JPH05169709A - 感熱記録装置 - Google Patents
感熱記録装置Info
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- JPH05169709A JPH05169709A JP34299491A JP34299491A JPH05169709A JP H05169709 A JPH05169709 A JP H05169709A JP 34299491 A JP34299491 A JP 34299491A JP 34299491 A JP34299491 A JP 34299491A JP H05169709 A JPH05169709 A JP H05169709A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 サ−マルヘッドに蓄積された熱の影響を受け
ずに均一な濃度の画像を得ることができ、画質の安定化
を図ることができるとともに、大規模な電子回路等を必
要とせず省資源化を図ることのできる感熱記録装置を提
供する。 【構成】 印画する画像信号は、M個のラインバッファ
10および画像メモリ14へ送られ、画像データとして
記憶される。ラインバッファ10に記憶された画像デー
タは、周辺画素デ−タ演算部11へ印画履歴として送ら
れる。周辺画素デ−タ演算部11は、画像データから、
印画画素の周辺画素デ−タの印画階調の代表値Xを演算
する。この代表値Xと、ラインカウンタ13によって表
された副走査方向位置と、色情報とに基づいてROM1
2の蓄熱制御デ−タテ−ブルから該当するバイアスエネ
ルギ−段階iが選択され、画像メモリ14に出力され
て、蓄熱制御デ−タとして画像デ−タとともに記憶され
る。
ずに均一な濃度の画像を得ることができ、画質の安定化
を図ることができるとともに、大規模な電子回路等を必
要とせず省資源化を図ることのできる感熱記録装置を提
供する。 【構成】 印画する画像信号は、M個のラインバッファ
10および画像メモリ14へ送られ、画像データとして
記憶される。ラインバッファ10に記憶された画像デー
タは、周辺画素デ−タ演算部11へ印画履歴として送ら
れる。周辺画素デ−タ演算部11は、画像データから、
印画画素の周辺画素デ−タの印画階調の代表値Xを演算
する。この代表値Xと、ラインカウンタ13によって表
された副走査方向位置と、色情報とに基づいてROM1
2の蓄熱制御デ−タテ−ブルから該当するバイアスエネ
ルギ−段階iが選択され、画像メモリ14に出力され
て、蓄熱制御デ−タとして画像デ−タとともに記憶され
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、サ−マルヘッドを用い
て記録を行う感熱記録装置に関する。
て記録を行う感熱記録装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、サ−マルヘッドを用いて記録を
行う感熱記録装置では、印画を続けるに従い自己発熱に
より発熱抵抗体の温度上昇が発生し、一律な記録エネル
ギ−を賦与しても徐々に印画記録濃度が上昇してくる。
このため、安定した画質の画像を得るためには、この温
度上昇に応じて記録エネルギ−を制御することが必要に
なる。
行う感熱記録装置では、印画を続けるに従い自己発熱に
より発熱抵抗体の温度上昇が発生し、一律な記録エネル
ギ−を賦与しても徐々に印画記録濃度が上昇してくる。
このため、安定した画質の画像を得るためには、この温
度上昇に応じて記録エネルギ−を制御することが必要に
なる。
【0003】そこで、従来から、サ−マルヘッドに温度
検出素子を設けサ−マルヘッド全体の温度から印画パル
ス幅や通電電流を制御する感熱記録装置や、サ−マルヘ
ッドの各印画ドット毎に過去の印画履歴を演算する回路
を有し、画素単位で印画パルス幅や電流値を制御する感
熱記録装置等が提案されている。
検出素子を設けサ−マルヘッド全体の温度から印画パル
ス幅や通電電流を制御する感熱記録装置や、サ−マルヘ
ッドの各印画ドット毎に過去の印画履歴を演算する回路
を有し、画素単位で印画パルス幅や電流値を制御する感
熱記録装置等が提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の感熱記録装置のうち、温度検出素子によりサ−
