JPH05253705A - ダイヤモンド切削工具およびその製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド切削工具およびその製造方法Info
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- JPH05253705A JPH05253705A JP4051823A JP5182392A JPH05253705A JP H05253705 A JPH05253705 A JP H05253705A JP 4051823 A JP4051823 A JP 4051823A JP 5182392 A JP5182392 A JP 5182392A JP H05253705 A JPH05253705 A JP H05253705A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23B—TURNING; BORING
- B23B27/00—Tools for turning or boring machines; Tools of a similar kind in general; Accessories therefor
- B23B27/14—Cutting tools of which the bits or tips or cutting inserts are of special material
- B23B27/18—Cutting tools of which the bits or tips or cutting inserts are of special material with cutting bits or tips or cutting inserts rigidly mounted, e.g. by brazing
- B23B27/20—Cutting tools of which the bits or tips or cutting inserts are of special material with cutting bits or tips or cutting inserts rigidly mounted, e.g. by brazing with diamond bits or cutting inserts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0254—Physical treatment to alter the texture of the surface, e.g. scratching or polishing
Abstract
(57)【要約】
【目的】 より耐磨耗性の優れたダイヤモンド切削工具
を提供する。 【構成】 気相合成されたダイヤモンド素材で刃先２を
構成するダイヤモンド切削工具において、刃先２のすく
い面５を構成する主要なダイヤモンド結晶面が（１１
１）面であることを特徴とするダイヤモンド切削工具。
を提供する。 【構成】 気相合成されたダイヤモンド素材で刃先２を
構成するダイヤモンド切削工具において、刃先２のすく
い面５を構成する主要なダイヤモンド結晶面が（１１
１）面であることを特徴とするダイヤモンド切削工具。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイヤモンド切削工具
に関し、特に気相合成により形成されるダイヤモンドを
刃先に用い、耐摩耗性、耐熱性および耐欠損性に優れた
切削工具ならびにその製造方法に関する。
に関し、特に気相合成により形成されるダイヤモンドを
刃先に用い、耐摩耗性、耐熱性および耐欠損性に優れた
切削工具ならびにその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドは硬度および熱伝導率が高
いため、難削材の切削加工用工具材料として特に有用で
ある。
いため、難削材の切削加工用工具材料として特に有用で
ある。
【０００３】工具材料として使用されるダイヤモンド
は、単結晶のものと多結晶のものに分けられる。単結晶
ダイヤモンドは、その物理的特性において優れた材料で
あるが、非常に高価である上に、工具材料として所望す
る形状に加工することは容易でなく、しかも劈開すると
いう欠点を有している。
は、単結晶のものと多結晶のものに分けられる。単結晶
ダイヤモンドは、その物理的特性において優れた材料で
あるが、非常に高価である上に、工具材料として所望す
る形状に加工することは容易でなく、しかも劈開すると
いう欠点を有している。
【０００４】一方、工具材料としての多結晶ダイヤモン
ドは、２種類に大別することができる。その１つは、微
細なダイヤモンド粉末をＣｏなどの鉄族金属をダイヤモ
ンドが安定な超高圧、高温下で焼結することにより得ら
れる焼結ダイヤモンドである。このような焼結技術は、
たとえば、特公昭５２−１２１２６号公報に記載さてい
る。
ドは、２種類に大別することができる。その１つは、微
細なダイヤモンド粉末をＣｏなどの鉄族金属をダイヤモ
ンドが安定な超高圧、高温下で焼結することにより得ら
れる焼結ダイヤモンドである。このような焼結技術は、
たとえば、特公昭５２−１２１２６号公報に記載さてい
る。
【０００５】市販とされている焼結ダイヤモンドのう
ち、特に粒径が数１０μｍ以下の粒径のものは、上記の
単結晶ダイヤモンドに見られるような劈開現象が生じる
ことなく、優れた耐摩耗性を有することが知られてい
る。
ち、特に粒径が数１０μｍ以下の粒径のものは、上記の
単結晶ダイヤモンドに見られるような劈開現象が生じる
ことなく、優れた耐摩耗性を有することが知られてい
る。
【０００６】しかしながら、焼結ダイヤモンドは、数％
〜数１０％の結合材を含有するため、焼結体を構成する
ダイヤモンド粒子が切削時に脱落して、ダイヤモンドの
刃先が欠けることがあった。この脱落現象は、工具刃先
のくさび角が小さくなるほど顕著になるので、焼結ダイ
ヤモンド製の鋭利な切刃を長持ちさせることは困難であ
った。
〜数１０％の結合材を含有するため、焼結体を構成する
ダイヤモンド粒子が切削時に脱落して、ダイヤモンドの
刃先が欠けることがあった。この脱落現象は、工具刃先
のくさび角が小さくなるほど顕著になるので、焼結ダイ
ヤモンド製の鋭利な切刃を長持ちさせることは困難であ
った。
【０００７】さらに、焼結ダイヤモンドは結合材を含む
ため、単結晶よりも耐熱性に劣り、切削時の摩耗が進行
しやすかった。
ため、単結晶よりも耐熱性に劣り、切削時の摩耗が進行
しやすかった。
【０００８】これに対し、もう１つの切削工具用多結晶
ダイヤモンドである気相合成ダイヤモンドは、緻密でし
かもダイヤモンドのみからなるため、焼結ダイヤモンド
