JPH0515292B2 - - Google Patents
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- JPH0515292B2 JPH0515292B2 JP22064187A JP22064187A JPH0515292B2 JP H0515292 B2 JPH0515292 B2 JP H0515292B2 JP 22064187 A JP22064187 A JP 22064187A JP 22064187 A JP22064187 A JP 22064187A JP H0515292 B2 JPH0515292 B2 JP H0515292B2
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- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- FKSZLDCMQZJMFN-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Pb] Chemical compound [Mg].[Pb] FKSZLDCMQZJMFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、積層セラミツク・コンデンサに関
し、特に誘電率の温度変化が少なく、かつ高誘電
率のコンデンサに関する。
し、特に誘電率の温度変化が少なく、かつ高誘電
率のコンデンサに関する。
電子部品の基板上への実装密度が高まるにつ
れ、コンデンサ等の電子部品のチツプ化が盛んに
なつてきているが、コンデンサチツプ市場では温
度特性変化の小さなX7R特性が大半を占めてい
る。従来の高誘電率磁器組成物材料としてはチタ
ン酸バリウム（BaTiO3）系が知られており、添
加や置換によつてキユリー点を移動させて温度特
性改善をはかつている。
れ、コンデンサ等の電子部品のチツプ化が盛んに
なつてきているが、コンデンサチツプ市場では温
度特性変化の小さなX7R特性が大半を占めてい
る。従来の高誘電率磁器組成物材料としてはチタ
ン酸バリウム（BaTiO3）系が知られており、添
加や置換によつてキユリー点を移動させて温度特
性改善をはかつている。
この従来の方法により、X7R特性を実現した
場合、得られる誘電率は高々2000程度に過ぎず、
チツプの軽薄短小化の要求に適合しなかつた。こ
れを解決する手段として、キユリー点が異なつた
高い誘電率を持つ磁器組成物材料を組み合わせ、
温度特性の優れた大容量コンデンサを実現する製
造方法が提案されたが、実際には組合わせた異種
磁器組成物材料間に拡散反応が起こりキユリー点
が一つとなり温度特性改善効果はあまり望めなか
つた。
場合、得られる誘電率は高々2000程度に過ぎず、
チツプの軽薄短小化の要求に適合しなかつた。こ
れを解決する手段として、キユリー点が異なつた
高い誘電率を持つ磁器組成物材料を組み合わせ、
温度特性の優れた大容量コンデンサを実現する製
造方法が提案されたが、実際には組合わせた異種
磁器組成物材料間に拡散反応が起こりキユリー点
が一つとなり温度特性改善効果はあまり望めなか
つた。
本発明の目的は、上述の要請に鑑み、誘電率が
高く、かつ温度変化率の小さい優れた電気特性を
有することのできる積層セラミツク・コンデンサ
を提供することにある。
高く、かつ温度変化率の小さい優れた電気特性を
有することのできる積層セラミツク・コンデンサ
を提供することにある。
本発明の積層セラミツク・コンデンサは、セラ
ミツク誘電体層と内部電極が交互に積層して成る
積層セラミツク・コンデンサにおいて、前記セラ
ミツク誘電体層がキユリー点の異る少くとも二種
類の磁器組成物材料で形成され、かつ、複数の前
記セラミツク誘電体層の間に10乃至30μmの金属
層が形成されている。
ミツク誘電体層と内部電極が交互に積層して成る
積層セラミツク・コンデンサにおいて、前記セラ
ミツク誘電体層がキユリー点の異る少くとも二種
類の磁器組成物材料で形成され、かつ、複数の前
記セラミツク誘電体層の間に10乃至30μmの金属
層が形成されている。
キユリー点の異なる磁器組成物材料間に10乃至
30μmの金属層を介在させることにより、焼結過
程における拡散反応を防止できる。そのため個々
の材料のキユリー点を変えることなく複合化で