マルヘッドの温度を検出して記録エネルギ−を制御する
感熱記録装置では、比較的低速の印画では効果をあげる
ことができても、発熱抵抗体の温度が温度検出素子が取
付けられている基板の温度に反映されるまでに時間的な
遅れがあるため、応答速度に限界があり、高速印画にな
るとかなり以前の発熱状態の温度補正をすることとな
り、高速印画の感熱記録装置に対しては適さないという
問題と、温度検出素子はサ−マルヘッドの基板の全体的
な温度を検出するにすぎないので、局部的な温度変動を
補償することができないという問題がある。
た従来の感熱記録装置のうち、温度検出素子によりサ−
マルヘッドの温度を検出して記録エネルギ−を制御する
感熱記録装置では、比較的低速の印画では効果をあげる
ことができても、発熱抵抗体の温度が温度検出素子が取
付けられている基板の温度に反映されるまでに時間的な
遅れがあるため、応答速度に限界があり、高速印画にな
るとかなり以前の発熱状態の温度補正をすることとな
り、高速印画の感熱記録装置に対しては適さないという
問題と、温度検出素子はサ−マルヘッドの基板の全体的
な温度を検出するにすぎないので、局部的な温度変動を
補償することができないという問題がある。
【0005】また、各印画ドット毎に過去の印画履歴を
演算し、画素単位で印画パルス幅や電流値を制御する感
熱記録装置では、局部的な温度変動を補償するのことが
できるが、この場合でも同一画素単体の熱履歴について
考慮するのみで、周辺画素の熱履歴についてはいっさい
考慮されておらず、周辺画素の熱の影響を受けるという
問題と、1 ラインの画素数が増えると熱履歴デ−タの演
算および記憶のための電子回路の規模が非常に大きくな
り、装置の製造コストの増大を招くという問題がある。
演算し、画素単位で印画パルス幅や電流値を制御する感
熱記録装置では、局部的な温度変動を補償するのことが
できるが、この場合でも同一画素単体の熱履歴について
考慮するのみで、周辺画素の熱履歴についてはいっさい
考慮されておらず、周辺画素の熱の影響を受けるという
問題と、1 ラインの画素数が増えると熱履歴デ−タの演
算および記憶のための電子回路の規模が非常に大きくな
り、装置の製造コストの増大を招くという問題がある。
【0006】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、サ−マルヘッドに蓄積された熱の影響を
受けずに均一な濃度の画像を得ることができ、画質の安
定化を図ることができるとともに、大規模な電子回路等
を必要とせず省資源化を図ることのできる感熱記録装置
を提供しようとするものである。
されたもので、サ−マルヘッドに蓄積された熱の影響を
受けずに均一な濃度の画像を得ることができ、画質の安
定化を図ることができるとともに、大規模な電子回路等
を必要とせず省資源化を図ることのできる感熱記録装置
を提供しようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明の感熱記
録装置は、複数個の発熱抵抗体を配列したサ−マルヘッ
ドを有し、前記発熱抵抗体列に直行する副走査方向に、
前記サ−マルヘッドと記録紙とを相対的に移動させつつ
記録を行う感熱記録装置において、これから印画を行う
印画箇所について、前記記録紙上の前記副走査方向の位
置を検出する手段と、既に印画の終了した画素デ−タの
うち、これから印画を行う印画箇所に対応する前記発熱
抵抗体および近傍の前記発熱抵抗体についての所定範囲
の画素デ−タを選択し、各々の画素デ−タから印画階調
に関する周辺画素デ−タ情報を算出する手段と、前記周
辺画素デ−タ情報及び前記副走査方向位置に応じて、前
記記録箇所への記録エネルギ−供給量を制御し、過去の
印画による蓄熱の影響を軽減する手段とを具備したこと
を特徴とする。
録装置は、複数個の発熱抵抗体を配列したサ−マルヘッ
ドを有し、前記発熱抵抗体列に直行する副走査方向に、
前記サ−マルヘッドと記録紙とを相対的に移動させつつ
記録を行う感熱記録装置において、これから印画を行う
印画箇所について、前記記録紙上の前記副走査方向の位
置を検出する手段と、既に印画の終了した画素デ−タの
うち、これから印画を行う印画箇所に対応する前記発熱
