JPH05154704A - 人工ダイヤモンド被覆炭化タングステン基超硬合金製スローアウエイ切削チップ - Google Patents
人工ダイヤモンド被覆炭化タングステン基超硬合金製スローアウエイ切削チップInfo
- Publication number
- JPH05154704A JPH05154704A JP34802691A JP34802691A JPH05154704A JP H05154704 A JPH05154704 A JP H05154704A JP 34802691 A JP34802691 A JP 34802691A JP 34802691 A JP34802691 A JP 34802691A JP H05154704 A JPH05154704 A JP H05154704A
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- JP
- Japan
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- artificial diamond
- diamond film
- tungsten carbide
- rake face
- coated
- Prior art date
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- Withdrawn
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0254—Physical treatment to alter the texture of the surface, e.g. scratching or polishing
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 人工ダイヤモンド被覆ＷＣ基超硬合金製スロ
ーアウエイ切削チップにおける人工ダイヤモンド皮膜の
ＷＣ基超硬合金基体表面に対する密着性を向上させる。 【構成】 人工ダイヤモンド被覆ＷＣ基超硬合金製スロ
ーアウエイ切削チップが、切刃のすくい面、またはすく
い面と逃げ面に面積細分化溝を形成したＷＣ基超硬合金
基体の表面を、人工ダイヤモンド皮膜で被覆したものか
らなる。
ーアウエイ切削チップにおける人工ダイヤモンド皮膜の
ＷＣ基超硬合金基体表面に対する密着性を向上させる。 【構成】 人工ダイヤモンド被覆ＷＣ基超硬合金製スロ
ーアウエイ切削チップが、切刃のすくい面、またはすく
い面と逃げ面に面積細分化溝を形成したＷＣ基超硬合金
基体の表面を、人工ダイヤモンド皮膜で被覆したものか
らなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、人工ダイヤモンド皮
膜の炭化タングステン（以下ＷＣで示す）基超硬合金基
体に対する密着性にすぐれ、苛酷な条件での切削にも人
工ダイヤモンド皮膜の剥離が抑制されるようになる人工
ダイヤモンド被覆ＷＣ基超硬合金製スローアウエイ切削
チップに関するものである。
膜の炭化タングステン（以下ＷＣで示す）基超硬合金基
体に対する密着性にすぐれ、苛酷な条件での切削にも人
工ダイヤモンド皮膜の剥離が抑制されるようになる人工
ダイヤモンド被覆ＷＣ基超硬合金製スローアウエイ切削
チップに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば特開昭６３−５３２６９号
公報および特開平３−９４０６２号公報などに記載され
る通り、ＷＣ基超硬合金基体の表面を、例えば特開昭５
８−９１１００号公報に記載される熱電子放射法や特開
昭５８−１１０４９４号公報に記載されるマイクロ波
法、さらに特開昭５８−１３５１１７号公報に記載され
る高周波プラズマ法などの気相合成法を用いて形成した
平均層厚：１〜１５μｍの人工ダイヤモンド皮膜で被覆
してなる人工ダイヤモンド被覆ＷＣ基超硬合金製スロー
アウエイ切削チップ（以下、ダイヤモンド被覆超硬切削
チップという）が知られている。
公報および特開平３−９４０６２号公報などに記載され
る通り、ＷＣ基超硬合金基体の表面を、例えば特開昭５
８−９１１００号公報に記載される熱電子放射法や特開
昭５８−１１０４９４号公報に記載されるマイクロ波
法、さらに特開昭５８−１３５１１７号公報に記載され
る高周波プラズマ法などの気相合成法を用いて形成した
平均層厚：１〜１５μｍの人工ダイヤモンド皮膜で被覆
