｂ）に示すように設けられる。半導体素子（１０１
）はａ置部（１０３）の下方に凸状にデイプレスされた
平面上に載置される。尚、半導体装置の載置には絶縁性
の接着剤、或いはテープを用いる。

次に、２層リードフレームの工程を第５図（ａ）５（ｂ
）を用いて説明する。第５図（ａ）は上方リードフレー
ムと、半導体素子を載置した下方リードフレームとを、
重ねて溶接した状態を示す上面図であり、第５図（ｂ）
は、第５図（ａ）におけるＥ−Ｅ線に沿った切断面を矢
印方向から見た断面図である。

まず、上方リードフレーム（１０１３ｂ）と、半導体素
子（１０１）を載置した下方リードフレーム（１０６ａ
）を第５図（ａ）　、　（ｂ）に示すように重ねて２層
の状態にする。このとき上方リードフレーム（１０６ｂ
）は、上方リード（１０２ｂ）の凸状にデイプレスされ
た部分が上方を向くように重ねられ、下方リードフレー
ム（ＩＯＧａ）は、下方リード（１０２ａ）の凸状にデ
イプレスされた部分が下方を向くように重ねられる。さ
らに、半導体素子（ｌｏｔ）の下方に存在するリード（
１０２ａ）部分内に、半導体素子（１０１）の上方に存
在する上方リード（１０２ｂ）部分が存在するように重
ねる。

次にボンディングからリード・ベンディングまでの工程
を第６図（ａ）　、（ｂ）を用いて説明する。第６図（
ａ）は、第５図（ａ）においてボンディングが施され、
半導体素子、上方リード、下方リード、及びボンディン
グ・ワイヤを樹脂で封止した一状態を示す上面図であり
、第６図（ｂ）は、第５図（ａ）におけるＦ−Ｆｌｊｌ
に沿った切断面を矢印方向から見た断面図である。尚、
第６図（ａ）は、内部構造を示すために下方リードから
上部の樹脂を取り除いた状態を示しており、第６図（ｂ
）は、周囲を樹脂で覆った状態を示している。

第６図に示すようにボンディング・ワイヤ（１０５）に
よって、半導体素子（１０１）とリートの端部（１０４
）が接続される。リードの端部（１０４）において、ボ
ンディングされる部分には、金又は銀の部分メツキ処理
を施す。パッケージは、重ねて溶接された上方フレーム
（ｌＯＧｂ）　、及び下方リードフレーム（１０［ｉａ
）が、モールド金型の上下の型間に設けられ、半導体素
子（１０１）　、及びワイヤ接続部分が樹脂封止されて
形成される。その後、上方リードフレーム（ｌｏｅｂ）
と下方リードフレーム（ＬＯＧａ）の枠部分や、リード
線連結帯（１１２）が切断、除去され、樹脂（１０７）
の外部の上方リード（１０２ｂ）、及び下方リード（１
０２ａ）がリード・ベンディングされる。このとき半導
体装置はダミーの吊りピンリード（１１０）によってフ
レームに固定されており、リード・ベンディング後は、
これも切断される。

上記の工程を終えると、第１図に示される本実施例の樹
脂封止型半導体装置を形成することができる。

本実施例の効果には、以下に述べる６つの効果がある。

ます第１の効果を説明する。本実施例の半導体装置では
、樹脂（１０７）に埋設される上方リード（１０２ｂ）
、及び下方リード（１０２ａ）を半導体素子（ｌｏｔ）
の上方、下方にそれぞれ存在させて極めて長くし、リー
ドの端部（１０４）からボンディングが施される。

半導体装置では樹脂（１０７）と、上方リード（１０２
ｂ）、及び下方リード（１０２ａ）の隙間から水分が侵
入してくることかあるが、上記のような構成のため、水
分がボンディング・ワイヤ（１０５）　、及び半導体素
子（１０１）まで侵入する率は極めて低くなる。したか
って、ボンディング・ワイヤ（１０５）と半導体素子（
１０１）への水分の侵入を防ぐことができるので、半導
体素子＜１０１）の特性変動、ＡＩパッドの腐食、及び
Ａ１配線の腐食等の不良の発生を極めて防ぐことができ
る。このため、半導体素子の耐湿性を向上することがで
きる。

次に、第２の効果を説明する。本実施例ではリードの端
部（１０４）が棒状に形成されているため、ボンディン
グを施せる部分に自由度がある。そのため、半導体素子
（１０１）のボンディング・パッド部を自由に配置して
も、ボンディング・ワイヤ（１０５）を接続することが
できるので、半導体素子（１０１）の設計の自由度が増
加する。また、半導体素子（１０１）を他の種類に変え
て載置しても、ボンディングを施せる部分に自由度があ
るため、ボンディング・ワイヤ（１０５）を接続するこ
とができるので、半導体素子（１０１）の選択の自由度
も増加する。