抵抗体および近傍の前記発熱抵抗体についての所定範囲
の画素デ−タを選択し、各々の画素デ−タから印画階調
に関する周辺画素デ−タ情報を算出する手段と、前記周
辺画素デ−タ情報及び前記副走査方向位置に応じて、前
記記録箇所への記録エネルギ−供給量を制御し、過去の
印画による蓄熱の影響を軽減する手段とを具備したこと
を特徴とする。
【0008】
【作用】上記構成の本発明の感熱記録装置では、各印画
画素毎の熱履歴を演算するパラメ−タとして、副走査方
向の印画位置情報を用いる。
画素毎の熱履歴を演算するパラメ−タとして、副走査方
向の印画位置情報を用いる。
【0009】すなわち、特定の画素について一定の記録
エネルギ−を与えて印画を行うと、副走査方向に関して
徐々に記録濃度が上がってくるが、この記録濃度の上昇
の傾向は常に一定であるので、元の記録エネルギ−に対
して減衰係数を乗ずることによって記録濃度を一定に保
つことができる。
エネルギ−を与えて印画を行うと、副走査方向に関して
徐々に記録濃度が上がってくるが、この記録濃度の上昇
の傾向は常に一定であるので、元の記録エネルギ−に対
して減衰係数を乗ずることによって記録濃度を一定に保
つことができる。
【0010】この減衰係数は、副走査方向の印画位置の
関数であるので、副走査方向の印画位置情報から記録エ
ネルギ−の制御パラメ−タを求めることができる。した
がって、印画階調毎に、減衰係数を予め設定しておくこ
とにより、既に印画の終了した画素デ−タのうちの幾つ
かから求めた周辺画素デ−タ情報と、副走査方向の印画
位置とから、印画画素毎に蓄積された熱の影響を軽減し
た適切な記録エネルギ−供給量を選択することができ
る。
関数であるので、副走査方向の印画位置情報から記録エ
ネルギ−の制御パラメ−タを求めることができる。した
がって、印画階調毎に、減衰係数を予め設定しておくこ
とにより、既に印画の終了した画素デ−タのうちの幾つ
かから求めた周辺画素デ−タ情報と、副走査方向の印画
位置とから、印画画素毎に蓄積された熱の影響を軽減し
た適切な記録エネルギ−供給量を選択することができ
る。
【0011】これにより、サ−マルヘッドに蓄積された
熱の影響を受けずに均一な濃度の画像を得ることがで
き、画質の安定化を図ることができるとともに、大規模
な電子回路等を必要とせず省資源化を図ることができ
る。
熱の影響を受けずに均一な濃度の画像を得ることがで
き、画質の安定化を図ることができるとともに、大規模
な電子回路等を必要とせず省資源化を図ることができ
る。
【0012】
【実施例】以下、本発明の感熱記録装置の詳細を、図面
を参照して一実施例について説明する。
を参照して一実施例について説明する。
【0013】図1は、本発明の一実施例の感熱記録装置
の要部(蓄熱制御デ−タの設定部)の構成を示すもの
で、図において10はM個のラインバッファ、11は周
辺画素データ演算部、12は蓄熱制御データテーブルを
収容するROM、13はラインカウンタ、14は画像メ
モリ(RAM)である。
の要部(蓄熱制御デ−タの設定部)の構成を示すもの
で、図において10はM個のラインバッファ、11は周
辺画素データ演算部、12は蓄熱制御データテーブルを
収容するROM、13はラインカウンタ、14は画像メ
モリ(RAM)である。
【0014】まず、ROM12に収容された蓄熱制御デ
−タテ−ブルについて説明する。図2のグラフは、感熱
記録装置の記録紙とカラ−インクリボンの特性によって
決まる記録エネルギ−対記録濃度の特性の一例を表した
ものである。このグラフに示されるように、カラ−イン
クリボンには、発色を始める一定の記録エネルギ−ポイ
ント(B0 点)がある。このエネルギ−をバイアスエネ
ルギ−とする。このエネルギ−は画像が発色するのに最
低限必要なエネルギ−であり、サ−マルヘッドの蓄熱状
態等によって変動するものである。本実施例では、この
部分のバイアスエネルギ−をI段階に分け、蓄熱状態に
依って設定されたデ−タiによりi段階のパルス幅制御
を行うことにより、記録エネルギ−を制御する。この方
法により、階調制御とは独立して蓄熱現象の補正を行う
ことができる。
−タテ−ブルについて説明する。図2のグラフは、感熱
記録装置の記録紙とカラ−インクリボンの特性によって
