JPH0831850A - ダイスボンダにおけるダイス吸着制御方法及びその構造 - Google Patents

ダイスボンダにおけるダイス吸着制御方法及びその構造

Info

Publication number
JPH0831850A
JPH0831850A JP19011094A JP19011094A JPH0831850A JP H0831850 A JPH0831850 A JP H0831850A JP 19011094 A JP19011094 A JP 19011094A JP 19011094 A JP19011094 A JP 19011094A JP H0831850 A JPH0831850 A JP H0831850A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die
collet
suction
vacuum
air blow
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19011094A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Aragaki
健 新垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd, Miyazaki Oki Electric Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP19011094A priority Critical patent/JPH0831850A/ja
Publication of JPH0831850A publication Critical patent/JPH0831850A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 異物付着による電極の短絡やダイス表面の汚
染を低減させることができるダイスボンダにおけるダイ
ス吸着制御方法及びその構造を提供する。 【構成】 スクラブ等の一連のボンディング動作を終了
した後、コレットをダイスから所定の高さh1まで上昇
させて一時停止させ、コレット内部のノズルよりバキュ
ーム吸引又はエアブロウのどちらかを行い、ダイス表面
の異物を除去する。また、ダイス吸着構造では、吸着用
のバキュームノズルとエアブロウノズルとを独立させて
コレット内部に設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置(ダイ
スボンダ)における半導体チップ(ダイス)の吸着方法
及びその構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ダイスボンダには、ダイスを移送するた
めの吸着機構が備えられる。図6は従来の吸着機構を表
す構成概略図、図7は図6のイ部断面詳細図である。コ
レットホルダ1の先端にはダイス吸着ツール(コレッ
ト)3が保持され、コレット3は先端面に形成された吸
着部5(図7参照)でダイス7を吸着保持する。コレッ
トホルダ1の後端には吸着部5内のバキュームノズル9
と連通するシリコン等のチューブ11が接続され、チュ
ーブ11はT形継手13を介してバキューム電磁弁15
及びエアブロウ電磁弁17と接続されている。
【0003】図8は従来の吸着機構の動作概要を表す説
明図である。コレット3は、ウエハ上或いは、位置修正
ステージ上で位置決めされたダイス7を吸着する
(A)。ボンディング点上に移動した後コレット3を降
下させ、予め銀ペースト等の接着剤19が塗布されたリ
ードフレーム21上にダイス7を降ろす。なお、ダイス
7を吸着してからこの間、バキューム電磁弁15はON
し続ける(B)。次いで、バキューム電磁弁15をOF
Fするとともに、コレット3をX、Y方向にスクラブさ
せ、接着剤19を適切な面積に塗り広げる(C)。その
後、コレット3は上昇し、ボンディング点から退避する
が、その途中でコレット3のキャビティ内をクリーニン
グするためエアブロウ電磁弁17をONし、エアブロウ
を行い(D)、吸着動作の1サイクルが終了する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
吸着動作では、コレット3がダイスエッジ部に接触した
際、配線材屑やシリコン屑を発生させる虞れがあるとと
もに、図9〜図11に示すように、配線材料23がスク
ライブライン(ダイスエッジ部)25に残存する構造の
ダイス7ではダイスエッジ部25に残存した配線材料2
3aを剥離させ、更にはダイス表面へ付着させることに
よって、電極(パッド)27a、27b間を短絡させる