に比べて耐熱性および耐摩耗性により優れ、しかも欠損
が生じにくいものである。このような気相合成ダイヤモ
ンドは一般に、メタン等の炭化水素と水素を主成分とす
る原料ガスを低圧下で分解・励起させる化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）によって作成されている。
ダイヤモンドである気相合成ダイヤモンドは、緻密でし
かもダイヤモンドのみからなるため、焼結ダイヤモンド
に比べて耐熱性および耐摩耗性により優れ、しかも欠損
が生じにくいものである。このような気相合成ダイヤモ
ンドは一般に、メタン等の炭化水素と水素を主成分とす
る原料ガスを低圧下で分解・励起させる化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）によって作成されている。
【０００９】気相合成ダイヤモンドを用いた切削工具と
して、たとえば、工具基体上に直接ダイヤモンドを被覆
したダイヤモンドコーディング工具が開発されている。
しかし、ダイヤモンドコーディング工具の場合、工具基
体とダイヤモンド薄膜の密着性が重要であり、たとえ
ば、超硬合金上にダイヤモンド薄膜を形成した工具で
は、切削加工中にダイヤモンド薄膜が剥離するという傾
向があった。
して、たとえば、工具基体上に直接ダイヤモンドを被覆
したダイヤモンドコーディング工具が開発されている。
しかし、ダイヤモンドコーディング工具の場合、工具基
体とダイヤモンド薄膜の密着性が重要であり、たとえ
ば、超硬合金上にダイヤモンド薄膜を形成した工具で
は、切削加工中にダイヤモンド薄膜が剥離するという傾
向があった。
【００１０】また、気相合成ダイヤモンドを工具基体に
直接ろう付けするダイヤモンド切削工具の開発も行なわ
れている。たとえば、特開平１−１５３２２８号公報お
よび特開平１−２１０２０１号公報は、超硬合金からな
る工具基体に気相合成ダイヤモンドをコーティングした
基材ごと直接ろう付けし、切削工具として供する技術を
開示している。しかし、このような工具では、すくい面
側の基材またはダイヤモンドの研磨工程がなければ工具
として使用できないという問題があった。
直接ろう付けするダイヤモンド切削工具の開発も行なわ
れている。たとえば、特開平１−１５３２２８号公報お
よび特開平１−２１０２０１号公報は、超硬合金からな
る工具基体に気相合成ダイヤモンドをコーティングした
基材ごと直接ろう付けし、切削工具として供する技術を
開示している。しかし、このような工具では、すくい面
側の基材またはダイヤモンドの研磨工程がなければ工具
として使用できないという問題があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このように気相合成ダ
イヤモンドにおいて、気相合成直後のダイヤモンド表面
は粗く、これを切刃のすくい面にしたいならば研磨仕上
げを行なう必要があった。そこで、仕上げ加工を容易に
するため、基材上に気相合成されるダイヤモンドは、
（１００）面および／または（１１０）面が基板面に平
行に配向するよう形成されることが多かった。
イヤモンドにおいて、気相合成直後のダイヤモンド表面
は粗く、これを切刃のすくい面にしたいならば研磨仕上
げを行なう必要があった。そこで、仕上げ加工を容易に
するため、基材上に気相合成されるダイヤモンドは、
（１００）面および／または（１１０）面が基板面に平
行に配向するよう形成されることが多かった。
【００１２】したがって、多くの場合、切刃のすくい面
は（１００）面または（１１０）面により構成されてい
た。
は（１００）面または（１１０）面により構成されてい
た。
【００１３】しかし、このような（１００）面および
（１１０）面は、上述したような研磨仕上げの点からは
好ましいが、切削工具の耐摩耗性の点からは最適といえ
るものではなかった。
（１１０）面は、上述したような研磨仕上げの点からは
好ましいが、切削工具の耐摩耗性の点からは最適といえ
るものではなかった。
【００１４】この発明の目的は、従来よりも耐摩耗性の
優れたダイヤモンド切削工具を提供することにある。
優れたダイヤモンド切削工具を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】第１の発明に従うダイヤ
モンド切削工具は、気相合成されたダイヤモンド素材で
刃先を構成する切削工具において、刃先のすくい面を構
成する主要なダイヤモンド結晶面が（１１１）面である
ことを特徴とする。
モンド切削工具は、気相合成されたダイヤモンド素材で
刃先を構成する切削工具において、刃先のすくい面を構
成する主要なダイヤモンド結晶面が（１１１）面である
ことを特徴とする。
【００１６】第１の発明に従う刃先において、すくい面
から少なくとも２０μｍの深さまでは、（１１１）面が
主要面としてすくい面になくべく平行に配向しているこ
とが望ましい。
から少なくとも２０μｍの深さまでは、（１１１）面が
主要面としてすくい面になくべく平行に配向しているこ
とが望ましい。
【００１７】すくい面およびその付近（たとえば、すく
い面から２０μｍの深さまで）において、（１１１）面
以外の結晶面の混入は、できる限り抑えることが好まし
く、たとえば、Ｘ線解析による（１１１）面の強度を１
００としたとき、（２２０）面、（３１１）面、（４０
０）面および（３３１）面の強度は各々８０以下が好ま
しく、より好ましくは各々１０以下が良い。
い面から２０μｍの深さまで）において、（１１１）面
以外の結晶面の混入は、できる限り抑えることが好まし
く、たとえば、Ｘ線解析による（１１１）面の強度を１
００としたとき、（２２０）面、（３１１）面、（４０
０）面および（３３１）面の強度は各々８０以下が好ま
しく、より好ましくは各々１０以下が良い。
【００１８】また、第１の発明に従う刃先において、
（１１１）面の配向性の指標として、すくい面からＸ線
を入射して得られる（１１１）面のロッキングカーブの
ＦＷＨＭ値（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ
Ｍａｘｉｍｕｍ Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が２０度以内で
あることがより好ましい。また、（２２０）面のロッキ
ングカーブのＦＷＨＭ値は２０度以上あることが好まし
い。
（１１１）面の配向性の指標として、すくい面からＸ線
を入射して得られる（１１１）面のロッキングカーブの
ＦＷＨＭ値（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ
Ｍａｘｉｍｕｍ Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が２０度以内で