してなる人工ダイヤモンド被覆ＷＣ基超硬合金製スロー
アウエイ切削チップ（以下、ダイヤモンド被覆超硬切削
チップという）が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年の切削加工
に対する高速化および省力化の要求は厳しく、これに伴
ない、切削工具の使用条件も一段と苛酷さを増す傾向に
あるが、上記の従来ダイヤモンド被覆超硬切削チップに
おいては、ＷＣ基超硬合金基体に対する人工ダイヤモン
ド皮膜の密着性が十分でないために、特に苛酷な条件下
での切削では人工ダイヤモンド皮膜に剥離が発生し易
く、これらの要求に満足に対応することができないのが
現状である。
に対する高速化および省力化の要求は厳しく、これに伴
ない、切削工具の使用条件も一段と苛酷さを増す傾向に
あるが、上記の従来ダイヤモンド被覆超硬切削チップに
おいては、ＷＣ基超硬合金基体に対する人工ダイヤモン
ド皮膜の密着性が十分でないために、特に苛酷な条件下
での切削では人工ダイヤモンド皮膜に剥離が発生し易
く、これらの要求に満足に対応することができないのが
現状である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、ＷＣ基超硬合金基体に対する人
工ダイヤモンド皮膜の密着性の向上をはかるべく研究を
行なった結果、ＷＣ基超硬合金基体における切刃のすく
い面、あるいはすくい面と逃げ面に、細分化された小面
積相互が形成される人工ダイヤモンド皮膜に影響を及ぼ
さない寸法、望ましくは上縁幅：０．２〜２mm、深さ：
０．２〜２mmの寸法をもった面積細分化溝を形成した状
態で、これに通常の気相合成法を用いて、通常の平均層
厚である１〜１５μｍの人工ダイヤモンド皮膜を形成す
ると、形成された人工ダイヤモンド皮膜は前記切刃のす
くい面、あるいはすくい面と逃げ面における細分化され
た小面積個々に対する被覆となり、この場合人工ダイヤ
モンド皮膜の密着強度は被覆面積が小さくなればなるほ
ど向上するようになるという研究結果を得たのである。
上述のような観点から、ＷＣ基超硬合金基体に対する人
工ダイヤモンド皮膜の密着性の向上をはかるべく研究を
行なった結果、ＷＣ基超硬合金基体における切刃のすく
い面、あるいはすくい面と逃げ面に、細分化された小面
積相互が形成される人工ダイヤモンド皮膜に影響を及ぼ
さない寸法、望ましくは上縁幅：０．２〜２mm、深さ：
０．２〜２mmの寸法をもった面積細分化溝を形成した状
態で、これに通常の気相合成法を用いて、通常の平均層
厚である１〜１５μｍの人工ダイヤモンド皮膜を形成す
ると、形成された人工ダイヤモンド皮膜は前記切刃のす
くい面、あるいはすくい面と逃げ面における細分化され
た小面積個々に対する被覆となり、この場合人工ダイヤ
モンド皮膜の密着強度は被覆面積が小さくなればなるほ
ど向上するようになるという研究結果を得たのである。
【０００５】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、切刃のすくい面、またはすくい
面と逃げ面に面積細分化溝を形成したＷＣ基超硬合金基
体の表面を、人工ダイヤモンド皮膜で被覆してなるダイ
ヤモンド被覆超硬切削チップに特徴を有するものであ
る。
なされたものであって、切刃のすくい面、またはすくい
面と逃げ面に面積細分化溝を形成したＷＣ基超硬合金基
体の表面を、人工ダイヤモンド皮膜で被覆してなるダイ
ヤモンド被覆超硬切削チップに特徴を有するものであ
る。
【０００６】
【実施例】つぎに、この発明のダイヤモンド被覆超硬切
削チップを実施例により具体的に説明する。それぞれ表
１，２に示される組成、並びにＩＳＯのＳＰＧＮ１２０
３０８に相当する平面：１２．７mm×１２．７mm、厚
さ：３．２mmの寸法をもったＷＣ基超硬合金基体を用意
し、これら基体のすくい面、またはすくい面と逃げ面
に、図１，２に概略斜視図で示される形状、並びに表
１，２に示される寸法の面積細分化溝（菱形溝３、鉢巻
溝４、十字溝５）を形成し、ついで、これに温度：１３
８０℃、圧力：１００気圧、保持時間：６０分の条件で
Ｃｏ成分などの結合相を基体内部に拡散する熱処理（結
合相内部拡散熱処理）を施し、あるいは施さず、５％硝
酸を用いてエッチング処理を施して基体表面部の結合相
形成成分を除去した後、超音波洗浄機の純水の入ったビ
ーカーに、平均粒径：１０μｍのダイヤモンド粒と一緒
に入れて、表面傷つけ処理を行い、この状態で熱電子放