決まる記録エネルギ−対記録濃度の特性の一例を表した
ものである。このグラフに示されるように、カラ−イン
クリボンには、発色を始める一定の記録エネルギ−ポイ
ント(B0 点)がある。このエネルギ−をバイアスエネ
ルギ−とする。このエネルギ−は画像が発色するのに最
低限必要なエネルギ−であり、サ−マルヘッドの蓄熱状
態等によって変動するものである。本実施例では、この
部分のバイアスエネルギ−をI段階に分け、蓄熱状態に
依って設定されたデ−タiによりi段階のパルス幅制御
を行うことにより、記録エネルギ−を制御する。この方
法により、階調制御とは独立して蓄熱現象の補正を行う
ことができる。
【0015】図3は、主走査方向に255 階調で均一階調
の画像を印画した場合の記録濃度分布を示すグラフであ
る。このグラフに示されるように、蓄熱現象に関して補
正を加えない場合は、副走査方向に関して印画が進むに
つれて徐々に記録濃度が高くなる。画質の安定化のため
には、この記録濃度分布を均一に保つことが必要であ
る。
の画像を印画した場合の記録濃度分布を示すグラフであ
る。このグラフに示されるように、蓄熱現象に関して補
正を加えない場合は、副走査方向に関して印画が進むに
つれて徐々に記録濃度が高くなる。画質の安定化のため
には、この記録濃度分布を均一に保つことが必要であ
る。
【0016】このためにパルス幅をどの様に減少させて
いけばよいかを係数で表したものが図4のグラフであ
る。基準印画開始位置におけるバイアスエネルギ−をB
0 とすると、副走査方向位置yにおける減衰係数RはR
y 、従って、yにおけるバイアスエネルギ−By は、 By =Ry *B0 (1)式 で表すことができる。
いけばよいかを係数で表したものが図4のグラフであ
る。基準印画開始位置におけるバイアスエネルギ−をB
0 とすると、副走査方向位置yにおける減衰係数RはR
y 、従って、yにおけるバイアスエネルギ−By は、 By =Ry *B0 (1)式 で表すことができる。
【0017】このように、全ての印画階調について、減
衰係数を求めておけば、副走査方向位置等から補正バイ
アスエネルギ−値を求めることができる。ROM12に
は、このようにして求めた補正バイアスエネルギ−値
が、副走査方向位置yと印画階調および色毎に蓄熱制御
デ−タテ−ブルとして収容されている。なお、印画階調
については、後述するように、印画画素の周辺画素デ−
タの印画階調を考慮した代表値Xが用いられ、この代表
値Xにて副走査方向位置yまで印画したものとして蓄熱
分を考慮したバイアスエネルギ−段階iを与えるように
なっている。
衰係数を求めておけば、副走査方向位置等から補正バイ
アスエネルギ−値を求めることができる。ROM12に
は、このようにして求めた補正バイアスエネルギ−値
が、副走査方向位置yと印画階調および色毎に蓄熱制御
デ−タテ−ブルとして収容されている。なお、印画階調
については、後述するように、印画画素の周辺画素デ−
タの印画階調を考慮した代表値Xが用いられ、この代表
値Xにて副走査方向位置yまで印画したものとして蓄熱
分を考慮したバイアスエネルギ−段階iを与えるように
なっている。
【0018】次に、図1の蓄熱制御デ−タの設定部の動
作について説明する。
作について説明する。
【0019】印画する画像信号は、M個のラインバッフ
ァ10および画像メモリ14へ送られ、画像データとし
て記憶される。そして、M個のラインバッファ10に記
憶された画像データは、周辺画素デ−タ演算部11へ印
画履歴として送られる。この際、印画開始からMライン
に満たない場合は印画履歴としてデ−タ’0’が送出さ
れる。
ァ10および画像メモリ14へ送られ、画像データとし
て記憶される。そして、M個のラインバッファ10に記
憶された画像データは、周辺画素デ−タ演算部11へ印
画履歴として送られる。この際、印画開始からMライン
に満たない場合は印画履歴としてデ−タ’0’が送出さ
れる。
【0020】周辺画素デ−タ演算部11は、上記画像デ
ータから、印画画素の周辺画素デ−タの印画階調の代表
値Xを演算する。すなわち、図5に示すように、既に印
画の終了した所定ライン数の画素デ−タのうち、これか
ら印画を行う印画箇所Aと同一の副走査位置(発熱抵抗
体位置)を中心として主走査方向に対称に等しい距離範