あることがより好ましい。また、（２２０）面のロッキ
ングカーブのＦＷＨＭ値は２０度以上あることが好まし
い。
【００１９】さらに、第１の発明において、すくい面の
面粗さＲm a x は、０．５μｍ以下であることが望まし
い。
面粗さＲm a x は、０．５μｍ以下であることが望まし
い。
【００２０】また、第１の発明に従うダイヤモンド切削
工具を製造するための方法を提供することができる。
工具を製造するための方法を提供することができる。
【００２１】第２の発明の製造方法は、ダイヤモンドを
堆積させるべき鏡面仕上げされた面を有する基材を準備
する工程と、上記面に対して平行に（１１１）面が配向
するよう気相合成により上記面上にダイヤモンドを堆積
させる工程と、ダイヤモンドが堆積されている基材を分
離または除去して刃先としてのダイヤモンド材を得る工
程と、ダイヤモンド材で基材に接触していた面側をチッ
プのすくい面としてダイヤモンド材を工具基体にろう付
けする工程とを備える。
堆積させるべき鏡面仕上げされた面を有する基材を準備
する工程と、上記面に対して平行に（１１１）面が配向
するよう気相合成により上記面上にダイヤモンドを堆積
させる工程と、ダイヤモンドが堆積されている基材を分
離または除去して刃先としてのダイヤモンド材を得る工
程と、ダイヤモンド材で基材に接触していた面側をチッ
プのすくい面としてダイヤモンド材を工具基体にろう付
けする工程とを備える。
【００２２】第３の発明の製造方法は、ダイヤモンドを
堆積させるべき面を有する基材を準備する工程と、上記
面に対して平行に（１１１）面が配向するよう気相合成
により上記面上にダイヤモンドを堆積させる工程と、次
いで該ダイヤモンド上に（１１１）面より硬度の低い結
晶面が配向するようダイヤモンド層を堆積させた後、刃
先としてのダイヤモンド材を得る工程と、ダイヤモンド
層側を刃先のすくい面側としてダイヤモンド材を工具基
体にろう付けする工程と、硬度の低いダイヤモンド層を
鏡面研磨加工により除去していき、（１１１）面を露出
させる工程とを備える。
堆積させるべき面を有する基材を準備する工程と、上記
面に対して平行に（１１１）面が配向するよう気相合成
により上記面上にダイヤモンドを堆積させる工程と、次
いで該ダイヤモンド上に（１１１）面より硬度の低い結
晶面が配向するようダイヤモンド層を堆積させた後、刃
先としてのダイヤモンド材を得る工程と、ダイヤモンド
層側を刃先のすくい面側としてダイヤモンド材を工具基
体にろう付けする工程と、硬度の低いダイヤモンド層を
鏡面研磨加工により除去していき、（１１１）面を露出
させる工程とを備える。
【００２３】第１〜第３の発明において、気相合成によ
るダイヤモンドの形成には、種々の気相法が適用でき
る。たとえば、熱電子放射やプラズマ放電を利用して原
料ガスを分解・励起させるＣＶＤ法や、燃焼炎を用いた
ＣＶＤ法が有効である。
るダイヤモンドの形成には、種々の気相法が適用でき
る。たとえば、熱電子放射やプラズマ放電を利用して原
料ガスを分解・励起させるＣＶＤ法や、燃焼炎を用いた
ＣＶＤ法が有効である。
【００２４】また、原料ガスとしては、たとえば、メタ
ン、エタン、プロパンなどの炭化水素類、メタノール、
エタノールなどのアルコール類またはエステル類などの
有機炭素化合物と水素とを主成分として混合したガスを
用いることができる。なお、これら以外に、アルゴンな
どの不活性ガスや酸素、一酸化炭素、水などが、ダイヤ
モンドの合成反応やその特性を阻害しない範囲で原料中
に含有されていてもよい。
ン、エタン、プロパンなどの炭化水素類、メタノール、
エタノールなどのアルコール類またはエステル類などの
有機炭素化合物と水素とを主成分として混合したガスを
用いることができる。なお、これら以外に、アルゴンな
どの不活性ガスや酸素、一酸化炭素、水などが、ダイヤ
モンドの合成反応やその特性を阻害しない範囲で原料中
に含有されていてもよい。
【００２５】第２および第３の発明において、（１１
１）面は、上述したＣＶＤにおいて、通常はカーボン濃
度を下げること（たとえば水素ガスに対して）により形
成させることができる。
１）面は、上述したＣＶＤにおいて、通常はカーボン濃
度を下げること（たとえば水素ガスに対して）により形
成させることができる。
【００２６】気相合成のための基材には、たとえば、Ｓ
ｉおよびＭｏ等が好ましく用いられる。このような基材
は、機械加工または化学的処理による溶解・分離等によ
って、ダイヤモンドから分離・除去することができる。
ｉおよびＭｏ等が好ましく用いられる。このような基材
は、機械加工または化学的処理による溶解・分離等によ
って、ダイヤモンドから分離・除去することができる。
【００２７】第２の発明の方法において、基材を分離ま
たは除去した後、残ったダイヤモンドは、そのまま次の
工程に供されてもよいし、たとえば切断等によって適当
な大きさまで加工されてもよい。
たは除去した後、残ったダイヤモンドは、そのまま次の
工程に供されてもよいし、たとえば切断等によって適当
な大きさまで加工されてもよい。
【００２８】第２の発明に従う方法において、ダイヤモ
ンドが形成されるべき基材の表面は、粗面粗さＲm a x
が１μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以下となるよう鏡
面仕上げされていることがより好ましい。
ンドが形成されるべき基材の表面は、粗面粗さＲm a x
が１μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以下となるよう鏡
面仕上げされていることがより好ましい。
【００２９】第２の発明の方法においては、気相合成
後、基材を分離または除去して得られたダイヤモンド材
は、工具基体にろう付けされる。ろう付けにあたり、基
材と接触していたダイヤモンド面側、すなわち結晶成長
開始面側が、切刃のすくい面側とされる。したがって、
この面側と対向する面側、すなわち結晶成長の終了面側
が、通常、ろう付け面とされる。
後、基材を分離または除去して得られたダイヤモンド材
は、工具基体にろう付けされる。ろう付けにあたり、基
材と接触していたダイヤモンド面側、すなわち結晶成長
開始面側が、切刃のすくい面側とされる。したがって、
この面側と対向する面側、すなわち結晶成長の終了面側
が、通常、ろう付け面とされる。
【００３０】このろう付けされるべき面には、周期律表
の第ＩＶＡ族、第ＩＶＢ族、第ＶＡ族、第ＶＢ族、第Ｖ
ＩＡ族、第ＶＩＢ族、第ＶＩＩＡ族および第ＶＩＩＢ族
に含まれる金属ならびにこれらの化合物のいずれかから
なるメタライズ層が、ろう付けに先立って形成されるこ
とが好ましい。ろう付けは、このメタライズ層を介して