射法を用い、 反応ガス組成：Ｈ2 −１容量％ＣＨ4 、 反応雰囲気圧力：３０Torr、 基体表面温度：９００℃、 Ｗフィラメント温度：２３００℃、 の条件で同じく表１，２に示される平均層厚の人工ダイ
ヤモンド皮膜を基体表面に形成することにより本発明ダ
イヤモンド被覆超硬切削チップ（以下、本発明被覆チッ
プという）１〜８をそれぞれ製造した。
削チップを実施例により具体的に説明する。それぞれ表
１，２に示される組成、並びにＩＳＯのＳＰＧＮ１２０
３０８に相当する平面：１２．７mm×１２．７mm、厚
さ：３．２mmの寸法をもったＷＣ基超硬合金基体を用意
し、これら基体のすくい面、またはすくい面と逃げ面
に、図１，２に概略斜視図で示される形状、並びに表
１，２に示される寸法の面積細分化溝（菱形溝３、鉢巻
溝４、十字溝５）を形成し、ついで、これに温度：１３
８０℃、圧力：１００気圧、保持時間：６０分の条件で
Ｃｏ成分などの結合相を基体内部に拡散する熱処理（結
合相内部拡散熱処理）を施し、あるいは施さず、５％硝
酸を用いてエッチング処理を施して基体表面部の結合相
形成成分を除去した後、超音波洗浄機の純水の入ったビ
ーカーに、平均粒径：１０μｍのダイヤモンド粒と一緒
に入れて、表面傷つけ処理を行い、この状態で熱電子放
射法を用い、 反応ガス組成：Ｈ2 −１容量％ＣＨ4 、 反応雰囲気圧力：３０Torr、 基体表面温度：９００℃、 Ｗフィラメント温度：２３００℃、 の条件で同じく表１，２に示される平均層厚の人工ダイ
ヤモンド皮膜を基体表面に形成することにより本発明ダ
イヤモンド被覆超硬切削チップ（以下、本発明被覆チッ
プという）１〜８をそれぞれ製造した。
【０００７】
【表１】
【０００８】
【表２】
【０００９】また、比較の目的で表１，２に示される通
り上記ＷＣ基超硬合金基体のすくい面、またはすくい面
と逃げ面に面積細分化溝を形成しない以外は同一の条件
で従来ダイヤモンド被覆超硬切削チップ（以下、従来被
覆チップという）１〜８をそれぞれ製造した。
り上記ＷＣ基超硬合金基体のすくい面、またはすくい面
と逃げ面に面積細分化溝を形成しない以外は同一の条件
で従来ダイヤモンド被覆超硬切削チップ（以下、従来被
覆チップという）１〜８をそれぞれ製造した。
【００１０】つぎに、この結果得られた各種の被覆チッ
プについて、 被削材：Ａｌ−１８重量％Ｓｉ合金、 切削速度：３００ｍ／min.、 送り：０．１mm／rev.、 切込み：１mm、 の条件で湿式高速連続切削試験を行ない、人工ダイヤモ
ンド皮膜に剥離が発生するまでの切削時間を測定した。
これらの測定結果も表１，２に示した。
プについて、 被削材：Ａｌ−１８重量％Ｓｉ合金、 切削速度：３００ｍ／min.、 送り：０．１mm／rev.、 切込み：１mm、 の条件で湿式高速連続切削試験を行ない、人工ダイヤモ
ンド皮膜に剥離が発生するまでの切削時間を測定した。
これらの測定結果も表１，２に示した。
【００１１】
【発明の効果】表１，２に示される結果から、本発明被
覆チップ１〜８は、いずれも面積細分化溝の形成によっ
て人工ダイヤモンド皮膜のＷＣ基超硬合金基体表面に対
する密着性が面積細分化溝の形成がない従来被覆チップ
１〜８に比して一段とすぐれていることが明らかであ
る。上述のように、この発明の人工ダイヤモンド被覆Ｗ
Ｃ基超硬合金製スローアウエイ切削チップは、これを構
成する人工ダイヤモンド皮膜のＷＣ基超硬合金基体表面
に対する密着性が面積細分化溝の形成によって著しく向
上したものになっているので、これを高速切削や、高切
込みおよび高送りなどの重切削などの苛酷な条件で使用
しても長期に亘ってすぐれた切削性能を発揮するのであ
る。
覆チップ１〜８は、いずれも面積細分化溝の形成によっ
て人工ダイヤモンド皮膜のＷＣ基超硬合金基体表面に対
する密着性が面積細分化溝の形成がない従来被覆チップ
１〜８に比して一段とすぐれていることが明らかであ
る。上述のように、この発明の人工ダイヤモンド被覆Ｗ
Ｃ基超硬合金製スローアウエイ切削チップは、これを構
成する人工ダイヤモンド皮膜のＷＣ基超硬合金基体表面
に対する密着性が面積細分化溝の形成によって著しく向
上したものになっているので、これを高速切削や、高切
込みおよび高送りなどの重切削などの苛酷な条件で使用
しても長期に亘ってすぐれた切削性能を発揮するのであ
る。
【図１】この発明のＷＣ基超硬合金基体の実施例を示す
概略斜視図である。
概略斜視図である。
【図２】この発明のＷＣ基超硬合金基体の他の実施例を