囲の画素デ−タ、例えば3 ×3 個の画素デ−タ(図中斜
線で示す)を選択し、各々の画素デ−タから、印画階調
の平均値を算出し代表値Xとする。本実施例では、この
周辺画素の印画階調の代表値Xにて副走査方向位置yま
で印画したものとして蓄熱分を考慮したバイアスエネル
ギ−段階iを選択する。
ータから、印画画素の周辺画素デ−タの印画階調の代表
値Xを演算する。すなわち、図5に示すように、既に印
画の終了した所定ライン数の画素デ−タのうち、これか
ら印画を行う印画箇所Aと同一の副走査位置(発熱抵抗
体位置)を中心として主走査方向に対称に等しい距離範
囲の画素デ−タ、例えば3 ×3 個の画素デ−タ(図中斜
線で示す)を選択し、各々の画素デ−タから、印画階調
の平均値を算出し代表値Xとする。本実施例では、この
周辺画素の印画階調の代表値Xにて副走査方向位置yま
で印画したものとして蓄熱分を考慮したバイアスエネル
ギ−段階iを選択する。
【0021】なお、この時、図6に示すように、これか
ら印画を行う印画箇所Aからの物理的および時間的な距
離に応じて、近い部位では大、遠い部位では小となるよ
うな重み付け(図中数字で示す)をして代表値Xを求め
てもよい。
ら印画を行う印画箇所Aからの物理的および時間的な距
離に応じて、近い部位では大、遠い部位では小となるよ
うな重み付け(図中数字で示す)をして代表値Xを求め
てもよい。
【0022】このようにして算出した周辺画素デ−タの
印画階調の代表値Xを、ROM12の蓄熱制御デ−タテ
−ブルのアドレスの8 ビットとする。さらに、ラインカ
ウンタ13によって表された副走査方向位置の値yを7
ビットのアドレスとする。これに、色情報としてイエロ
−・マゼンタ・シアンの3 色を表す 2ビットを加え、合
計17ビットとしてROM12の蓄熱制御デ−タテ−ブル
のアドレスとする。
印画階調の代表値Xを、ROM12の蓄熱制御デ−タテ
−ブルのアドレスの8 ビットとする。さらに、ラインカ
ウンタ13によって表された副走査方向位置の値yを7
ビットのアドレスとする。これに、色情報としてイエロ
−・マゼンタ・シアンの3 色を表す 2ビットを加え、合
計17ビットとしてROM12の蓄熱制御デ−タテ−ブル
のアドレスとする。
【0023】そして、これらの情報に基づいてROM1
2の蓄熱制御デ−タテ−ブルから該当するバイアスエネ
ルギ−段階iが選択され、画像メモリ14に出力され
て、蓄熱制御デ−タとして画像デ−タとともに記憶され
る。これらの蓄熱制御デ−タおよび画像デ−タは画像メ
モリ14からヘッド駆動回路のパルス幅制御回路へ送ら
れる。
2の蓄熱制御デ−タテ−ブルから該当するバイアスエネ
ルギ−段階iが選択され、画像メモリ14に出力され
て、蓄熱制御デ−タとして画像デ−タとともに記憶され
る。これらの蓄熱制御デ−タおよび画像デ−タは画像メ
モリ14からヘッド駆動回路のパルス幅制御回路へ送ら
れる。
【0024】図7にヘッド駆動回路の構成を示す。画像
メモリ14に記憶された画像デ−タPおよび蓄熱制御デ
−タP’は、蓄熱制御デ−タP’、画像デ−タPの順に
1 画素毎に交互に(I+255 )回ずつ読み出され、コンパ
レ−タ15へ送られる。コンパレ−タ15へは、読み出
し回数を計数するカウンタ16から計数結果Qも送られ
るので、読み出した蓄熱制御デ−タP’および画像デ−
タPとQとを比較し、その結果(例えば、P>Qならば
1 、P≦Qならば0 )をサ−マルヘッド17へ送出す
る。
メモリ14に記憶された画像デ−タPおよび蓄熱制御デ
−タP’は、蓄熱制御デ−タP’、画像デ−タPの順に
1 画素毎に交互に(I+255 )回ずつ読み出され、コンパ
レ−タ15へ送られる。コンパレ−タ15へは、読み出
し回数を計数するカウンタ16から計数結果Qも送られ
るので、読み出した蓄熱制御デ−タP’および画像デ−
タPとQとを比較し、その結果(例えば、P>Qならば
1 、P≦Qならば0 )をサ−マルヘッド17へ送出す
る。
【0025】図8は、上述したようにして生成されたサ
−マルヘッド駆動信号を示すものである。図8(a)は
蓄熱0 の時の255 階調のサ−マルヘッド駆動信号を示す
もので、印画開始直後等は蓄熱の影響がないのでバイア
スエネルギ−も最大値のI段階として与えられる。これ
