JPH05175255A - 半導体素子移載装置 - Google Patents

半導体素子移載装置

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Publication number
JPH05175255A
JPH05175255A JP33745591A JP33745591A JPH05175255A JP H05175255 A JPH05175255 A JP H05175255A JP 33745591 A JP33745591 A JP 33745591A JP 33745591 A JP33745591 A JP 33745591A JP H05175255 A JPH05175255 A JP H05175255A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
suction nozzle
plate body
semiconductor element
hole
arm
Prior art date
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Pending
Application number
JP33745591A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Masaki
彰 正木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP33745591A priority Critical patent/JPH05175255A/ja
Publication of JPH05175255A publication Critical patent/JPH05175255A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【構成】 半導体素子を吸着する吸着ノズルと、この吸
着ノズルを先端部に取付け所定位置へ駆動されるアーム
と、このアームと同方向に延在した支持体と、上記吸着
ノズルの下方に位置して上記支持体の先端部に支持され
た板体と、この板体に形成され上記吸着ノズルを通過さ
せる通過孔と、上記板体の裏面に上記通過孔を除いて設
けられた粘着体とを備えたことを特徴とする半導体素子
移載装置。 【効果】 マウント時に生じたダストを粘着体で捕捉さ
せるようにしたので、ダストの落下による半導体チップ
の損傷か防止され、歩留まり向上に寄与することができ
た。