虞れがあった。また、配線材料23bは電極上に飛散し
てはいないものの、ダイスエッジ部25にヒゲ状に付着
し、電気的に不安定な状態を形成する。更に、ダイス7
周辺に塗布された銀ペースト等の接着剤19は(図11
参照)、その量が多い場合、一部が飛散してダイス表面
を汚染する虞れがあった。本発明は上記状況に鑑みてな
されたもので、異物付着による電極の短絡やダイス表面
の汚染を低減させることができるダイスボンダにおける
ダイス吸着制御方法及びその構造を提供し、ダイス品質
の向上を図ることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係るダイスボンダにおけるダイス吸着制御方
法は、吸着部を有するコレットを用いてダイスの表面部
及びエッジ部を吸着して基板にボンディングするダイス
ボンダにおけるダイス吸着制御方法において、コレット
がダイスを搬送し、スクラブ等の一連のボンディング動
作を終了した後、コレットをダイスから所定の高さまで
上昇させて一時停止させ、コレット内部のノズルよりバ
キューム吸引又はエアブロウのどちらかを行い、ダイス
表面の異物を除去することを特徴とするものである。ダ
イス吸着構造は、コレットを備えたダイス吸着構造にお
いて、吸着用のバキュームノズルとエアブロウノズルと
を独立させてコレット内部に設けたことを特徴とするも
のである。
【0006】
【作用】本発明のダイス吸着制御方法では、スクラブ動
作が完了した後、コレットが所定の高さだけ上昇して停
止され、コレット内部のノズルよりバキューム吸引又は
エアブロウのどちらかが行われ、コレットとダイスエッ
ジの隙間から空気が吸入又は吹き出され、ダイス表面及
び、ダイスエッジに付着・剥離した配線材屑或いは、シ
リコン屑が吸引又は飛散により除去される。本発明のダ
イス吸着構造では、コレットにバキューム及びエアブロ
ウを供給する場合、2系統の配管をコレット内部で共用
する必要がなくなり、吸入した配線材料屑やシリコン屑
等の異物がエアブロウの際に再度放出されなくなる。
【0007】
【実施例】以下、本発明に係るダイスボンダにおけるダ
イス吸着制御方法及びその構造の好適な実施例を図面を
参照して詳細に説明する。図1は第1実施例に係る本発
明ダイス吸着制御方法のコレット上下動作及び、バキュ
ーム電磁弁動作、スクラブ動作のタイミングチャートで
ある。また、図6に示した部材と同一の部材には同一の
符号を付し、重複する説明は省略する。タイミングチャ
ート中に記載されたポイントで、t1はコレット降下速
度の変速点(減速)、t2はコレットの最下点到達時
刻、t3はバキューム電磁弁15(図6参照)のOF
F、t4はスクラブ開始時刻、t5はコレット3(図6
参照)の1段目上昇開始時刻、t6はバキューム電磁弁
15のON、t7はバキューム電磁弁15のOFF、t
9はコレット3の2段目上昇開始時刻を表すものであ
る。また、符号h1はコレット3の1段目上昇高さを表
す。なお、本実施例の吸着制御方法を実施するための部
品配置、接続等は従来構成と同等のものである。
【0008】次に、上述の第1実施例に係る本吸着方法
の動作を説明する。図に示すように、ダイスを吸着した
コレット3はt1にかけて高速で下降してくるが、t1
において低速に変速され、t2にて最下点に達する。こ
の間、t3迄はバキューム電磁弁15はONのままであ
るが、t3にてOFFになる。更に、t4にてコレット
3のスクラブ動作が開始し、ペーストが均一に塗り広げ
られる。スクラブ動作が完了した後、コレット3はt5
にてh1だけ上昇して停止する。即ち、コレット3とダ
イスエッジの隙間は、h1の間隔で保持されることにな
るのである。これに続いて、t6にてバキューム電磁弁
15がONし、バキューム電磁弁15をOFFさせるt
7までの時間、コレット3とダイスエッジの隙間h1か
ら周囲の空気が吸入される。これにより、ダイス表面及
び、ダイスエッジに付着・剥離した配線材屑或いは、シ
リコン屑が吸引・除去されることになる。そして、最後
に、t9にてコレット3が上昇を開始してボンディング
動作が終了する。
【0009】上述の第1実施例に係るダイス吸着制御方
法によれば、コレット3がダイスエッジに接触すること
により発生した配線材屑やシリコン屑がコレット3とダ
イスエッジの隙間h1から吸入する空気流により除去で
きるので、ダイス周辺の雰囲気(清浄度)を損なうこと
なく、半導体チップ表面の電極の短絡や、異物の付着に
よる汚染を著しく低減することができる。
【0010】なお、本実施例では、t6にてバキューム
電磁弁15が動作する場合を例に説明したが、図11に
示すように、ダイス7の周辺には銀ペースト等の接着剤