効果的に行なうことができる。
の第ＩＶＡ族、第ＩＶＢ族、第ＶＡ族、第ＶＢ族、第Ｖ
ＩＡ族、第ＶＩＢ族、第ＶＩＩＡ族および第ＶＩＩＢ族
に含まれる金属ならびにこれらの化合物のいずれかから
なるメタライズ層が、ろう付けに先立って形成されるこ
とが好ましい。ろう付けは、このメタライズ層を介して
効果的に行なうことができる。
【００３１】第３の発明に従う方法において、（１１
１）面より硬度の低い結晶面は、上述したようなＣＶＤ
において、通常はカーボン濃度を上昇させる（たとえば
水素ガスに対して）ことにより形成することができる。
このような硬度の低い結晶面は、たとえば、（２２０）
面が好ましい。
１）面より硬度の低い結晶面は、上述したようなＣＶＤ
において、通常はカーボン濃度を上昇させる（たとえば
水素ガスに対して）ことにより形成することができる。
このような硬度の低い結晶面は、たとえば、（２２０）
面が好ましい。
【００３２】（１１１）面より硬度の低い結晶面が配向
するダイヤモンド層の厚みは、たとえば５０μｍが好ま
しく、１０μｍがより好ましい。
するダイヤモンド層の厚みは、たとえば５０μｍが好ま
しく、１０μｍがより好ましい。
【００３３】第３の発明の方法において、刃先としての
ダイヤモンド材は、基材を分離または除去することによ
って、ダイヤモンド単独で準備されてもよいし、基材上
にダイヤモンドを堆積させたまま、準備されてもよい。
得られたダイヤモンド材は、そのまま次の工程に供され
てもよいし、たとえば、切断等によって適当な大きさに
加工されてもよい。
ダイヤモンド材は、基材を分離または除去することによ
って、ダイヤモンド単独で準備されてもよいし、基材上
にダイヤモンドを堆積させたまま、準備されてもよい。
得られたダイヤモンド材は、そのまま次の工程に供され
てもよいし、たとえば、切断等によって適当な大きさに
加工されてもよい。
【００３４】第３の発明の方法においては、刃先として
のダイヤモンド材は、ダイヤモンド層側をすくい面側と
して工具基体にろう付けされる。したがって、通常、気
相合成において基材と接触していたダイヤモンド面側、
すなわち結晶成長開始面側がろう付けされるべき面とさ
れる。このろう付けされるべき面には、上述したような
メタライズ層がろう付けに先立って形成されてもよい。
ろう付けは、このメタライズ層を介して効果的に行なう
ことができる。
のダイヤモンド材は、ダイヤモンド層側をすくい面側と
して工具基体にろう付けされる。したがって、通常、気
相合成において基材と接触していたダイヤモンド面側、
すなわち結晶成長開始面側がろう付けされるべき面とさ
れる。このろう付けされるべき面には、上述したような
メタライズ層がろう付けに先立って形成されてもよい。
ろう付けは、このメタライズ層を介して効果的に行なう
ことができる。
【００３５】第３の発明に従う方法において、鏡面研磨
加工により（１１１）面を露出させて得られるすくい面
の面粗さは、たとえばＲm a x ０．２μｍ以下とするこ
とが望ましい。また、鏡面加工後得られるすくい面およ
びその付近（たとえばすくい面から２０μｍの深さま
で）における（１１１）面以外の結晶面の混入は、でき
る限り抑えることが好ましく、たとえば、Ｘ線解析によ
る（１１１）面の強度を１００とした場合、（２２０）
面、（３１１）面、（４００）面および（３３１）面の
強度は各々８０以下が好ましく、より好ましくは各々１
０以下が良い。
加工により（１１１）面を露出させて得られるすくい面
の面粗さは、たとえばＲm a x ０．２μｍ以下とするこ
とが望ましい。また、鏡面加工後得られるすくい面およ
びその付近（たとえばすくい面から２０μｍの深さま
で）における（１１１）面以外の結晶面の混入は、でき
る限り抑えることが好ましく、たとえば、Ｘ線解析によ
る（１１１）面の強度を１００とした場合、（２２０）
面、（３１１）面、（４００）面および（３３１）面の
強度は各々８０以下が好ましく、より好ましくは各々１
０以下が良い。
【００３６】なお、第２および第３の発明において、基
材上に気相合成により堆積させるダイヤモンドの厚み
は、たとえば２０〜３０００μｍが好ましい。
材上に気相合成により堆積させるダイヤモンドの厚み
は、たとえば２０〜３０００μｍが好ましい。
【００３７】
【発明の作用効果】第１の発明に従う工具では、チップ
のすくい面が硬度の最も高い（１１１）面で占められて
いる。したがって、すくい面は従来に比べてより摩耗さ
れにくい。このような工具は、従来よりも耐摩耗性によ
り優れたものである。
のすくい面が硬度の最も高い（１１１）面で占められて
いる。したがって、すくい面は従来に比べてより摩耗さ
れにくい。このような工具は、従来よりも耐摩耗性によ
り優れたものである。
【００３８】第２の発明に従う方法では、まず、鏡面仕
上げされた基材面上に気相合成によりダイヤモンドを堆
積させる。したがって、ダイヤモンド合成後、基材を分
離または除去して得られたダイヤモンド材において、基
材と接触していた面は鏡面となっている。この面は、研
磨仕上げを行なう必要がないか、必要があっても簡単な
研磨仕上げで十分である。
上げされた基材面上に気相合成によりダイヤモンドを堆
積させる。したがって、ダイヤモンド合成後、基材を分
離または除去して得られたダイヤモンド材において、基
材と接触していた面は鏡面となっている。この面は、研
磨仕上げを行なう必要がないか、必要があっても簡単な
研磨仕上げで十分である。
【００３９】さらに、基材面と平行に（１１１）面が配
向するよう気相合成を行なうので、ダイヤモンド材にお
いて基材と接触していた面は、ほとんど（１１１）面で
占められている。したがって、基材と接触していた面が
すくい面となるようダイヤモンド材を工具基体にろう付
けすれば、容易に従来よりも耐摩耗性の優れた工具を得
ることができる。
向するよう気相合成を行なうので、ダイヤモンド材にお
いて基材と接触していた面は、ほとんど（１１１）面で
占められている。したがって、基材と接触していた面が
すくい面となるようダイヤモンド材を工具基体にろう付
けすれば、容易に従来よりも耐摩耗性の優れた工具を得
ることができる。
【００４０】一方、気相合成によるダイヤモンド材にお
いて、基材と接触していた面でなく別の面をすくい面と
した場合、以下のような問題が生じる。
いて、基材と接触していた面でなく別の面をすくい面と
した場合、以下のような問題が生じる。
【００４１】別の面、たとえば気相合成における成長終
了面もほとんど（１１１）面で占めることができる。し
かしながら、この成長終了面は粗く、すくい面にしよう
とするならば研磨仕上げを行なう必要があり、このよう
な研磨は（１１１）面の高い硬度のため非常に困難であ
る。