Description

【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子移載装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】LSIやCCD等の半導体素子は直径6
インチあるいは8インチといった半導体ウエハの表面上
に数百もの数で形成される。形成された半導体素子は個
々に分割された後、リードフレーム上にマウントされ、
ワイヤボンディングや封着等の工程を経て製品にされ
る。この製品に至るまでの内、上記分割の工程は一般に
ダイシング工程と呼ばれ、次のように行われている。す
なわち、半導体素子を形成した半導体ウエハの裏面に拡
張可能なマウントテープを貼着した後ダイシング装置に
セットし、所定のダイシングラインに沿って極薄の砥石
で切削し各半導体素子を単体に分割する。分割後は移載
装置により個々の半導体素子がワイヤボンディング装置
へ移載される。移載に際してはマウントテープを移載装
置において拡張し、マウントテープの裏面側からピンで
突上げ、専用の吸着体で吸着してマウントテープから引
き離してワイヤボンティング工程に移載する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記ダイシング工程で
発生した切削屑の除去に対しては洗浄作業によって対処
している。しかし、移載工程では次のような問題が生じ
ていた。すなわち、分割される半導体素子の中にはダイ
シング工程の際に裏側端部に微細なクラックが生じてい
るものがある。これらはマウントテープの拡張時や、吸
着後の引き離し時にクラック部分が分離し、周囲の半導
体素子の表面に落下しダストなる。このダストは一般に
角部が鋭利になっているので、半導体素子の表面を傷つ
けたり、突き刺さって除去が困難になる。特に、光学的
特性が機能に大きく影響するようなCCDや紫外線消去
型メモリのような半導体素子では、ダストの付着は重大
な支障となり、歩留りが著しく低下する。さらに、半導
体装置の高集積化に伴い、画素サイズあるいはメモリー
サイズを5ミクロンメータ以下に設定された素子もあ
る。また、4MDRAMや16MDRAM等のように光
学的な特性を要求されない半導体素子においても半導体
素子自身やパッシベーション膜がダストによって傷付け
られこともあった。この様なダスト対策として、たとえ
ば特開平2−43767号公報には半導体素子表面をピ
ーリング性の保護膜で被覆し所定の工程終了後に保護膜
を剥離し、ダストによる半導体素子不良を防止する技術
が知られている。しかしながら保護膜はダイシング工程
時、保護膜があったまま行うと半導体素子表面の保護膜
をはくりしてしまうために、ダイシングラインを除いて
形成しなけれならない難しさのほかに、半導体素子ごと
に剥離する繁雑な作業が必要となる。
【0004】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、半導体素子の移載時に生じるダストを他の半導体素
子に付着させることのない移載装置を提供することを目
的とする。 [発明の構成]
【0005】
【課題を解決するための手段と作用】半導体素子を吸着
する吸着ノズルと、この吸着ノズルを先端部に取付け所
定位置へ駆動されるアームと、このアームと同方向に延
在した支持体と、上記吸着ノズルの下方に位置して上記
支持体の先端部に支持された板体と、この板体に形成さ
れ上記吸着ノズルを通過させる通過孔と、上記板体の裏
面に上記通過孔を除いて設けられた粘着体とを備えたも
ので、移載時に引き離された半導体から生じ、引き離し
時に上方に向かったダストは粘着体で捕捉される。
【0006】
【実施例】以下、実施例を示す図面に基づいて本発明を
説明する。図1は本発明の一実施例で、X軸走行体
(1)、Y軸走行体(2) およびこのY軸走行体(2) に設け
られたZ軸走行体(3) を備えた3次元直交座標型ロボッ
ト(4) を有し、Z軸走行体(3)にはX軸方向に沿って第
1の支持アーム(5) が取り付けられている。この支持ア
ーム(5) の先端部にはノズル本体(6) が取り付けられて
いる。ノズル本体(6) にはZ軸方向に沿って昇降駆動さ
れる吸着ノズル(7) が設けられている。また、Z軸走行
体(3) には第1の支持アーム(5) の下方に位置するとと
もに、この第1の支持アーム(5) と同方向でかつほぼ同
寸に延在した第2の支持アーム(6) が取り付けられてい
る。第2の支持アーム(6) の先端部には2mm厚で5c
m四方程度の透明のガラス板(8) がほぼ水平に取り付け
られている。このガラス板(8) は吸着ノズル(7) を挿通
させ、半導体チップ(9) より若干大きめの通過孔(10)を
有し、ガラス板(8) ののほぼ中央に位置して開けられて
いる。さらにガラス板(8) の裏面には図2に示すように
通過孔(10)を除いて透明の粘着シート(11)が全面に貼着
されている。
【0007】一方、エキスパンドによって分割状態に整
列した半導体チップ(9) を貼着したマウントテープ(12)
はリング(13)に張設されていて、リング(13)の側部を把
持する把持体(14)、把持体(14)の脱着反転機構(15)、移
動機構(16)等によってエレベータ積載部(図示せず)か
らリング(13)とともにガラス板(8) の下方に設けられた
テーブル(図示せず)の所定位置に置かれるようになっ
ている。さらにマウントテープ(12)を間にして吸着ノズ
ル(7) と通過孔(10)とに対向してピンホルダー(17)が設
けられている。このピンホルダー(17)の内部には通過孔
(10)に対して昇降動する突上げピン(18)が設けられてい
る。
【0008】次に上記の構成について説明する。すなわ
ち、リング(13)が所定位置に設定された後マウント作業
が行なわれる。このマウント作業は半導体チップ(9) を
吸着してマウント部へ移動させるためのプログラムに従
って駆動される3次元直交座標型ロボット(4) によって
進められる。すなわち、図2に示すように吸着ノズル
(7) が所定の半導体チップ(9a)の上方に設定される。こ
の設定ではガラス板(8)の下面、すなわち粘着シート(1
1)と各半導体チップ(9) との間隔は、Z軸走行体(3) の
制御駆動で数mm程度にされている。吸着ノズル(7) は
所定の半導体チップ(9a)に向けて下降を開始するのと同
時に、突上げピン(18)が上昇し、マウントテープ(12)の
裏面より半導体チップ(9a)を突上げる。この突上げで半
導体チップ(9a)がマウントテープ(12)から離されるとき
に、半導体チップ(9a)の表面や周辺から生じたダスト(2
0)はこの半導体チップ(9a)の動きにつられて舞い上がっ
て粘着シート(11)にぶつかり捕捉される。突上げられた
半導体チップ(9a)は吸着ノズル(7) に吸着された後、吸
着前の位置に上昇し所定のマウント位置に移動されマウ
ント作業が行なわれる。
【0009】
【発明の効果】マウント時に生じたダストを粘着シート
で捕捉させるようにしたので、ダストの落下による半導
体チップの損傷か防止され、歩留まり向上に寄与するこ
とができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図2】図1の部分的な断面図である。
【符号の説明】
(5) …第1の支持アーム、(6) …第2の支持アーム、
(7) …吸着ノズル、(8)…ガラス板、(10)…通過孔、(1
1)…粘着シート。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子を吸着する吸着ノズルと、こ
    の吸着ノズルを先端部に取付け所定位置へ駆動されるア
    ームと、このアームと同方向に延在した支持体と、上記
    吸着ノズルの下方に位置して上記支持体の先端部に支持
    された板体と、この板体に形成され上記吸着ノズルを通
    過させる通過孔と、上記板体の裏面に上記通過孔を除い
    て設けられた粘着体とを備えたことを特徴とする半導体
    素子移載装置。
JP33745591A 1991-12-20 1991-12-20 半導体素子移載装置 Pending JPH05175255A (ja)

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JP33745591A JPH05175255A (ja) 1991-12-20 1991-12-20 半導体素子移載装置

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JP33745591A JPH05175255A (ja) 1991-12-20 1991-12-20 半導体素子移載装置

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JPH05175255A true JPH05175255A (ja) 1993-07-13

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ID=18308801

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JP33745591A Pending JPH05175255A (ja) 1991-12-20 1991-12-20 半導体素子移載装置

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