19が塗布されているので、ペーストの量が多すぎる場
合にはダイス側面のペーストを吸入し、結果的にダイス
表面を汚染することが懸念される。従って、このような
場合にはt6のバキュームに代えて、エアブロウを実施
した方が効果的な場合もあるが、当然、エアブロウのみ
を実施した場合には、本実施例の効果であるダイス周辺
の清浄性が若干低下することになる。
【0011】次に、第2実施例に係る本発明ダイス吸着
制御方法を説明する。図2は第2実施例に係るダイス吸
着制御方法のコレット上下動作及び、バキューム電磁弁
動作、スクラブ動作のタイミングチャートである。タイ
ミングチャート中に記載されたポイントで、t1はコレ
ット降下速度の変速点(減速)、t2はコレットの最下
点到達時刻、t3はバキューム電磁弁15(図6参照)
のOFF、t4はスクラブ開始時刻、t5はコレット3
(図6参照)の1段目上昇開始時刻、t6はバキューム
電磁弁15のON、t7はバキューム電磁弁15のOF
F及び、エアブロウ電磁弁17(図6参照)のON、t
8はエアブロウ電磁弁17のOFF、t9はコレット3
の2段目上昇開始時刻を表すものであり、また、符号h
1はコレット3の1段目上昇高さを表す。なお、本実施
例の吸着制御方法を実施するための部品配置、接続等は
従来構成と同等のものである。
【0012】上述の第2実施例に係る本吸着方法の動作
を説明する。第2実施例の本吸着方法では、t1〜t6
までの動作が第1実施例で示した吸着制御動作と同様で
あり、t7以後の動作が異なるものとなる。即ち、t7
ではエアブロウ電磁弁17がONになり、コレット3内
部から高速のエアーがダイス表面に吹き付けられ、バキ
ューム電磁弁15の動作時におけるバキュームで除去出
来なかった異物が隙間h1を通してダイス表面から除去
されることになる。
【0013】上述の第2実施例に係るダイス吸着制御方
法によれば、コレット3がダイスエッジに接触すること
により発生した配線材屑やシリコン屑のうち、比較的低
い強度で付着しているものについては、ダイス周辺の雰
囲気(清浄度)を損なうことなく、コレット3とダイス
エッジの隙間h1から吸入される空気流で吸引すること
ができる一方、比較的強い強度で付着しているものにつ
いては、コレット3内部から吹き出される噴流により除
去することができる。この際の雰囲気の劣化は、異物が
予め吸引の過程で除去されているので、単独にエアブロ
ウを施した場合に比べ、はるかに軽微なものとなる。
【0014】また、上述の第1実施例と第2実施例を比
較した場合、バキューム吸引のみで除去可能な異物の付
着であれば、雰囲気の劣化が無い点で第1実施例が望ま
しく、比較的強固な異物の付着であれば、単独のエアブ
ロウよりも雰囲気の劣化を軽微にできる点で第2実施例
が望ましい。なお、第2実施例では、バキューム吸引と
エアブロウの組合せが1回である場合を例に説明した
が、バキューム吸引とエアブロウは任意の順序で複数回
行われるものであっても勿論良い。この場合、例えば、
バキューム吸引とエアブロウを行った後(第2実施例の
場合)、更に、バキューム吸引を行えば、直前動作によ
るエアブロウで飛散された残存異物の更なる吸引除去も
期待できる。
【0015】次に、第3実施例に係るダイス吸着構造を
説明する。図3は第3実施例に係る本発明ダイス吸着構
造におけるコレット取付部の要部断面図、図4はコレッ
ト吸着面の平面図、図5は本発明ダイス吸着構造におけ
る配管図である。筒状のコレットホルダ31の中心には
バキューム路33が形成され、バキューム路33の一端
はバキューム電磁弁35(図5参照)が設けられたバキ
ューム配管37に接続されている。バキューム路33の
他端にはコレット39の後面に突設された軸41が保持
され、軸41はバキューム路33とコレット39の前面
に開口するバキュームノズル43を連通させる連通路4
5を有している。コレット39のバキュームノズル43
の周囲には複数のエアブロウノズル47が開口され、エ
アブロウノズル47はコレットホルダ31先端のエア供
給溝49に連通されている。エア供給溝49にはエアブ
ロウ電磁弁51が設けられたエア配管53が接続されて
いる。つまり、本実施例に係るダイス吸着構造55で
は、バキューム用とエアブロウ用の2系統の配管が、コ
レットホルダ31、コレット39の内部で完全に独立し
ているのである。
【0016】前述した第2実施例において、コレットに
バキューム及びエアブロウを供給する場合、2系統の配
管がコレット内部で共用されていると、吸入した配線材
料屑やシリコン屑等の異物をエアブロウの際に再度放出
することが予想される。本実施例では、バキューム用と
エアブロウ用の2系統の配管を完全に独立させたので、