了面もほとんど（１１１）面で占めることができる。し
かしながら、この成長終了面は粗く、すくい面にしよう
とするならば研磨仕上げを行なう必要があり、このよう
な研磨は（１１１）面の高い硬度のため非常に困難であ
る。
【００４２】しかも、成長終了面におけるダイヤモンド
結晶の粒径は、比較的大きく、これをすくい面にすると
（１１１）面の高い硬度のために工具使用に際して欠損
が生じやすい。
結晶の粒径は、比較的大きく、これをすくい面にすると
（１１１）面の高い硬度のために工具使用に際して欠損
が生じやすい。
【００４３】これに対し、基材と接触していた面をすく
い面とすれば、その面は平坦であり、しかも微細な粒径
の組織を有しているため、欠損は生じず、耐摩耗性にも
優れている。この面は研磨仕上げを行なう必要がない
か、必要であっても簡単な加工で十分である。
い面とすれば、その面は平坦であり、しかも微細な粒径
の組織を有しているため、欠損は生じず、耐摩耗性にも
優れている。この面は研磨仕上げを行なう必要がない
か、必要であっても簡単な加工で十分である。
【００４４】第３の発明に従う方法においては、硬度の
高い（１１１）面が配向したダイヤモンド上に硬度の低
い結晶面を配向させたダイヤモンド層を堆積させる。こ
のダイヤモンド層は硬度が低いため、容易に鏡面研磨加
工を施すことができる。
高い（１１１）面が配向したダイヤモンド上に硬度の低
い結晶面を配向させたダイヤモンド層を堆積させる。こ
のダイヤモンド層は硬度が低いため、容易に鏡面研磨加
工を施すことができる。
【００４５】したがって、ダイヤモンド層側が刃先のす
くい面側となるようダイヤモンド材をろう付けした後、
ダイヤモンド層を鏡面研磨加工により除去して（１１
１）面を露出させれば、平坦度が高く、しかも（１１
１）面でほとんど構成されるすくい面を提供することが
できる。
くい面側となるようダイヤモンド材をろう付けした後、
ダイヤモンド層を鏡面研磨加工により除去して（１１
１）面を露出させれば、平坦度が高く、しかも（１１
１）面でほとんど構成されるすくい面を提供することが
できる。
【００４６】以上第２および第３の発明に従えば、平坦
で、かつ（１１１）面で実質的に構成されるすくい面を
備えたダイヤモンド切削工具を提供することができる。
このような工具は、従来よりも耐摩耗性により優れたも
のである。
で、かつ（１１１）面で実質的に構成されるすくい面を
備えたダイヤモンド切削工具を提供することができる。
このような工具は、従来よりも耐摩耗性により優れたも
のである。
【００４７】
実施例１ Ｒm a x ０．２μｍ以下となるよう鏡面仕上げしたＳｉ
基材を準備した。
基材を準備した。
【００４８】熱電子放射材に直径０．５ｍｍ、長さ１０
０ｍｍの直線状タングステンフィラメントを用いた公知
の熱フィラメントＣＶＤ法により以下の条件で、Ｓｉ鏡
面上に厚さ２５０μｍの多結晶ダイヤモンドを堆積させ
た。
０ｍｍの直線状タングステンフィラメントを用いた公知
の熱フィラメントＣＶＤ法により以下の条件で、Ｓｉ鏡
面上に厚さ２５０μｍの多結晶ダイヤモンドを堆積させ
た。
【００４９】原料ガス（流量）：ＣＨ4 ／Ｈ2 ＝１％，
総流量１０００ｃｃ／ｍｉｎ ガス圧力：８０Ｔｏｒｒ フィラメント温度：２２００℃ フィラメント−基板間距離：５ｍｍ 基板温度：９２０℃ 次に、Ｓｉ基材上の多結晶ダイヤモンドを工具に必要な
大きさおよび形状にレーザで切断した後、フッ硝酸でＳ
ｉ基材を溶解除去してダイヤモンドの刃先を得た。
総流量１０００ｃｃ／ｍｉｎ ガス圧力：８０Ｔｏｒｒ フィラメント温度：２２００℃ フィラメント−基板間距離：５ｍｍ 基板温度：９２０℃ 次に、Ｓｉ基材上の多結晶ダイヤモンドを工具に必要な
大きさおよび形状にレーザで切断した後、フッ硝酸でＳ
ｉ基材を溶解除去してダイヤモンドの刃先を得た。
【００５０】このようにして得られたダイヤモンドの刃
先について、Ｓｉ基材側であったダイヤモンド面からＸ
線を入射するＸ線解析を行なったところ、（１１１）面
に対する（２２０）および（４００）面のピーク強度比
Ｉ（２２０）／Ｉ（１１１）およびＩ（４００）／Ｉ
（１１１）は各々０．１、０．０２であり、（１１１）
面について強い配向性が得られたことがわかった。
先について、Ｓｉ基材側であったダイヤモンド面からＸ
線を入射するＸ線解析を行なったところ、（１１１）面
に対する（２２０）および（４００）面のピーク強度比
Ｉ（２２０）／Ｉ（１１１）およびＩ（４００）／Ｉ
（１１１）は各々０．１、０．０２であり、（１１１）
面について強い配向性が得られたことがわかった。
【００５１】また、得られた刃先において、基材と接触
していた面からＸ線を入射して、この面と平行な面の
（１１１）面のロッキングカーブにおけるＦＷＨＭ値を
求めた。その結果、ＦＷＨＭ値（ °）は８°であっ
た。また、（２２０）面のロッキングカーブにおけるＦ
ＷＨＭ値（ °）は２５°であった。
していた面からＸ線を入射して、この面と平行な面の
（１１１）面のロッキングカーブにおけるＦＷＨＭ値を
求めた。その結果、ＦＷＨＭ値（ °）は８°であっ
た。また、（２２０）面のロッキングカーブにおけるＦ
ＷＨＭ値（ °）は２５°であった。
【００５２】得られたダイヤモンドの刃先において、結
晶成長の終了面に厚さ１μｍでＴｉ、厚さ２μｍでＮｉ
を順次積層した後、このメタライズ層が形成された面を
接合面として、超硬合金（ＳＰＧ４２２）の台金に銀ろ
うを用いて上記刃先を真空ろう付けした。刃先すくい面
のＲm a x は０．２μｍであった。
晶成長の終了面に厚さ１μｍでＴｉ、厚さ２μｍでＮｉ
を順次積層した後、このメタライズ層が形成された面を
接合面として、超硬合金（ＳＰＧ４２２）の台金に銀ろ
うを用いて上記刃先を真空ろう付けした。刃先すくい面
のＲm a x は０．２μｍであった。
【００５３】ろう付けによって得られた工具について、
その主要部を図１に示す。超合金からなる台金１の所定
の領域に、ろう付け層３およびメタライズ層４を介して
ダイヤモンドの刃先２が固定されている。刃先２におけ
るすくい面５は、（１１１）面で占められている。ま
た、刃先２の端面には逃げ面７が形成されている。
その主要部を図１に示す。超合金からなる台金１の所定
の領域に、ろう付け層３およびメタライズ層４を介して
ダイヤモンドの刃先２が固定されている。刃先２におけ
るすくい面５は、（１１１）面で占められている。ま
た、刃先２の端面には逃げ面７が形成されている。
【００５４】実施例２ Ｓｉ基材について面粗さＲm a x ０．２μｍ以下となる
よう鏡面研磨加工を施した。
よう鏡面研磨加工を施した。
【００５５】公知のマイクロ波プラズマＣＶＤ法により
以下の条件で、Ｓｉ鏡面上に厚さ３００μｍの多結晶ダ
イヤモンドを形成させた。