き、任意のキユリー点を持つた材料を組み合わせ
積層することにより、誘電率が高く、かつ、温度
による容量変化の小さなコンデンサを実現でき
る。
30μmの金属層を介在させることにより、焼結過
程における拡散反応を防止できる。そのため個々
の材料のキユリー点を変えることなく複合化で
き、任意のキユリー点を持つた材料を組み合わせ
積層することにより、誘電率が高く、かつ、温度
による容量変化の小さなコンデンサを実現でき
る。
次に、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図ａ，ｂは本発明の積層セラミツク・コン
デンサチツプの内部電極の積層構造の第１の実施
例を示す斜視図及び積層セラミツク・コンデンサ
の斜視図、第２図ａ，ｂは本実施例の内部電極及
び金属層形成材料をセラミツクグリーンシートに
被着したときの断面図、第３図ａ，ｂは本実施例
の積層構造を説明するための斜視図及び断面図、
第４図は本実施例の積層セラミツク・コンデンサ
と従来の積層セラミツク・コンデンサの温度によ
る容量変化率を示す特性図、第５図は本発明の積
層セラミツク・コンデンサチツプの内部電極の積
層構造の第２の実施例を示す斜視図である。
デンサチツプの内部電極の積層構造の第１の実施
例を示す斜視図及び積層セラミツク・コンデンサ
の斜視図、第２図ａ，ｂは本実施例の内部電極及
び金属層形成材料をセラミツクグリーンシートに
被着したときの断面図、第３図ａ，ｂは本実施例
の積層構造を説明するための斜視図及び断面図、
第４図は本実施例の積層セラミツク・コンデンサ
と従来の積層セラミツク・コンデンサの温度によ
る容量変化率を示す特性図、第５図は本発明の積
層セラミツク・コンデンサチツプの内部電極の積
層構造の第２の実施例を示す斜視図である。
以下、実施例に従つて本発明の詳細な説明を行
う。マグネシウム・タングステン酸鉛Pb（Mg1/2
W1/2）O3とチタン酸鉛PbTiO2を所定のキユリー
点が得られるように所定の割合で混合した組成物
材料を複数用いて積層セラミツク・コンデンサを
製作した。
う。マグネシウム・タングステン酸鉛Pb（Mg1/2
W1/2）O3とチタン酸鉛PbTiO2を所定のキユリー
点が得られるように所定の割合で混合した組成物
材料を複数用いて積層セラミツク・コンデンサを
製作した。
第１の実施例は２種類の磁器組成物材料を金属
層を介して組合せた例である。
層を介して組合せた例である。
各組成物材料の予焼粉末と有機バインダー、有
機溶媒とを混合し、泥漿を作製した。この泥漿を
ドクターブレード法でフイルム上に数10μmの厚
さにキヤステイングしグリーンシートを作製し
た。このシートを乾燥し、フイルムから剥離し、
所定の形状に切断した後、第２図ａの如く銀・パ
ラジウムペーストを片面に印刷した。また金属層
を形成するために、第２図ｂの如く所定の金属層
形成材料１３をグリーンシート上にスクリーン印
刷法によつて10μmの厚さに印刷した。金属層形
成材料は銀・パラジウムの粉末を有機ビヒクルを
混合したベーストを用いて印刷した。
機溶媒とを混合し、泥漿を作製した。この泥漿を
ドクターブレード法でフイルム上に数10μmの厚
さにキヤステイングしグリーンシートを作製し
た。このシートを乾燥し、フイルムから剥離し、
所定の形状に切断した後、第２図ａの如く銀・パ
ラジウムペーストを片面に印刷した。また金属層
を形成するために、第２図ｂの如く所定の金属層
形成材料１３をグリーンシート上にスクリーン印
刷法によつて10μmの厚さに印刷した。金属層形
成材料は銀・パラジウムの粉末を有機ビヒクルを
混合したベーストを用いて印刷した。
これらのシートを第３図ａに示すように、保護
層用シート４ａ、電極形成用シート４ｂ、金属層
形成材料用シート４ｃ，４ａとは異なる材料の電
極形成用シート５ｂ，４ａとは異なる材料の保護
層用シート５ａの順に所定の組合せに従つて数10
枚積層、圧着し、積層体の断面を示す第３図ｂの
切断位置６で所定の形状に切断し、空気中にて
950℃で焼成して第１図ａに示すような金属層の
ある積層セラミツク・コンデンサチツプを得た。
次に、外部電極を形成し、第１図ｂに示す積層セ
ラミツク・コンデンサを得た。
層用シート４ａ、電極形成用シート４ｂ、金属層
形成材料用シート４ｃ，４ａとは異なる材料の電
極形成用シート５ｂ，４ａとは異なる材料の保護
層用シート５ａの順に所定の組合せに従つて数10