に対し印画位置が進むと図8(b)に示すように、バイ
アスエネルギ−をiI-1 以降をディスイネ−ブルとし、
蓄熱の影響を排除する。これとともに、濃度階調を例え
ばk3 に制御する場合は、k4 以降をディスイネ−ブル
とする。
−マルヘッド駆動信号を示すものである。図8(a)は
蓄熱0 の時の255 階調のサ−マルヘッド駆動信号を示す
もので、印画開始直後等は蓄熱の影響がないのでバイア
スエネルギ−も最大値のI段階として与えられる。これ
に対し印画位置が進むと図8(b)に示すように、バイ
アスエネルギ−をiI-1 以降をディスイネ−ブルとし、
蓄熱の影響を排除する。これとともに、濃度階調を例え
ばk3 に制御する場合は、k4 以降をディスイネ−ブル
とする。
【0026】このように、本実施例では、バイアスおよ
び階調パルス幅を独立に制御することができ、記録紙上
に蓄熱制御された印画を実現することができる。また、
サ−マルヘッドの蓄熱現象に対して、副走査方向の印画
位置という比較的容易に得られる情報と、例えば9 画素
分の周辺画素デ−タとから、印画画素の熱履歴を近似的
に求め、補正することにより、ハ−ドウェア量を抑えつ
つ、蓄熱現象を抑えた画像印画を実現することができ
る。
び階調パルス幅を独立に制御することができ、記録紙上
に蓄熱制御された印画を実現することができる。また、
サ−マルヘッドの蓄熱現象に対して、副走査方向の印画
位置という比較的容易に得られる情報と、例えば9 画素
分の周辺画素デ−タとから、印画画素の熱履歴を近似的
に求め、補正することにより、ハ−ドウェア量を抑えつ
つ、蓄熱現象を抑えた画像印画を実現することができ
る。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、サ
−マルヘッドに蓄積された熱の影響を受けずに均一な濃
度の画像を得ることができ、画質の安定化を図ることが
できるとともに、大規模な電子回路等を必要とせず省資
源化を図ることができる。
−マルヘッドに蓄積された熱の影響を受けずに均一な濃
度の画像を得ることができ、画質の安定化を図ることが
できるとともに、大規模な電子回路等を必要とせず省資
源化を図ることができる。
【図1】本発明の一実施例の感熱記録装置の要部構成を
示す図。
示す図。
【図2】記録濃度と記録エネルギーとの関係を示す図。
【図3】副走査方向位置と記録濃度との関係を示す図。
【図4】副走査方向位置と蓄熱補正減衰係数との関係を
示す図。
示す図。
【図5】周辺画素デ−タの算出方法を説明するための
図。
図。
【図6】重み付けをした周辺画素デ−タの算出方法を説
明するための図。
明するための図。
【図7】ヘッド駆動回路の構成を示す図。
【図8】サ−マルヘッド駆動信号を示す図。
10 ラインバッファ 11 周辺画素データ演算部 12 蓄熱制御データテーブルを収容するROM 13 ラインカウンタ 14 画像メモリ(RAM)
Claims (1)
- 【請求項1】 複数個の発熱抵抗体を配列したサ−マル
ヘッドを有し、前記発熱抵抗体列に直行する副走査方向
に、前記サ−マルヘッドと記録紙とを相対的に移動させ
つつ記録を行う感熱記録装置において、 これから印画を行う印画箇所について、前記記録紙上の
前記副走査方向の位置を検出する手段と、 既に印画の終了した画素デ−タのうち、これから印画を
行う印画箇所に対応する前記発熱抵抗体および近傍の前
記発熱抵抗体についての所定範囲の画素デ−タを選択
し、各々の画素デ−タから印画階調に関する周辺画素デ
−タ情報を算出する手段と、 前記周辺画素デ−タ情報及び前記副走査方向位置に応じ
て、前記記録箇所への記録エネルギ−供給量を制御し、
過去の印画による蓄熱の影響を軽減する手段とを具備し
たことを特徴とする感熱記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34299491A JP3202285B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 感熱記録装置及び感熱記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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