以下の条件で、Ｓｉ鏡面上に厚さ３００μｍの多結晶ダ
イヤモンドを形成させた。
【００５６】原料ガス（流量）：Ｃ2 Ｈ2 ／Ｈ2 ＝０．
２％，総流量６００ｃｃ／ｍｉｎ ガス圧力：４０Ｔｏｒｒ マイクロ波出力：４５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） 基板温度：９００℃ 次に、Ｓｉ基材上の多結晶ダイヤモンドを工具に必要な
大きさおよび形状にレーザで切断した後、フッ硝酸でＳ
ｉ基材を溶解除去してダイヤモンドの刃先を得た。
２％，総流量６００ｃｃ／ｍｉｎ ガス圧力：４０Ｔｏｒｒ マイクロ波出力：４５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） 基板温度：９００℃ 次に、Ｓｉ基材上の多結晶ダイヤモンドを工具に必要な
大きさおよび形状にレーザで切断した後、フッ硝酸でＳ
ｉ基材を溶解除去してダイヤモンドの刃先を得た。
【００５７】得られたダイヤモンドの刃先についてＸ線
解析を行なった。その結果、Ｉ（２２０）／Ｉ（１１
１）は０．６であり、Ｉ（４００）／Ｉ（１１１）は
０．０８であった。また、（１１１）面のロッキングカ
ーブのＦＷＨＭ値は、１０°であった。さらに、（２２
０）面のロッキングカーブのＦＷＨＭ値は２１°であっ
た。
解析を行なった。その結果、Ｉ（２２０）／Ｉ（１１
１）は０．６であり、Ｉ（４００）／Ｉ（１１１）は
０．０８であった。また、（１１１）面のロッキングカ
ーブのＦＷＨＭ値は、１０°であった。さらに、（２２
０）面のロッキングカーブのＦＷＨＭ値は２１°であっ
た。
【００５８】次に、得られた刃先において結晶成長の終
了面に実施例１と同様にしてメタライズ層を形成した
後、超硬合金（ＳＰＧ４２２）の台金に銀ろうを用いて
ろう付け接合を行なった。ろう付けの後、ダイヤモンド
の刃先において基材に接触していた面を軽く鏡面仕上げ
してすくい面とした。すくい面のＲm a x は０．１μｍ
であった。
了面に実施例１と同様にしてメタライズ層を形成した
後、超硬合金（ＳＰＧ４２２）の台金に銀ろうを用いて
ろう付け接合を行なった。ろう付けの後、ダイヤモンド
の刃先において基材に接触していた面を軽く鏡面仕上げ
してすくい面とした。すくい面のＲm a x は０．１μｍ
であった。
【００５９】実施例３ Ｒm a x ０．２μｍ以下となるよう鏡面仕上げしたＳｉ
基材を用い、実施例１と同様のタングステンフィラメン
トを用いた熱フィラメントＣＶＤにより以下の条件で、
Ｓｉ鏡面上に厚さ２５０μｍの多結晶ダイヤモンドを形
成させた。
基材を用い、実施例１と同様のタングステンフィラメン
トを用いた熱フィラメントＣＶＤにより以下の条件で、
Ｓｉ鏡面上に厚さ２５０μｍの多結晶ダイヤモンドを形
成させた。
【００６０】原料ガス（流量）：ＣＨ4 ／Ｈ2 ＝１％，
ＣＯ2 ／ＣＨ4 ＝０．５％ 総流量６００ｃｃ／ｍｉｎ ガス圧力：４０Ｔｏｒｒ フィラメント温度：２１５０℃ フィラメント−基板間距離：７ｍｍ 基板温度：９００℃ 引き続いて、以下の条件による熱フィラメントＣＶＤを
行ない、形成させた多結晶ダイヤモンド上にさらにダイ
ヤモンドを堆積させた。
ＣＯ2 ／ＣＨ4 ＝０．５％ 総流量６００ｃｃ／ｍｉｎ ガス圧力：４０Ｔｏｒｒ フィラメント温度：２１５０℃ フィラメント−基板間距離：７ｍｍ 基板温度：９００℃ 引き続いて、以下の条件による熱フィラメントＣＶＤを
行ない、形成させた多結晶ダイヤモンド上にさらにダイ
ヤモンドを堆積させた。
【００６１】原料ガス（流量）：Ｃ2 Ｈ2 ／Ｈ2 ＝３
％，総流量１０００ｃｃ／ｍｉｎ ガス圧力：８０Ｔｏｒｒ フィラメント温度：２１５０℃ フィラメント−基板間距離：７ｍｍ 基板温度：９６０℃ 最初のダイヤモンド形成の後のＸ線解析の結果、Ｉ（２
２０）／Ｉ（１１１）は０．８であり、最初のダイヤモ
ンド形成においては基材面に平行に（１１１）面が強く
配向している一方、後に形成させたダイヤモンド層で
は、Ｉ（１１１）／Ｉ（２２０）は０．０８であり、基
材面に平行に（２２０）面が強く配向していることが明
らかになった。また、後で堆積させたダイヤモンドの厚
みは２０μｍであった。
％，総流量１０００ｃｃ／ｍｉｎ ガス圧力：８０Ｔｏｒｒ フィラメント温度：２１５０℃ フィラメント−基板間距離：７ｍｍ 基板温度：９６０℃ 最初のダイヤモンド形成の後のＸ線解析の結果、Ｉ（２
２０）／Ｉ（１１１）は０．８であり、最初のダイヤモ
ンド形成においては基材面に平行に（１１１）面が強く
配向している一方、後に形成させたダイヤモンド層で
は、Ｉ（１１１）／Ｉ（２２０）は０．０８であり、基
材面に平行に（２２０）面が強く配向していることが明
らかになった。また、後で堆積させたダイヤモンドの厚
みは２０μｍであった。
【００６２】Ｓｉ基材上のダイヤモンドを工具に必要な
大きさおよび形状にレーザで切断した後、フッ硝酸でシ
リコン基材を溶解除去してダイヤモンドの刃先を得た。
大きさおよび形状にレーザで切断した後、フッ硝酸でシ
リコン基材を溶解除去してダイヤモンドの刃先を得た。
【００６３】得られたダイヤモンドの刃先において、基
材に接触していた面に厚さ１μｍでＴｉ、厚さ２μｍで
Ｎｉを順次積層した後、このメタライズ層が形成された
面を接合面として、超硬合金（ＳＰＧ４２２）の台金に
銀ろうを用いて上記チップを真空ろう付けした。
材に接触していた面に厚さ１μｍでＴｉ、厚さ２μｍで
Ｎｉを順次積層した後、このメタライズ層が形成された
面を接合面として、超硬合金（ＳＰＧ４２２）の台金に
銀ろうを用いて上記チップを真空ろう付けした。
【００６４】ろう付け直後の工具についてその主要部を
図２（ａ）に示す。超硬合金からなる台金１１の所定の
領域に、ろう付け層１３およびメタライズ層１４を介し
てダイヤモンドの刃先１２が固定されている。
図２（ａ）に示す。超硬合金からなる台金１１の所定の
領域に、ろう付け層１３およびメタライズ層１４を介し
てダイヤモンドの刃先１２が固定されている。
【００６５】刃先１２において、接合面６から２５０μ
ｍの厚みの部分（Ａ）は、接合面に平行に（１１１）面
が配向している一方、その上に堆積された厚み２０μｍ
の領域（Ｂ）は接合面５に平行に（２２０）面が配向
している。
ｍの厚みの部分（Ａ）は、接合面に平行に（１１１）面
が配向している一方、その上に堆積された厚み２０μｍ
の領域（Ｂ）は接合面５に平行に（２２０）面が配向
している。
【００６６】次に、図２（ａ）のＢで示すダイヤモンド
層２２の領域を、ラップ処理により除去していった。Ｘ
線解析によるとＩ（２２０）／Ｉ（１１１）＝０．１８
で（１１１）配向面であった。
層２２の領域を、ラップ処理により除去していった。Ｘ
線解析によるとＩ（２２０）／Ｉ（１１１）＝０．１８