既に吸入した異物を放出せず、雰囲気を劣化させないと
同時にダイス表面を汚染しない。また、エアブロウノズ
ル47がダイス中央1箇所ではなく、ダイスの外側に分
散されているので(図4参照)、エアーが直接的にダイ
ス表面に吹き付けられ、高いブロウ効果が期待できる。
【0017】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
るダイスボンダにおけるダイス吸着制御方法によれば、
スクラブ動作が完了した後、コレットを所定の高さで停
止させ、コレット内部のノズルよりバキューム吸引又は
エアブロウを行うようにしたので、ダイス表面及び、ダ
イスエッジに付着・剥離した配線材屑等を確実に除去す
ることができる。そして、特に、バキューム吸引が行わ
れる場合では、ダイス周辺の雰囲気(清浄度)を損なう
ことなく、ダイス表面の汚染を低減することができる。
ダイス吸着構造によれば、吸着用のバキュームノズルと
エアブロウノズルとを独立させてコレット内部に設けた
ので、吸入した配線材料屑やシリコン屑等の異物がエア
ブロウの際に再度放出されることがなく、雰囲気を劣化
させることがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例に係る本発明ダイス吸着制御方法の
コレット上下動作及び、バキューム電磁弁動作、スクラ
ブ動作のタイミングチャートである。
【図2】第2実施例に係るダイス吸着制御方法のコレッ
ト上下動作及び、バキューム電磁弁動作、スクラブ動作
のタイミングチャートである。
【図3】第3実施例に係る本発明ダイス吸着構造におけ
るコレット取付部の要部断面図である。
【図4】コレット吸着面の平面図である。
【図5】本発明ダイス吸着構造における配管図である。
【図6】従来の吸着機構を表す構成概略図である。
【図7】図6のイ部断面詳細図である。
【図8】従来の吸着機構の動作概要を表す説明図であ
る。
【図9】接着後のダイスの平面図である。
【図10】図9のロ部拡大図である。
【図11】接着後のダイスの側面図である。
【符号の説明】
7 ダイス 31 コレットホルダ 33 バキューム路 37 バキューム配管 39 コレット 43 バキュームノズル 47 エアブロウノズル 49 エア供給溝 53 エア配管 55 ダイス吸着構造 h1 所定の高さ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 吸着部を有するコレットを用いてダイス
    の表面部及びエッジ部を吸着して基板にボンディングす
    るダイスボンダにおけるダイス吸着制御方法において、 コレットがダイスを搬送し、スクラブ等の一連のボンデ
    ィング動作を終了した後、コレットをダイスから所定の
    高さまで上昇させて一時停止させ、コレット内部のノズ
    ルよりバキューム吸引又はエアブロウのどちらかを行
    い、ダイス表面の異物を除去することを特徴とするダイ
    スボンダにおけるダイス吸着制御方法。
  2. 【請求項2】 前記スクラブ等の一連のボンディング動
    作を終了した後、コレットをダイスから所定の高さまで
    上昇させて一時停止させ、コレット内部のノズルよりバ
    キューム吸引及びエアブロウを少なくとも1回行い、ダ
    イス表面の異物を除去することを特徴とする請求項1記
    載のダイスボンダにおけるダイス吸着制御方法。
  3. 【請求項3】 コレットを備えたダイス吸着構造におい
    て、 吸着用のバキュームノズルとエアブロウノズルとを独立
    させてコレット内部に設けたことを特徴とするダイス吸
    着構造。
  4. 【請求項4】 コレットを保持するコレットホルダが備
    えられたダイス吸着構造において、 コレットに設けられたバキュームノズルとエアブロウノ
    ズルのそれぞれに独立してバキューム配管とエア配管を
    接続するバキューム路及びエア供給溝をコレットホルダ
    に設けたことを特徴とするダイス吸着構造。
JP19011094A 1994-07-19 1994-07-19 ダイスボンダにおけるダイス吸着制御方法及びその構造 Pending JPH0831850A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19011094A JPH0831850A (ja) 1994-07-19 1994-07-19 ダイスボンダにおけるダイス吸着制御方法及びその構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19011094A JPH0831850A (ja) 1994-07-19 1994-07-19 ダイスボンダにおけるダイス吸着制御方法及びその構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0831850A true JPH0831850A (ja) 1996-02-02