また、ボンディングは、上方リード（１０２ｂ）、及び
下方リード（１０２ａ＞が折れ曲がり、さらに、引き延
ばされた部分で施されているため、上方リード（１０２
ｂ）、及び下方リード（１０２ａ）の形状が長くなり水
の侵入経路も長くなる。したがって、ボンディングワイ
ヤ（１０５）　、及び半導体素子（１０１）への水の浸
入を、さらに防ぐことができる。

次に、第３の効果を第７図を用いて説明する。

第７図（ａ）は高温乾燥処理時の、半導体素子と載置部
の膨張の違いを示す本実施例における半導体装置の断面
図であり、第７図（ｂ）は常温冷却処理時の、半導体素
子と載置部の収縮の違いを示す本実施例における半導体
装置の断面図である。

半導体装置では、半導体素子（１０１）を載置部（１０
３）に取り付ける際に絶縁性の接着剤が用いられる。こ
の接着剤を乾燥させるために高温乾燥処理が施され、ま
た、乾燥させた後、常温冷却処理が施される。半導体素
子（１０１）の反りはこの行程で生じる。本実施例にお
ける半導体装置では、載置部（１０３）か膜数の下方リ
ード（１０２ａ）により構成されているため、載置部（
１０３）間に隙間が設けられる。このため、高温乾燥処
理時では第７図（ａ）に示すように、矢印Ｈで示される
熱膨張係数の大きい載置部（１０３）は、各々の載置部
（１０３）に分散されて膨張する。矢印Ｇで示される熱
膨張係数の小さい半導体素子（１０１）も膨張するが、
この時は半導体素子（ｌｏｔ）　、及び載置部（１０３
）とも個々に膨張する。常温冷却処理時では第７図（ｂ
）に示すように、矢印ｊで示される熱収縮係数の大きい
裁置部（１０３）は、矢印Ｉで示される熱収縮係数の小
さい半導体素子（１０１）と接着された状態で収゛縮す
るが、ａ置部（１０３）が分散されているため収縮も分
散される。このため、半導体素子（１０１）と裁置部（
１口３）には反りか生じなくなる。

本実施例の半導体装置では半導体素子（１０１）と載置
部（１０３）に生じる反りを防止できるので、これによ
って起こる樹脂＜１０７）のクラック（２０９）を極め
て防止できる。したがって、クラック（２０９）から半
導体装置内に浸入する水分を防止できる二とにより、ボ
ンディング・ワイヤ（１０５）の腐食、及び半導体素子
（１０１）の特性変動や、Ａ１パッド、及びＡＩ配線の
腐食等の不良の発生を極めて防ぐことかでき、更には半
導体素子の動作不良を防ぐことができる。

次に第４の効果を第８図を用いて説明する。第８図は内
部に水蒸気が発生した本実施例の半導体装置の断面図を
示している。樹脂封止型半導体装置では樹脂（１０７）
が空気中の水蒸気を吸い込んでいく。そして水蒸気は樹
脂（１０７）とｕ’ｔｔｔ部（１０３）の界面で凝縮し
水となる。この水が樹脂封止型半導体装置実装時の熱ス
トレスによって水蒸気となり膨張する。本実施例におい
ては載置部（１０３）か慢数の下方リード（１０２ａ）
により構成されているため、載置部（１０３）間に隙間
か設けられる。丁度、半導体素子（ｌｏｔ）の下面に載
置部（１０３）の凸部を世数設けた形になる。このため
、樹脂（１０７）と載置部（１０３）の界面にある隙間
に水蒸気が発生しても、第８図の矢印Ｋに示す樹脂（１
０７）とＩｌ！置部（１０３）の界面に平行な成分の応
力の一部は、載置部（１０３）の凸部にあたり、吸収さ
れる。したかって、矢印Ｋに示す応力の合計が小さくな
り応力の集中を防止し１、樹脂（１０７）のふくれ、ク
ラックを防止できるため、半導体装置内の水分の侵入を
極めて防止でき、半導体素子（ｌｏｔ）の特性変動や、
Ａ１パッド、及びＡｌ配線の腐食等の不良の発生を極め
て防ぐことができる。

次に第５の効果を説明する。半導体装置のハンダ付けに
は、量産性の高いリフローハンダ付けが多く用いられて
おり、このハンダ付けかなされると樹脂（１０７）が高
温にさらされる。このため、半導体装置に熱ストレスが
加わり、樹脂（１０７）にクラックが発生する。本実施
例の樹脂封止型半導体装置においては、第４の効果と同
様の理由により、特にリフローハンダ付けの際に発生す
るクラックを防止することができる。したかって、半導
体装置内の水分の侵入を防止することかできる。