で（１１１）配向面であった。
【００６７】この鏡面研磨加工によって、先に形成させ
たダイヤモンドの（１１１）面を露出させるとともに、
面粗さＲm a x ０．１μｍの鏡面を得ることができた。
たダイヤモンドの（１１１）面を露出させるとともに、
面粗さＲm a x ０．１μｍの鏡面を得ることができた。
【００６８】このようにして得られたダイヤモンド切削
工具の主要部を図２（ｂ）に示す。刃先１２のすくい面
１５は、平坦にされているとともに、その大部分が（１
１１）面で構成されている。
工具の主要部を図２（ｂ）に示す。刃先１２のすくい面
１５は、平坦にされているとともに、その大部分が（１
１１）面で構成されている。
【００６９】比較例 実施例１に用いたと同様の装置を用いて熱フィラメント
ＣＶＤ法により以下の条件で、Ｓｉ鏡面上に厚さ２００
μｍの多結晶ダイヤモンドを形成させた。
ＣＶＤ法により以下の条件で、Ｓｉ鏡面上に厚さ２００
μｍの多結晶ダイヤモンドを形成させた。
【００７０】原料ガス（流量）：ＣＨ4 ／Ｈ2 ＝３％，
総流量１０００ｃｃ／ｍｉｎ ガス圧力：８０Ｔｏｒｒ フィラメント温度：２１５０℃ フィラメント−基板間距離：６ｍｍ 基板温度：９２０℃ 次に、Ｓｉ基材上の多結晶ダイヤモンドを工具に必要な
大きさおよび形状にレーザで切断した後、フッ硝酸でＳ
ｉ基材を溶解除去してダイヤモンドの刃先を得た。
総流量１０００ｃｃ／ｍｉｎ ガス圧力：８０Ｔｏｒｒ フィラメント温度：２１５０℃ フィラメント−基板間距離：６ｍｍ 基板温度：９２０℃ 次に、Ｓｉ基材上の多結晶ダイヤモンドを工具に必要な
大きさおよび形状にレーザで切断した後、フッ硝酸でＳ
ｉ基材を溶解除去してダイヤモンドの刃先を得た。
【００７１】得られたダイヤモンドの刃先についてＸ線
解析を行なったところ、ピーク強度比Ｉ（１１１）／Ｉ
（２２０）が０．１であり、（２２０）面が強く配向し
ていることがわかった。また、（２２０）面のロッキン
グカーブによるとＦＷＨＭ値は１０°であった。
解析を行なったところ、ピーク強度比Ｉ（１１１）／Ｉ
（２２０）が０．１であり、（２２０）面が強く配向し
ていることがわかった。また、（２２０）面のロッキン
グカーブによるとＦＷＨＭ値は１０°であった。
【００７２】このようにして得られたチップを実施例１
と同様にして超硬合金の台金にろう付けした。
と同様にして超硬合金の台金にろう付けした。
【００７３】実施例１、実施例２、実施例３および比較
例において製作したダイヤモンド切削工具の性能を評価
するために、次に示す切削条件で切削試験（旋削）を実
施した。
例において製作したダイヤモンド切削工具の性能を評価
するために、次に示す切削条件で切削試験（旋削）を実
施した。
【００７４】被削材：Ａ３９０ 切削速度：８００ｍ／ｍｉｎ 送り：０．１２ｍｍ／ｒｅｖ 切込み：０．５ｍｍ 約３０分間の連続切削試験の結果、各サンプルの最大逃
げ面摩耗幅（ＶBmax：μｍ）は、実施例１サンプル：５
５μｍ、実施例２サンプル：７８μｍ、実施例３サンプ
ル：４８μｍであり、本発明に従う実施例では良好な特
性が示された。
げ面摩耗幅（ＶBmax：μｍ）は、実施例１サンプル：５
５μｍ、実施例２サンプル：７８μｍ、実施例３サンプ
ル：４８μｍであり、本発明に従う実施例では良好な特
性が示された。
【００７５】一方、比較例では、１分間の連続切削試験
を行なったところで１００μｍ以上の大きな欠損が生じ
た。
を行なったところで１００μｍ以上の大きな欠損が生じ
た。
【図１】実施例１において作製されたダイヤモンド切削
工具の概略を示す断面図である。
工具の概略を示す断面図である。
【図２】実施例３においてダイヤモンド切削工具を製造
するための工程を示す概略断面図である。
するための工程を示す概略断面図である。
１ 台金 ２、１２ 刃先 ３、１３ ろう付け層 ４、１４ メタライズ層 ５、１５ すくい面 ６ 接合面 ７ 逃げ面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤森 直治 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内
Claims (3)
- 【請求項１】 気相合成されたダイヤモンド素材で刃先
を構成するダイヤモンド切削工具において、 前記刃先のすくい面を構成する主要なダイヤモンド結晶
面が（１１１）面であることを特徴とする、ダイヤモン
ド切削工具。 - 【請求項２】 気相合成されたダイヤモンド素材で刃先
を構成するダイヤモンド切削工具の製造方法であって、 ダイヤモンドを堆積させるべき表面仕上げされた面を有
する基材を準備する工程と、 前記面に対して平行に（１１１）面が配向するよう気相
合成により前記面上にダイヤモンドを堆積させる工程
と、ダイヤモンドが体積されている前記基材を分離また
は除去して前記刃先としてのダイヤモンド材を得る工程
と、 前記ダイヤモンド材で前記基材に接触していた面側を前
記刃先のすくい面として前記ダイヤモンド材を工具基体
にろう付けする工程とを備える、ダイヤモンド切削工具
の製造方法。 - 【請求項３】 気相合成されたダイヤモンド素材で刃先
を構成するダイヤモンド切削工具の製造方法であって、 ダイヤモンドを堆積させるべき面を有する基材を準備す
る工程と、 前記面に対して平行に（１１１）面が配向するよう気相
合成により前記面上にダイヤモンドを堆積させる工程
と、 次いで、前記ダイヤモンド上に（１１１）面より硬度の
低い結晶面が配向するようダイヤモンド層を堆積させた
後、刃先としてのダイヤモンド材を得る工程と、 前記ダイヤモンド層側を前記刃先のすくい面側として前
記ダイヤモンド材を工具基体にろう付けする工程と、 前記ダイヤモンド層を鏡面研磨加工により除去してい
き、前記（１１１）面を露出させる工程とを備える、ダ
イヤモンド切削工具の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4051823A JPH05253705A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | ダイヤモンド切削工具およびその製造方法 |
| EP93103766A EP0560287A1 (en) | 1992-03-10 | 1993-03-09 | Diamond cutting tool and method of manufacturing the same |
| ZA931707A ZA931707B (en) | 1992-03-10 | 1993-03-10 | Diamond cutting tool and method of manufacturing the same |