枚積層、圧着し、積層体の断面を示す第３図ｂの
切断位置６で所定の形状に切断し、空気中にて
950℃で焼成して第１図ａに示すような金属層の
ある積層セラミツク・コンデンサチツプを得た。
次に、外部電極を形成し、第１図ｂに示す積層セ
ラミツク・コンデンサを得た。
第４図は従来構造を用い異種磁器組成物材料を
組合せた積層コンデンサチツプと本実施例の異種
磁器組成物材料を組合せた積層コンデンサチツプ
の容量の温度変化率の特性線Ｃ，Ｂを示した。ま
た参考として各磁器組成物材料単独の従来の構造
のコンデンサチツプの容量の温度変化率の特性
Ａ，Ｄも示した。従来の構造によるコンデンサ
は、組合せた組成物材料間に拡散反応が起こり、
単一組成物となりキユリー点が一つになつてしま
つているのに対し、本発明の構造によるものは、
組合せた組成物材料間で拡散反応が起こらないた
め各材料の特性によりコンデンサチツプの温度特
性が改善されていることがわかる。
組合せた積層コンデンサチツプと本実施例の異種
磁器組成物材料を組合せた積層コンデンサチツプ
の容量の温度変化率の特性線Ｃ，Ｂを示した。ま
た参考として各磁器組成物材料単独の従来の構造
のコンデンサチツプの容量の温度変化率の特性
Ａ，Ｄも示した。従来の構造によるコンデンサ
は、組合せた組成物材料間に拡散反応が起こり、
単一組成物となりキユリー点が一つになつてしま
つているのに対し、本発明の構造によるものは、
組合せた組成物材料間で拡散反応が起こらないた
め各材料の特性によりコンデンサチツプの温度特
性が改善されていることがわかる。
第５図は本発明の第２の実施例の４種類の磁器
組成物材料を金属層を介して組合せた場合の斜視
図である。
組成物材料を金属層を介して組合せた場合の斜視
図である。
第１の実施例と同じ方法で異る４種類の電極形
成セラミツクグリーンシートの間に金属層形成材
料１３を被着させたセラミツクグリーンシートを
挟み、交互に積層、圧着し、所定の形状に切断
し、焼成して第５図に示すような異種磁器組成物
材料間にセラミツク層を挟んだ４層構造の積層セ
ラミツク・コンデンサチツプを得た。
成セラミツクグリーンシートの間に金属層形成材
料１３を被着させたセラミツクグリーンシートを
挟み、交互に積層、圧着し、所定の形状に切断
し、焼成して第５図に示すような異種磁器組成物
材料間にセラミツク層を挟んだ４層構造の積層セ
ラミツク・コンデンサチツプを得た。
この第２の実施例においても、第１の実施例と
同様な効果を得ることが出来る。
同様な効果を得ることが出来る。
ここで、金属層の厚さを10乃至30μmとしてい
るのは10μm未満では各組成物間で拡散反応を防
ぐことが出来ず、30μmをこえる厚さでは軽薄短
小化の要求に適合出来ないためである。
るのは10μm未満では各組成物間で拡散反応を防
ぐことが出来ず、30μmをこえる厚さでは軽薄短
小化の要求に適合出来ないためである。
第４図に示した例からも明らかなように、本発
明の積層セラミツク・コンデンサは、キエリー点
の異なる複数の高誘電率材料を用い、前記高誘電
率材料間に10乃至30μmの金属層を介在させるこ
とによつて温度特性にすぐれ、かつ、小さな形状
で高静電容量を簡単に実現できる効果がある。
明の積層セラミツク・コンデンサは、キエリー点
の異なる複数の高誘電率材料を用い、前記高誘電
率材料間に10乃至30μmの金属層を介在させるこ
とによつて温度特性にすぐれ、かつ、小さな形状
で高静電容量を簡単に実現できる効果がある。
第１図ａ，ｂは本発明の積層セラミツク・コン
デンサチツプの内部電極の積層構造の第１の実施
例を示す斜視図及び積層セラミツク・コンデンサ
の斜視図、第２図ａ，ｂは本実施例の内部電極及
び金属層形成材料をセラミツクグリーンシートに
被着したときの断面図、第３図ａ，ｂは本実施例
の積層構造を説明するための斜視図及び断面図、
第４図は本実施例の積層セラミツク・コンデンサ
と従来の積層セラミツク・コンデンサの温度によ
る容量変化率を示す特性図、第５図は本発明の積
層セラミツク・コンデンサチツプの内部電極の積
層構造の第２の実施例を示す斜視図である。 １……セラミツクグリーンシート、２……内部
電極、３……金属層、４ａ……保護膜用シート、
４ｂ……電極形成用シート、４ｃ……金属層形成
材料用シート、５ａ……保護膜用シート、５ｂ…
…電極形成用シート、６……切断位置、７，８…
…積層セラミツクコンデンサチツプ、９……積層
セラミツクコンデンサ、１０……外部電極、１３
……金属層形成材料。
デンサチツプの内部電極の積層構造の第１の実施
例を示す斜視図及び積層セラミツク・コンデンサ
の斜視図、第２図ａ，ｂは本実施例の内部電極及
び金属層形成材料をセラミツクグリーンシートに
被着したときの断面図、第３図ａ，ｂは本実施例
の積層構造を説明するための斜視図及び断面図、
第４図は本実施例の積層セラミツク・コンデンサ
と従来の積層セラミツク・コンデンサの温度によ
る容量変化率を示す特性図、第５図は本発明の積
層セラミツク・コンデンサチツプの内部電極の積
層構造の第２の実施例を示す斜視図である。 １……セラミツクグリーンシート、２……内部
電極、３……金属層、４ａ……保護膜用シート、
４ｂ……電極形成用シート、４ｃ……金属層形成
材料用シート、５ａ……保護膜用シート、５ｂ…
…電極形成用シート、６……切断位置、７，８…
…積層セラミツクコンデンサチツプ、９……積層
セラミツクコンデンサ、１０……外部電極、１３
……金属層形成材料。
Claims (1)
- １ セラミツク誘電体層と内部電極が交互に積層
して成る積層セラミツク・コンデンサにおいて、
前記セラミツク誘電体層がキユリー点の異る少く
とも二種類の磁器組成物材料で形成され、かつ、
複数の前記セラミツク誘電体層の間に10乃至
30μmの金属層を形成したことを特徴とする積層
セラミツク・コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22064187A JPS6464209A (en) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | Laminated ceramic-capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22064187A JPS6464209A (en) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | Laminated ceramic-capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6464209A JPS6464209A (en) | 1989-03-10 |
| JPH0515292B2 true JPH0515292B2 (ja) | 1993-03-01 |
Family
ID=16754150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22064187A Granted JPS6464209A (en) | 1987-09-02 | 1987-09-02 | Laminated ceramic-capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6464209A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100541074B1 (ko) * | 1998-12-19 | 2006-03-14 | 삼성전기주식회사 | 납내열 특성이 우수한 적층 세라믹 콘덴서 |
| KR100541075B1 (ko) * | 1998-12-21 | 2006-03-09 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| JP4578134B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-11-10 | 京セラ株式会社 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 |
-
1987
- 1987-09-02 JP JP22064187A patent/JPS6464209A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6464209A (en) | 1989-03-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 15 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080301 |