次に第６の効果を説明する。第６の効果は、本実施例の
半導体装置において吊りビンリード（２Ｈ）を無くした
ことによって、半導体装置内の水分の侵入を防止できる
ことである。半導体素子（１０ｉ）を不良化させる水分
は、樹脂（１０７）と吊りビンリード（２１１）の隙間
からも侵入してくる。本実施例では下方リード（１０２
ａ）に載置部（１０３）を設けたので、載置部（１０３
）を別に設けなくてすみ、それを吊る吊りビンリード（
２１１）を無くすことができる。

尚、本実施例においてはダミーの吊りビンリード（＋１
２）が設けられているが、載置部（１０３）とは接続さ
れていない。このダミーの吊りビンリート（１１２）は
、リード・ベンディング時に半導体装置をフレームに固
定させておくのを目的としている。

［発明の効果］以上、説明したように本発明によれば、半導体素子・＼
の水分の浸入を防ぎ、半導体装置の耐、四性を向上する
ことかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明における樹脂封止型半導体装置を
示す上面図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）におけるＡ
−Ａ線に沿った切断面を矢印方向から見た断面図、第２
図（ａ）は本発明の半導体装置における下方リードフレ
ームを示す上面図、第２図（ｂ）は、第２図（ａ）にお
けるＢ−Ｂ線に沿った切断面を矢印方向から見た断面図
、第３図（ａ）は本発明の半導体装置における上方リー
ドフレームを示す上面図、第３図（ｂ）は、第３図（ａ
）におけるＣ−Ｃ線に沿った切断面を矢印方向から見た
断面図、第４図（ａ）は本発明の半導体装置における半
導体素子を載置した下方リードフレームを示す上面図、
第４図（ｂ）は、第４図（ａ）における、Ｄ−Ｄ線に沿
った切断面を矢印方向から見た断面図、第５図（ａ）は
本発明において半導体素子を載置した、２層リードフレ
ームを示す上面図、第５図（ｂ）は、第５図（ｂ）にお
けるＥ−Ｅ線に沿った切断面を矢印方向から見た断面図
、第６図（ａ）は、第５図（ａ）においてボンディング
を施し、周囲を樹脂で封止した状態を示す上面図、第６
図（ｂ）は、第６　ＦＡ（ａ）におけるｖ−ｖ線に沿っ
た切断面を矢印方向から見た断面図、第７図（ａ）は高
温乾燥処理時の本発明における半導体装置を示す断面図
、第７図（ｂ）は常温冷却処理時の、本発明における半
導体装置を示す断面図、第８図は内部に水蒸気が発生し
た本発明の半導体装置を示す断面図、第９図（ａ）は従
来の樹脂封止型半導体装置の上面図、第９図（ｂ）は、
第９図（ａ）におけるＦ−Ｆ線に沿った切ＩＩ′ｉ面を
矢印方向から見た断面図、第１０図（ａ）は高温乾燥処
理時の、従来の半導体装置を示す断面図、第１０図（ｂ
）は常温冷却処理時の、従来の半導体装置を示す断面図
、第１１図は内部に水蒸気が発生した従来の半導体装置
を示す断面である。半導体素子・・・・・・・・・・・・・・・・・１０１
，２０１゜下方リード・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・１０２ａ上方リード・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・１０２ｂ。リード・・・・・・・・・・・・・−・・・・・・・・
・・・・・２０２載置部・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・１リードの端部・・・・・
・・・・・・・・・・・・・１ボンデイング・ワイヤ・
−・・・・１下方リードフレーム・・・・・・・・・１上方リードフ
レーム・・・・・・・・・１樹　　脂・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・　・・　１ふくれ・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
１クラツク・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・２ダミーの吊りピンリード・・・ｌ吊りビンリード・・・・・・・・・・・・・・２リート
線連結帯・・・・・・・・・・・・・・・１３．２０３４　。５．２０５゜ａ６ｂ。７．２０７゜８．２０８゜９゜０　。１　。２゜

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体素子と、この半導体素子の下方に延在し、
この半導体素子の周辺から突出した端部を有するリード
と、このリードの端部と前記半導体素子とを接続するボ
ンディング・ワイヤとを具備し、前記リードの端部が、
前記半導体素子の下方に存在する前記リードの延長部分
以外に存在することを特徴とする樹脂封止型半導体装置
。
（２）前記リードが複数存在することを特徴とする請求
項第１項記載の樹脂封止型半導体装置。