| US08/318,188 US5567522A (en) | 1992-03-10 | 1994-10-05 | Diamond cutting tool and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4051823A JPH05253705A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | ダイヤモンド切削工具およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05253705A true JPH05253705A (ja) | 1993-10-05 |
Family
ID=12897614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4051823A Withdrawn JPH05253705A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | ダイヤモンド切削工具およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0560287A1 (ja) |
| JP (1) | JPH05253705A (ja) |
| ZA (1) | ZA931707B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014184518A (ja) * | 2013-03-23 | 2014-10-02 | Kyocera Corp | 切削工具 |
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|---|---|---|---|---|
| CA2142649A1 (en) * | 1994-03-01 | 1995-09-02 | Matthew A. Simpson | Cvd diamond cutting tools |
| EP0689233B1 (en) * | 1994-06-24 | 2008-10-15 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Wafer and method of producing same |
| WO2007069030A1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-06-21 | Element Six (Production) (Pty) Ltd | Ultra-hard cutting tool components |
| JP5447845B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-03-19 | 三菱マテリアル株式会社 | 表面被覆切削工具 |
| GB201112325D0 (en) * | 2011-07-18 | 2011-08-31 | Element Six Abrasive Sa | Inserts and method for making same |
| US9194189B2 (en) | 2011-09-19 | 2015-11-24 | Baker Hughes Incorporated | Methods of forming a cutting element for an earth-boring tool, a related cutting element, and an earth-boring tool including such a cutting element |
| JP6402662B2 (ja) | 2014-03-26 | 2018-10-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 表面被覆切削工具及びその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS523903A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-12 | Kikan Buhin Seizo Kk | Smoke tube dust cleaner |
| JPH01153228A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Asahi Daiyamondo Kogyo Kk | 気相合成ダイヤモンド工具の製造法 |
| EP0449571B1 (en) * | 1990-03-30 | 1995-08-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Polycrystalline diamond tool and method for producing the polycrystalline diamond tool |
| US5178645A (en) * | 1990-10-08 | 1993-01-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Cutting tool of polycrystalline diamond and method of manufacturing the same |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP4051823A patent/JPH05253705A/ja not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-03-09 EP EP93103766A patent/EP0560287A1/en not_active Withdrawn
- 1993-03-10 ZA ZA931707A patent/ZA931707B/xx unknown
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|---|---|---|---|---|
| JP2014184518A (ja) * | 2013-03-23 | 2014-10-02 | Kyocera Corp | 切削工具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ZA931707B (en) | 1993-10-21 |
| EP0560287A1 (en) | 1993-09-15 |
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