Family

ID=16252550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19011094A Pending JPH0831850A (ja) 1994-07-19 1994-07-19 ダイスボンダにおけるダイス吸着制御方法及びその構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0831850A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007305817A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Nidec Tosok Corp ボンディング方法及びボンディング装置
CN113327882A (zh) * 2021-05-21 2021-08-31 通富微电子股份有限公司 一种半导体器件封装用吸嘴及封装系统、封装方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007305817A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Nidec Tosok Corp ボンディング方法及びボンディング装置
CN113327882A (zh) * 2021-05-21 2021-08-31 通富微电子股份有限公司 一种半导体器件封装用吸嘴及封装系统、封装方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100506109B1 (ko) 접착성 테이프의 박리 기구, 접착성 테이프의 박리 장치,접착성 테이프의 박리 방법, 반도체 칩의 픽업 장치,반도체 칩의 픽업 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및반도체 장치의 제조 장치
JP4818187B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TWI676226B (zh) 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法
JPH10305263A (ja) 電子部品実装機用吸着ノズル洗浄装置
JPH0831850A (ja) ダイスボンダにおけるダイス吸着制御方法及びその構造
JP2011181951A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2002043361A (ja) シングルポイントボンディング装置
JP2839673B2 (ja) ボンディングツールのクリーニング方法およびクリーニング装置
JPH06302630A (ja) ダイボンディング方法及び装置
TW201001566A (en) Jig and method for picking up a die
KR100813214B1 (ko) 다이싱테이프 부착장치용 크리닝장치
JP3003630B2 (ja) コレット装置及びチップ取扱方法
US20020100558A1 (en) Inner lead bonding apparatus
KR100605313B1 (ko) 반도체 디바이스 제조용 다이 본딩 설비
JPH01286434A (ja) 半導体装置の製造方法
WO2024089907A1 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
KR200189973Y1 (ko) 다이클리닝 장치
JPH05175255A (ja) 半導体素子移載装置
JPH0314258A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0492450A (ja) チップ状部品のピックアップ方法及びその装置
JP2000323504A (ja) 半導体チップ吸着用コレット
JPS6387728A (ja) ダイボンデイング装置
JPH08115931A (ja) ペレットボンディング装置
JPH02215505A (ja) ダイシング装置
JPH09102478A (ja) 半田ボールの被搭載面のクリーニング方法、クリーニング機構及び半田ボール搭載装置