示す概略斜視図である。
示す概略斜視図である。
１ すくい面 ２ 逃げ面 ３ 菱形溝 ４ 鉢巻溝 ５ 十字溝
Claims (3)
- 【請求項１】 切刃のすくい面に面積細分化溝を形成し
た炭化タングステン基超硬合金基体の表面を、人工ダイ
ヤモンド皮膜で被覆してなる人工ダイヤモンド被覆炭化
タングステン基超硬合金製スローアウエイ切削チップ。 - 【請求項２】 切刃のすくい面および逃げ面に面積細分
化溝を形成した炭化タングステン基超硬合金基体の表面
を、人工ダイヤモンド皮膜で被覆してなる人工ダイヤモ
ンド被覆炭化タングステン基超硬合金製スローアウエイ
切削チップ。 - 【請求項３】 上記面積細分化溝が、上縁幅：０．２〜
２mm、深さ：０．２〜２mmの寸法を有することを特徴と
する上記請求項１または２記載の人工ダイヤモンド被覆
炭化タングステン基超硬合金製スローアウエイ切削チッ
プ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34802691A JPH05154704A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 人工ダイヤモンド被覆炭化タングステン基超硬合金製スローアウエイ切削チップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34802691A JPH05154704A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 人工ダイヤモンド被覆炭化タングステン基超硬合金製スローアウエイ切削チップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05154704A true JPH05154704A (ja) | 1993-06-22 |
Family
ID=18394240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34802691A Withdrawn JPH05154704A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 人工ダイヤモンド被覆炭化タングステン基超硬合金製スローアウエイ切削チップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05154704A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5611649A (en) * | 1994-06-18 | 1997-03-18 | Camco Drilling Group Limited | Elements faced with superhard material |
| EP0787820A3 (en) * | 1996-01-11 | 2000-07-05 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Methods of preparing cutting tool substrates for coating with diamond and products resulting therefrom |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP34802691A patent/JPH05154704A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5611649A (en) * | 1994-06-18 | 1997-03-18 | Camco Drilling Group Limited | Elements faced with superhard material |
| EP0787820A3 (en) * | 1996-01-11 | 2000-07-05 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Methods of preparing cutting tool substrates for coating with diamond and products resulting therefrom |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |